JP2011071508A - インプリントリソグラフィ方法および装置 - Google Patents
インプリントリソグラフィ方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011071508A JP2011071508A JP2010206182A JP2010206182A JP2011071508A JP 2011071508 A JP2011071508 A JP 2011071508A JP 2010206182 A JP2010206182 A JP 2010206182A JP 2010206182 A JP2010206182 A JP 2010206182A JP 2011071508 A JP2011071508 A JP 2011071508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- actinic radiation
- imprint template
- imprint
- substrate
- template
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】インプリントテンプレートを基板上に設けられたインプリント可能媒体に接触させることと、化学線をインプリント可能媒体に誘導することと、を含むインプリントリソグラフィ方法であって、化学線は、インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に垂直に入射しないように方向付けられる、インプリントリソグラフィ方法、が開示される。
【選択図】図3
Description
1. インプリントテンプレートを基板上に設けられたインプリント可能媒体に接触させることと、化学線を前記インプリント可能媒体に誘導することと、を含むインプリントリソグラフィ方法であって、前記化学線は、前記インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に垂直に入射しないように方向付けられる、インプリントリソグラフィ方法。
2. 前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に対する前記化学線の入射角は30°より大きい、前記1に記載の方法。
3. 前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に対する前記化学線の入射角は70°より大きい、前記1または前記2に記載の方法。
4. 前記化学線は、前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に平行でない化学線受容面を介して前記インプリントテンプレート内に結合される、前記1から3のいずれかに記載の方法。
5. 前記化学線は、前記インプリントテンプレートと光学的に連通するプリズムを介して前記インプリントテンプレート内に結合される、前記1から4のいずれかに記載の方法。
6. 前記化学線は、対向する方向から前記インプリント可能媒体に誘導される、前記1から5のいずれかに記載の方法。
7. 前記化学線はs偏光される、前記1から6のいずれかに記載の方法。
8. インプリントテンプレートと化学線の出口を含むインプリントリソグラフィ装置であって、前記化学線出口および前記インプリントテンプレートは、前記インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に垂直に入射しないように方向付けられた化学線を照射するように構成される、インプリントリソグラフィ装置。
9. 前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に対する前記化学線の入射角は30°より大きい、前記8に記載の装置。
10. 前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に対する前記化学線の入射角は70°より大きい、前記8または前記9に記載の装置。
11. 前記化学線出口は、前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に対して垂直でない方向に化学線を前記インプリントテンプレートの方へ誘導するように構成される、前記8から10のいずれかに記載の装置。
12. 前記インプリントテンプレートは、前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に平行でない化学線受容面を有する、前記8から11のいずれかに記載の装置。
13. 前記インプリントテンプレートは、前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に垂直でない化学線受容面を有する、前記8から12のいずれかに記載の装置。
14. 前記インプリントテンプレートと光学的に連通し、かつ前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に平行でない化学線受容面を提供する構造をさらに含む、前記8から13のいずれかに記載の装置。
15. 前記インプリントテンプレートと光学的に連通し、かつ前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に実質的に平行な化学線受容面を提供する構造をさらに含む、前記8から13のいずれかに記載の装置。
16. 前記構造は反射面を備える、前記14または前記15に記載の装置。
17. 前記構造はプリズムである、前記14から16のいずれかに記載の装置。
18. 前記出口に接続される化学線放射源をさらに含み、前記化学線放射源はs偏光化学線を提供するように構成される、前記8から17のいずれかに記載の装置。
19. インプリントテンプレートホルダを含むインプリントリソグラフィ装置であって、前記インプリントテンプレートホルダは、非垂直角度でインプリントテンプレートのパターン付けされた表面に入射するように、化学線放射源から前記インプリントテンプレート内に化学線を照射するように構成された構造を含む、インプリントリソグラフィ装置。
20. 前記構造はプリズムである、前記19に記載の装置。
21. インプリントリソグラフィ装置であって、非垂直角度でインプリントテンプレートのパターン付けされた表面に入射するように、使用中前記インプリントテンプレート内に化学線を照射するように構成された化学線の出口を含む、インプリントリソグラフィ装置。
22. インプリントリソグラフィテンプレートであって、前記インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に平行でない化学線受容面を有する、インプリントリソグラフィテンプレート。
23. 前記化学線受容面は前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に垂直でない、前記22に記載のインプリントリソグラフィテンプレート。
Claims (15)
- インプリントテンプレートを基板上に設けられたインプリント可能媒体に接触させることと、化学線を前記インプリント可能媒体に誘導することと、を含むインプリントリソグラフィ方法であって、前記化学線は、前記インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に垂直に入射しないように方向付けられる、インプリントリソグラフィ方法。
- 前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に対する前記化学線の入射角は30°より大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に対する前記化学線の入射角は70°より大きい、請求項1または請求項2に記載の方法。
