JP4964841B2 - リソグラフィ蛇行順番 - Google Patents
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Description
[0001] 本発明は、一般にリソグラフィ、特に、インプリントリソグラフィに関する。
[0002] リソグラフィにおいては、所定の基板エリア上のフィーチャの密度を増加させるためにリソグラフィパターンにおけるフィーチャのサイズを縮小するための継続的な要望がある。フォトリソグラフィにおいては、より微細なフィーチャに対する追求は、やや高額ではあるが、液浸リソグラフィおよび極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィのような技術の発展への結果となった。
[0003] フィーチャの微細化で注目されている潜在的な高額ではない道は、いわゆるインプリントリソグラフィであり、これは一般に、パターンを基板上に転写するための「スタンプ」の使用を含む。インプリントリソグラフィの利点は、フィーチャの解像度が、例えば、フォトリソグラフィにあるように投影システムの開口数または放射源の波長に限定されず、ただ単に、主にスタンプ（テンプレートとしても言及される）上のパターン密度に限定されることである。インプリントリソグラフィに対して３つの主な手法があり、それらの実施例は図１ａから図１ｃに概略的に示されている。
[0004] 図１ａは、マイクロコンタクトプリンティングとしてよく言及されているインプリントリソグラフィの一種の例を示す。マイクロコンタクトプリンティングは、分子の層１１（通常はチオールのようなインク）をテンプレート１０（例えば、ポリジメチルシロキサンテンプレート）から基板１２および平坦化・転送層１２’によってサポートされているレジスト層１３上に転写することを含む。テンプレート１０は、その表面上にフィーチャのパターンを有し、分子層はフィーチャの上に配置される。テンプレートがレジスト層に対して押されたとき、分子の層１１は、レジスト上に転写される。テンプレートを除去した後、転写された分子層によって覆われていないレジストのエリアが基板へとエッチングされるようにレジストがエッチングされる。マイクロコンタクトプリンティングの更なる情報については、例えば、米国特許第６１８０２３９号明細書を参照されたい。
[0005] 図１ｂは、いわゆるホットインプリントリソグラフィ（またはホットエンボス）の一例を示す。典型的なホットインプリントプロセスにおいては、テンプレート１４は、基板１２の表面上にある熱硬化性または熱可塑性ポリマー樹脂１５（またはより一般的には、インプリント可能媒体）にインプリントされる。樹脂は、例えば、スピンコートされて基板表面上にベークされ得るか、あるいは、実施例に示されるように、平坦化・転送層１２’上にベークされ得る。熱硬化性ポリマー樹脂が使用された場合、樹脂は、テンプレートと接触した際に、樹脂がテンプレート上に定められたパターンフィーチャへと流れるために十分な流動性を有するような温度に加熱される。樹脂の温度は、次いで、樹脂が固まり、かつ所望のパターンを不可逆的に採用するように樹脂を熱によって硬化（架橋）させるために上昇される。次いで、テンプレートは除去され得、かつパターン形成された樹脂は冷却され得る。熱可塑性ポリマー樹脂の層を使用するホットインプリントリソグラフィにおいては、熱可塑性樹脂は、テンプレートを用いるインプリントの直前に自由で流動性の有る状態にあるように加熱される。熱可塑性樹脂を、樹脂のガラス転移温度のかなり上の温度に加熱することが必要であり得る。テンプレートは、流動性の有る樹脂へと押され、次いで、パターンを硬化させるためにテンプレートを適切な位置において、樹脂のガラス転移温度以下に冷却される。その後、テンプレートは除去される。パターンは、樹脂の残留層から浮き彫りになっているフィーチャからなり、その残留層は、パターンフィーチャのみを残すように適切なエッチングプロセスによって除去され得る。ホットインプリントリソグラフィプロセスに使用される熱可塑性ポリマー樹脂の例は、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリスチレン、ポリ（ベンジルメタクリレート）またはポリ（シクロヘキシルメタクリレート）である。ホットインプリントの更なる情報については、例えば、米国特許第４７３１１５５号明細書および米国特許第５７７２９０５号明細書を参照されたい。
[0006] 図１ｃは、インプリント可能媒体としてのＵＶ硬化性液体および透明テンプレートの使用を含む紫外線（ＵＶ）インプリントリソグラフィの一例を示す（ここで使用されている「ＵＶ」という用語は、便宜のためであり、レジストを硬化させるための任意の適した化学線を含むように解釈されたい）。ＵＶ硬化性液体は、多くの場合、ホットインプリントリソグラフィに使用される熱硬化性および熱可塑性ポリマー樹脂より粘性がなく、結果的に、テンプレートパターンフィーチャを埋めるためにより一層早く動き得る。クォーツテンプレート１６は、図１ｂのプロセスと同様の方法でＵＶ硬化性樹脂１７に適用される。しかしながら、ホットプリントのように加熱または温度サイクリングを使用する代わりに、クォーツテンプレートを通して樹脂に付与されるＵＶ放射を用いて樹脂を硬化させることによって、パターンが硬化される。