JPH07235474A - 露光方法および露光装置 - Google Patents
露光方法および露光装置Info
- Publication number
- JPH07235474A JPH07235474A JP6025828A JP2582894A JPH07235474A JP H07235474 A JPH07235474 A JP H07235474A JP 6025828 A JP6025828 A JP 6025828A JP 2582894 A JP2582894 A JP 2582894A JP H07235474 A JPH07235474 A JP H07235474A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- polarization
- exposure
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光方法において、基板段差部分からの反射
光を簡便な方法で低減する。 【構成】 露光照明系より照射された光の偏光を段差を
有する基板５の形状に合わせて制御する。 【効果】 基板５の段差部分の反射率はＳ偏光とＰ偏光
で異なる。Ｓ偏光では反射光が遮光部２による遮光部分
まで侵入してしまうのに対し、Ｐ偏光では侵入しない。
このため、入射光の偏光を基板段差の方向に対しＰ偏光
とすることにより、基板反射の影響を低減することがで
きる。
光を簡便な方法で低減する。 【構成】 露光照明系より照射された光の偏光を段差を
有する基板５の形状に合わせて制御する。 【効果】 基板５の段差部分の反射率はＳ偏光とＰ偏光
で異なる。Ｓ偏光では反射光が遮光部２による遮光部分
まで侵入してしまうのに対し、Ｐ偏光では侵入しない。
このため、入射光の偏光を基板段差の方向に対しＰ偏光
とすることにより、基板反射の影響を低減することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路等の製造
工程で、回路パターンの転写に利用される露光方法およ
び装置に関するものである。
工程で、回路パターンの転写に利用される露光方法およ
び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の露光工程では、露光装
置を用いてマスク上の回路パターンを基板上に塗布した
レジストに転写する。半導体素子は立体的構造を持つた
め、基板には段差が存在することが多い。基板段差部分
に入射した光は斜め方向に反射するため、マスクで遮光
した部分まで露光されてしまうという問題が生じる。従
来、この問題を解決するため、基板上に反射防止膜を張
る方法が知られている。また、ダイ入りレジストを用い
ることにより、基板に到達する光を低下させる方法も知
られている。
置を用いてマスク上の回路パターンを基板上に塗布した
レジストに転写する。半導体素子は立体的構造を持つた
め、基板には段差が存在することが多い。基板段差部分
に入射した光は斜め方向に反射するため、マスクで遮光
した部分まで露光されてしまうという問題が生じる。従
来、この問題を解決するため、基板上に反射防止膜を張
る方法が知られている。また、ダイ入りレジストを用い
ることにより、基板に到達する光を低下させる方法も知
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】反射防止膜を用いる方
法は、工程によっては基板の汚染を生じるため使用でき
ない場合がある。また、反射防止膜を張るための工数が
増えてしまうという問題もある。ダイ入りレジストを用
いて基板に到達する光を大きく低下させるためには、レ
ジストの吸収率を大きくする必要がある。この結果、レ
ジストプロファイルが垂直で無くなってしまう問題が発
生する。
法は、工程によっては基板の汚染を生じるため使用でき
ない場合がある。また、反射防止膜を張るための工数が
増えてしまうという問題もある。ダイ入りレジストを用
いて基板に到達する光を大きく低下させるためには、レ
ジストの吸収率を大きくする必要がある。この結果、レ
ジストプロファイルが垂直で無くなってしまう問題が発
生する。
【０００４】本発明の目的は、上記の問題を解決し、基
板段差部分からの反射光を簡便な方法で低減する露光方
法および露光装置を提供することにある。
板段差部分からの反射光を簡便な方法で低減する露光方
法および露光装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、露光照明系よ
り照射された光をマスクに透過させて、前記マスク上の
パターンを基板上に塗布したレジストに転写する露光方
法において、前記露光照明系より照射された光の偏光を
前記基板の形状に合わせて制御することを特徴とする露
光方法である。特に、段差がある基板の段差の側面に対
しＰ偏光であることを特徴とする。
り照射された光をマスクに透過させて、前記マスク上の
パターンを基板上に塗布したレジストに転写する露光方
法において、前記露光照明系より照射された光の偏光を
前記基板の形状に合わせて制御することを特徴とする露
光方法である。特に、段差がある基板の段差の側面に対
しＰ偏光であることを特徴とする。
【０００６】また、露光照明系より照射された光をマス
クに透過させて、前記マスク上のパターンを基板上に塗
布したレジストに転写する露光装置において、前記露光
照明系の光源より照射された光の偏光を前記基板の形状
に合わせて制御する手段を備える露光装置である。
クに透過させて、前記マスク上のパターンを基板上に塗
布したレジストに転写する露光装置において、前記露光
照明系の光源より照射された光の偏光を前記基板の形状
に合わせて制御する手段を備える露光装置である。
【０００７】
【作用】光の反射率は偏光状態により大きく異なること
が知られている。例えば、吸収を持たない媒質にブリュ
ースター角で光を入射すると、Ｐ偏光の反射率は０とな
る。半導体基板は一般的に光を吸収するのでブリュース
ター角は存在しないが、光が斜めに入射した場合、Ｐ偏
光の反射率はＳ偏光に比べずっと小さくなる。具体的に
レジスト（屈折率ｎ＝１．７６、吸収係数ｋ＝０．０１
２）とＳｉ（ｎ＝１．４１、ｋ＝３．３５）との境界面
での反射率を計算した結果を図２に示す。計算に用いた
屈折率はＫｒＦエキシマレーザの波長λ＝２４８ｎｍに