- 前記化学線は、前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に平行でない化学線受容面を介して前記インプリントテンプレート内に結合される、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記化学線はs偏光される、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- インプリントテンプレートと化学線の出口を含むインプリントリソグラフィ装置であって、前記化学線出口および前記インプリントテンプレートは、前記インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に垂直に入射しないように方向付けられた化学線を照射するように構成される、インプリントリソグラフィ装置。
- 前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に対する前記化学線の入射角は30°より大きい、請求項6に記載の装置。
- 前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に対する前記化学線の入射角は70°より大きい、請求項6または請求項7に記載の装置。
- 前記化学線出口は、前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に対して垂直でない方向に化学線を前記インプリントテンプレートの方へ誘導するように構成される、請求項6から8のいずれかに記載の装置。
- 前記インプリントテンプレートは、前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に平行でない化学線受容面を有する、請求項6から9のいずれかに記載の装置。
- 前記インプリントテンプレートと光学的に連通し、かつ前記インプリントテンプレートの前記パターン付けされた表面に平行でない化学線受容面を提供する構造をさらに含む、請求項6から10のいずれかに記載の装置。
- 前記出口に接続される化学線放射源をさらに含み、前記化学線放射源はs偏光化学線を提供するように構成される、請求項6から11のいずれかに記載の装置。
- インプリントテンプレートホルダを含むインプリントリソグラフィ装置であって、前記インプリントテンプレートホルダは、非垂直角度でインプリントテンプレートのパターン付けされた表面に入射するように、化学線放射源から前記インプリントテンプレート内に化学線を照射するように構成された構造を含む、インプリントリソグラフィ装置。
- インプリントリソグラフィ装置であって、非垂直角度でインプリントテンプレートのパターン付けされた表面に入射するように、使用中前記インプリントテンプレート内に化学線を照射するように構成された化学線の出口を含む、インプリントリソグラフィ装置。
- インプリントリソグラフィテンプレートであって、前記インプリントテンプレートのパターン付けされた表面に平行でない化学線受容面を有する、インプリントリソグラフィテンプレート。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US24474609P | 2009-09-22 | 2009-09-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011071508A true JP2011071508A (ja) | 2011-04-07 |
Family
ID=43755943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010206182A Pending JP2011071508A (ja) | 2009-09-22 | 2010-09-15 | インプリントリソグラフィ方法および装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8889055B2 (ja) |
JP (1) | JP2011071508A (ja) |
KR (1) | KR101317267B1 (ja) |
CN (1) | CN102023496B (ja) |
NL (1) | NL2005254A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013183263A1 (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリント装置及びテンプレート |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7676088B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
DE102016123538A1 (de) * | 2016-12-06 | 2018-06-07 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum Prägen von Mikro- und/oder Nanostrukturen |
CH714230A2 (de) * | 2017-10-11 | 2019-04-15 | Daetwyler Schweiz Ag | Verfahren zum Umformen eines flächenförmigen Substrats. |
US11281095B2 (en) * | 2018-12-05 | 2022-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Frame curing template and system and method of using the frame curing template |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07235474A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Nec Corp | 露光方法および露光装置 |
JP2009181617A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Hitachi High-Technologies Corp | インプリント装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6334960B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
US20050037143A1 (en) * | 2000-07-18 | 2005-02-17 | Chou Stephen Y. | Imprint lithography with improved monitoring and control and apparatus therefor |
EP1352295B1 (en) | 2000-10-12 | 2015-12-23 | Board of Regents, The University of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
JP2004039136A (ja) | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Pioneer Electronic Corp | 光学多層記録媒体成形用透明スタンパおよび光学多層記録媒体の製造方法 |
US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US6929762B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
JP2005062634A (ja) | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクルマウンタ及びペリクルのフォトマスクへの装着方法 |
