WO2006054459A1 - 露光条件設定方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム - Google Patents

露光条件設定方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム Download PDF

Info

Publication number
WO2006054459A1
WO2006054459A1 PCT/JP2005/020450 JP2005020450W WO2006054459A1 WO 2006054459 A1 WO2006054459 A1 WO 2006054459A1 JP 2005020450 W JP2005020450 W JP 2005020450W WO 2006054459 A1 WO2006054459 A1 WO 2006054459A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pattern
shape
etching
focus value
exposure amount
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/020450
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kazuo Sawai
Akihiro Sonoda
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Limited filed Critical Tokyo Electron Limited
Priority to CNB2005800392295A priority Critical patent/CN100550299C/zh
Priority to US11/718,760 priority patent/US7960078B2/en
Priority to KR1020077011171A priority patent/KR100887352B1/ko
Priority to EP05803015A priority patent/EP1814143A4/en
Publication of WO2006054459A1 publication Critical patent/WO2006054459A1/ja
Priority to US13/114,329 priority patent/US8500950B2/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70608—Monitoring the unpatterned workpiece, e.g. measuring thickness, reflectivity or effects of immersion liquid on resist
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • Exposure condition setting method for Exposure condition setting method, substrate processing apparatus, and computer program
  • the present invention relates to an exposure that sets optimum exposure conditions when a resist film used as an etching mask is exposed in a predetermined pattern in order to form an etching pattern having a good shape in a process of manufacturing a semiconductor device or the like.
  • the present invention relates to a condition setting method, and a substrate processing apparatus and a computer program used for executing the exposure condition setting method.
  • a resist film is formed on an interlayer insulating film, the resist film is exposed in a predetermined pattern, and the resist is formed by imaging.
  • the interlayer insulating film is patterned by plasma etching of the interlayer insulating film using the pattern as an etching mask.
  • a resist pattern is formed on a light shielding layer provided on a substrate, and the light shielding layer is patterned by dry etching.
  • the etching pattern is regularly observed by SEM. If the shape of the etching pattern is out of the predetermined size range, the operator can use a photolithography process for forming a resist pattern as an etching condition or an etching mask based on past processing data. Etching pattern dimensions can be changed by changing the processing conditions (exposure amount and focus value).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-59990
  • An object of the present invention is to provide an exposure condition setting method for easily obtaining an etching pattern having a desired shape.
  • Another object of the present invention is to provide an exposure condition setting method for obtaining an etching pattern having a desired shape over the entire surface of a substrate.
  • Still another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a computer program for executing such an exposure condition setting method.
  • a resist film is formed on the etched layer of the test substrate including the etched layer, and a plurality of portions of the resist film are exposed with a predetermined test pattern. Sequentially changing the amount and focus value, exposing and developing to form a resist pattern at the plurality of portions, and measuring the shape of the resist pattern at the plurality of portions by a skitellometry technique; Etching the layer to be etched using the resist film on which the resist pattern is formed as an etching mask, peeling the resist film from the substrate, and forming an etching pattern at the plurality of portions; Measure the shape of the etching pattern at multiple locations using the skiterometry technique, and expose the multiple locations sequentially.
  • An exposure condition setting method includes determining a management range of a combination of an exposure amount and a focus value that are allowed to obtain an etching pattern.
  • the management range is determined, determining a combination of an exposure amount and a focus value within the management range, and the product substrate including the etching target layer
  • a resist film is formed on the layer to be etched, the resist film is exposed with a predetermined product pattern according to the determined exposure amount and focus value, developed, the etched layer is etched, and the resist film is peeled off.
  • Forming an etching pattern measuring the shape of the etching pattern by a skitometry technique, determining whether the shape of the etching pattern is within a predetermined allowable dimension range, When the shape of the etching pattern deviates from the allowable dimension range, a new pattern belonging to the management range is set so that the shape of the etching pattern formed on another product substrate to be processed thereafter falls within the allowable dimension range. And determining a combination of the exposure amount and the focus value.
  • the management range is determined, determining a combination of an exposure amount and a focus value within the management range, and a product substrate including an etching target layer
  • a resist film is formed on the etched layer, and the resist film is exposed with a predetermined product pattern with the determined exposure amount and focus value, developed, etched, and etched. Peeling off the film to form an etching pattern, measuring the shape of the etching pattern by means of a ski terometry technique, and determining whether the shape of the etching pattern is within a predetermined allowable range.
  • the shape of the etching pattern formed on the product substrate is out of a predetermined allowable size range, and is formed on another product substrate to be processed thereafter.
  • the new exposure amount and the focus value are changed so that the shape of the etched pattern falls within the allowable dimension range, and the new exposure amount and focus value combination is out of the management range, the new exposure amount and Exposing and developing another product substrate using the product pattern at a focus value, measuring the shape of the obtained resist pattern, and when the shape of the resist pattern is within a predetermined dimension range, A new management range for the combination of exposure amount and focus value based on the target dimension of the test pattern, the shape of the resist pattern formed on the test substrate, and the combination of exposure amount and focus value used for the sequential exposure And if the shape of the resist pattern is out of the dimension range, a new test substrate is used. It may further have a re executing a series of processing to determine a new management range of the combination of the light amount and focus value.
  • the plurality of parts require an exposure amount and a focus value. It is preferable that the measurement target of the pattern that preferably constitutes a prime matrix includes the line width of the pattern.
  • an exposure processing section that exposes a resist film formed on the etching target layer of the substrate provided with the etching target layer in a predetermined pattern, and the shape of the resist pattern
  • a pattern processing unit that measures the shape of the etching pattern by a skitometry technique
  • a control unit that controls the exposure processing unit and the pattern shape measuring unit, wherein the control unit includes: A plurality of portions of the resist film formed on the substrate are successively exposed by changing the exposure amount and the focus value with a predetermined test pattern, and the shape of the resist pattern of the plurality of portions obtained by development is obtained.
  • the layer to be etched is etched using the result measured by the pattern shape measuring section and the resist film on which the resist pattern is formed as an etching mask.
  • a combination of the result of measuring the shape of the etching pattern of the plurality of parts formed by the pattern shape measurement unit with the exposure amount and the focus value of each part when the plurality of parts are sequentially exposed Based on the above, there is provided a substrate processing apparatus that determines a management range of a combination of an exposure amount and a focus value that are allowed to obtain a desired etching pattern.
  • control unit has a predetermined shape of an etching pattern formed on the product substrate exposed with a combination of an exposure amount and a focus value within the management range.
  • a new combination of exposure amount and focus value belonging to the control range so that the shape of the etching pattern formed on another product substrate to be performed after that falls within the allowable size range when it falls outside the allowable size range. Can be determined.
