JP5481000B2 - インプリントリソグラフィ方法 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、その全体を参照により本明細書に組み込むものとする２０１０年８月２６日出願の米国仮特許出願第６１／３７７，３９９号の利益を主張する。

[0002] 本発明は、インプリントリソグラフィに関し、特に、インプリントリソグラフィのためのクリティカルディメンションの均一性を改善するインプリントリソグラフィ方法に関する。

[0003] リソグラフィ分野では、所与の基板領域上のフィーチャの密度を増大するために、リソグラフィパターン内のフィーチャのサイズを低減するという従来からの要望がある。フォトリソグラフィ分野では、小さいフィーチャへの努力によってコスト高ではあるが液浸リソグラフィ及び極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィなどの技術が開発されてきた。

[0004] ますます関心が寄せられている潜在的にコスト高でない小さいフィーチャを得る方法が、一般に「スタンプ」（多くの場合、インプリントリソグラフィテンプレート又はインプリントテンプレートと呼ばれる）を用いて基板上にパターンを転写するいわゆるインプリントリソグラフィである。インプリントリソグラフィの利点は、フィーチャの解像度が、例えば、放射源の放射波長又は投影システムの開口数によって制限されないということである。逆に、解像度は、主としてインプリントリソグラフィテンプレート上のパターンの密度及び／又はパターンフィーチャの解像度によって制限される。

[0005] インプリントリソグラフィは、パターン形成する基板の表面上のインプリント可能な媒体のパターン形成を含む。パターン形成は、インプリント可能な媒体がパターン形成された表面の凹部に流入し、パターン形成された表面上の突起によって脇に押しのけられるように、インプリントリソグラフィテンプレートのパターン形成された表面とインプリント可能な液体媒体の層とを合わせる（例えば、インプリントリソグラフィテンプレートをインプリント可能な媒体に近づけるか、又はインプリント可能な媒体をインプリントリソグラフィテンプレートに近づけるか、あるいはその両方を互いに近づけることで）ステップを含んでいてもよい。凹部は、インプリントリソグラフィテンプレートのパターン形成された表面のパターンフィーチャを画定する。パターン形成されたフィーチャは、マイクロメートル又はナノメートルオーダーの寸法を有するフィーチャを有してもよい。通常、パターン形成された表面とインプリント可能な媒体とが合わされたときにインプリント可能な媒体は流動可能である。インプリント可能な媒体のパターン形成に続けて、例えば、インプリント可能な媒体をＵＶ放射などの化学線に照明することで、インプリント可能な媒体は、適切に非流動可能な状態又は凍結状態（すなわち固定状態）に置かれる。次に、インプリントリソグラフィテンプレートのパターン形成された表面とパターン形成されたインプリント可能な媒体は分離される。次に、通常、基板とパターン形成されたインプリント可能な媒体は、（例えば、エッチングなどにより）さらに処理されて基板のパターン形成又は別のパターン形成が実行される。インプリント可能な媒体は、パターン形成する基板の表面上に（例えば、インクジェット印刷により堆積される）液滴の形態で提供されるが、代わりに、スピンコーティングなどを用いて提供してもよい。

[0006] 放射ビームがパターニングデバイス（マスクなど）を通過するか又はそれに反射する光リソグラフィでは、放射ビームがパターニングデバイスによって提供されるパターンに従ってパターン形成される。次に、パターン形成された放射ビームは、基板上にパターンを提供するために基板上に投影される。パターニングデバイス又は光リソグラフィ装置のその他の素子の不均一性のために、基板上に投影されたパターンは意図した結果を生じないことがある。例えば、基板上にパターン付放射ビームを投影するためのパターニングデバイス又は投影システムの加熱によって、パターニングデバイス又は投影システムが変形し、基板上に投影されるパターン付放射ビームに不均一性が導入されることがある。基板上に提供されたパターンの不均一性は、例えば、放射ビームのパターン、したがって、基板上に提供されたフィーチャの寸法の増加又は減少を含むことがある。パターンフィーチャが基板全体にわたって均一で一貫した形で基板上に確実に提供されることが望ましい。

[0007] 例えば、不均一性の問題を克服するために、放射ビームの１つ以上の部分によって提供される放射ドーズ量を制御して基板の異なる領域に提供される放射ドーズ量を変更することができる。例えば、リソグラフィ装置内（又は後続の処理中）の不均一性によってパターンフィーチャが意図したよりも大きい寸法で基板上に印加されることが分かっている領域で放射ドーズ量を低減してもよい。同様に、リソグラフィ装置内の不均一性によってパターンフィーチャが意図したよりも小さい寸法を有することが分かっている場合、放射ドーズ量を増加させてもよい。

[0008] インプリントリソグラフィでは、同様の不均一性が問題になる場合がある。例えば、インプリントリソグラフィでは、インプリントリソグラフィテンプレートがパターニングデバイスである。インプリントリソグラフィテンプレートの構築時は、例えば、インプリントリソグラフィテンプレートの製造時に使用されるプロセス条件の局所的な変動によって、インプリントリソグラフィテンプレートの１つ以上のパターンフィーチャ（すなわち、トポグラフィ）に不均一性が発生し得る。このような変動には、例えば、プラズマ濃度、ｅビーム書き込みエラー、ｅビームで書き込み中のｅビーム強度の意図しない変動などが含まれる。インプリント中に、インプリントリソグラフィテンプレートは、インプリント可能な媒体にインプリントされる。インプリントリソグラフィの一実施形態では、化学線（例えば、ＵＶ放射）を用いて、インプリント可能な媒体を照射して、インプリント可能な媒体内にインプリントリソグラフィテンプレートによって提供されたパターンを固定する。しかし、１つ以上のパターンフィーチャの寸法（すなわち、トポグラフィの寸法）は固定されたインプリントリソグラフィテンプレートの１つ以上のパターンフィーチャ（すなわち、トポグラフィ）の寸法によって決定されるため、化学線のドーズ量の変化が、基板に提供された１つ以上のパターンの寸法に影響を与えることは予想し得ない。そのため、インプリントリソグラフィテンプレート内の系統的不均一性が問題になる。

