JP2006013013A - プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム - Google Patents
プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006013013A JP2006013013A JP2004185718A JP2004185718A JP2006013013A JP 2006013013 A JP2006013013 A JP 2006013013A JP 2004185718 A JP2004185718 A JP 2004185718A JP 2004185718 A JP2004185718 A JP 2004185718A JP 2006013013 A JP2006013013 A JP 2006013013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trimming
- amount
- mask
- time
- plasma etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】 真空処理室内に収容したウエハにレジストトリミング処理を施すプラズマエッチング処理装置13において、プラズマ処理中の装置状態をモニタリングするOES19を有し、OES19からのモニタリング出力に基づく特徴量16およびトリミング時間15とから予め設定した疎密パターン別トリミング量予測回帰モデル17を用いて疎密パターン別トリミング量予測値18を予測し、トリミング量予測値18と目標トリミング量110との距離が等しくなる時点をトリミングプロセスの終了点として、プラズマエッチング処理装置13を制御する。
【選択図】 図1
Description
本発明の実施の形態1においては、レジストトリミング工程で各パターンに許容される寸法ばらつき1nm以下を実現するために、装置状態の特徴量と処理時間から疎パターンと密パターンのトリミング量を別々に予測し、トリミング目標値からの各予測値の距離が等しくなる点をトリミング終了点とした。このトリミング終了点を判断する例として、2種類の場合について説明するが、これに限定されるものではない。
図2は、本実施の形態に係るトリミング量制御システムにおいて、トリミング量制御方法を実現する2つのステップを示す図である。トリミング量制御方法は、オフラインモデル導出ステップS41と、オンライントリミング量制御ステップS42からなる。
次に、オフラインモデル導出ステップについて、図3〜図7を用いて詳細に説明する。
次に、オンライントリミング量制御ステップについて、図8〜図11を用いて詳細に説明する。
本発明の実施の形態2においては、トリミング量予測モデルを処理結果に基づき更新するトリミング量Run−to−Run制御方法について説明する。近年、微細パターンを計測する手法として、光散乱を用いた形状推定手段(Optical Critical Dimensionを略して以下OCDと記載する。)が実用化されてきた。エッチング装置毎にOCDモジュールを搭載することが可能であり、処理前後のパターン寸法や形状を装置において計測できるために、計測に要する時間を軽減でき、かつ計測点数を大幅に向上する点がOCD搭載のメリットである。
本発明の実施の形態3においては、トリミング量モニタリング方法について説明する。
本発明の実施の形態4においては、トリミング量制御システムのインターフェース画面および処理の流れについて説明する。
本発明の実施の形態5においては、複数の予測トリミング量を用いた終了判定方法と、ポリシリコントリミングプロセスについて説明する。
Claims (9)
- 真空処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマエッチング処理装置と、
装置状態をモニタリングする測定手段と、
前記測定手段の出力であるモニタリング結果から特徴量を算出する手段と、
前記特徴量とトリミング時間に基づき、トリミング量を予測するモデルとを備え、
前記特徴量と前記トリミング時間とからトリミング予測量を逐次算出し、
前記トリミング予測量が予め定められたトリミング量目標値以上となった時点で、トリミング処理を終了することを特徴とするプラズマエッチング処理装置の制御方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング処理装置の制御方法において、
前記トリミング処理の終了時に、計測したトリミング量とこの時のモニタリング結果をもとに、前記トリミング量を予測するモデルを更新することを特徴とするプラズマエッチング処理装置の制御方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング処理装置の制御方法において、
前記逐次算出されるトリミング予測量を表示することを特徴とするプラズマエッチング処理装置の制御方法。 - 真空処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマエッチング処理装置と、
装置状態をモニタリングする測定手段と、
前記測定手段の出力であるモニタリング結果から特徴量を算出する手段と、
前記特徴量とトリミング時間に基づき、トリミング量を予測するモデルと、
前記特徴量と前記トリミング時間とからトリミング予測量を逐次算出する手段と、
前記トリミング予測量が予め定められたトリミング量目標値以上となった時点で、トリミング処理を終了する手段と、
前記トリミング処理の終了時に、計測したトリミング量とこの時のモニタリング結果をもとに、前記トリミング量を予測するモデルを更新する手段とを備えることを特徴とするトリミング量制御システム。 - 真空処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマエッチング処理装置と、
装置状態をモニタリングする測定手段と、
前記測定手段の出力であるモニタリング結果から特徴量を算出する手段と、
前記特徴量とマスクトリミング時間に基づき、前記試料上の異なる複数種類のマスクトリミング量をそれぞれ予測するモデルとを備え、
前記特徴量と前記マスクトリミング時間とから複数種類のマスクトリミング予測量を逐次算出し、
前記複数種類のマスクトリミング予測量と予め定められたマスクトリミング量目標値との距離が等しくなった時点で、マスクトリミング処理を終了することを特徴とするプラズマエッチング処理装置の制御方法。 - 請求項5記載のプラズマエッチング処理装置の制御方法において、
前記複数種類のマスクトリミング量は、疎パターンと密パターンの2種類のパターンのマスクトリミング量であることを特徴とするプラズマエッチング処理装置の制御方法。 - 請求項5記載のプラズマエッチング処理装置の制御方法において、
前記マスクトリミング処理の終了時に、計測したマスクトリミング量とこの時のモニタリング結果およびマスクトリミング時間をもとに、前記試料上の異なる複数種類のマスクトリミング量をそれぞれ予測するモデルを更新することを特徴とするプラズマエッチング処理装置の制御方法。 - 請求項5記載のプラズマエッチング処理装置の制御方法において、
前記逐次算出される複数種類のマスクトリミング予測量を表示することを特徴とするプラズマエッチング処理装置の制御方法。 - 真空処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマエッチング処理装置と、
装置状態をモニタリングする測定手段と、
前記測定手段の出力であるモニタリング結果から特徴量を算出する手段と、
前記特徴量とマスクトリミング時間に基づき、前記試料上の異なる複数種類のマスクトリミング量をそれぞれ予測するモデルと、
前記特徴量と前記マスクトリミング時間とから複数種類のマスクトリミング予測量を逐次算出する手段と、
前記複数種類のマスクトリミング予測量と予め定められたマスクトリミング量目標値との距離が等しくなった時点で、マスクトリミング処理を終了する手段と、
前記マスクトリミング処理の終了時に、計測したマスクトリミング量とこの時のモニタリング結果およびマスクトリミング時間をもとに、前記試料上の異なる複数種類のマスクトリミング量をそれぞれ予測するモデルを更新する手段とを備えることを特徴とするトリミング量制御システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004185718A JP4480482B2 (ja) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004185718A JP4480482B2 (ja) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006013013A true JP2006013013A (ja) | 2006-01-12 |
JP4480482B2 JP4480482B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=35779903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004185718A Active JP4480482B2 (ja) | 2004-06-24 | 2004-06-24 | プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4480482B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166714A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-07-17 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2008166732A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2010003757A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011044592A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Nec Corp | 信頼度判断装置、信頼度判断方法、及び信頼度判断用コンピュータプログラム |
JP2011082441A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2011082514A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ装置及び方法 |
