JP2010003757A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、被処理基板上の被加工層上に形成された孤立レジストパターンと密集レジストパターンを含むレジストマスクに対し、基板シース電圧が20V以下の条件下でArプラズマを照射し、前記孤立レジストパターンと密集レジストパターンとで、それぞれのパターン幅をトリミングする工程と、前記レジストマスクを使って、前記被加工層をエッチングし、前記孤立レジストパターンに対応して孤立加工パターンを、前記密集レジストパターンに対応して密集加工パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図5
Description
(付記1)
被処理基板上の被加工層上に形成された孤立レジストパターンと密集レジストパターンを含むレジストマスクに対しArプラズマを照射し、前記孤立レジストパターンと密集レジストパターンとで、それぞれのパターン幅をトリミングする工程と、
前記レジストマスクを使って、前記被加工層をエッチングし、前記孤立レジストパターンに対応して孤立加工パターンを、前記密集レジストパターンに対応して密集加工パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記Arプラズマ照射が、基板シース電圧が20V以下の条件下であることを特徴とする付記1記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記孤立レジストパターンは、前記孤立レジストパターンを構成するレジストパターンの両側にスペースを、前記レジスト孤立パターンを構成するレジストパターンの幅の7倍以上で、かつ1000nm以上の幅で有しており、
前記密集レジストパターンは少なくとも三本の平行なレジストパターンを含み、前記三本の平行なレジストパターンの各々は、前記密集レジストパターンのうちで隣接するレジストパターンとの間に、前記少なくとも三本の平行なレジストパターンの幅の5倍以下で、500nm以下のスペースを有していることを特徴とする付記1または2記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記Arプラズマの照射は、ICP型プラズマ発生装置またはECR型プラズマ発生装置を使って実行されることを特徴とする付記1または2記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記トリミング工程は、前記孤立レジストパターンのパターン幅と前記密集レジストパターンのパターン幅を求め、前記孤立レジストパターンおよび密集レジストパタ―ンのそれぞれのパターン幅に対応した前記孤立加工パターンおよび密集加工パターンのパターン幅の予測値を求め、前記孤立加工パターンのパターン幅予測値と前記密集加工パターンのパターン幅予測値との差分に対応して前記Arプラズマの照射時間を決定する工程を含むことを特徴とする付記1〜4のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
前記Arプラズマの照射時間を決定する工程は、前もって別の被処理基板について求めておいた、前記孤立レジストパターンを使って前記別の被処理基板上の被加工層をパターニングし孤立加工パターンを形成した際のエッチングシフト量、および前記密集レジストパターンを使って前記別の被処理基板上の前記被加工層をパターニングし密集加工パターンを形成した際のエッチングシフト量のデータベースを使って行われることを特徴とする付記5記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)
前記Arプラズマの照射時間を決定する工程は、前記別の被処理基板について前もって求めておいた孤立加工パターンのエッチングシフト量および密集加工パターンのエッチングシフト量と、前記別の被処理基板上の孤立レジストパターンおよび密集レジストパターンに対して行ったArプラズマ照射の照射時間との関係を直線近似した係数を使って実行されることを特徴とする付記6記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記密集レジストパターンは、前記被加工層上に形成された時点で、前記孤立レジストパターンよりも大きな幅を有するように形成されることを特徴とする付記1〜7のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
12 ガラス容器
13 コイル
14 プラズマ
15 高周波源
15A スイッチ
21 ポリシリコン膜
21A〜21F ポリシリコン膜
22A〜22F レジスト膜
W ウェハ
Claims (5)
- 被処理基板上の被加工層上に形成された孤立レジストパターンと密集レジストパターンを含むレジストマスクに対しArプラズマを照射し、前記孤立レジストパターンと密集レジストパターンとで、それぞれのパターン幅をトリミングする工程と、
前記レジストマスクを使って、前記被加工層をエッチングし、前記孤立レジストパターンに対応して孤立加工パターンを、前記密集レジストパターンに対応して密集加工パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記孤立レジストパターンは、前記孤立レジストパターンを構成するレジストパターンの両側にスペースを、前記レジスト孤立パターンを構成するレジストパターンの幅の7倍以上で、かつ1000nm以上の幅で有しており、
前記密集レジストパターンは少なくとも三本の平行なレジストパターンを含み、前記三本の平行なレジストパターンの各々は、前記密集レジストパターンのうちで隣接するレジストパターンとの間に、前記少なくとも三本の平行なレジストパターンの幅の5倍以下で、500nm以下のスペースを有していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記Arプラズマの照射は、ICP型プラズマ発生装置またはECR型プラズマ発生装置を使って実行されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記トリミング工程は、前記孤立レジストパターンのパターン幅と前記密集レジストパターンのパターン幅を求め、前記孤立レジストパターンおよび密集レジストパタ―ンのそれぞれのパターン幅に対応した前記孤立加工パターンおよび密集加工パターンのパターン幅の予測値を求め、前記孤立加工パターンのパターン幅予測値と前記密集加工パターンのパターン幅予測値との差分に対応して前記Arプラズマの照射時間を決定する工程を含むことを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Arプラズマの照射時間を決定する工程は、前もって別の被処理基板について求めておいた、前記孤立レジストパターンを使って前記別の被処理基板上の被加工層をパターニングし孤立加工パターンを形成した際のエッチングシフト量、および前記密集レジストパターンを使って前記別の被処理基板上の前記被加工層をパターニングし密集加工パターンを形成した際のエッチングシフト量のデータベースを使って行われることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
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