[0009] 例えば、本明細書中で、又は他で特定された、この分野の少なくとも１つの問題を防止又は低減するか、又は既存のインプリントリソグラフィ方法の代替案を提供するインプリントリソグラフィ方法及びンプリント可能な媒体を提供することが望ましい。特に、例えば、インプリントリソグラフィから生じるトポグラフィの系統的不均一性を補正するための手段を提供するインプリントリソグラフィ方法及び媒体を提供することが望ましい。

[0010] 一態様によれば、意図したトポグラフィと、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差を低減するためのインプリントリソグラフィ方法が提供される。この方法は、流動可能なインプリント可能な媒体の層にインプリントリソグラフィテンプレートをインプリントしてインプリント可能な媒体中にパターン形成された層を形成するステップと、インプリント可能な媒体を固定して固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を形成するステップと、意図したトポグラフィと、インプリント可能な媒体の固定されパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差を低減するために、パターン形成された層の部分の化学反応を調整するようにパターン形成された層の部分に局所励起を適用するステップと、を含む。

[0011] 以下でさらに詳細に説明するように、トポグラフィ（実際のトポグラフィ）は、通常、後で基板に構造をエッチングするためのレジスト層として用いられるパターン形成された層から生じる。基板上に特定の寸法（例えば、幅）を有する１つ以上のパターンフィーチャを提供する意図があるにもかかわらず、その結果生じる１つ以上のパターンフィーチャ（すなわち、実際のトポグラフィ）の寸法は、所望した通り（すなわち、所望の又は意図したトポグラフィ）ではない可能性がある。これは、１つ以上のパターンフィーチャを提供するために使用されるインプリントリソグラフィテンプレートの１つ以上の凹部の寸法における不均一性（すなわち、実寸法は意図した寸法に一致しない）によるものであってもよい。

[0012] 「不均一性」という用語の使用は、基板上に提供されるパターンフィーチャの実寸法が、パターンフィーチャの意図した寸法に一致しない、すなわち、例えば、インプリントリソグラフィテンプレートの製造時における不均一性により、実寸法が意図した寸法に一致しない状況を包含することを意図することを理解されたい。このように、「不均一性」という用語は不一致性を包含する。

[0013] 一態様によれば、意図したトポグラフィと、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分の実際のトポグラフィと、の間の差を低減するための（すなわち、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分における不均一性を低減するための）インプリントリソグラフィ方法が提供される。インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分は、１つ以上のパターンフィーチャ（例えば、１つ以上の凹部又は１つ以上の突起）であってもよく又はそれらを含んでもよい。

[0014] インプリント可能な媒体は、インプリントテンプレートのパターン形成された表面を除去した後にその形状を実質的に保持するように固定される（すなわち、固定した後はインプリント可能な媒体は流動可能でなくなるが、インプリント可能な媒体が自立し、インプリントされた形を保持することができる限り、完全に硬化又は固化する必要はない）。例えば、インプリント可能な媒体は、固定されたインプリント可能な媒体が高分子媒体になるようにインプリント可能な媒体内の単量体の重合によって固定又は硬化されてもよい。

[0015] インプリント可能な媒体は、第１の化学線で硬化することによって適切に固定される。インプリント可能な媒体の固定は、インプリント可能な媒体の第１の単量体の重合反応を含む第１の化学線で硬化することによるものであってもよい。

[0016] 化学線は、本明細書では、化学反応を誘導又は開始することができる放射を意味する。通常、紫外線（ＵＶ）放射を化学線として用いてもよい。第１又は第２の化学線と言及する場合は、第１及び第２の化学線が異なる波長を有してもよく、あるいは（いくつかの波長に関して、２つの異なる分布が重なっているとしても）それらが異なる波長の分布を有してもよいことを意味する。

[0017] いかなる理論又は仮説によっても本発明の範囲を限定することを望むものではないが、意図したトポグラフィと、インプリント可能な媒体の固定されパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差を低減するためのパターン形成された層の部分の化学反応が以下のように有効であることが想定される。

[0018] 反応化合物の反応から生じる化学反応は、例えば、化学反応が急速に起こる箇所で反応化合物の濃度の空乏化を引き起こすことがあり、この濃度の空乏化を、意図したトポグラフィと実際のトポグラフィとの間の差を低減するために用いてもよい。例えば、濃度差が、化学反応がより緩慢に起こる箇所から反応化合物の拡散を駆動してもよい。この実施形態では、反応化合物の拡散が高速で起こるように、インプリント可能な媒体の温度はそのガラス温度Ｔｇに適切に近く、例えばＴｇの２０℃以内である。

[0019] 反応化合物のこの大きな拡散は、化学反応が促進された部分の反応性化合物の濃度を上昇させ得る。固定されたインプリント可能な媒体の耐エッチング性に効果があるように反応化合物が選択され、そのため、反応化合物の濃度が高い領域はエッチングに対してより高い耐性を有してもよい。これを用いてパターン形成されたインプリント可能な媒体の異なる部分について１つ以上のフィーチャの寸法の意図しない差を補償することもできる。これに加えて又はこの代わりに、反応化合物の局所的に増大した流入の結果として、固定されたインプリント可能な媒体の局所的な物理的膨張を生じさせることもできる。

[0020] ある実施形態では、反応化合物の化学反応後、反応した化合物が所定の位置で（例えば、重合によって）固定され、反応しなかった化合物はすべて、例えば、固定されたインプリント可能な媒体から溶媒浸出を用いて浸出することによって除去してもよい。このような実施形態では、反応化合物の拡散を制限するために、インプリント可能な媒体の温度がＴｇ未満に適切に保持される。したがって、化学反応が誘導された部分では、反応化合物の量が、反応化合物が反応しなかった他の部分よりも多くなる。これは、浸出の結果として、固定されたインプリント可能な媒体の局所的な物理的縮小を引き起こし得る。

[0021] ある実施形態では、化学反応は、化学反応が局所的に誘導された固定されたインプリント可能な媒体の部分に後続のエッチングが行われるときに、溶解速度を上昇させる化学反応であってもよい。

[0022] 意図したトポグラフィと、インプリント可能な媒体の固定されパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差を低減するための、パターン形成された層の部分における化学反応は、インプリント可能な媒体の第２の単量体の重合反応を含んでもよい。

