JP7229750B2 - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
まず、X-Y CD制御について説明する。クリティカル・ディメンション(CD)とは半導体基板上のパターンの寸法を指す用語である。CDは、半導体装置の特性を示すパラメータとして用いられ、所望のCDが達成されない場合は半導体装置の性能に影響する。このため、プラズマ処理は、所望のCDを達成することが求められる。
まず、一実施形態に係るプラズマ処理装置1について、図1を参照して説明する。図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置1の構成の一例を示す図である。本実施形態に係るプラズマ処理装置1は、半導体ウエハのエッチング、成膜、スパッタリング等をプラズマを用いて実行する。本実施形態に係るプラズマ処理装置1は、チャンバ10内に載置台20とガスシャワーヘッド30とを対向配置した平行平板型のプラズマ処理装置(容量結合型プラズマ処理装置)である。載置台20は下部電極としても機能し、ガスシャワーヘッド30は上部電極としても機能する。
図2は、一実施形態に係るプラズマ処理の大まかな流れの一例を示すフローチャートである。図3Aは、マスクパターンが形成されたウエハの概略断面図である。図3Bは、一実施形態に係る成膜処理後のウエハの概略断面図である。図3Cは、一実施形態に係るスパッタリングまたはエッチング後のウエハの概略断面図である。
図4は、一実施形態に係るX>Y CD制御における長径(Y)および短径(X)の変化について説明するための図である。図5は、一実施形態に係るX>Y CD制御における長径(Y)および短径(X)の変化について説明するための他の図である。
なお、上記プラズマ処理方法において、第1工程(成膜工程)と第2工程(スパッタリングまたはエッチング)とをサイクリックに行う場合、ガス切替タイミングにおいて真空引き工程やパージ(ガス交換)工程などの追加工程を含んでもよい。追加工程はたとえば、第1工程において用いられるガスと第2工程において用いられるガスとがチャンバの中で混じらないようにするための工程である。図6は、一実施形態に係るプラズマ処理の追加工程の一例について説明するための図である。
本実施形態においてはさらに、所望のシュリンク量にあわせて成膜処理(ステップS22)およびスパッタリング(ステップS23)の処理条件を決定する。たとえば、一実施形態に係るプラズマ処理装置1は、重回帰分析によって所望のシュリンクの達成に影響する説明変数を決定し、重回帰曲線を設定する。そして、プラズマ処理装置1は、設定した重回帰曲線を用いて各処理の処理条件を決定し、決定した処理条件で成膜処理およびスパッタリングを実行する。
ΔX=aα+bβ+c …(1)
式(1)中、ΔXは、短径(X)のシュリンク量、aαは、成膜処理(ステップS22)のプロセス条件を示し、例えば、処理時間、bβは、スパッタリング(ステップS23)のプロセス条件を示し、例えば、処理時間、cは切片である。
上記実施形態に係るプラズマ処理方法は、第1工程と、第2工程と、を含む。第1工程において、プラズマ処理装置は、基板上に形成された疎密を有するパターン上に第1の膜を形成する。第2工程において、プラズマ処理装置は、第1の膜をスパッタリングまたはエッチングする。実施形態に係るプラズマ処理方法は、たとえば第1工程で形成された第1の膜を第2工程により周囲のパターンに付着させることで、X>Yシュリンクを実現することができる。
なお、上記実施形態においては、X-Yパターンとして大きさが略同一の楕円形状の穴が複数形成されるパターンを用いて説明した。ただし、これに限られず、本実施形態は、楕円形状以外の疎密を有するパターンに適用することができる。疎密を有するパターンとはたとえば、設計上同一サイズのパターンが疎に形成される部分と、密に形成される部分とを有するパターンである。上記楕円形状の穴を複数有するX-Yパターンの場合、楕円の短径方向が密に形成される部分であり、長径方向が疎に形成される部分である。本実施形態のプラズマ処理方法は、たとえばラインアンドスペース(L/S)の寸法制御、ラフネス改善等に適用することができる。
10 チャンバ
20 載置台
21 静電チャック
21a 絶縁体
21b チャック電極
22 基台
23 直流電圧源
24 エッジリング
26a 冷媒流路
26b 冷媒入口配管
26c 冷媒出口配管
27 チラー
28 伝熱ガス供給源
28a ガス供給ライン
29 電力供給装置
29a 第1高周波電源
29b 第2高周波電源
29c 第1整合器
29d 第2整合器
30 ガスシャワーヘッド
31 シールドリング
32 ガス導入口
32a,32b 拡散室
33 ガス供給源
34 ガス供給孔
40 排気口
41 排気装置
50 制御部
51 CPU
52 ROM
53 RAM
G ゲートバルブ
W ウエハ
Claims (13)
- 基板上に形成された疎密を有するパターン上にCVD(Chemical Vapor Deposition)によって第1の膜を形成する第1工程と、
前記第1の膜をスパッタリングまたはエッチングすることにより、スパッタリングまたはエッチングされた前記第1の膜由来の粒子を前記パターンの側壁に付着させる第2工程と、
を含む、プラズマ処理方法。 - 前記第1工程と前記第2工程を所定回数繰り返し実行する、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1工程と前記第2工程との間に、真空引き工程またはガス交換工程をさらに含む、請求項1または2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1工程に用いられるガスは、C,H,F,O,SまたはNを含む、請求項1から3のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2工程に用いられるガスは、希ガス、不活性ガスまたはこれらを混合したガスである、請求項1から4のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記パターンを、極端紫外光(EUV)またはArFリソグラフィにより形成する工程をさらに含む、請求項1から5のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 基板上に形成された疎密を有するパターン上にCVD(Chemical Vapor Deposition)によって第1の膜を形成する第1工程と、
前記第1の膜をスパッタリングまたはエッチングする第2工程と、
を含み、
前記第1工程と前記第2工程との組み合わせは、前記パターンが含む、パターンが密に配置される部分の配置間隔を、パターンが疎に配置される部分の配置間隔よりも大きな変動量で減少させる、プラズマ処理方法。 - 基板上に形成された疎密を有するパターン上に第1の膜を形成する第1工程と、
前記第1の膜をスパッタリングまたはエッチングする第2工程と、
を含み、
前記第1工程と前記第2工程との組み合わせは、前記パターンが含む、パターンが密に配置される部分の配置間隔を、パターンが疎に配置される部分の配置間隔よりも大きな変動量で減少させ、
前記変動量を目的変数とし、前記第1工程および前記第2工程の処理条件を説明変数とする重回帰曲線に基づき、前記第1工程および前記第2工程の処理条件を決定する決定工程をさらに含む、
プラズマ処理方法。 - 前記決定工程は、前記第1工程および前記第2工程の処理時間を決定する、請求項8に記載のプラズマ処理方法。