  • the control unit has a shape of an etching pattern formed on a product substrate exposed using a combination of an exposure amount and a focus value within the management range. If you attempt to change the exposure amount and focus value so that the shape of the etching pattern that is out of the predetermined allowable dimension range and the shape of the etching pattern formed on another product substrate that is processed after that falls within the allowable dimension range, the new When the combination of the exposure amount and the focus value is out of the management range, the new exposure amount and focus value are The exposure processing unit is controlled to expose the product substrate, and the shape of the resist pattern formed on another product substrate exposed with the new exposure amount and the focus value is within a predetermined dimension range.
  • the shape of the resist pattern formed on the sequentially exposed substrate, the target dimension by the photomask used for forming the resist pattern, and the combination of the exposure amount and the focus value used for the sequential exposure Based on this, a new management range for the combination of exposure amount and focus value can be determined
  • the pattern shape measurement unit is configured to include a first measurement unit that measures the shape of the resist pattern and a second measurement unit that measures the shape of the etching pattern. be able to.
  • the exposure processing unit that exposes the resist film formed on the substrate in a predetermined pattern, and the shape of the resist pattern and the shape of the etching pattern are measured by the skierometry technique.
  • the shape of the resist is measured by a skitometry technique, and the resist film on which the resist pattern is formed is etched. Etching the layer to be etched using as an etching mask, peeling off the resist film from the substrate to form an etching pattern at the plurality of portions, and the shape of the etching pattern at the plurality of portions by a scatterometry technique A combination of the exposure amount and the focus value of each part when the plurality of parts are sequentially exposed, the shape measurement result of the resist pattern of the plurality of parts, and the plurality of parts. Based on the etching pattern shape measurement result, a process including determining a management range of a combination of an exposure amount and a focus value allowed to obtain an etching pattern having a desired shape is performed.
  • a computer program including software that causes the computer to control the substrate processing apparatus. Ram is provided. [0016]
  • the processing further includes: determining a combination of an exposure amount and a focus value within the management range after the management range is determined; and etching layer A resist film is formed on the layer to be etched of the product substrate provided with the resist film, the resist film is exposed with a predetermined product pattern with the determined exposure amount and focus value, developed, and the layer to be etched is etched. Then, the resist film is stripped to form an etching pattern, the shape of the etching pattern is measured by a ski terometry technique, and whether the shape of the etching pattern is within a predetermined allowable range.
  • the processing further includes: determining a combination of an exposure amount and a focus value within the management range; A resist film is formed on the layer to be etched of the product substrate having a layer, the resist film is exposed with a predetermined product pattern with the determined exposure amount and focus value, developed, and the layer to be etched is etched. Peeling off the resist film to form an etching pattern; measuring the shape of the etching pattern by a skilter telometry technique; and determining whether the shape of the etching pattern is within a predetermined allowable range. And the shape of the etching pattern formed on the product substrate deviates from a predetermined allowable dimension range and is processed thereafter.
  • the new combination of the exposure amount and the focus value is changed from the control range.
  • the product pattern is used with the new exposure amount and focus value to expose and develop the other product substrate, and the shape of the obtained resist pattern is measured.
  • Exposure amount based on the target dimension of the test pattern, the shape of the resist pattern formed on the test substrate, and the combination of the exposure amount and the focus value used for the sequential exposure. Determining a new management range of the combination of the focus value and the shape of the resist pattern. And a re-execution of a series of processes for determining a new management range of the combination of the exposure amount and the focus value using a new test substrate in the case of being out of the dimension range. .
  • a resist film is formed on the etched layer of the test substrate including the etched layer, and a plurality of portions of the resist film are exposed with a predetermined test pattern. Sequentially changing the amount and focus value, exposing and developing to form a resist pattern at the plurality of portions, and measuring the shape of the resist pattern at the plurality of portions by a skitellometry technique; Forming a resist film on the etching layer of the product substrate provided with the layer to be etched, exposing the resist film with a predetermined product pattern at a predetermined exposure amount and focus value, developing, etching, and etching the resist film; The shape of the etching pattern obtained by removing the film is measured by the skier telometry technique, and the shape is included in the etching pattern.
  • a new combination of exposure amount and focus value is applied to a region where the shape of the etching pattern is outside the allowable dimension range, and the etching pattern shape has an allowable dimension.
  • the combination of the conventional exposure amount and the force value can be applied.
  • an exposure processing unit that exposes a resist film formed on the etching target layer of the substrate including the etching target layer in a predetermined pattern, and the shape of the resist pattern
  • a substrate processing apparatus comprising: a pattern shape measurement unit that measures the shape of an etching pattern by a skitellometry technique; and a control unit that controls the exposure processing unit and the pattern shape measurement unit.
  • a plurality of portions of the resist film formed on the test substrate are sequentially exposed by changing the exposure amount and the focus value with a predetermined test pattern, and the shape of the resist pattern of the plurality of portions obtained by development is determined in advance.
  • the resist film is exposed with a predetermined product pattern with a predetermined exposure amount and focus value, developed, etched, and the shape of the etching pattern of the etched layer obtained by peeling the resist film is measured by the pattern shape measuring unit. Based on the measurement results, when there is a region whose shape is outside a predetermined allowable dimension range in the etching pattern, the test is performed so that all the etching pattern shapes are within the allowable dimension range.
  • a substrate processing apparatus for changing a combination of a substrate exposure amount and a focus value.
  • control unit applies a new combination of exposure amount and focus value to a region where the shape of the etching pattern is outside the allowable dimension range, and
  • the combination of the conventional exposure amount and the focus value can be applied to the area whose shape is within the allowable dimension range.
  • the exposure processing unit that exposes the resist film formed on the substrate in a predetermined pattern, and the shape of the resist pattern and the shape of the etching pattern are measured by a skiferometry technique.
  • a resist film is formed on the substrate, and the resist film is exposed with a predetermined product pattern with a predetermined exposure amount and a focus value, developed, etched, and etched to obtain the shape of the etching pattern obtained by removing the resist film.
  • the test is performed so that all etching pattern shapes are within the allowable dimension range when the measurement is performed by telometry technique and the etching pattern includes a region whose shape is outside the allowable dimension range.
  • a combination of the exposure amount and the focus value of each of the portions when the plurality of portions of the substrate are sequentially exposed, and a register formed on the test substrate.
  • the substrate processing apparatus is controlled by the computer so that a process including changing a combination of an exposure amount and a focus value for exposing the product substrate is performed based on the shape measurement data of the strike pattern.
  • a new combination of exposure amount and focus value is applied to a region where the shape of the etching pattern is outside the allowable dimension range, and the shape of the etching pattern is the allowable dimension.
  • a computer program is applied that applies a combination of the previous exposure and force values.
  • the resist pattern formed by sequentially exposing and developing the exposure amount and the focus value at a plurality of portions of the resist film on the etching target film of the test substrate are measured by the skiterometry technique, and the combination of exposure amount and focus value allowed to obtain an etching pattern of the desired shape from them. Therefore, the etching pattern within the allowable dimension range can be easily obtained, and the generation of defective products in the etching process can be suppressed.
  • a resist film is formed on an etching target layer of a test substrate, and a plurality of resist patterns formed by sequentially exposing and developing the resist film while changing the exposure amount and the focus value.
  • the thickness of the etching pattern formed by a predetermined product pattern is measured by the skilterometry technique, a resist film is formed on the etching layer of the product substrate having the layer to be etched. Based on these, the combination of the exposure amount and the focus value for exposing the product substrate is changed so that the shape of all the etching patterns is within the allowable dimension range, so that the etching pattern shape on the substrate surface is changed. It is possible to easily obtain an etching pattern that is within the allowable dimension range over the entire substrate surface by suppressing the occurrence of variations in , You can suppress this and force S the occurrence of defective products.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a wafer processing system.
  • FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of an integrated computer.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a method for adjusting a wafer processing system.
  • FIG. 4 is a diagram showing a matrix for sequential exposure.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the line width of a resist pattern obtained by sequential exposure, the exposure amount, and the focus value.
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the line width of an etching pattern, the exposure amount, and the focus value.
  • FIG. 7A is a diagram showing an example of the relationship between the cross-sectional shape of a resist pattern and the cross-sectional shape of an etching pattern.
  • FIG. 7B is a diagram showing an example of the relationship between the cross-sectional shape of the resist pattern and the cross-sectional shape of the etching pattern.
  • FIG. 7C is a diagram showing an example of the relationship between the cross-sectional shape of the resist pattern and the cross-sectional shape of the etching pattern.
  • FIG. 7D is a diagram showing an example of the relationship between the cross-sectional shape of the resist pattern and the cross-sectional shape of the etching pattern.
  • FIG.8 A flowchart showing how to change the combination of exposure and focus values.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the sequential exposure matrix and the management range of combinations of exposure amount and focus value.
  • FIG. 10 is a flowchart showing a wafer processing system adjustment method for suppressing the occurrence of in-plane variations in etching patterns.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a wafer processing system for patterning a film to be etched.
  • This wafer processing system includes a resist coating / development processing device 12, an exposure device 13, an etching device 14, a resist stripping device 15, and a first line width measuring device (ODP) for measuring the shape of a resist pattern.
  • ODP first line width measuring device
  • a second line width measuring device (ODP-2) 17 and an integrated computer 11 are provided.
  • the resist coating / development processing apparatus 12 is performed by a CVD method or a SOD method (spin method) using a film forming device (not shown).
  • a resist film is formed on a film to be etched, such as an interlayer dielectric film, formed by on dielectric), and the resist film after the exposure process is developed.
  • the exposure apparatus 13 exposes the resist film under a predetermined exposure condition using a predetermined mask pattern (photomask).
  • the etching apparatus 14 is for etching a film to be etched using a resist pattern as an etching mask, and is configured as a plasma etching apparatus, for example.
  • the resist stripping device 15 strips the resist pattern from the wafer W after the etching process, and is configured as a plasma ashing device, for example.
  • the first line width measuring device (ODP-1) 16 measures the shape of the resist pattern formed after the development processing by the resist coating / development processing device 12 by using the sky telometry technique.
  • the second line width measuring device (ODP-2) 17 measures the shape of the etching pattern of the film to be etched formed after the etching process by the etching device 14 by using the sky telometry technique.
  • the configuration is the same as that of the 1st line width measuring device (ODP-1) 16 except for the measurement object.
  • the skid telometry technique calculates the diffracted light intensity distribution for a plurality of pattern shapes. For example, a library is created in advance, and light is incident on the pattern to be measured. The angle direction distribution is detected, the result of detection is compared with the above library, and the width and height of the pattern to be measured are estimated by pattern matching. For example, it is described in Japanese Patent Application Publication No. 2002-260994. ing.
  • the integrated computer 11 controls the first and second line width measuring devices 16 and 17 and the exposure device 13.
  • the integrated computer 11 may be configured to control the resist coating / image processing apparatus 12, the etching apparatus 14, and the resist stripping apparatus 15 in addition to these, or may control a film forming apparatus (not shown). .
  • FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the integrated computer 11.
  • the integrated computer 11 includes a process controller (CPU) 31 and a management range for exposure processing described later by the process manager.
  • a data input / output unit 32 having a display for visualizing and displaying the calculation results by 31; a storage unit 33 storing various programs and data; a first line width measuring device (OD P-1) 16; 2 Line width measuring device (DOP-2) 17 and exposure device 13 have interfaces (IF) 34a, 34b and 34c that enable data communication, respectively.
  • an exposure management program 36 for causing the process controller (CPU) 31 to determine an exposure management range, which will be described later, and to change the combination of the exposure amount and the focus value, etc.
  • a second analysis program 38a for analyzing the spectral reflection spectrum measured by the apparatus (ODP_2) 17 and a second library (database) 38b used for the analysis are recorded.
  • the first library 37b has a line width indicating the shape of the resist pattern (such as "CD" shown in FIG. 2).
  • the second library 38b contains data relating to the line width (such as “CD” shown in FIG. 2) and film thickness of the etching pattern and the corresponding spectral reflection spacer.
  • Line width refers to the width of the top surface of the pattern
  • bottom width refers to the width of the bottom of the pattern
  • the wafer processing system shown in Figs. 1 and 2 is configured to measure the shape of each of the resist pattern and the etching pattern with one line width measuring device provided with two line width measuring devices. Also good.
  • the integrated computer 11 may recognize whether the measurement target is a resist pattern or an etching pattern.
  • the process manager may input the measurement target to the integrated computer 11 from the data input / output unit 32, and the measurement by the line width measuring device may be started, or the integrated computer 11 may perform resist coating / development processing.
  • the integrated computer 11 manages the wafer transfer history so that it can automatically recognize whether the wafer has been processed by the apparatus 12 or the wafer that has been processed by the resist film stripping apparatus 15. It ’s okay.
  • This method for adjusting the wafer processing system is substantially a method for adjusting the exposure amount and the focus value in the exposure apparatus 13.
  • a test wafer W on which a film to be etched, for example, a low-k film is formed by a film forming apparatus is prepared (step 1).
  • the wafer W is transferred to a resist coating / developing apparatus 12 where a resist film is formed on the film to be etched (step 2).
  • the wafer W on which the resist film is formed is carried into the exposure apparatus 13, where the exposure light amount is changed sequentially between E to E (n: natural number) with a constant width, as shown in FIG.
  • E to E n: natural number
  • a matrix is formed by sequentially changing between F and F (m; natural number) with a constant width, and the matrix
  • step 3 An exposure process (hereinafter referred to as “level exposure”) is performed for each element (E, F) as one shot (step 3).
  • level exposure a photomask that can produce a resist pattern with a line width H (hereinafter referred to as “test pattern”) when the exposure amount and focus value are appropriate is used.
  • the target value of the line width of the etching pattern formed on the substrate is also H.
  • the wafer W on which the level exposure has been performed is returned to the resist coating / developing apparatus 12 and developed there (step 4). Thereby, a predetermined resist pattern is formed.