[0023] 局所励起は、選択されたドーズ量の第１の化学線を、部分に対して局所適用することを含んでもよい。これは、その部分に適用する選択されたドーズ量が、インプリント可能な媒体の残りの部分に適用するドーズ量より高い又は低いことによって達成される。

[0024] 局所励起は、部分に対して選択されたドーズ量の第２の化学線を局所適用することを適切に含んでもよい。

[0025] 固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を形成するために、インプリント可能な媒体を固定した後に局所励起が適用されてもよい。しかし、固定の前、又は固定中に適用されてもよい。例えば、固定後に適用するときは、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層からンプリントリソグラフィテンプレートを除去した後に局所励起が適用されてもよい。

[0026] マスクを使用して局所励起の局所適用を制御してもよい。例えば、局所励起が化学線で照明することである場合は、いわゆるグレースケールマスクを用いて固定されたインプリント可能な媒体の異なる部分に達する放射強度を制御してもよい。その際、グレースケールマスクは実質的に均一な照射を受ける。

[0027] 局所励起は、部分の局所加熱を備えるか又は部分の局所加熱からなってもよい。局所加熱は、ＵＶ放射などの化学線で照射することにより、局所励起に加えて用いられる。

[0028] 局所加熱は、例えば、１つ以上の放射ビームによって提供してもよい。

[0029] ある実施形態では、局所加熱は、インプリント可能な媒体のパターン形成された層に向かって、所望の局所加熱を提供するように構成された放射強度プロファイルを有する放射ビームを誘導することによって提供してもよい。

[0030] ある実施形態では、局所加熱は、インプリント可能な媒体のパターン形成された層に対して、放射ビームをスキャンすることによって提供してもよい。インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分に局所加熱が確実に適用されるように放射ビームはスキャン中に調節される。

[0031] ある実施形態では、局所加熱は、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分に隣接するポイントで２つ以上の放射ビームを交差させることによって提供してもよい。

[0032] 意図したトポグラフィと、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差をパターン形成された層の部分における化学反応が低減する方法に関して、本明細書中に記載される様々な手段によってこれを達成し得る。例えば、溶媒浸出を用いて浸出することにより、重合反応後に重合されずに残った第２の単量体を固定されたインプリント可能な媒体から除去してもよい。

[0033] 化学反応は、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分における反応化合物の空乏化を引き起こし、そのため、反応化合物の部分への拡散が誘導されるような反応化合物の化学反応であってもよい。

[0034] 反応化合物は、耐エッチング性の化合物であってもよい。

[0035] 本発明の実施形態は、本発明の実施形態の方法が使用されない場合の、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層から生じ得る実際のトポグラフィの情報、及びこれを所望のトポグラフィと比較することを含む。固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィ（すなわち、本発明の実施形態による方法によって補正される部分）は、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分のトポグラフィを測定することによって決定してもよい。すなわち、調整される固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を、例えば、インプリントテンプレートが除去された直後で、且つ、局所励起が適用される前に、直接測定してもよい。ある実施形態では、同一のインプリントテンプレートを用いて以前に形成された固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を、直接測定し、その方法を後でインプリントするパターン形成された層に適用するときにその情報を使用してもよい（同じインプリントテンプレートから形成されているので、所望と実際のトポグラフィとの差が実質的に同じ差を示すものとする）。

[0036] ある実施形態では、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィは、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分を形成するために用いられるインプリントリソグラフィテンプレートの部分のトポグラフィを測定することによって決定してもよい。

[0037] ある実施形態では、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィは、インプリントリソグラフィテンプレートをレジスト層として用いてインプリントされた、固定されたインプリント可能な媒体の以前にパターン形成された層の部分を用いて形成されたエッチングされた基板のトポグラフィを測定することによって決定してもよい。

[0038] ある実施形態では、局所励起は、例えばＴｇの２０℃以内、例えばＴｇの１０℃以内又は５℃以内のようにそのガラス転移温度未満であるがそれに近い温度又はそれを超える温度で、固定されたインプリント可能な媒体に適用される。これは、この方法を適用する結果生じる拡散が確実に自由に起こるようにするために役立つと考えられる。

[0039] 一態様によれば、第１及び第２の単量体を含むインプリントリソグラフィのためのインプリント媒体が提供される。このインプリント媒体は、第１の励起によって誘導される第１の単量体の重合反応によって硬化可能であり、第２の単量体は実質的に重合されないまま残され、第２の単量体は第２の励起によって重合可能である。

[0040] インプリント可能な媒体は、本明細書に記載する方法と一緒に用いるのに適しており、また、適宜、この方法に関連して本明細書に記載の特徴のいずれもインプリント媒体に適用可能であり、またその逆も同様である。

[0041] 例えば、第１の単量体は、第１のドーズ量の第１の化学線で照射することを含む第１の励起によって実質的に重合可能であり、第２の単量体は、第２のドーズ量の第１の化学線で照射することを含む第２の励起によって実質的に重合可能であってもよい。すなわち、この実施形態では、第１のドーズ量の第１の化学線は、第１の単量体の実質的な重合を誘導するのに十分であるが、第２の単量体の実質的な重合を誘導するには十分ではない。第２の単量体の重合を誘導するために、第２のドーズ量の第１の放射が用いられる。

[0042] ある実施形態では、第１の単量体は、第１のドーズ量の第１の化学線で照射することを含む第１の励起によって実質的に重合可能であり、第２の単量体は、第２のドーズ量の第２の化学線で照射することを含む第２の励起によって実質的に重合可能であってもよい。言い換えれば、この実施形態では、第１の化学線は第１の単量体の実質的な重合を誘導するのに有効であるが、第２の単量体の重合を誘導するのには有効ではない。第２の単量体の実質的な重合を提供するために第２の化学線が適用される。

[0043] 例えば、第１の単量体はアクリレート単量体であってもよい。またインプリント可能な媒体は、アクリレート単量体と共に作用するのに適した重合開始剤を含んでもよい。重合開始剤は、ＵＶ放射などの適切な化学線を有する照明で遊離基を生成するように構成された化合物などであってもよい。