WO2006100755A1 (ja) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Fujitsu Limited | 成型部品の製造方法および成型装置 |
US7692771B2 (en) | 2005-05-27 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP4515413B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2010-07-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリントリソグラフィ |
US7708924B2 (en) * | 2005-07-21 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US7507976B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, beam delivery systems, prisms and device manufacturing method |
US8064122B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-11-22 | Asml Holding N.V. | Apertured window for enabling flexible illumination overfill of patterning devices |
US8237133B2 (en) * | 2008-10-10 | 2012-08-07 | Molecular Imprints, Inc. | Energy sources for curing in an imprint lithography system |
-
2010
- 2010-08-23 NL NL2005254A patent/NL2005254A/en not_active Application Discontinuation
- 2010-09-15 JP JP2010206182A patent/JP2011071508A/ja active Pending
- 2010-09-17 KR KR1020100091404A patent/KR101317267B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-20 US US12/886,451 patent/US8889055B2/en active Active
- 2010-09-21 CN CN201010294425.XA patent/CN102023496B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07235474A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Nec Corp | 露光方法および露光装置 |
JP2009181617A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Hitachi High-Technologies Corp | インプリント装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013183263A1 (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリント装置及びテンプレート |
JPWO2013183263A1 (ja) * | 2012-06-07 | 2016-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリント装置及びテンプレート |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102023496A (zh) | 2011-04-20 |
CN102023496B (zh) | 2014-01-15 |
KR20110033051A (ko) | 2011-03-30 |
NL2005254A (en) | 2011-03-23 |
US20110068510A1 (en) | 2011-03-24 |
US8889055B2 (en) | 2014-11-18 |
KR101317267B1 (ko) | 2013-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7510388B2 (en) | Mold, imprint method, and process for producing chip | |
JP5774598B2 (ja) | アライメント及びインプリントリソグラフィ | |
US8961801B2 (en) | Imprint lithography method and apparatus | |
US8092209B2 (en) | Imprinting device | |
US7944063B2 (en) | Application of 2-dimensional photonic crystals in alignment devices | |
KR20090006059A (ko) | 부 회절 한계 형상을 생성하는 포토리소그래픽 시스템 및 방법 | |
TWI426353B (zh) | 壓印微影系統及壓印方法 | |
CN101403854A (zh) | 纳米图案化方法及制造母板和离散轨道磁记录介质的方法 | |
US8743361B2 (en) | Imprint lithography method and apparatus | |
US9658528B2 (en) | Imprint lithography | |
JP2011071508A (ja) | インプリントリソグラフィ方法および装置 | |
US9588418B2 (en) | Pattern forming method | |
JP2007073939A (ja) | インプリント装置およびインプリント方法 | |
US9310700B2 (en) | Lithography method and apparatus | |
JP4073343B2 (ja) | 光透過ナノスタンプ方法 | |
JP4951032B2 (ja) | 光学エレメント、このような光学エレメントを備えたリソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれによって製造されたデバイス | |
US7969555B2 (en) | Lens structure, optical system having the same, and lithography method using the optical system | |
JP2024003899A (ja) | インプリントシステム、基板、インプリント方法、レプリカモールド製造方法及び、物品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20120420 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120425 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120720 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120921 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20130118 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130125 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130308 |