  • the wafer W on which the resist pattern has been formed is loaded into a first line width measuring device (ODP-1) 16 where the pattern shape of the resist pattern is measured using the skiterometry technique (step 5). ).
  • ODP-1 first line width measuring device
  • step 5 every shot of exposure, that is, matrix elements (E, F)
  • the integrated computer 11 obtains the line width of the resist pattern by comparing the waveform measured by the process of step 5 with the information in the first library 37b recorded in the resist pattern. Furthermore, the result is collated with the combination of exposure amount and focus value in step 3, and these are linked (step 6). According to the skier telometry technology, the force that can determine not only the line width but also the bottom width and side surface inclination of the resist pattern shape. Represent by width.
  • FIG. 5 shows the resist pattern line width, exposure amount, and focus value obtained in Step 6. It is a graph which shows an example of the relationship. This graph serves as a document for confirming how much the difference occurs between the line width of the resist pattern and the line width of the etching pattern formed thereafter. This graph also shows that the combination of exposure and focus must be changed in order to obtain an etching pattern with a desired shape in the process of processing the product wafer w over time after the management range described later is determined. It can be used as reference data when it occurs.
  • the wafer W is transferred from the first line width measuring device (ODP-1) 16 to the etching device 14 where the etching target film is etched using the resist pattern as an etching mask (step 7).
  • the etching conditions can be changed by changing the degree of vacuum of the chamber accommodating the wafer W, the amount of gas introduced into the chamber, the voltage for generating plasma, the processing time, and the like.
  • the etching conditions are usually fixed to those for manufacturing the product, and step 7 is also performed under such fixed conditions.
  • step 8 The wafer W that has been subjected to the etching process is transported to the resist stripping apparatus 15, where a resist film stripping process is performed (step 8). As a result, an etching pattern appears on the surface of wafer W. Subsequently, the wafer W is loaded into the second line width measuring device (ODP-2) 17 where the shape of the etching pattern is measured using the skiterometry technique (step 9). In this step 9, in the same way as in the previous step 5, light of a predetermined wavelength is applied to the center of each matrix for each shot of exposure, and the spectral reflection spectrum is measured.
  • ODP-2 second line width measuring device
  • the integrated computer 11 obtains the line width of the etching pattern by comparing the waveform measured by the process of Step 9 with the information in the second library 38b recorded for the etching pattern, and the result is obtained.
  • the exposure value and focus value of each matrix element (E, F) are linked (step 10).
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of a graph showing the relationship between the line width of the etching pattern obtained in step 10 and the exposure parameters (exposure amount and focus value).
  • the line closest to the line width H in FIG. 6 is a line with an exposure amount E different from the line with the exposure amount E shown in FIG. .
  • a combination of the optimum exposure amount and focus value to form a resist pattern with high shape accuracy, and shape precision is a difference in the combination of the optimum exposure and focus value to form the appropriate etching pattern.
  • FIGS. 7A to 7D are diagrams showing examples of the relationship between the cross-sectional shape of the resist pattern and the cross-sectional shape of the etching pattern.
  • the line width W of the etching pattern 62c is wider than the line width H of the resist pattern 61c, and conversely, as shown in FIG. In the case of the inverted trapezoid, the line width W of the etching pattern 62d is narrower than the line width H of the resist pattern 61d.
  • the line width of the etching pattern is greatly influenced by the shape of the resist pattern, and it becomes difficult to obtain a good etching pattern unless the resist film is properly exposed. Therefore, measuring the resist pattern shape in steps 5 and 6 and obtaining data associated with the exposure parameters is also beneficial for keeping the etching pattern line width within the allowable dimension range.
  • step 10 When data relating to the line width of the etching pattern is thus obtained in step 10, the integrated computer 11 determines the range of the combination of exposure amount and focus value (hereinafter referred to as "control") required to obtain the etching pattern having a desired shape. Range ”(step 1 Do)
  • Step 11 is performed as follows.
  • the target etching pattern line width has a certain allowable width, this width is defined as ⁇ . Then, the line width of the etching pattern only needs to be in the range of ⁇ ⁇ ⁇ .
  • the allowable range of this etching pattern is the area indicated by hatching in FIG. This The area is the management range.
  • a management range is provided for the combination of the exposure amount and the focus value, and the combination of the exposure amount and the focus value to be applied to the actual exposure processing is determined within this management range, thereby belonging to the allowable dimension range.
  • An etching pattern can be easily obtained. Thereby, generation
  • the force that determines the management range of the combination of the exposure amount and the focus value based only on the line width of the etching pattern As described above, according to the skier telometry technique, only the line width is determined. In addition, the bottom width and inclination can also be obtained. First, as described above, the first management range is obtained from the line width of the etching pattern, then the management range is narrowed by the bottom width, and the management range is further obtained by pattern inclination. The final control range of the combination of the exposure amount and the focus value may be obtained by narrowing the range.
  • the management range of the combination of the exposure amount and the focus value is determined using one test wafer W.
  • two test wafers W are prepared. Store after the processing of ⁇ 5, and store the remaining one after performing the processing of steps 1 ⁇ 4 and 7 ⁇ : 11 (that is, do not measure the shape of the resist pattern) Even if you do it. This is because the shape of the resist pattern formed on each of the two test wafers W can be regarded as substantially the same.
  • the wafer processing system can be used later. It can be used as a reference when readjustment is required.
  • Steps 1 to 11 described above are performed before the processing of a wafer as a product is started. Therefore, the actual product wafer is processed after the end of step 11, but cleaning of the etching chamber, changes in properties of the film to be etched, changes in properties of the resist film, exposure equipment, maintenance of the resist coating / development processing equipment, etc. Due to changes in the manufacturing environment of the product wafer over time, the line width of the resist pattern may be out of the allowable dimension range, and it may be necessary to change the exposure amount and focus value to solve the problem. The adjustment method at that time will be described below with reference to the flowchart shown in FIG.
  • step 11 When the management range of the combination of exposure amount and focus value is determined in step 11, The conditions under which the etching pattern with the most desired line width is easily obtained within this control range, and the combination of exposure and focus values are determined (step 12).
  • Fig. 9 shows the management range obtained in Step 11 applied to Fig. 4, and the hatched area in Fig. 9 is the management range.
  • step 12 for example, a combination of the exposure amount and the focus value at the substantially center of the management range can be set as an initial setting value when the product wafer W is exposed.
  • a product wafer W on which an etching target film is formed is prepared (step 13), and a resist film is formed on the etching target film (step 14).
  • the resist film is exposed with a predetermined product pattern with the determined exposure amount and focus value (step 15) and developed (step 16).
  • the resist pattern thus formed as an etching mask the film to be etched is etched to form an etching pattern (step 17), and then the resist pattern is stripped (step 18).
  • the line width of the formed etching pattern is measured for each lot having a plurality of wafers as one unit or every predetermined number of wafers. Measure with the instrument (ODP-2) 17 (Step 19).