[0044] 第２の単量体はエポキシ単量体であってもよい。また、インプリント可能な媒体はエポキシ単量体と共に作用するのに適した重合開始剤を含んでもよい。重合開始剤は、ＵＶ放射などの適切な化学線を有する照明で酸を生成するように構成された化合物などである。

[0045] 本発明の態様（及び、実際の実施形態）は、例えば、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の異なる区域上で、又はインプリント可能な媒体のパターン形成された層の異なる部分に対して、個別に又は組み合わせて使用することができる。

[0046] 以下、添付の図面を参照しながら、本発明の特定の実施形態について説明する。
[0047]図１ａ及び図１ｂを含み、それぞれ、ホットインプリントリソグラフィ及びＵＶインプリントリソグラフィの例を概略的に示す。 [0048]図２ａ〜図２ｄを含み、各々が異なるトポグラフィを有する領域Ｐ及びＱを示すインプリントテンプレートを有するインプリントリソグラフィのプロセスステップの概略を示す。 [0049]図３ａ〜図３ｆを含み、本発明のある実施形態によるインプリントリソグラフィのプロセスステップの概略を示し、このプロセスステップでは、各々が異なるトポグラフィを有する領域Ｐ及びＱを示すインプリントテンプレートを同様に用いるが、本発明のある実施形態を用いてインプリントテンプレートの部分Ｐ及びＱから生じるトポグラフィ間の差が補正された結果としての基板トポグラフィが提供される。

[0050] インプリントリソグラフィの２つの既知の方法の例を図１ａ及び図１ｂに概略的に示す。

[0051] 図１ａは、いわゆるホットインプリントリソグラフィ（又はホットエンボス）の一例を示す。典型的なホットインプリントプロセスでは、テンプレート２が、基板６の表面に提供された熱硬化性又は熱可塑性のインプリント可能な媒体４内にインプリントされる。インプリント可能な媒体４は、例えば樹脂であってもよい。樹脂は、例えばスピンコーティングし、基板表面に、又は図示の例のように、基板６の平坦化及び転写層８に焼成してもよい。熱硬化性ポリマー樹脂を使用する場合、樹脂はテンプレートに接触すると、テンプレート上に形成されたパターンフィーチャ内に流入する程度に十分に流動可能な状態になるような温度に加熱される。次に、樹脂の温度は、上昇して樹脂を熱硬化（架橋結合）させ、樹脂は固体化し所望のパターンを不可逆的に採用する。次に、テンプレート２を除去してパターン形成された樹脂を冷却することができる。熱可塑性ポリマー樹脂の層を使用するホットインプリントリソグラフィでは、熱可塑性樹脂が加熱されてテンプレート２によるインプリントの直前に自由に流動可能な状態になる。場合によって、熱可塑性樹脂を樹脂のガラス転移温度より大幅に高い温度まで加熱する必要がある。テンプレートは流動性樹脂に押し付けられ、次に流動性樹脂はガラス転移温度より下の温度まで冷却され、テンプレート２が所定位置でパターンを硬化させる。その後、テンプレート２は除去される。パターンは、インプリント可能な媒体の残りの層から浮き彫りになったフィーチャからなり、次に、残りの層は、適切なエッチングプロセスによって除去され、パターンフィーチャだけが後に残される。ホットインプリントリソグラフィプロセスで使用される熱可塑性ポリマー樹脂の例は、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリスチレン、ポリ（ベンジルメタクリレート）、又はポリ（シクロヘキシルメタクリレート）である。ホットインプリントの詳細情報については、例えば、米国特許第４７３１１５５号及び米国特許第５７７２９０５号を参照されたい。

[0052] 図１ｂは、紫外線（ＵＶ）を透過する透明な又は半透明のテンプレートとインプリント可能な媒体３としてのＵＶ硬化性液体（本明細書では「ＵＶ」という用語が便宜上使用されているが、インプリント可能な媒体を硬化させる任意の適切な化学線放射を含むものと解釈すべきである）の使用を含むＵＶインプリントリソグラフィの一例を示す。ＵＶ硬化性液体は、多くの場合、ホットインプリントリソグラフィで使用される熱硬化性及び熱可塑性樹脂よりも粘性が低く、したがって、はるかに速く移動してテンプレートのパターンフィーチャを充填することができる。図１ａのプロセスと同様の方法で石英インプリントテンプレート１が、ＵＶ硬化性インプリント可能な媒体３に当てられる。しかし、ホットインプリントの場合のような熱又は温度サイクリングを用いるのではなく、石英インプリントテンプレート１を通してインプリント可能な媒体３上に印加されるＵＶ放射５でインプリント可能な媒体３を硬化させることでパターンは固化する。テンプレート１を除去した後で、インプリント可能な媒体３はエッチングされ（及び／又は他の処理を施され）、例えば、基板６内に又はその上にパターンフィーチャを提供する。ＵＶインプリントリソグラフィによって基板をパターン形成する特定の方法は、いわゆるステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィ（ＳＦＩＬ）である。ＳＦＩＬは、従来、ＩＣ製造で使用されている光ステッパと類似の方法で基板を細かいステップでパターン形成するために使用することができる。ＵＶインプリントの詳細情報については、例えば、米国特許出願公開第２００４−０１２４５６６号、米国特許第６３３４９６０号、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ０２／０６７０５５号、及び「Mold-assisted nanolithography: A process for reliable pattern replication」、J. Vac. Sci. Technol. B14(6), Nov/Dec 1996と題されたJ. Haisma氏の論文を参照されたい。

[0053] 上記インプリント技術の組合せも可能である。例えば、インプリント可能な媒体の加熱及びＵＶ硬化の組合せを記述する米国特許出願公開第２００５−０２７４６９３号を参照されたい。

[0054] 図２ａ〜図２ｄは、各々異なるトポグラフィを有する領域Ｐ及びＱを示すインプリントテンプレートを有するＵＶインプリントリソグラフィのプロセスステップを概略的に示す。この略例では、インプリントリソグラフィテンプレート１０はパターンフィーチャを形成する凹部１１、１２を備える。パターンフィーチャは、上述したようにインプリント可能な媒体１３中にインプリントすることができ、インプリント可能な媒体１３中にパターンフィーチャを形成するために用いられる。凹部１１、１２は、インプリントリソグラフィテンプレートの設計時に所望したような意図した幅ｗを有し、次に構築される。