テンプレートを除去した後、パターンは、樹脂の残留層から浮き彫りになっているフィーチャからなり、その残留層は、パターンフィーチャのみを残すように適切なエッチングプロセスによって除去され得る。ＵＶインプリントリソグラフィを通じて基板をパターニングする特定な方法は、いわゆるステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィ（ＳＦＩＬ）と呼ばれ、これは、フォトリソグラフィにおいて従来使用されている光ステッパと同様な方法において小さな段階で基板をパターニングするために使用され得る。ＵＶインプリントの更なる情報については、例えば、米国公開特許第２００４−０１２４５６６号、米国特許第６３３４９６０号明細書、国際公開公報第ＷＯ０２／０６７０５５号、および「Ｍｏｌｄ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ａ ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ ｒｅｌｉａｂｌｅ ｐａｔｔｅｒｎ ｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ」と題した、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１４（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ１９９６のＪ．Ｈａｉｓｍａによる記事を参照されたい。
[0007] 上記のインプリント技術の組み合わせも可能である。例えば、インプリント可能媒体を加熱し、かつＵＶ硬化させる組み合わせを言及する米国公開特許第２００５−０２７４６９３号を参照されたい。
[0008] インプリントリソグラフィを用いてパターンを基板に適用するとき、拡大エラー（magnification error）が発生し得る。拡大エラーは、例えば、パターンがインプリントされる領域の温度と、予測あるいは設計温度との違いによって発生し得る。例えば、温度は、インプリント媒体が配置されかつパターンがインプリントされる基板の領域特性に影響を与えるかもしれない。例えば、基板の一部分の温度の違いによって、基板の一部分の相対的な膨張または収縮が生じ得る。代替的または付加的には、例えば、インプリントテンプレートの温度がインプリント間で変化する場合に拡大エラーが生じ得る。そのような拡大エラーは、基板の異なる部分にインプリントされたパターンに対して異なり得る。パターンが互いに一貫性がない場合、これらのパターンから形成されるデバイスは、例えば、互いに対して一貫して機能しない場合がある。
[0009] 従来技術またはその他の技術分野で明らかとなっている、従来技術における問題点を解決あるいは軽減し得るような、インプリントリソグラフィ方法および装置を提供することが本発明の目的である。
[0010] 本発明の一実施形態に従って、インプリントリソグラフィ方法が提供される。インプリントリソグラフィ方法は、複数のパターンを基板上に設けられたインプリント可能媒体にインプリントすることを含み、パターンがインプリント可能媒体にインプリントされる順番は、大多数のパターンに対して、２つの連続してインプリントされるパターンが互いに隣接してインプリントされない順番である。
[0011] 本発明の一実施形態に従って、インプリントリソグラフィ装置が提供される。インプリントリソグラフィ装置は、インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントテンプレートホルダと、基板を保持するように構成された基板ホルダと、インプリントテンプレート、基板、またはインプリントテンプレートと基板との両方の動きを制御するように構成されたコントローラであって、複数のパターンが基板上に設けられたインプリント可能媒体にインプリントテンプレートを用いてインプリントされる順番が、大多数のパターンに対して、２つの連続してインプリントされるパターンが互いに隣接してインプリントされない順番であるように構成された、コントローラとを含む。
[0012] 一実施形態に従って、インプリントリソグラフィ方法が提供される。インプリントリソグラフィ方法は、パターンを基板上のインプリント可能媒体にインプリントするために前記インプリントテンプレートを使用する前に、インプリントテンプレートを加熱することを含む。
[0013] 一実施形態に従って、リソグラフィ方法が提供される。リソグラフィ方法は、パターン形成された放射ビームを用いて複数のパターンを基板上に投影することを含み、パターンが基板上に投影される順番が、大多数のパターンに対して、２つの連続して投影されるパターンが互いに隣接して投影されない順番である。
[0014] 一実施形態に従って、リソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、ビームの断面にパターンを付与することを担うパターニングデバイスを保持するように構成されたサポート構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成された放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、（ｉ）基板、（ｉｉ）パターニングデバイス、（ｉｉｉ）投影システム、または（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択された任意の組み合わせの動きを制御するように構成されたコントローラであって、複数のパターンが基板上に投影される順番が、大多数のパターンに対して、２つの連続して投影されるパターンが互いに隣接して投影されない順番であるように構成された、コントローラとを含む。