  • step 20 it is next determined whether or not the line width is within the allowable range. If the line width is within the allowable range, the process returns to step 13 and processing of the product wafer W is continued. If this line width deviates from this allowable dimension range, the integrated computer 11 sets the exposure amount and the focus value so that the line width of the etching pattern formed on the product wafer W is within the allowable dimension range. Need to change.
  • the line width of the etching pattern can be kept within the allowable dimension range.
  • the etching amount is changed by changing the combination of the exposure amount and the focus value within the control range obtained in step 11. It is determined whether or not the line width of the pattern can be within the allowable dimension range (step 21).
  • the integrated computer 11 does so.
  • the focus value combination is automatically changed (step 22). This method is mainly used when the number of changes is small, such as when the exposure amount and focus value are changed for the first time after processing of the product wafer W is started. It should be noted that the process manager can manually change the combination of exposure amount and focus value (determine a new combination of exposure amount and focus value at the data input / output unit 32).
  • the exposure apparatus 13 determines the new exposure amount from the product wafer W to be processed next in accordance with a command from the integrated computer 11. Exposure processing is performed at the focus value (step 23), and then the line width of the etching pattern formed on the product wafer W is measured through development, etching, and resist pattern peeling (step 24). Then, it is determined whether or not the line width is within the allowable range (step 25). If the line width measured here is within the allowable dimension range, the process returns to step 13 and processing of the product wafer W is continued.
  • the integrated computer 11 stops the operation of the exposure apparatus 13 and issues an alarm (step 26).
  • the process manager inspects the etching pattern of the product wafer W and checks the wafer processing system so as to be able to process the product wafer W.
  • step 21 if it is determined in step 21 that the line width of the etching pattern cannot be within the allowable dimension range by changing the combination of the exposure amount and the focus value within the management range. Temporarily adjusts the exposure amount and focus value of the exposure apparatus 13 to a new exposure amount and focus value outside the management range (step 27).
  • the exposure amount and the focus are set at step 22.
  • the value is changed, for example, the combination of the exposure amount and the focus value is shifted from the center of the hatched area shown in FIG. 9 to the outside in the hatched area. Therefore, if such a change is repeated, a new exposure amount / focus value combination may fall out of the management range.
  • Step 27 the reason why the exposure apparatus 13 is adjusted to a new exposure amount and focus value that are out of the management range is to prevent a decrease in production due to the wafer processing system being stopped. This is because the product wafer W may be sufficiently processed with the new exposure amount and focus value that have been set.
  • the line width of the resist pattern needs to be within a certain allowable dimension range in order to keep the line width of the etching pattern formed thereafter within the allowable dimension range. Therefore, it is determined whether or not the line width of the resist pattern obtained in step 28 is within the allowable dimension range (step 29). If it is within the allowable range, the exposure amount and focus value are based on the resist pattern shape previously formed on the test substrate, the target size of the test pattern, and the combination of exposure amount and focus value at standard exposure. A new management range of the combination of is determined, and a new exposure amount and focus value management range is set (step 30). Then, the processing of the product wafer W is continued by returning to step 13 with the set new exposure amount and focus value combination.
  • step 31 A new management range of the combination of the exposure amount and the focus value is determined (step 31). As a result, the processing after step 12 can be restarted.
  • step 31 when the processing of step 31 is performed, the formation of the film to be etched is performed in advance. It is preferable to check the equipment used for a series of processes from the formation of the resist film to the removal of the resist pattern after the etching process. As a result, the time until the subsequent system inspection becomes longer, fluctuations in the processing conditions during that time can be suppressed, and it becomes easy to maintain the quality of the product wafer W constant.
  • the formation of a film to be etched on a test wafer (step 101), the formation of a resist film (step 102), and the test pattern are Level exposure using the formed photomask (step 103), development processing (step 104), measurement of resist pattern shape using the skiterometry technique (step 105), exposure amount and focus value used for level exposure Data and resist pattern shape data
  • a product wafer W on which a film to be etched is formed is prepared (step 107), a resist film is formed (step 108), and a photomask on which a pattern for product manufacture is formed is used empirically.
  • a resist pattern formed by exposing (Step 109) and developing (Step 110) with a combination of exposure and focus that has a proven track record to prevent product defects Strip the resist pattern
  • Step 112 the shape of the formed etching pattern is measured by a skied telometry technique (Step 113).
  • step 114 it is determined whether or not the line width of the etching pattern obtained in step 113 is within the allowable range over the entire surface of the product wafer W (step 114). If the line width is within the allowable range for the entire surface of the product wafer W, the process returns to step 107 and the processing of the product wafer W is continued.
  • the line width of the etching pattern obtained in step 113 may be within the allowable range for a part of the product wafer W, but may be outside the allowable range.
  • the line width in the plasma etching process, it is empirically determined that the outer periphery of the wafer W is at the center. There is also a tendency for the line width to narrow. In other words, a donut-shaped distribution appears in the line width of the etching pattern. For this reason, if the line width is not within the allowable dimension range over the entire surface, that is, the line width of the etching pattern is within the allowable range at the center of the product wafer w, but is outside the allowable range at the outer periphery.
  • the line width at the center of the product wafer W is changed when the exposure amount and focus value of the entire product wafer W are changed in accordance with the change of the exposure amount and focus value of the outer periphery of the product wafer W Is assumed to be within the allowable range. By taking one of these, the line width of the etching pattern can be within an allowable range for the entire product wafer W.
  • the evaluation result of the test wafer W previously performed is used.
  • the central portion of the product wafer W is exposed with the previous exposure amount and focus value, and the outer peripheral portion is changed to the new exposure amount and focus value.
  • the line width of the resist pattern of the entire product wafer W can be kept within an allowable range.
  • the exposure amount and the focus value may be changed for each exposure shot. As a result, it is possible to obtain an etching pattern with excellent line width uniformity on the product wafer W surface.
  • the second method When the second method is used, an area in the test wafer W exposed with the same exposure amount and focus value as the previous exposure amount and focus value applied to the product wafer W is obtained. Search for a line width that is narrower than the resist pattern line width of the exposure area (shot). The combination of the exposure amount and the focus value, and when the center of the product wafer w is exposed with the exposure amount and the focus value, the line width of the obtained etching pattern is within the allowable range. Select a combination of exposure amount and focus value that can be used. The exposure of the product wafer w is performed only with the selected new exposure amount and focus value. Also by this method, the line width of the resist pattern of the entire product wafer W can be kept within an allowable range. This second method can be used mainly when the difference in the line width of the resist pattern for each exposure shot is small.
  • the exposure amount and the focus value are changed based on the judgment of the process manager and the coefficient model designed by the process manager or engineer. Done.
  • the etching apparatus is not limited to one, and a plurality of etching apparatuses may be used, or an etching apparatus having a plurality of etching chambers may be used.
  • the resist coating / development processing apparatus is not limited to one, and a plurality of resist coating units and a plurality of development units may be provided. In such a case, there are individual differences between etching devices or etching chambers, between resist coating and development processing devices or between resist coating units or development units, and can be grasped from the normal operating condition settings of the device. Variations in processing conditions that cannot be performed may occur.
  • IDs are provided for all the processing units, and the integrated computer sets a management range corresponding to the conditions of the photolithography processing for all ID combinations, and obtains an etching pattern of a desired shape. It is preferable that the combination of the exposure amount and the force value be changed for each management range.
  • the present invention can also be applied to other substrates.
  • the present invention is suitable when high line width accuracy is required in the manufacture of semiconductor devices and FPDs.

Abstract

　被エッチング層を備えたテスト基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、レジスト膜の複数の部位を所定のテストパターンで露光量とフォーカス値とをそれぞれ変化させて逐次露光し、現像して、前記複数の部位にレジストパターンを形成する。次いで、被エッチング膜をエッチングし、レジストパターンを剥離して前記複数の部位の被エッチング膜のパターンの形状をスキャテロメトリ技術により測定し、逐次露光の露光量およびフォーカス値と、レジストパターンの線幅と、エッチングパターンの線幅とに基づいて、所望形状のエッチングパターンを得るために許容される露光量とフォーカス値の組み合わせの管理範囲を決定する。

Description

明 細 書
露光条件設定方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム 技術分野
[0001] 本発明は、半導体装置等を製造する工程において良好な形状のエッチングパター ンを形成するために、エッチングマスクとして用いられるレジスト膜を所定パターンで 露光する際の最適露光条件を設定する露光条件設定方法、ならびに、当該露光条 件設定方法を実行するために用いられる基板処理装置およびコンピュータプロダラ ムに関する。
背景技術
[0002] ダマシン構造等の多層配線構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいては、 例えば、層間絶縁膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜を所定パターンで露光し、現 像して形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして層間絶縁膜をプラズマェ ツチングして層間絶縁膜のパターニングを行う。また、フォトマスクの作製においても、 基板に設けられた遮光層上にレジストパターンを形成し、ドライエッチングにより遮光 層をパターユングしている。
[0003] このようにして形成されるエッチングパターンの線幅等の管理は、下記の特許文献
1に記載されているように、定期的にエッチングパターンの形状を SEM観察すること により行われている。そして、エッチングパターンの形状が既定の寸法範囲から外れ ている場合には、オペレーターが、過去の処理データ等に基づいて、エッチング条 件やエッチングマスクであるレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィーェ 程における処理条件（露光量やフォーカス値）を変更すること等により、エッチングパ ターンの寸法変更を行ってレ、る。
[0004] し力、しながら、 SEM観察には熟練が必要とされ、形状判断に個人差が生じるので、 露光条件を決定するために長い時間を要する問題がある。また、前述した寸法変更 方法で調整できるエッチングパターンの寸法は、ウェハ 1枚あたりほたはロットあたり )の平均寸法にとどまり、 1枚のウェハにおける面内での寸法ばらつきを改善するもの ではない。 特許文献 1 :特開 2003— 59990号公報
発明の開示
[0005] 本発明の目的は、所望形状のエッチングパターンを容易に得るための露光条件設 定方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、基板の面内全体において所望形状のエッチングパターンを 得るための露光条件設定方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、このような露光条件設定方法を実行するための基板 処理装置およびコンピュータプログラムを提供することにある。
[0006] 本発明の第 1の観点によれば、被エッチング層を備えたテスト基板の当該被エッチ ング層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜の複数の部位を所定のテストパターン で露光量とフォーカス値とをそれぞれ変化させて逐次露光し、現像して、前記複数の 部位にレジストパターンを形成することと、前記複数の部位のレジストパターンの形状 をスキヤテロメトリ技術により測定することと、前記レジストパターンが形成されたレジス ト膜をエッチングマスクとして用いて前記被エッチング層をエッチングし、前記レジスト 膜を前記基板から剥離して、前記複数の部位にエッチングパターンを形成することと 、前記複数の部位のエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定する ことと、前記複数の部位を逐次露光した際における前記各部位の露光量およびフォ 一カス値の組み合わせと、前記複数の部位の前記レジストパターンの形状測定結果 と、前記複数の部位の前記エッチングパターンの形状測定結果とに基づいて、所望 形状のエッチングパターンを得るために許容される露光量とフォーカス値の組み合わ せの管理範囲を決定することとを有する、露光条件設定方法が提供される。
[0007] 上記第 1の観点において、前記管理範囲が決定された後に、前記管理範囲内の 1 組の露光量とフォーカス値の組み合わせを決定することと、被エッチング層を備えた 製品基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を前記決定 された露光量とフォーカス値により所定の製品パターンで露光し、現像し、前記被ェ ツチング層をエッチングし、前記レジスト膜を剥離してエッチングパターンを形成する ことと、前記エッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定することと、前 記エッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲内か否力を判断することと、前 記エッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲から外れた場合に、その後に処理 される別の製品基板に形成されるエッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲に 収まるように、前記管理範囲に属する新たな露光量とフォーカス値の組み合わせを 決定することとをさらに有するようにすることができる。
[0008] また、上記第 1の観点において、前記管理範囲が決定された後に、前記管理範囲 内の 1組の露光量とフォーカス値の組み合わせを決定することと、被エッチング層を 備えた製品基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を前 記決定された露光量とフォーカス値により所定の製品パターンで露光し、現像し、前 記被エッチング層をエッチングし、前記レジスト膜を剥離してエッチングパターンを形 成することと、前記エッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定するこ とと、前記エッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲内か否力 ^判断すること と、前記製品基板に形成されたエッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲か ら外れ、かつ、その後に処理される別の製品基板に形成されるエッチングパターンの 形状が前記許容寸法範囲に収まるように露光量とフォーカス値を変更しょうとすると、 その新たな露光量とフォーカス値の組み合わせが前記管理範囲から外れる場合に、 その新たな露光量とフォーカス値で前記製品パターンを用いて前記別の製品基板を 露光し、現像し、得られたレジストパターンの形状を測定することと、前記レジストパタ ーンの形状が所定の寸法範囲内の場合に、前記テストパターンの目標寸法と前記テ スト基板に形成されたレジストパターンの形状と前記逐次露光に用いられた露光量と フォーカス値の組み合わせとに基づいて露光量とフォーカス値の組み合わせの新た な管理範囲を決定することと、前記レジストパターンの形状が前記寸法範囲外の場 合に、新たなテスト基板を用いて露光量とフォーカス値の組み合わせの新たな管理 範囲を決定するための一連の処理を再実行することとをさらに有するようにすることが できる。