おける値である。入射角が６０度付近ではＰ偏光の反射
率はＳ偏光の半分程度に下がっていることが判る。
が知られている。例えば、吸収を持たない媒質にブリュ
ースター角で光を入射すると、Ｐ偏光の反射率は０とな
る。半導体基板は一般的に光を吸収するのでブリュース
ター角は存在しないが、光が斜めに入射した場合、Ｐ偏
光の反射率はＳ偏光に比べずっと小さくなる。具体的に
レジスト（屈折率ｎ＝１．７６、吸収係数ｋ＝０．０１
２）とＳｉ（ｎ＝１．４１、ｋ＝３．３５）との境界面
での反射率を計算した結果を図２に示す。計算に用いた
屈折率はＫｒＦエキシマレーザの波長λ＝２４８ｎｍに
おける値である。入射角が６０度付近ではＰ偏光の反射
率はＳ偏光の半分程度に下がっていることが判る。
【０００８】
【実施例】本発明の露光方法の実施例を図１に示す。ガ
ラス基板１上に遮光部２を形成したマスクを照明し、投
影光学系３により基板５に塗布したレジスト４に結像さ
せている。照明光としてはＫｒＦエキシマレーザを用
い、遮光部２の線幅は０．３μm である。Ｓｉで出来た
基板５は段差を持っている。段差部分の反射率はＳ偏光
とＰ偏光で異なる。レジスト内の電場強度分布１５を見
ると、Ｓ偏光では反射光が遮光部分まで侵入してしまう
のに対し、Ｐ偏光では侵入していない。レジストは電場
に反応することが知られている。無偏光の場合には、Ｓ
偏光とＰ偏光の平均となる。無偏光の場合でも反射光は
遮光部に侵入するため、入射光の偏光を基板の段差面に
対しＰ偏光とすることにより、基板反射の影響を低減す
ることができる。
ラス基板１上に遮光部２を形成したマスクを照明し、投
影光学系３により基板５に塗布したレジスト４に結像さ
せている。照明光としてはＫｒＦエキシマレーザを用
い、遮光部２の線幅は０．３μm である。Ｓｉで出来た
基板５は段差を持っている。段差部分の反射率はＳ偏光
とＰ偏光で異なる。レジスト内の電場強度分布１５を見
ると、Ｓ偏光では反射光が遮光部分まで侵入してしまう
のに対し、Ｐ偏光では侵入していない。レジストは電場
に反応することが知られている。無偏光の場合には、Ｓ
偏光とＰ偏光の平均となる。無偏光の場合でも反射光は
遮光部に侵入するため、入射光の偏光を基板の段差面に
対しＰ偏光とすることにより、基板反射の影響を低減す
ることができる。
【０００９】図３は本発明の露光装置の第１の実施例で
ある。狭帯域化したＫｒＦエキシマレーザ光源６を出た
光は偏光している。この光は偏光回転素子７を通ること
により偏光面が回転する。回転量は偏光回転制御部８に
より制御される。偏光回転素子７を通過した光の偏光面
は、レジストを塗布した基板１２の段差側面に対しＰ偏
光となる。偏光回転素子７と制御部８の組み合わせとし
ては、例えばλ／２板と機械的な搬入出器、あるいは電
気光学的偏光回転素子と加電圧器などを用いることがで
きる。Ｐ偏光の光はフライアイレンズ９とコンデンサレ
ンズ１０及びマスク１１及び光学系３を通って基板を露
光する。基板の段差部からの反射の影響を低減できマス
クパターンを正確に露光することができる。
ある。狭帯域化したＫｒＦエキシマレーザ光源６を出た
光は偏光している。この光は偏光回転素子７を通ること
により偏光面が回転する。回転量は偏光回転制御部８に
より制御される。偏光回転素子７を通過した光の偏光面
は、レジストを塗布した基板１２の段差側面に対しＰ偏
光となる。偏光回転素子７と制御部８の組み合わせとし
ては、例えばλ／２板と機械的な搬入出器、あるいは電
気光学的偏光回転素子と加電圧器などを用いることがで
きる。Ｐ偏光の光はフライアイレンズ９とコンデンサレ
ンズ１０及びマスク１１及び光学系３を通って基板を露
光する。基板の段差部からの反射の影響を低減できマス
クパターンを正確に露光することができる。
【００１０】図４は本発明の露光装置の第２の実施例で
ある。図３を用いて説明した実施例と同様にレーザ光源
６を出た光は偏光している。ステージ制御部１４により
ステージ１３の方向を制御することにより、入射光はレ
ジストを塗布した基板１２の段差面に対しＰ偏光とな
る。
ある。図３を用いて説明した実施例と同様にレーザ光源
６を出た光は偏光している。ステージ制御部１４により
ステージ１３の方向を制御することにより、入射光はレ
ジストを塗布した基板１２の段差面に対しＰ偏光とな
る。
【００１１】なお、以上の実施例では光源としてＫｒＦ
エキシマレーザを用いたが、ＡｒＦエキシマレーザ、高
圧水銀ランプのｉ線、ｇ線、あるいはＸ線などを代わり
に用いることもできる。
エキシマレーザを用いたが、ＡｒＦエキシマレーザ、高
圧水銀ランプのｉ線、ｇ線、あるいはＸ線などを代わり
に用いることもできる。
【００１２】光源が偏光していない場合には、偏光板な
どの偏光素子を光源と偏光回転素子の間に挿入すれば良
い。
どの偏光素子を光源と偏光回転素子の間に挿入すれば良
い。
【００１３】また、露光装置も投影光学系に限らず、密
着露光、プロキシミティ露光などの場合でも同様の効果
が得られる。
着露光、プロキシミティ露光などの場合でも同様の効果
が得られる。
【００１４】基板もＳｉに限らず、Ａｌ、ＳｉＯ2 など
あらゆるものに適用できる。
あらゆるものに適用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の露光方法あ
るいは露光装置によれば、反射防止膜やダイ入りレジス
トを用いずとも、基板段差部分からの反射光を著しくか
つ簡便に低減できる。
るいは露光装置によれば、反射防止膜やダイ入りレジス
トを用いずとも、基板段差部分からの反射光を著しくか
つ簡便に低減できる。
【図１】本発明の露光方法の実施例を示す図。
【図２】反射光の偏光依存性を示す図。
【図３】本発明の露光装置の第１の実施例を示す図。
【図４】本発明の露光装置の第２の実施例を示す図。
１ ガラス基板 ２ 遮光部 ３ 光学系 ４ レジスト ５ 基板 ６ 光源 ７ 偏光回転素子 ８ 制御部 ９ フライアイレンズ １０ コンデンサレンズ １１ マスク １２ 基板 １３ ステージ １４ ステージ制御部 １５ 電場強度分布
Claims (4)
- 【請求項１】露光照明系より照射された光をマスクに透
過させて、前記マスク上のパターンを基板上に塗布した
レジストに転写する露光方法において、前記露光照明系
より照射された光の偏光を前記基板の形状に合わせて制
御することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】前記露光照明系より照射された光の偏光は
前記基板の段差部分の側面に対しＰ偏光となることを特
徴とする請求項１に記載の露光方法。 - 【請求項３】露光照明系より照射された光をマスクに透
過させて、前記マスク上のパターンを基板上に塗布した
レジストに転写する露光装置において、前記露光照明系
の光源より照射された光の偏光を前記基板の形状に合わ
せて制御する手段を備えることを特徴とする露光装置。 - 【請求項４】前記露光照明系より照射された光の偏光は
前記基板の段差部分の側面に対しＰ偏光となることを特
徴とする請求項３に記載の露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6025828A JPH07235474A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | 露光方法および露光装置 |
| KR1019950003742A KR0173168B1 (ko) | 1994-02-24 | 1995-02-24 | 웨이퍼상의 레지스트막을 노광하기 위한 노광계와 그에 사용되는 조명계 및 방법 |
| US08/394,942 US5559583A (en) | 1994-02-24 | 1995-02-24 | Exposure system and illuminating apparatus used therein and method for exposing a resist film on a wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6025828A JPH07235474A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | 露光方法および露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235474A true JPH07235474A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12176725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6025828A Pending JPH07235474A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | 露光方法および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235474A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006005267A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法 |
| US7534533B2 (en) | 2004-02-10 | 2009-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polarization analyzing system, exposure method, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2011071508A (ja) * | 2009-09-22 | 2011-04-07 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ方法および装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226225A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置及び偏光子 |
-
1994
- 1994-02-24 JP JP6025828A patent/JPH07235474A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226225A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置及び偏光子 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534533B2 (en) | 2004-02-10 | 2009-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polarization analyzing system, exposure method, and method for manufacturing semiconductor device |
| US7859665B2 (en) | 2004-02-10 | 2010-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polarization analyzing system, exposure method, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2006005267A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法 |
| JP2011071508A (ja) * | 2009-09-22 | 2011-04-07 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ方法および装置 |
| CN102023496A (zh) * | 2009-09-22 | 2011-04-20 | Asml荷兰有限公司 | 压印光刻方法和设备 |
| KR101317267B1 (ko) * | 2009-09-22 | 2013-10-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 임프린트 리소그래피 방법 및 장치 |
| US8889055B2 (en) | 2009-09-22 | 2014-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981215 |