[0022] 図２ａは、インプリント可能媒体２の層が設けられた基板１を示す。インプリントテンプレート（図示されず）は、インプリント可能媒体に２４個の個別パターン３をインプリントするために使用されていた。パターン３がインプリント可能媒体２にインプリントされる番号順は、図に示されている。パターン３がインプリント可能媒体２にインプリントされる順番を示すことに加えて、各パターン３をインプリントするための基板１とインプリントテンプレートとの間の相対的な動きが、パス４によって示される。わかりやすくするために、図２ｂでは、このパス４のみが示されている。パターン３が連続する列においてインプリントされることがわかる。
[0023] 図２ａを再び参照し、かつ上記により詳細に記載されているように、各パターン３は、パターン３を加熱するか、または化学線に露光させることによって硬化される。パターン３を硬化させる場合、インプリントテンプレートと基板１との両方およびインプリントテンプレートと基板１との間のインプリント可能媒体２が加熱される（例えば、加熱要素または化学線を用いる）。パターン３が硬化した後、インプリントテンプレートは、インプリント可能媒体２から取り除かれる（および／またはインプリント可能媒体２がインプリントテンプレートから取り除かれる）。基板１、パターン３、およびインプリントテンプレートは、その後冷める。基板１、インプリント可能媒体２、およびインプリントテンプレートの各々は、異なる熱導電率を有しているが、このことは、これ以上加熱がなされない場合に、基板１、インプリント可能媒体２、およびインプリントテンプレートが異なる速度で冷めることを意味する。いくつかのパターン３をインプリント可能媒体２に適用するためにインプリントテンプレートが使用された後、インプリントテンプレートは、インプリントテンプレートの温度がその後あまり変化しないであろう定常温度に到達するであろう。一部のインプリントリソグラフィ方法および装置では、インプリントテンプレートが定常温度に到達するのにおよそ７つのインプリントがかかり得る。しかしながら、基板１はこの定常温度に到達することはなく、その代わりに、パターン３が硬化するたびに加熱される。
[0024] 基板１は、与えられた熱を、ゆっくり失う傾向がある。このことは、パターン３が硬化したとき、加熱される基板１の一部からの熱が、基板１および／またはインプリント可能媒体２の他の隣接エリアに伝導し得ることを意味している。インプリント可能媒体２および／または基板１の加熱によって、前および／または後ろのパターン３が異なる熱特性を受けてしまう。これは、例えば、連続するパターン３が、異なる基板温度に曝されてしまい得ることを意味する。基板１および／またはインプリント可能媒体２の異なる温度は、結果として、異なるパターン３の膨張および／または相対的収縮となり得る。このことは、インプリント可能媒体２にインプリントされる異なるパターン３のフィーチャが互いに異なり、および／またはインプリントテンプレート自体のパターンと異なり得るということを意味する。そのような相違点が、拡大エラーとして知られている。
[0025] 図２ｃは、インプリント可能媒体２にインプリントされるパターン３に対する拡大エラーを示す。各適用されたパターンに対する拡大エラーは、各パターンを表す四角のシェーディングの暗さによって表される−パターンが明るいほど、拡大エラーが大きい。少なくとも初めの１０個のインプリントパターンに対しては、拡大エラーがかなり高いことが見られる。このことには、二つの主たる要因が考えられる。第１の要因は、上述されたように、パターン３の硬化による基板１およびインプリント可能媒体２の累積的加熱である。第２の要因は、初めのいくつかのインプリントに対しては、インプリントテンプレートが定常温度に未到達であることであり、これは、インプリントテンプレートの温度が初めのいくつかのインプリントを通じて徐々に上昇していることを意味する。このことは、初めのいくつかのパターン３を形成するために使用されるインプリント可能媒体２、およびこれらのパターン３の下の基板のエリアが、インプリントテンプレートが定常温度に到達したインプリント可能媒体２および基板１の後続のエリアと同じ温度にさらされていないことを意味している。
[0026] 上述したように、例えば、基板上にインプリントされたパターンから製造される任意のデバイスが、実質的に同一および／または一貫性をもって振る舞う、または動作するために、そのパターンの拡大エラーを縮小するか、または最小にすることが望ましい。拡大エラーを縮小（あるいは、完全に取り除く）、または最小化できなくてもパターンに残る任意の拡大エラーが同じ基板に適用するほかのパターンとできるだけ類似していることが望ましい。これは、拡大エラーがパターン間で類似すればするほど、それらを補正することがより簡単であるからである。例えば、共通の補正ファクタが、インプリントテンプレートおよび基板のうち１つまたその両方に行われ得る。例えば、インプリントテンプレートの温度および／または基板の温度は調節することができる。代替的または付加的に、インプリントテンプレートおよび／または基板は、拡大エラーへの熱変化の寄与を打ち消すためにわずかに圧縮または膨張され得る。