[0009] この場合に、前記新たなテスト基板を用いて新たな管理範囲を決定する場合には、 新たなテスト基板の処理に先立って、レジスト膜形成からエッチング処理後のレジスト パターン剥離に至る一連の処理に用いられる装置の点検を行うことが好ましい。
[0010] また、上記第 1の観点において、前記複数の部位は、露光量とフォーカス値とを要 素とするマトリックスを構成していることが好ましぐ前記パターンの測定対象は、パタ 一ンの線幅を含むことが好ましレ、。
[0011] 本発明の第 2の観点によれば、被エッチング層を備えた基板の当該被エッチング層 上に形成されたレジスト膜を所定のパターンで露光する露光処理部と、レジストバタ ーンの形状とエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定するパター ン形状測定部と、前記露光処理部と前記パターン形状測定部を制御する制御部とを 具備する基板処理装置であって、前記制御部は、基板に形成されたレジスト膜の複 数の部位に対して所定のテストパターンで露光量とフォーカス値をそれぞれ変化させ て逐次露光され、現像されて得られる前記複数の部位のレジストパターンの形状を前 記パターン形状測定部で測定した結果と、前記レジストパターンが形成されたレジス ト膜をエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングすることにより形成され た前記複数の部位のエッチングパターンの形状を前記パターン形状測定部で測定し た結果と、前記複数の部位を逐次露光した際における前記各部位の露光量および フォーカス値の組み合わせとに基づいて、所望のエッチングパターンを得るために許 容される露光量とフォーカス値の組み合わせの管理範囲を決定する、基板処理装置 が提供される。
[0012] 上記第 2の観点において、前記制御部は、前記管理範囲内の 1組の露光量とフォ 一カス値の組み合わせで露光された製品基板に形成されたエッチングパターンの形 状が所定の許容寸法範囲から外れた場合に、その後に行われる別の製品基板に形 成されるエッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲に収まるように、前記管理 範囲に属する新たな露光量とフォーカス値の組み合わせを決定するようにすることが できる。
[0013] また、上記第 2の観点において、前記制御部は、前記管理範囲内の 1組の露光量と フォーカス値の組み合わせを用いて露光された製品基板に形成されたエッチングパ ターンの形状が所定の許容寸法範囲から外れ、かつ、その後に処理される別の製品 基板に形成されるエッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲に収まるように露 光量とフォーカス値を変更しょうとすると、その新たな露光量とフォーカス値の組み合 わせが前記管理範囲から外れる場合に、その新たな露光量とフォーカス値で前記別 の製品基板を露光するように前記露光処理部を制御し、前記新たな露光量とフォー カス値で露光処理された別の製品基板に形成されたレジストパターンの形状が所定 の寸法範囲に収まった場合に、前記逐次露光された基板に形成されたレジストパタ ーンの形状と当該レジストパターンの形成に用いられたフォトマスクによる目標寸法と 前記逐次露光に用いられた露光量とフォーカス値の組み合わせとに基づいて、露光 量とフォーカス値の組み合わせの新たな管理範囲を決定するようにすることができる
[0014] さらに、上記第 2の観点において、前記パターン形状測定部は、レジストパターンの 形状を測定する第 1測定部と、エッチングパターンの形状を測定する第 2測定部を有 するように構成することができる。
[0015] 本発明の第 3の観点によれば、基板に形成されたレジスト膜を所定のパターンで露 光する露光処理部と、レジストパターンの形状とエッチングパターンの形状をスキヤテ ロメトリ技術により測定するパターン形状測定部とを有する基板処理装置をコンビユー タに制御させるコンピュータプログラムであって、実行時に、被エッチング層を備えた テスト基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜の複数の 部位を所定のテストパターンで露光量とフォーカス値とをそれぞれ変化させて逐次露 光し、現像して、前記複数の部位にレジストパターンを形成することと、前記複数の部 位のレジストパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定することと、前記レジスト パターンが形成されたレジスト膜をエッチングマスクとして用いて前記被エッチング層 をエッチングし、前記レジスト膜を前記基板から剥離して、前記複数の部位にエッチ ングパターンを形成することと、前記複数の部位のエッチングパターンの形状をスキ ャテロメトリ技術により測定することと、前記複数の部位を逐次露光した際における前 記各部位の露光量およびフォーカス値の組み合わせと、前記複数の部位の前記レ ジストパターンの形状測定結果と、前記複数の部位の前記エッチングパターンの形 状測定結果とに基づいて、所望形状のエッチングパターンを得るために許容される 露光量とフォーカス値の組み合わせの管理範囲を決定することとを有する処理が実 行されるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させるソフトウェアを含む、コ ンピュータプログラムが提供される。 [0016] 上記第 3の観点において、前記処理は、さらに、前記管理範囲が決定された後に、 前記管理範囲内の 1組の露光量とフォーカス値の組み合わせを決定することと、被ェ ツチング層を備えた製品基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、当該レ ジスト膜を前記決定された露光量とフォーカス値により所定の製品パターンで露光し 、現像し、前記被エッチング層をエッチングし、レジスト膜を剥離してエッチングパタ ーンを形成することと、前記エッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測 定することと、前記エッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲内か否かを判 断することと、前記エッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲から外れた場合 に、その後に処理される別の製品基板に形成されるエッチングパターンの形状が前 記許容寸法範囲に収まるように、前記管理範囲に属する新たな露光量とフォーカス 値の組み合わせを決定することとを有するものとすることができる。
[0017] また、上記第 3の観点において、前記処理は、さらに、前記管理範囲が決定された 後に、前記管理範囲内の 1組の露光量とフォーカス値の組み合わせを決定することと 、被エッチング層を備えた製品基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、 当該レジスト膜を前記決定された露光量とフォーカス値により所定の製品パターンで 露光し、現像し、前記被エッチング層をエッチングし、前記レジスト膜を剥離してエツ チングパターンを形成することと、前記エッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技 術により測定することと、前記エッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲内か 否力を判断することと、前記製品基板に形成されたエッチングパターンの形状が所定 の許容寸法範囲から外れ、かつ、その後に処理される別の製品基板に形成されるェ ツチングパターンの形状が前記許容寸法範囲に収まるように露光量とフォーカス値を 変更しょうとすると、その新たな露光量とフォーカス値の組み合わせが前記管理範囲 から外れる場合に、その新たな露光量とフォーカス値で前記製品パターンを用いて 前記別の製品基板を露光し、現像し、得られたレジストパターンの形状を測定するこ とと、前記レジストパターンの形状が所定の寸法範囲内の場合に、前記テストパター ンの目標寸法と前記テスト基板に形成されたレジストパターンの形状と前記逐次露光 に用いられた露光量とフォーカス値の組み合わせとに基づいて露光量とフォーカス 値の組み合わせの新たな管理範囲を決定することと、前記レジストパターンの形状が 前記寸法範囲外の場合に、新たなテスト基板を用いて露光量とフォーカス値の組み 合わせの新たな管理範囲を決定するための一連の処理を再実行することとを有する ようにすることちできる。