[0055] インプリントリソグラフィテンプレートの構築中に、１つ以上の凹部又は１つ以上の突起のような１つ以上のパターンフィーチャは、インプリントリソグラフィテンプレートの設計において意図したものではない寸法を有することが可能である。例えば、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンフィーチャは、インプリントリソグラフィテンプレート全体にわたって変化する均一性プロファイルを有してもよい。パターンフィーチャの寸法の均一性のそのような変動は、例えば、インプリントリソグラフィテンプレートの製造に用いる処理条件における変動によって起こり得る。例えば、処理条件におけるそのような変動は、プラズマ濃度又は密度、又はｅビーム書き込みエラーなどにおける局所的な変動などによるものであってもよい。

[0056] したがって、図２ａでは、領域Ｐにおける凹部１１の幅はｗではなくｗ１であり（意図したものより小さい）、領域Ｑの凹部１２の幅は、ｗではなくｗ２である（意図したものより大きい）。

[0057] 図２ａでは、インプリント可能な媒体１３の液滴が、例えばインクジェット印刷によって基板１４の上に提供されて示されている。図２ｂに示すように、インプリント可能な媒体がインプリントリソグラフィテンプレート１０の凹部１１、１２に流入し充填することによって、パターンフィーチャ１５、１６を突起として形成する。ＵＶ放射Ｌ１を用いてインプリント可能な媒体１３を照射して固定し、したがってパターンフィーチャ１５、１６を固定する。

[0058] 図２ｃでは、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層１３から、インプリントリソグラフィテンプレート１０が取り外され、パターンフィーチャ１５、１６を、それらパターンフィーチャ１５、１６の延伸元のインプリント可能な媒体の残留層１７上の領域Ｐ及びＱにそれぞれ残す。

[0059] 図２ｄでは、固定されたインプリント可能な媒体の残留層１７を除去し、基板１４上に突起パターンフィーチャ１８、１９のみを残すように、ブレークスルーエッチングが行われている。残留層１７が除去されるにつれて、エッチング中に突起１５、１６の幅が、例えば数パーセント以下程度縮小され、最終のパターンフィーチャ１８、１９の形状を基板上に誘導する。

[0060] 図には示されていないが別のステップで、パターンフィーチャ１８、１９によって覆われていない基板１４の部分を除去するように転写エッチングが実行される。パターンフィーチャ１８、１９の幅は、パターンフィーチャ１８、１９が最終的に現像される元となる突起１５、１６を提供するために用いられるインプリントリソグラフィテンプレート１０の凹部１１、１２の幅に関連する。それ故、最終的に基板１４に形成されるパターンフィーチャの幅は、領域Ｐ及び／又はＱで意図されていたものとは異なるものになり得る。

[0061] 図３ａ〜図３ｆは、本発明の実施形態によるインプリントリソグラフィのプロセスステップを概略的に示す。このプロセスステップでは、図２ａ〜図２ｄに示すプロセスに関して上述したように、各々異なるトポグラフィを有する領域Ｐ及びＱを示すインプリントテンプレートを同様に用いる。しかし、図３ａ〜図３ｆに示す例については、領域Ｐ及びＱに対して実質的に均一なフィーチャ幅を提供するために、本発明のある実施形態を用いて、インプリントテンプレートの部分Ｐ及びＱから生じるトポグラフィ間の差が補正された結果としての基板トポグラフィが提供される。

[0062] 図３ａでは、図２ａと同様に、インプリント可能な媒体１３の液滴が、例えば、インクジェット印刷によって基板１４上に提供される。図３ｂに示すように、インプリント可能な媒体は、インプリントリソグラフィテンプレート１０の凹部１１，１２に流入し充填することによって突起としてパターンフィーチャ１５、１６を形成する。図２ａ〜図２ｄの例と同様に、ＵＶ放射Ｌ１（すなわち、波長Ｌ１）を用いてインプリント可能な媒体１３を照射及び固定し、したがってパターンフィーチャ１５、１６を固定する。

[0063] 図３ｃでは、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層１３からインプリントリソグラフィテンプレート１０が取り外され、パターンフィーチャ１５、１６が延伸する元のインプリント可能な媒体の残留層１７の上の領域Ｐ及びＱそれぞれにパターンフィーチャ１５、１６を残す。

[0064] このように、図３ａ〜図３ｆの実施形態は、図２ａ〜図２ｄに示す方法とは異なる。図３ｄに示すように、パターン形成されインプリントされた層１３の上にグレースケールＵＶマスク２０が配置され、第２のドーズ量のＵＶ放射Ｌ２（すなわち、波長Ｌ２）がマスク２０の幅全体にわたって均一に適用される。マスクは、セクション２１と２２の２つのセクションを有し、領域Ｐ上のセクション２１は、ＵＶ放射Ｌ２に対して実質的に透過性であり、一方、領域Ｑ上のセクション２２はＵＶ放射Ｌ２に対して実質的に不透過性である。

[0065] 図３ｅでは、ＵＶ放射Ｌ２による選択的局所照射の後、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層は、適切な時間の間、ガラス転移温度未満であるがそれに近い温度、又はガラス転移温度より高い温度で保持される。この実施形態では、インプリント可能な媒体１３は、アクリレート単量体及びエポキシ単量体の２つの単量体タイプを含み、また、ＵＶ放射Ｌ１によって活性化されたラジカル開始剤、及びＵＶ放射Ｌ２によって活性化されたＵＶ光酸発生剤をさらに含む。

[0066] したがって、ＵＶ放射Ｌ１による照射の後、ラジカル発生剤と組み合わされたＵＶ放射Ｌ１によってアクリレート単量体が重合するように誘導されると、インプリント可能な媒体のパターン形成された層が固定される。しかし、エポキシ単量体はＵＶ放射Ｌ１によって実質的には重合されず、図３ｃに示す固定されたインプリント可能な媒体層１３内に実質的に未反応の単量体として残る。

[0067] 図３ｄに示すようにＵＶ放射Ｌ２がグレースケールフィルタ２０を通して印加されると、マスク２０の透過性セクション２１の下の領域Ｐ内の未反応のエポキシ単量体がＵＶ放射Ｌ２によって重合を開始するように誘導され、一方、マスク２０の不透過性セクション２２の下の領域Ｑ内のエポキシ単量体は実質的に未反応のまま残る。

[0068] 照明後、図３ｅに示すように、固定されたインプリント可能な媒体１３の２回照射された層を、ガラス転移温度Ｔｇ未満であるがそれに近い温度又はそれより高い温度で現像してもよい。領域Ｐ内のエポキシ単量体の重合が進行していくと、その領域内の単量体濃度の空乏化を引き起こし、領域Ｑ内に高レベルのエポキシ単量体を残す。単量体濃度におけるこの差は、ＱからＰに向かってエポキシ単量体の拡散を駆動し、最終的に、領域Ｐ内のエポキシ単量体の最終平衡濃度が、領域Ｑ内よりも高くなる。

[0069] これによって、領域Ｑ内の突起２４の幅のサイズを犠牲にして、領域Ｐ内の突起２３の幅の物理的増大が誘導されるか、又は突起２４よりも突起２３のインプリント可能な媒体がブレークスルーエッチングに対してより高い耐性を示すようにするのに有効である官能基をエポキシ単量体に備えてもよい。例えば、エポキシ単量体はシリコン官能基で官能化されることで、領域Ｐ内のインプリント可能な媒体は領域Ｑ内のインプリント可能な媒体よりも高い最終Ｓｉ含有量を有してブレークスルーエッチングに対する耐性がより高くなる。

[0070] 図３ｆでは、固定されたインプリント可能な媒体の残留層１７を除去し、基板１４上にパターンフィーチャ２５、２６のみを残すように、ブレークスルーエッチングが実行されている。また、残留層１７が除去されるにつれて、パターンフィーチャ２３、２４の幅はエッチング中に、例えば、数パーセント以下程度縮小されるが、パターンフィーチャ２３は、パターンフィーチャ２４よりも増大されるか、又はブレークスルーエッチングに対して耐性が高くなり得るため、インプリントテンプレートの領域Ｐ及びＱの凹部１１、１２の異なる幅から生じる幅の差は、すべて最終的なパターンフィーチャ２５、２６内では低減される。

[0071] 図には示されていないが別のステップで、パターンフィーチャ２５、２６によって覆われていない基板１４の部分を除去して所望のトポグラフィを基板に転写するように転写エッチングが実行される。

[0072] インプリント可能な媒体の典型的な組成物は、アクリレート系単量体、（ＵＶで励起されると遊離基を生成する）ＵＶ光開始剤、及び、フッ素系界面活性剤などの界面活性剤を含む。ＵＶ感度が低い遅重合性単量体（例えば、エポキシ系単量体）を組成物に組み込むことによって、第２のＵＶ重合ステップが可能になる。これによって２つの単量体タイプに関する重合反応の時間的分離が可能になる。

[0073] インプリント中の第１のフラッシュＵＶ露光（ＵＶ放射Ｌ１）は、アクリレートを均質に重合し、固定された高分子膜を形成する。第２の局所ＵＶ露光（ＵＶ放射Ｌ２）は、遅反応性エポキシ単量体を重合して、トポグラフィの修正を達成させる。実施形態のグレースケールマスクを用いて達成されるＵＶ放射Ｌ２のための局所強度の変動は、遅反応性エポキシ単量体の重合を局所的に誘導し、照明された区域の単量体空乏化を引き起こす。局所単量体濃度の差は、照明された区域へ向かって単量体の拡散を引き起こす。通常、単量体の移動度を増大するために加熱ステップが用いられ得る。単量体の拡散距離は１秒以下のタイムスケールでほぼ数ミクロン程度であってもよい。したがって、達成されたトポグラフィは、記載した方法を用いて、第２の照明ステップ中にこのタイムスケールで修正可能であってもよい。

[0074] 反応していない遅反応性単量体を固定されたインプリント可能な媒体の層から除去するために、第２の局所ＵＶ露光ステップの後、一定時間延長して現像ステップが用いられる。現像ステップを用いると、サイズとスケールにおける制約が重要でなくなり、トポグラフィが基板全体にわたって補正することができる。

[0075] 図に示されるように、インプリント可能な媒体は基板に直接適用されるよりむしろ、例えば、図１ｂで詳細に説明したように、基板上の任意選択的反射防止コーティング層及び／又は平坦化層に適用することができる。

[0076] 通常、パターン形成されたインプリント可能な媒体の限られた数の場所又は部分のみに第２のＵＶ照射による照明を行う必要がある場合がある。補正が必要である選択された部分のみを照明し得るのは、グレースケールマスクではなく第２のＵＶ放射のレーザスポットである。ある実施形態では、近視野光学系を用いて局所的に第２のＵＶ放射による照明が達成され、ほぼ５０ｎｍ以上程度の照明スポットサイズが生成される。第２のＵＶ放射Ｌ２は、例えば、１９３ｎｍの波長を有してもよい。Ｌ１のための通常の波長は３６５ｎｍである。

[0077] 上記の図示した実施形態はその性質が限定的ではなく、例示的であると考えるべきである。好適な実施形態のみを図示し説明しており、特許請求の範囲に記載する本発明の範囲に入るすべての変更および修正は望ましくは保護されることを理解されたい。

[0078] ある実施形態では、第２の露光ステップの後に未反応の単量体を拡散させるのではなく、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を、そのガラス転移温度Ｔｇより十分低い温度、例えばＴｇより少なくとも２０℃低い温度に保持することによって、この拡散を防止又は阻止することができる。この実施形態では、未反応の単量体は適切な溶媒を用いて単量体を層から浸出する現像ステップによって、パターン形成された層から除去してもよい。固定され重合された単量体の濃度の局所的な差は、パターン形成されたインプリント可能な媒体の層の局所的なＳｉ濃度差を同様に引き起こし、さらには、トポグラフィの差を補償するのに用いられるブレークスルーエッチング挙動の局所的な変動を同様に引き起こす。