[0027] インプリントリソグラフィ方法における問題は、インプリントテンプレートが定常温度にまだ到達していないという事実によって初めのいくつかのインプリントに一貫性がないということ、およびパターンがインプリントされる順番が、隣接するパターンが異なる熱状態にさらされることをもたらすということである。
[0028] 一実施形態においては、インプリントテンプレートの定常温度に関する問題は、基板上のインプリント可能媒体がインプリントされる前に１つ以上のダミーインプリントを行うことによって減少または解消される。例えば、インプリントテンプレートは、インプリントテンプレートをその定常温度に到達させるためにダミー基板上にダミーパターンをインプリントするために使用され得る。つまり、ダミーインプリント段階においては、インプリントテンプレートは、インプリントテンプレートを定常温度に到達させるために直接加熱源または化学線源から十分な熱が提供される。代替的または付加的に、基板上のインプリント可能媒体のインプリントが行われる前に定常温度が到達されたことを保証するために、インプリントテンプレートは、十分な時間および十分な温度で加熱され得る。インプリントテンプレートは、熱源または放射源を用いて加熱され得る。付与される熱（例えば、放射ドーズまたは熱エネルギー）が、インプリントされたパターンを硬化させるために必要とされる熱と同一または類似であるように、加熱プロセスは、インプリント硬化ステップを効率的に模倣するように構成され得る。１つ以上のパターン硬化プロセスを再度模倣して、１つ以上の加熱ステップが適用され得る。インプリントテンプレートの温度がそれら初めのいくつかのインプリントの間に速く変化しないため、ダミーインプリントおよび加熱方法のうち１つまたはその両方を用いることで、初めのいくつかのインプリントの拡大エラーは減少される。上述されたように、一部のリソグラフィ方法および装置については、インプリントテンプレートが定常温度に到達するのにおよそ７回のインプリントを要するかもしれない。従って、ダミーインプリントが使用される場合、７回のダミーインプリント（パターン硬化プロセス）が望ましくなり得る。同様に、加熱方法が使用される場合、７回のインプリント（パターン硬化プロセスを含む）で生成された熱を模倣するために十分な熱がインプリントテンプレートに提供され得る。ダミーインプリントと加熱との組み合わせにおいて、ダミーインプリントの数と加熱の量との組み合わせは、７回のインプリント（パターン硬化プロセスを含む）と等しくなるように組み合わされ得る。
[0029] 一実施形態によると、後のインプリントへの所定のインプリントの熱効果を減少または除去するために、パターンが基板上のインプリント可能媒体に適用される順番が変更される。例えば、図２ａおよび図２ｂを参照すると、これらのインプリントリソグラフィ方法においては、パターンの行または列がインプリント可能媒体に連続して適用されるようにインプリントテンプレートおよび／または基板が他に対して相対的にスキャンされていることが見られる。これは、１回のインプリントの熱効果が後続および隣接するインプリントに影響を与えることを意味する。本発明の一実施形態においては、少なくとも大多数のインプリントに対して、２つ（またはそれ以上、例えば、３つ、４つまたは５つ）の連続してインプリントされるパターンが互いに隣接してインプリントされないようなシーケンスでパターンがインプリントされる。
[0030] 図３ａは、本発明の一実施形態による、インプリントリソグラフィ方法を示す。図３ａは、パターン３が基板１上のインプリント可能媒体２にインプリントされる番号順を示す。インプリントテンプレート（図示されず）と基板１との間の相対的な動きのパス４が示されている。図３ｂには、わかりやすくするために、パス４のみを示している。パターン３は、連続する行または列でインプリント可能媒体２にインプリントされていない。
[0031] 図３ａおよび図３ｂを参照すると、隣接パターン３のほとんどが、互いにすぐ連続してインプリントされていない。言い換えると、基板１に適用される大多数のパターン３は、少なくとも１つのパターンスペースが、新しくインプリントされるパターンと直前に適用されたインプリントパターンとを隔てるようにインプリントされる。パターンスペースは、インプリントされたパターン、またはインプリントテンプレートによってパターン形成されるのに十分なエリアであるインプリント可能媒体２のパターン形成されていないエリアであり得る。第１および第２のパターン３のみが互いに隣接して、かつすぐ連続していることがお解かり頂けよう。これらのパターン３は、インプリントシステムが正確なアラインメントにあることを保証するために、すぐ連続して互いに隣接してプリントされる。代替例として、２つの隣接しないパターン、例えば、同じ行または列における２つのパターン、あるいは行、列または対角線上において互いに反対である２つのパターンが、インプリントシステムが正確なアラインメントにあるか否かをテストするために使用されてもよい。アラインメントが不必要であるまたは他の方法でチェックできる場合には、インプリントパターンは、すぐ連続して互いに隣にプリントされることはない。
[0032] 互いに隣接してすぐ連続してインプリントされるパターンの数が従来技術と比較した場合に減少していれば、パターン３は、任意の順番でインプリント可能媒体２にインプリントされてよい。例えば、ランダムなインプリント順番は条件を充足しており、または限定された数（かつ可能であれば、所定の数）のみが連続し互いに隣接してプリントされることを保証する順番でパターンがプリントされてもよい。
[0033] 図３ｃは、図３ａに記載された方法を用いて基板に適用されたパターンの拡大エラーを示す。パターンが明るいほど、拡大エラーが大きい。依然として拡大エラーが存在するものの、図２ｃと比較した場合に拡大エラーがパターン間においてより一貫性を有しており、かつあまり変動性がないことが見られる。
[0034] 全てのインプリントされたパターンに対して、最も低い拡大エラーと最も高い拡大エラーとの間の違い（すなわち、ピーク・ツー・ピークエラー）が図３ｃにおける基板で最も低いことが、図２ｃと図３ｃとの比較から見られる。つまり、拡大エラーが、図３ｃにおける基板上にインプリントされたパターンの全セットにわたってあまり変化しない。上述されたように、これは、拡大エラーをより容易に補正できることを意味する。
[0035] 本発明の一実施形態による方法は、適当に電子的に構成および／またはプログラムされたコンピュータまたは埋め込まれたプロセッサ等のようなコントローラによって実施され得る。コントローラは、図３ａから図３ｃに関連して上述されたインプリント順番をもたらすために、基板を保持するホルダを動かすように構成されてもよいし、および／またはインプリントテンプレートを動かすように構成されてもよい。
[0036] 例えば、図３によるインプリント順番は、順番付けされた並びではない、基板上の箇所でパターンをインプリントすることを含む。このことは、基板とインプリントテンプレートとの間の動きが、インプリント間の一パターンサイズの順番より大きくあり得ることを意味する。例えば、図３による方法を用いれば、基板とインプリントテンプレートとの間の相対的な動きがより大きくても、スループットは大きく影響されない場合がある（少しでもある場合）。これは、一般的に、連続するインプリント間の時間の大部分が、インプリントプロセス自体（例えば、パターンをインプリントするためにインプリントテンプレートを下げること、パターンの硬化、インプリントテンプレートの収縮等）に占められており、基板および／またはインプリントテンプレート自体の動きに限らないからである。これは、インプリントテンプレートおよび／または基板の動きの速さによって、インプリントテンプレートおよび／または基板の動きの全体的な時間がわずかに増えるのみであることを意味している。
[0037] 上記の実施形態はインプリントリソグラフィに関して記載されたが、本発明は、放射ビームを用いてパターンが放射感応性材料の層に適用される、照射（例えば、光）リソグラフィにおいて有用性を見出し得る。本発明の一実施形態によると、１つ以上の後の光学的に適用するパターンへの所定の光学的に適用されたパターンの熱効果を減少または除去するために、パターンが、例えば、基板上のレジストに適用される順番が、従来技術のものと異なる。例えば、従来の光リソグラフィ方法においては、光エレメント（例えば、マスク、レチクル等）および／または基板は、パターンの行または列がレジストに連続して適用される（すなわち、投影される）ように、互いに相対的にスキャンされる。これは、適用されたパターンの熱効果が１つ以上の後のおよび隣接する適用されたパターンを影響するということである。本発明の一実施形態によると、パターンは、連続する行および／または列において、基板に光学的に適用されない。代わりに、インプリントに関して上述したように、レジストに光学的に適用されるパターンの大多数は、少なくとも１つのパターンスペースが、新しく適用されるパターンと直前に適用されたパターンとを隔てる順番で適用される。言い換えると、パターンがレジストに光学的に適用される順番は、パターンの大多数に対しては、２つの連続して適用されたパターン（またはそれ以上、例えば、３つ、４つまたは５つの連続して適用されたパターン）が互いに隣接して適用されないものである。本発明の光学的な実施形態は、上述されたインプリント実施形態に関して上述された任意のフィーチャを有し得る。
[0038] 光リソグラフィ実施形態に対しては、リソグラフィ装置が提供され得る。リソグラフィ装置は、ビームの断面にパターンを付与することを担うパターニングデバイスを保持するように構成されたサポート構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成された放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、本明細書に記載された任意の方法に従って（ｉ）基板、（ｉｉ）パターニングデバイス、（ｉｉｉ）投影システム、または（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択された任意の組み合わせの動きを制御するように構成されたコントローラとを含む。例えば、コントローラは、複数のパターンが基板上に投影される順番が、大多数のパターンに対して、２つの連続して投影されるパターンが互いに隣接して投影されない順番であるように、その動きを制御するように構成され得る。
[0039] 上記の実施形態は例示的にのみ記載されたことが理解される。上記の特許請求の範囲によって限定される発明から逸脱することなくこれらおよび他の実施形態に様々な修正がされ得ることが理解される。
Claims (17)
- 基板上に設けられたインプリント可能媒体に、インプリントテンプレートを用いて複数のパターンをインプリントすることを含むインプリントリソグラフィ方法であって、
前記パターンが前記インプリント可能媒体にインプリントされる順番は、拡大エラーがパターン間で類似するように、大多数のパターンに対して、２つの連続してインプリントされるパターンが互いに隣接してインプリントされない順番であり、
ダミーインプリントを行うために、前記インプリントテンプレートを使用することによって前記インプリントテンプレートが加熱される、方法。 - 前記大多数のパターンに対して、連続してインプリントされるパターンは、パターンスペースによって間隔が開けられる、請求項１に記載の方法。
- 前記パターンスペースは、前記インプリント可能媒体に、前にインプリントされたパターンによって占められている、請求項２に記載の方法。
- 前記パターンスペースは、インプリントされるパターンのエリアと実質的に等しいエリアを有するインプリント可能媒体のパターン形成されていないエリアである、請求項２に記載の方法。
- 前記パターンが前記インプリント可能媒体にインプリントされる前記順番は、全てのパターンに対して、２つの連続してインプリントされるパターンが互いに隣接してインプリントされない順番である、請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載の方法。
- 前記パターンは、インプリントテンプレートを用いてインプリントされる、請求項１乃至請求項５のうち何れか１項に記載の方法。
- 複数のパターンを基板上に設けられたインプリント可能媒体にインプリントする前に、前記インプリントテンプレートが加熱される、請求項１乃至請求項６のうち何れか１項に記載の方法。
- 前記複数のパターンが前記インプリント可能媒体にインプリントされた場合において、前記インプリントテンプレートが実質的に定常温度にあるように、前記インプリントテンプレートが加熱される、請求項７に記載の方法。
- 前記インプリントテンプレートを放射に露光させることによって前記インプリントテンプレートが加熱される、請求項７に記載の方法。
- 前記インプリントテンプレートは、１回より多く、前記放射に露光される、請求項９に記載の方法。
- 前記インプリントテンプレートは、前記インプリント可能媒体におけるインプリントされたパターンを硬化させるために必要とされるのと同じドーズ量の放射に露光される、請求項９又は請求項１０に記載の方法。
- 前記インプリントテンプレートを熱源に露出させることによって前記インプリントテンプレートが加熱される、請求項７に記載の方法。
- 前記インプリントテンプレートは、１回より多く、前記熱源に露出される、請求項１２に記載の方法。
- 前記インプリントテンプレートが、前記インプリント可能媒体におけるインプリントされたパターンを硬化させるために必要とされるのと実質的に同じ量の熱エネルギーに露出される、請求項１２に記載の方法。
- 前記ダミーインプリントは、インプリント可能媒体の層をパターンでインプリントすること、および前記インプリント可能媒体における前記パターンを硬化することを含み、前記インプリント可能媒体の層は、前記基板以外の表面に設けられる、請求項１に記載の方法。
- ７回のダミーインプリントを行うために前記インプリントテンプレートを使用することによって前記インプリントテンプレートが加熱される、請求項１に記載の方法。
- インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントテンプレートホルダと、
基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記インプリントテンプレート、前記基板、または前記インプリントテンプレートと前記基板との両方の動きを制御するように構成されたコントローラであって、基板上に設けられたインプリント可能媒体に、前記インプリントテンプレートを用いて複数のパターンがインプリントされる順番が、拡大エラーがパターン間で類似するように、大多数のパターンに対して、２つの連続してインプリントされるパターンが互いに隣接してインプリントされない順番であるように構成された、コントローラとを含み、
ダミーインプリントを行うために前記インプリントテンプレートを使用することによって前記インプリントテンプレートが加熱される、インプリントリソグラフィ装置。
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|---|---|---|---|---|
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| US20030080471A1 (en) | 2001-10-29 | 2003-05-01 | Chou Stephen Y. | Lithographic method for molding pattern with nanoscale features |
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| EP1003078A3 (en) | 1998-11-17 | 2001-11-07 | Corning Incorporated | Replicating a nanoscale pattern |
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| EP1309897A2 (en) | 2000-08-01 | 2003-05-14 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography |
| SE519478C2 (sv) | 2000-09-19 | 2003-03-04 | Obducat Ab | Etsförfarande, såväl som ramelement, mask och förtillverkat substratelement för användning i sådan etsning |
| EP1352295B1 (en) | 2000-10-12 | 2015-12-23 | Board of Regents, The University of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
| US6964793B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
| US6847433B2 (en) | 2001-06-01 | 2005-01-25 | Agere Systems, Inc. | Holder, system, and process for improving overlay in lithography |
| SE519573C2 (sv) | 2001-07-05 | 2003-03-11 | Obducat Ab | Stamp med antividhäftningsskikt samt sätt att framställa och sätt att reparera en sådan stamp |
| US6949199B1 (en) * | 2001-08-16 | 2005-09-27 | Seagate Technology Llc | Heat-transfer-stamp process for thermal imprint lithography |
| FR2832546B1 (fr) * | 2001-11-20 | 2008-04-04 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de reglage d'un appareil de generation d'un faisceau de particules chargees |
| CA2380114C (en) | 2002-04-04 | 2010-01-19 | Obducat Aktiebolag | Imprint method and device |
| US7252492B2 (en) | 2002-06-20 | 2007-08-07 | Obducat Ab | Devices and methods for aligning a stamp and a substrate |
| US6908861B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography using an electric field |
| US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US7027156B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
| US7070405B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
| US6916511B2 (en) | 2002-10-24 | 2005-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of hardening a nano-imprinting stamp |
| US6755984B2 (en) | 2002-10-24 | 2004-06-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-casted silicon carbide nano-imprinting stamp |
| US6929762B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| KR100529391B1 (ko) | 2002-12-26 | 2005-11-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
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| TW568349U (en) | 2003-05-02 | 2003-12-21 | Ind Tech Res Inst | Parallelism adjusting device for nano-transferring |
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