- 前記パターンを介してエッチングする第3工程をさらに含む、請求項1から9のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第3工程の処理条件を重回帰曲線に基づき決定する第2の決定工程をさらに含む、請求項10に記載のプラズマ処理方法。
- 疎領域と密領域とを有するパターンを備える基板を提供する工程と、
前記パターン上にCVD(Chemical Vapor Deposition)によって第1の膜を形成する成膜工程と、
前記第1の膜をスパッタし、前記パターンの側壁にスパッタされた粒子を再付着させることにより前記密領域のCD減少量を前記疎領域のCD減少量よりも大きくする工程と、
を含むプラズマ処理方法。 - 処理空間を提供するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、基板が載置される載置台と、
前記チャンバの内部に処理ガスを供給するためのガス供給部と、
前記チャンバ内において、基板上に形成された疎密を有するパターン上にCVD(Chemical Vapor Deposition)によって第1の膜を形成する第1工程と、前記第1の膜をスパッタリングまたはエッチングすることにより、スパッタリングまたはエッチングされた前記第1の膜由来の粒子を前記パターンの側壁に付着させる第2工程と、を実行する制御部と、
を備えたプラズマ処理装置。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294905A (ja) | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造方法およびエッチングシステム |
US20090050271A1 (en) | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Lam Research Corporation | Mask trimming |
JP2010003757A (ja) | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012227282A (ja) | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Hitachi Ltd | 加工装置および加工条件算出方法 |
JP2016207772A (ja) | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機膜をエッチングする方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI229905B (en) * | 2003-11-13 | 2005-03-21 | Nanya Technology Corp | Method for controlling critical dimension by utilizing resist sidewall protection |
JP2007214299A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
US7700444B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-04-20 | Yijian Chen | Post-lithography misalignment correction with shadow effect for multiple patterning |
JP5108489B2 (ja) * | 2007-01-16 | 2012-12-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
JP5102653B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
US8435419B2 (en) * | 2010-06-14 | 2013-05-07 | Applied Materials, Inc. | Methods of processing substrates having metal materials |
JP2013243271A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライエッチング方法 |
US9165783B2 (en) * | 2012-11-01 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a low-k dielectric film |
JP6095528B2 (ja) * | 2013-09-04 | 2017-03-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
JP6243722B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2017-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法 |
EP3182459A1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-06-21 | IMEC vzw | Method of producing a pre-patterned structure for growing vertical nanostructures |
JP6820730B2 (ja) * | 2016-12-02 | 2021-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
US10796912B2 (en) * | 2017-05-16 | 2020-10-06 | Lam Research Corporation | Eliminating yield impact of stochastics in lithography |
US10727058B2 (en) * | 2018-08-20 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming and etching structures for patterning processes |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294905A (ja) | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造方法およびエッチングシステム |
US20090050271A1 (en) | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Lam Research Corporation | Mask trimming |
JP2010003757A (ja) | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012227282A (ja) | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Hitachi Ltd | 加工装置および加工条件算出方法 |
JP2016207772A (ja) | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機膜をエッチングする方法 |
JP2017045869A (ja) | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
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