[0079] ある実施形態では、インプリント可能な媒体の第１の高速反応性単量体を重合する第１のＵＶ放射Ｌ１を用いる第１のＵＶ露光ステップの後に、インプリント可能な媒体の第２の遅反応性単量体（すなわち、別のＵＶ照明の必要性がないもの）を重合するのに局所加熱ステップを用いてもよい。温度を局所的に上昇させることは、重合速度を上昇させるだけでなく、既に反応した第１の単量体の高分子ネットワークに存在する反応しなかった単量体の移動度を増大させる。温度勾配の適用によって、第２の単量体の局所単量体濃度、及びそれによって、最終のブレークスルーエッチング耐性（又は、他の特性）が、トポグラフィの差を補正するように局所的に構成されてもよい。

[0080] 本発明のある実施形態は、耐エッチング性（例えば、ブレークスルーエッチング耐性）、及び／又は、フィーチャの物理的容積、及び／又は、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の現像でのフィーチャの縮小、の局所的な修正を行うことによって実行してもよい。

[0081] ある実施形態では、第１のＵＶ照明Ｌ１がレジストを固定し、トポグラフィの補正のための第２の局所露光は、第１のＵＶ照明と同じＵＶ波長Ｌ１を実質的により高い強度で局所的に使用して、第２の照明で実行してもよく、それによって、インプリントされた層のブレークスルーエッチング耐性は局所的に低減される。ある実施形態では、インプリントされた層を局所的に除去するために化学線に対して第２の露光を用いてもよい。

[0082] インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分の実際のトポグラフィと、意図したトポグラフィと、の間の差を生成するために、実際のトポグラフィが決定されるべきであることを理解されたい。これは、インプリント後に、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分のトポグラフィを、例えば、１つ以上の光学検査装置及び技術などを用いて測定する（すなわち、決定する）ことによって行われる。代替的又は追加的に、実際のトポグラフィは、インプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分を形成するために用いられた（又は用いられる）インプリントリソグラフィテンプレートのその部分のトポグラフィを測定することによって、決定、導出、又は測定してもよい。

[0083] 上記実施形態では、１つのパターンフィーチャタイプのトポグラフィの補正が示されている。実際には、トポグラフィの補正は、多数又は区域のパターンフィーチャ全体にわたって適用してもよい。望ましくは隣接するパターンフィーチャのトポグラフィに影響を与えることなく、パターンフィーチャのスケールでこの方法を実行できる場合に、１つのパターンフィーチャのトポグラフィの補正が達成可能である。実際には、トポグラフィの変化を起したプロセス条件の性質により、意図したトポグラフィからの変化は複数のパターンフィーチャ全体へ延び、またそれらを含んでもよい（例えば、エッチング条件などでは、１マイクロメートル以上のサイズの領域の不均一性）。したがって、コスト及び複雑性の理由から、１つのパターンフィーチャのトポグラフィの不均一性の補正が可能な方法を提供することは要求されてないか又は望まれていない。

[0084] 第２の局所的ドーズ量のＵＶ放射の適用によって修正された化学反応を介して達成されるトポグラフィの補正に加えて又はその代わりに、１つ以上の個別の導電性／放射性加熱要素などを用いて化学反応を調整するように局所加熱が実行されてもよい。しかし、局所加熱を提供するより便利な方法の１つは、例えば、赤外線放射、又は、強度及び／又は波長及び／又はエネルギーにおいて十分な任意の放射などの１つ以上の放射ビームの使用、を介して行うものである。

[0085] 一例（図示せず）では、化学反応の修正によるトポグラフィの補正が望まれる場所では、インプリント可能な媒体のパターン形成された層１３の部分又はその近隣で、２つ以上の放射ビームを交差させることによって加熱を提供してもよい。個別の任意のビームは十分なエネルギーを提供せず、インプリント可能な媒体の層に対して材料を追加する結果にはならないが、２つ以上の放射ビームを交差させることによって、その交差ポイントのエネルギーが、確実に化学反応が修正されるようにするのに必要なしきい値以上のエネルギーとなる。

[0086] 加熱を提供するために放射ビームをこのように用いることは、例えば、個別の導電性／放射性加熱要素などに比べて望ましい。これは、放射ビームの位置及び／又は強度が正確且つ迅速に高解像度で制御し得るからであり、導電性／放射性加熱要素などを用いることでは可能にならない（又は少なくとも実行がそれほど容易ではない）ものである。

[0087] 本発明は、インプリントリソグラフィ方法に関する。インプリントリソグラフィ方法は、電子デバイス及び集積回路などのデバイスの製造、又は集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、有機発光ダイオードの製造などのその他の用途に使用することができる。インプリントリソグラフィ方法を用いて、インプリントリソグラフィテンプレートを得てもよい。これは、この方法で作成したインプリントリソグラフィテンプレートが意図したトポグラフィ又は意図したものに近いトポグラフィを有することになるので有利である。したがって、この方法で作成されたインプリントリソグラフィテンプレートを用いて製造されるデバイスなども同様に意図したトポグラフィ又は意図したものに近いトポグラフィを有することになろう。

[0088] 上述したパターンフィーチャは、１つ以上のサブミクロン（例えば、ほぼナノメートル程度）の寸法を有してもよい。

[0089] 本明細書中、「基板」という用語は、基板の部分を形成する、又は別の基板上に提供される、例えば、平坦化層及び反射防止コーティング層などのあらゆる表面層を含むことを意味する。

[0090] 使用時は、インプリントリソグラフィテンプレートは、インプリントリソグラフィテンプレートホルダによって保持してもよい。インプリントリソグラフィテンプレートホルダは、例えば、静電力又は磁気力、機械力を用いて（例えば、１つ以上の圧電素子などの使用を介して）、及び／又は、真空力などによる多くの異なる機構の１つを用いて、インプリントリソグラフィテンプレートを保持してもよい。インプリントリソグラフィテンプレートは、インプリントリソグラフィテンプレートホルダの適切な移動によって移動可能である。使用時は、基板は基板ホルダによって保持してもよい。基板ホルダは、例えば、静電力又は磁気力、機械力（例えば、クランプなど）を用いて、及び／又は、真空力などによる多くの異なる機構の１つを用いて、基板を保持してもよい。基板は、基板ホルダの適切な移動によって移動可能である。