JP2013219401A (ja) * | 2013-07-29 | 2013-10-24 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法のRun−to−Run制御方法 |
US8685265B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-04-01 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
WO2014065269A1 (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 補正値算出装置、補正値算出方法及びコンピュータプログラム |
CN109918690A (zh) * | 2017-12-13 | 2019-06-21 | 欧姆龙株式会社 | 监视系统、学习装置、学习方法、监视装置及监视方法 |
-
2004
- 2004-06-24 JP JP2004185718A patent/JP4480482B2/ja active Active
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166732A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2008166714A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-07-17 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
US8263485B2 (en) | 2007-01-04 | 2012-09-11 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating semiconductor device |
JP2010003757A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011044592A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Nec Corp | 信頼度判断装置、信頼度判断方法、及び信頼度判断用コンピュータプログラム |
US9547235B2 (en) | 2009-10-07 | 2017-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography apparatus and method |
JP2011082514A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ装置及び方法 |
JP2011082441A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
US8992721B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-03-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
US10262840B2 (en) | 2009-10-09 | 2019-04-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
US8685265B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-04-01 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
WO2014065269A1 (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 補正値算出装置、補正値算出方法及びコンピュータプログラム |
JP5877908B2 (ja) * | 2012-10-24 | 2016-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 補正値算出装置、補正値算出方法及びコンピュータプログラム |
JP2013219401A (ja) * | 2013-07-29 | 2013-10-24 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法のRun−to−Run制御方法 |
CN109918690A (zh) * | 2017-12-13 | 2019-06-21 | 欧姆龙株式会社 | 监视系统、学习装置、学习方法、监视装置及监视方法 |
CN109918690B (zh) * | 2017-12-13 | 2023-04-07 | 欧姆龙株式会社 | 监视系统、学习装置、学习方法、监视装置及监视方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4480482B2 (ja) | 2010-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI250601B (en) | Method and apparatus employing integrated metrology for improved dielectric etch efficiency | |
US7463941B2 (en) | Quality control system, quality control method, and method of lot-to-lot wafer processing | |
JP5028473B2 (ja) | ウェハ均一性制御を用いた動的サンプリング測定法 | |
US6858361B2 (en) | Methodology for repeatable post etch CD in a production tool | |
JP3708031B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
US9559019B2 (en) | Metrology through use of feed forward feed sideways and measurement cell re-use | |
US7301645B2 (en) | In-situ critical dimension measurement | |
KR101127431B1 (ko) | 통합형 계측 툴을 이용한 챔버 안정성 모니터링 | |
WO2006054459A1 (ja) | 露光条件設定方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム | |
JP2005521235A (ja) | 半導体ウエハの処理装置及び方法 | |
JP2009531866A5 (ja) | ||
US20030000922A1 (en) | Using scatterometry to develop real time etch image | |
JP2006228843A (ja) | 半導体デバイスのプロセス制御方法および製造方法 | |
JP3694662B2 (ja) | 半導体素子製造プロセスにおける膜の処理量測定方法と装置、及びそれを用いた被処理材の処理方法と装置、及びそれを用いたプロセスの終点判定方法と装置 | |
US7080330B1 (en) | Concurrent measurement of critical dimension and overlay in semiconductor manufacturing | |
JP4480482B2 (ja) | プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム | |
US7369697B2 (en) | Process variable of interest monitoring and control | |
US8183062B2 (en) | Creating metal gate structures using Lithography-Etch-Lithography-Etch (LELE) processing sequences | |
TWI381468B (zh) | 線上微影及蝕刻系統 | |
US7052575B1 (en) | System and method for active control of etch process | |
US7262864B1 (en) | Method and apparatus for determining grid dimensions using scatterometry | |
JP4344674B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20220359173A1 (en) | Etching method of etching apparatus | |
EP1402242B1 (en) | Using scatterometry to develop real time etch image | |
Ridane et al. | Large field of view metrology: detecting critical edge placement error signatures not seen with small field of view in an HVM environment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090324 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090522 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090616 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090914 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100302 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100316 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4480482 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |