JP2011082514A - インプリントリソグラフィ装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】充填期間にわたってパターン形成された表面をインプリント可能な液体媒体と接触させるステップを含む。媒体とパターン形成された表面との間の界面から発する(例えば、散乱又は反射する)光が充填期間中に収集され測定されて界面の1つ又は複数の空隙に関するデータが入手され、データと時間との関係から充填期間の終了時間が導出される。この方法によって、後続の工程ステップをより迅速に実行することができ、欠陥が未充填の空隙の残りの部分から発生する危険が低減する。
【選択図】図3
Description
基板及び/又はパターン形成された表面上に流動可能な液体としてのインプリント可能な液体媒体を提供するステップと、
インプリント可能な液体媒体がパターン形成された表面の凹部を実質的に充填した時に終了時間を有する充填期間にわたって基板及び/又はパターン形成された表面上でパターン形成された表面をインプリント可能な液体媒体と接触させるステップと、
充填期間中にインプリント可能な液体媒体とパターン形成された表面との間の界面から発する光を測定して界面の1つ又は複数の空隙に関するデータを入手するステップと、
データと時間との関係から予想終了時間を導出するステップと、
を含むインプリント方法を提供する。
基板及び/又はパターン形成された表面上に流動可能な液体としてのインプリント可能な液体媒体を提供するステップと、
パターン形成された表面をインプリント可能な液体媒体と接触させるステップと、
インプリント可能な液体媒体とパターン形成された表面との間の界面から発する光の測定から収集したデータからインプリント可能な液体媒体がパターン形成された表面の凹部を実質的に充填するのに必要な予想時間を計算するステップと、
を含むインプリント方法を提供する。
基板上に流動可能な液体としてのインプリント可能な媒体を提供するステップと、
インプリント可能な媒体がインプリントテンプレートのパターン形成された表面の凹部を実質的に充填した時に終了時間を有する充填期間にわたって基板上でインプリントテンプレートのパターン形成された表面とインプリント可能な媒体とを互いに接触させるステップと、
充填期間中にインプリント可能な媒体とインプリントテンプレートのパターン形成された表面との間の界面から発する光を測定して界面の1つ又は複数の空隙に関するデータを入手するステップと、
データと時間との関係から充填期間の終了時間を予想するステップと、
を含むインプリント方法を提供する。
インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントホルダであって、インプリントテンプレートがパターン形成された表面とインプリント可能な液体媒体との接触によって基板上にインプリント可能な液体媒体をパターン形成するパターン形成された表面を有するインプリントホルダと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
インプリント可能な液体媒体がパターン形成された表面の凹部を実質的に充填する充填期間中にインプリント可能な液体媒体とパターン形成された表面との間の界面から発する光から導出される信号を生成するように構成された検出器と、
充填期間中に界面の1つ又は複数の空隙に関する信号からデータを導出し、データと時間との関係から充填期間の予想終了時間を導出するように構成されたコンピュータと、
を備えるインプリント装置を提供する。
インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントホルダであって、インプリントテンプレートがパターン形成された表面とインプリント可能な液体媒体との接触によって基板上にインプリント可能な液体媒体をパターン形成するパターン形成された表面を有するインプリントホルダと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
インプリント可能な液体媒体とパターン形成された表面との間の1つ又は複数の空隙を含む界面から発する光を収集し測定し、そこから信号を生成するように構成された検出器と、
検出器によって生成された信号から導出されたデータからインプリント可能な液体媒体がパターン形成された表面の凹部を実質的に充填するのに必要な予想終了時間を計算するように構成されたコンピュータと、
を備えるインプリント装置を提供する。
1.凹部を有するパターン形成された表面を有するインプリントテンプレートによって基板上にインプリント可能な液体媒体のパターン形成された層を形成するインプリント方法であって、
前記インプリント可能な液体媒体が前記パターン形成された表面の凹部を実質的に充填した時に終了時間を有する充填期間にわたって前記基板及び/又はパターン形成された表面上で前記パターン形成された表面をインプリント可能な液体媒体と接触させるステップと、
前記充填期間中に前記インプリント可能な液体媒体と前記パターン形成された表面との間の界面から発する光を測定して前記界面の1つ又は複数の空隙に関するデータを入手するステップと、
前記データと時間との関係から予想終了時間を導出するステップと、
を含むインプリント方法。
2.光源から前記界面へ前記光を誘導するステップを含む、条項1に記載のインプリント方法。
3.前記データが前記1つ又は複数の空隙のサイズに関する情報を含む、条項1又は条項2に記載のインプリントリソグラフィ方法。
4.前記データが前記1つ又は複数の空隙のサイズの変化速度に関連した情報を含む、前記条項のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
5.前記界面から発する前記光が合焦して前記界面の画像を形成し、前記画像を分析して前記データが得られる一組の空隙が選択される、前記条項のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
6.前記空隙の組の前記空隙の各々が前記空隙のサイズに関する統計値より大きいサイズを有する、条項5に記載のインプリントリソグラフィ方法。
7.1つ又は複数の以前にパターン形成された層の未充填の空隙から生じる欠陥レベルから得た情報を用いて前記関係が変更される学習工程を含む、前記条項のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
8.1つ又は複数の別の処理ステップの開始時間が、前記予想終了時間から決定される、前記条項のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
9.前記インプリント可能な液体媒体がUV硬化性の媒体であり、前記1つ又は複数の別の処理ステップが前記UV硬化性の媒体を照明期間にわたってUV放射で照明するステップを含む、条項8に記載のインプリントリソグラフィ方法。
10.UV放射での照明に続けて、前記UV硬化性の媒体が、実質的に変化しない粘度を有する抑制期間を示す、条項9に記載のインプリントリソグラフィ方法。
11.前記UV硬化性のインプリント可能な液体媒体の照明ステップが、前記予想終了時間より前に開始する、条項10に記載のインプリントリソグラフィ方法。
12.前記UV硬化性のインプリント可能な液体媒体が、アクリレートレジスト又はビニルエーテルレジストである、条項10又は条項11に記載のインプリントリソグラフィ方法。
13.凹部を有するパターン形成された表面を有するインプリントテンプレートによって基板上にインプリント可能な液体媒体のパターン形成された層を形成するインプリント方法であって、
前記パターン形成された表面を前記基板及び/又はパターン形成された表面上でインプリント可能な液体媒体と接触させるステップと、
前記インプリント可能な液体媒体と前記パターン形成された表面との間の界面から発する光の測定から収集したデータから前記インプリント可能な液体媒体が前記パターン形成された表面の凹部を実質的に充填するのに必要な予想時間を計算するステップと、
を含むインプリント方法。
14.インプリント可能な媒体がインプリントテンプレートのパターン形成された表面の凹部を実質的に充填した時に終了時間を有する充填期間にわたって基板上で前記インプリントテンプレートの前記パターン形成された表面と前記インプリント可能な媒体とを互いに接触させるステップと、
前記充填期間中に前記インプリント可能な媒体と前記インプリントテンプレートの前記パターン形成された表面との間の界面から発する光を測定して前記界面の1つ又は複数の空隙に関するデータを入手するステップと、
前記データと時間との関係から前記充填期間の終了時間を予想するステップと、
を含むインプリント方法。
15.インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントホルダであって、前記インプリントテンプレートが、パターン形成された表面とインプリント可能な液体媒体との接触によって基板上に前記インプリント可能な液体媒体をパターン形成する前記パターン形成された表面を有するインプリントホルダと、
前記基板を保持するように構成された基板テーブルと、
インプリント可能な液体媒体が前記パターン形成された表面の凹部を実質的に充填する充填期間中に、前記インプリント可能な液体媒体と前記パターン形成された表面との間の界面から発する光から導出される信号を生成するように構成された検出器と、
前記充填期間中に前記界面の1つ又は複数の空隙に関する信号からデータを導出し、前記データと時間との関係から前記充填期間の予想終了時間を導出するように構成されたコンピュータと、
を備えるインプリント装置。
16.インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントホルダであって、前記インプリントテンプレートがパターン形成された表面とインプリント可能な液体媒体との接触によって基板上に前記インプリント可能な液体媒体をパターン形成する前記パターン形成された表面を有するインプリントホルダと、
前記基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記インプリント可能な液体媒体と前記パターン形成された表面との間の1つ又は複数の空隙を含む界面から発する光を収集し測定し、そこから信号を生成するように構成された検出器と、
前記検出器によって生成された前記信号から導出されたデータから前記インプリント可能な液体媒体が前記パターン形成された表面の凹部を実質的に充填するのに必要な予想終了時間を計算するように構成されたコンピュータと、
を備えるインプリント装置。
17.光を前記界面上へ誘導するように構成された光源をさらに備える、条項15又は条項16に記載の装置。
18.前記界面の画像を前記検出器に形成するように配置された合焦デバイスをさらに備える、条項15から17のいずれか1項に記載の装置。
19.前記画像を分析して前記界面の1つ又は複数の空隙の画像から前記データを得るように構成された画像アナライザをさらに備える、条項18に記載の装置。
20.前記装置の動作を制御するように構成され、前記予想終了時間から決定される1つ又は複数の開始時間に1つ又は複数の別の処理ステップを開始するように配置されるコントローラをさらに備える、条項15から19のいずれか1項に記載の装置。
21.前記インプリント可能な液体媒体がUV硬化性の媒体であり、前記1つ又は複数の別の処理ステップが照明期間にわたって前記UV硬化性の媒体をUV放射で照明するステップを含む、条項20に記載の装置。
22.前記UV硬化性のインプリント可能な液体媒体の照明ステップが、前記予想終了時間に先立って開始する、条項21に記載の装置。
23.前記予想終了時間から決定される1つ又は複数の開始時間に1つ又は複数の別の処理ステップを開始するように配置される、条項15から22のいずれか1項に記載の装置のコントローラ。
Claims (15)
- 凹部を有するパターン形成された表面を有するインプリントテンプレートによって基板上にインプリント可能な液体媒体のパターン形成された層を形成するインプリント方法であって、
前記インプリント可能な液体媒体が前記パターン形成された表面の凹部を実質的に充填した時に終了時間を有する充填期間にわたって前記基板及び/又はパターン形成された表面上で前記パターン形成された表面をインプリント可能な液体媒体と接触させるステップと、
前記充填期間中に前記インプリント可能な液体媒体と前記パターン形成された表面との間の界面から発する光を測定して前記界面の1つ又は複数の空隙に関するデータを入手するステップと、
前記データと時間との関係から予想終了時間を導出するステップと、
を含むインプリント方法。 - 光源から前記界面へ前記光を誘導するステップを含む、請求項1に記載のインプリント方法。
- 前記データが、前記1つ又は複数の空隙のサイズに関する情報を含む、請求項1又は請求項2に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記データが前記1つ又は複数の空隙のサイズの変化速度に関連した情報を含む、前記請求項1〜3のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記界面から発する前記光が合焦して前記界面の画像を形成し、前記画像を分析して前記データが得られる一組の空隙が選択される、前記請求項1〜4のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記空隙の組の前記空隙の各々が、前記空隙のサイズに関する統計値より大きいサイズを有する、請求項5に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 1つ又は複数の以前にパターン形成された層の未充填の空隙から生じる欠陥レベルから得た情報を用いて前記関係が変更される学習工程を含む、前記請求項1〜6のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 1つ又は複数の別の処理ステップの開始時間が、前記予想終了時間から決定される、前記請求項1〜7のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記インプリント可能な液体媒体がUV硬化性の媒体であり、前記1つ又は複数の別の処理ステップが前記UV硬化性の媒体を照明期間にわたってUV放射で照明するステップを含む、請求項8に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- UV放射での照明に続けて、前記UV硬化性の媒体が、実質的に変化しない粘度を有する抑制期間を示す、請求項9に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記UV硬化性のインプリント可能な液体媒体の照明ステップが、前記予想終了時間より前に開始する、請求項10に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 凹部を有するパターン形成された表面を有するインプリントテンプレートによって基板上にインプリント可能な液体媒体のパターン形成された層を形成するインプリント方法であって、
前記パターン形成された表面を前記基板及び/又は前記パターン形成された表面上で前記インプリント可能な液体媒体と接触させるステップと、
前記インプリント可能な液体媒体と前記パターン形成された表面との間の界面から発する光の測定から収集したデータから前記インプリント可能な液体媒体が前記パターン形成された表面の凹部を実質的に充填するのに必要な予想時間を計算するステップと、
を含むインプリント方法。 - インプリント可能な媒体がインプリントテンプレートのパターン形成された表面の凹部を実質的に充填した時に終了時間を有する充填期間にわたって基板上で前記インプリントテンプレートの前記パターン形成された表面と前記インプリント可能な媒体とを互いに接触させるステップと、
前記充填期間中に前記インプリント可能な媒体と前記インプリントテンプレートの前記パターン形成された表面との間の界面から発する光を測定して前記界面の1つ又は複数の空隙に関するデータを入手するステップと、
前記データと時間との関係から前記充填期間の終了時間を予想するステップと、
を含むインプリント方法。 - インプリントテンプレートを保持するインプリントホルダであって、前記インプリントテンプレートがパターン形成された表面とインプリント可能な液体媒体との接触によって基板上にインプリント可能な液体媒体をパターン形成するパターン形成された表面を有するインプリントホルダと、
前記基板を保持するように構成された基板テーブルと、
インプリント可能な液体媒体が前記パターン形成された表面の前記凹部を実質的に充填する充填期間中に、前記インプリント可能な液体媒体と前記パターン形成された表面との間の界面から発する光から導出される信号を生成する検出器と、
前記充填期間中に界面の1つ又は複数の空隙に関する信号からデータを導出し、データと時間との関係から充填期間の予想終了時間を導出するコンピュータと、
を備えるインプリント装置。 - インプリントテンプレートを保持するインプリントホルダであって、前記インプリントテンプレートがパターン形成された表面とインプリント可能な液体媒体との接触によって基板上に前記インプリント可能な液体媒体をパターン形成する前記パターン形成された表面を有するインプリントホルダと、
前記基板を保持する基板テーブルと、
前記インプリント可能な液体媒体と前記パターン形成された表面との間の1つ又は複数の空隙を含む界面から発する光を収集し測定し、そこから信号を生成する検出器と、
前記検出器によって生成された前記信号から導出されたデータから前記インプリント可能な液体媒体が前記パターン形成された表面の凹部を実質的に充填するのに必要な予想終了時間を計算するコンピュータと、
を備えるインプリント装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015500547A (ja) * | 2011-12-05 | 2015-01-05 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 光学較正ディスク |
JP2016143875A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 旭化成株式会社 | 位置合わせ方法、インプリント方法、及びインプリント装置 |
WO2019198668A1 (ja) * | 2018-04-09 | 2019-10-17 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法、並びに、2段メサブランクス及びその製造方法 |
JP2022100212A (ja) * | 2020-12-23 | 2022-07-05 | キヤノン株式会社 | 接触線モーションに基づいて成形パラメータを決定するシステム及び方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014085511A2 (en) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | The Regents Of The University Of California | Polymerized metal-organic material for printable photonic devices |
US10901327B2 (en) | 2018-12-20 | 2021-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Automatic defect analyzer for nanoimprint lithography using image analysis |
CN111054596B (zh) * | 2019-11-25 | 2022-02-01 | 歌尔股份有限公司 | 一种涂胶模具及电子元器件uv胶涂覆的方法 |
US11715491B2 (en) * | 2021-06-30 | 2023-08-01 | Headway Technologies, Inc. | Method of ultra-fine critical dimension patterning for magnetic head devices |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62165935A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Tokyo Electron Ltd | アツシング終点検出装置 |
JP2001223148A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nikon Corp | 洗浄方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US20040124566A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-07-01 | Sreenivasan Sidlgata V. | Step and repeat imprint lithography processes |
JP2006013013A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム |
JP2006203194A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-08-03 | Asml Netherlands Bv | インプリント・リソグラフィ |
JP2006332678A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
JP2007137051A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 |
JP2008270686A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート |
JP2009212449A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | インプリント方法およびインプリント用のテンプレート |
JP2011049554A (ja) * | 2009-08-14 | 2011-03-10 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ装置及び方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6334960B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
US20050037143A1 (en) * | 2000-07-18 | 2005-02-17 | Chou Stephen Y. | Imprint lithography with improved monitoring and control and apparatus therefor |
CN100365507C (zh) | 2000-10-12 | 2008-01-30 | 德克萨斯州大学系统董事会 | 用于室温下低压微刻痕和毫微刻痕光刻的模板 |
US7820275B2 (en) * | 2003-11-06 | 2010-10-26 | Huntsman Advanced Materials Americas Llc | Photocurable composition for producing cured articles having high clarity and improved mechanical properties |
TW200535835A (en) * | 2004-03-15 | 2005-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multilayer information recording medium and process for producing the same |
DE602005027102D1 (de) * | 2004-10-21 | 2011-05-05 | Fujifilm Dimatix Inc | Ätzverfahren mit Verwendung eines Opfersubstrats |
US7708924B2 (en) * | 2005-07-21 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US7692771B2 (en) * | 2005-05-27 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
EP1959299B1 (en) * | 2005-06-10 | 2012-12-26 | Obducat AB | Pattern replication with intermediate stamp |
US7360851B1 (en) * | 2006-02-15 | 2008-04-22 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Automated pattern recognition of imprint technology |
US8945444B2 (en) * | 2007-12-04 | 2015-02-03 | Canon Nanotechnologies, Inc. | High throughput imprint based on contact line motion tracking control |
-
2010
- 2010-08-25 NL NL2005265A patent/NL2005265A/en not_active Application Discontinuation
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- 2010-10-05 US US12/898,084 patent/US9547235B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62165935A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Tokyo Electron Ltd | アツシング終点検出装置 |
JP2001223148A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nikon Corp | 洗浄方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US20040124566A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-07-01 | Sreenivasan Sidlgata V. | Step and repeat imprint lithography processes |
JP2006013013A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム |
JP2006203194A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-08-03 | Asml Netherlands Bv | インプリント・リソグラフィ |
JP2006332678A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
JP2007137051A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 |
JP2008270686A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート |
JP2009212449A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | インプリント方法およびインプリント用のテンプレート |
JP2011049554A (ja) * | 2009-08-14 | 2011-03-10 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ装置及び方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015500547A (ja) * | 2011-12-05 | 2015-01-05 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 光学較正ディスク |
JP2016143875A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 旭化成株式会社 | 位置合わせ方法、インプリント方法、及びインプリント装置 |
WO2019198668A1 (ja) * | 2018-04-09 | 2019-10-17 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法、並びに、2段メサブランクス及びその製造方法 |
JPWO2019198668A1 (ja) * | 2018-04-09 | 2021-04-22 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法、並びに、2段メサブランクス及びその製造方法 |
JP2022100212A (ja) * | 2020-12-23 | 2022-07-05 | キヤノン株式会社 | 接触線モーションに基づいて成形パラメータを決定するシステム及び方法 |
JP7316330B2 (ja) | 2020-12-23 | 2023-07-27 | キヤノン株式会社 | 接触線モーションに基づいて成形パラメータを決定するシステム及び方法 |
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