[0091] 上記実施形態では、例えば１つのチャンバ内に１つのインプリントリソグラフィテンプレート、１つのインプリントリソグラフィテンプレートホルダ、１つの基板ホルダ及び１つの基板が提供される。別の実施形態では、インプリントをより効率的に又は迅速に（例えば、並列に）実行するために１つ以上のチャンバ内に２つ以上のインプリントリソグラフィテンプレート、２つ以上のインプリントリソグラフィテンプレートホルダ、２つ以上の基板ホルダ、及び／又は２つ以上の基板を提供してもよい。例えば、ある実施形態では、複数の（例えば、２つ、３つ、又は４つの）基板ホルダを含む装置が提供される。ある実施形態では、複数の（例えば、２つ、３つ、又は４つの）インプリントリソグラフィテンプレートホルダ及び／又はインプリントリソグラフィテンプレートを含む装置が提供される。ある実施形態では、基板ホルダ当たり１つのテンプレートホルダ及び／又はインプリントリソグラフィテンプレートを使用するように構成された装置が提供される。ある実施形態では、基板ホルダ当たり２つ以上のテンプレートホルダ及び／又はインプリントリソグラフィテンプレートを使用するように構成された装置が提供される。ある実施形態では、複数の（例えば、２つ、３つ、又は４つの）インプリント可能な媒体のディスペンサを含む装置が提供される。ある実施形態では、基板ホルダ当たり１つのインプリント可能な媒体のディスペンサを使用するように構成された装置が提供される。ある実施形態では、インプリントリソグラフィテンプレート当たり１つのインプリント可能な媒体のディスペンサを使用するように構成された装置が提供される。ある実施形態では、複数の基板ホルダを含む装置が提供された場合、基板ホルダは装置内の機能を共用することができる。例えば、基板ホルダは、基板ハンドラ、基板カセット、（例えば、インプリント中にヘリウム環境を生成するための）ガス供給システム、インプリント可能な媒体のディスペンサ、及び／又は（インプリント可能な媒体を硬化させるため）放射源を共用することができる。ある実施形態では、２つ以上（例えば、３つ又は４つ）の基板ホルダが装置の１つ以上の機能（例えば、１つ、２つ、３つ、４つ、又は５つの機能）を共用する。ある実施形態では、装置の１つ以上の（例えば、１つ、２つ、３つ、４つ、又は５つの）機能がすべての基板ホルダ間で共用される。

[0092] 説明内の「好適な」、「好適には」、「好ましい」又は「より好ましい」などの用語の使用は、そのように記載された特徴が望ましいことを示すが、必ずしも必要ではなく、そのような特徴を有さない実施形態も添付の特許請求の範囲に定義する本発明の範囲内に含まれることを理解されたい。特許請求の範囲に関して、「ある」、「少なくとも１つ」、又は「少なくとも一部」などの用語は、添付の特許請求の範囲で、特に断りのない限り、特許請求の範囲をそのような特徴に限定する意図がない特徴に先行するものである。「少なくとも一部又は一部分」及び／又は「一部又は一部分」といった言語が使用される場合には、その要素は、特に断りのない限り、一部又は一部分及び／又は要素全体を含むことができる。

Claims (15)

1. 意図したトポグラフィと、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層の部分から生じる実際のトポグラフィと、の間の差を低減するためのインプリントリソグラフィ方法であって、
   流動可能なインプリント可能な媒体の層にインプリントリソグラフィテンプレートをインプリントして、前記インプリント可能な媒体中にパターン形成された層を形成するステップと、
   インプリント可能な媒体を固定して、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を形成するステップと、
   前記意図したトポグラフィと、前記インプリント可能な媒体の前記固定されパターン形成された層の前記部分から生じる前記実際のトポグラフィと、の間の前記差を低減するために、前記パターン形成された層の前記部分の化学反応を調整するように前記パターン形成された層の前記部分に局所励起を適用するステップと、
   を含む、方法。
2. 前記インプリント可能な媒体は、第１の化学線を用いて硬化することによって固定される、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
3. 第１の化学線を用いて硬化することによって前記固定するステップは、前記インプリント可能な媒体の第１の単量体の重合反応を含む、請求項２に記載のインプリントリソグラフィ方法。
4. 前記化学反応は、前記インプリント可能な媒体の第２の単量体の重合反応を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
5. 前記局所励起は、選択されたドーズ量の第１の化学線を前記パターン形成された層の前記部分に局所適用することを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
6. 前記局所励起は、選択されたドーズ量の第２の化学線を前記パターン形成された層の前記部分に局所適用することを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
7. 前記局所励起は、固定されたインプリント可能な媒体のパターン形成された層を形成するように、前記インプリント可能な媒体を固定した後に適用される、請求項１〜６のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
8. 前記局所励起は、固定されたインプリント可能な媒体の前記パターン形成された層から前記インプリントリソグラフィテンプレートを除去した後に適用される、請求項７に記載のインプリントリソグラフィ方法。
9. マスクを用いて前記局所励起の局所適用を制御する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
10. 前記局所励起は、前記パターン形成された層の前記部分の局所加熱を含むか、又は局所加熱から成る、請求項１〜９のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
11. 前記局所加熱は、放射ビームによって提供される、請求項１０に記載のインプリントリソグラフィ方法。
12. 前記化学反応は、前記パターン形成された層の前記部分に前記反応化合物の空乏化を引き起こし、そのため、前記パターン形成された層の前記部分への前記反応化合物の拡散を誘導する反応化合物の化学反応を含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
13. 前記反応化合物は、耐エッチング性化合物を含む、請求項１２に記載のインプリントリソグラフィ方法。
14. 前記重合反応後に重合されないまま残る第２の単量体を、溶媒浸出を用いて前記固定されたインプリント可能な媒体から浸出することによって除去する、請求項４に記載のインプリントリソグラフィ方法。
15. 固定されたインプリント可能な媒体の前記パターン形成された層の前記部分から生じる前記実際のトポグラフィは、固定されたインプリント可能な媒体の前記パターン形成された層の前記部分のトポグラフィを測定することによって決定される、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィ方法。

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