[0018] 本発明の第 4の観点によれば、被エッチング層を備えたテスト基板の当該被エッチ ング層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜の複数の部位を所定のテストパターン で露光量とフォーカス値とをそれぞれ変化させて逐次露光し、現像して、前記複数の 部位にレジストパターンを形成することと、前記複数の部位のレジストパターンの形状 をスキヤテロメトリ技術により測定することと、被エッチング層を備えた製品基板の当該 エッチング層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を所定の製品パターンで所定 の露光量とフォーカス値で露光し、現像し、エッチングし、前記レジスト膜を除去して 得られたエッチングパターンの形状を、スキヤテロメトリ技術により測定することと、前 記エッチングパターンの中にその形状が許容寸法範囲外の領域が存在する場合に 、全てのエッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲内に収まるように、前記テス ト基板の前記複数の部位を逐次露光した際における前記各部位の露光量とフォー力 ス値の組み合わせと、前記テスト基板に形成されたレジストパターンの形状測定デー タとに基づいて、前記製品基板を露光するための露光量とフォーカス値の組み合わ せを変更することとを有する、露光条件設定方法が提供される。
[0019] 上記第 4の観点において、前記エッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲外 の領域に対しては、新たな露光量とフォーカス値の組み合わせを適用し、前記エッチ ングパターンの形状が許容寸法範囲内の領域については従前の露光量とフォー力 ス値の組み合わせを適用するようにすることができる。
[0020] 本発明の第 5の観点によれば、被エッチング層を備えた基板の当該被エッチング層 上に形成されたレジスト膜を所定のパターンで露光する露光処理部と、レジストバタ ーンの形状とエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定するパター ン形状測定部と、前記露光処理部と前記パターン形状測定部を制御する制御部と、 を備えた基板処理装置であって、前記制御部は、テスト基板に形成されたレジスト膜 の複数の部位が所定のテストパターンで露光量とフォーカス値をそれぞれ変化させ て逐次露光され、現像されて得られる前記複数の部位のレジストパターンの形状を前 記パターン形状測定部で測定した結果と、前記複数の部位を逐次露光した際にお ける前記各部位の露光量およびフォーカス値の組み合わせと、被エッチング層とレジ スト膜を備えた製品基板の当該レジスト膜を所定の製品パターンで所定の露光量と フォーカス値で露光し、現像し、エッチングし、前記レジスト膜を剥離し得られた前記 被エッチング層のエッチングパターンの形状を前記パターン形状測定部で測定した 結果とに基づいて、前記エッチングパターンの中にその形状が所定の許容寸法範囲 外の領域が存在する場合に、全てのエッチングパターンの形状が前記許容寸法範 囲内に収まるように、前記テスト基板の露光量とフォーカス値の組み合わせを変更す る、基板処理装置が提供される。
[0021] 上記第 5の観点において、前記制御部は、前記エッチングパターンの形状が前記 許容寸法範囲外の領域に対しては新たな露光量とフォーカス値の組み合わせを適 用し、前記エッチングパターンの形状が許容寸法範囲内の領域については従前の 露光量とフォーカス値の組み合わせを適用するようにすることができる。
[0022] 本発明の第 6の観点によれば、基板に形成されたレジスト膜を所定のパターンで露 光する露光処理部と、レジストパターンの形状とエッチングパターンの形状をスキヤテ ロメトリ技術により測定するパターン形状測定部とを有する基板処理装置をコンビユー タに制御させるコンピュータプログラムであって、実行時に、被エッチング層を備えた テスト基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜の複数の 部位を所定のテストパターンで露光量とフォーカス値とをそれぞれ変化させて逐次露 光し、現像して、前記複数の部位にレジストパターンを形成することと、前記複数の部 位のレジストパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定することと、被エッチング 層を備えた製品基板の当該エッチング層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を 所定の製品パターンで所定の露光量とフォーカス値で露光し、現像し、エッチングし 、前記レジスト膜を除去して得られたエッチングパターンの形状を、スキヤテロメトリ技 術により測定することと、前記エッチングパターンの中にその形状が許容寸法範囲外 の領域が存在する場合に、全てのエッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲 内に収まるように、前記テスト基板の前記複数の部位を逐次露光した際における前 記各部位の露光量とフォーカス値の組み合わせと、前記テスト基板に形成されたレジ ストパターンの形状測定データとに基づいて、前記製品基板を露光するための露光 量とフォーカス値の組み合わせを変更することとを有する処理が実行されるように、コ ンピュータに前記基板処理装置を制御させるソフトウェアを含む、コンピュータプログ ラムが提供される。
[0023] 上記第 6の観点において、前記エッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲外 の領域に対しては、新たな露光量とフォーカス値の組み合わせを適用し、前記エッチ ングパターンの形状が許容寸法範囲内の領域については従前の露光量とフォー力 ス値の組み合わせを適用する、コンピュータプログラムが提供される。
[0024] 本発明によれば、テスト基板の被エッチング膜上のレジスト膜の複数の部位におい て、露光量とフォーカス値とをそれぞれ変化させて逐次露光し、現像して形成された レジストパターンの形状、およびこれら複数の部位をさらにエッチングした際のエッチ ングパターンの形状を、スキヤテロメトリ技術により測定し、これらから所望形状のエツ チングパターンを得るために許容される露光量とフォーカス値の組み合わせの管理 範囲を決定するので、許容寸法範囲内のエッチングパターンを容易に得ることができ 、エッチング処理における不良品の発生を抑制することができる。
[0025] また、本発明によれば、テスト基板の被エッチング層上にレジスト膜を形成し、そこ に露光量とフォーカス値を変えて逐次露光し現像して形成された複数レジストパター ンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定し、被エッチング層を備えた製品基板の当 該エッチング層上にレジスト膜を形成し、所定の製品パターンで形成されたエツチン グパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定し、これらに基づいて全てのエツ チングパターンの形状が前記許容寸法範囲内に収まるように、製品基板を露光する ための露光量とフォーカス値の組み合わせを変更するので、基板面内におけるエツ チングパターン形状のばらつきの発生を抑制して、基板面内全体において許容寸法 範囲に収まるエッチングパターンを容易に得ることができ、不良品の発生を抑制する こと力 Sできる。
図面の簡単な説明
[0026] [図 1]ウェハ処理システムの構成を示す図。
[図 2]統合コンピュータの概略構成を示す図。 [図 3]ウェハ処理システムの調整方法を示すフローチャート。
[図 4]逐次露光のマトリックスを示す図。
[図 5]逐次露光により得られるレジストパターンの線幅と露光量およびフォーカス値と の関係、を示すグラフ。
[図 6]エッチングパターンの線幅と露光量およびフォーカス値との関係を示すグラフ。
[図 7A]レジストパターンの断面形状とエッチングパターンの断面形状との関係の例を 示す図。
[図 7B]レジストパターンの断面形状とエッチングパターンの断面形状との関係の例を 示す図。
[図 7C]レジストパターンの断面形状とエッチングパターンの断面形状との関係の例を 示す図。
[図 7D]レジストパターンの断面形状とエッチングパターンの断面形状との関係の例を 示す図。
[図 8]露光量とフォーカス値の組み合わせを変更するための方法を示すフローチヤ一 卜。
[図 9]逐次露光のマトリックスと露光量とフォーカス値の組み合わせの管理範囲の関 係を示す図。
[図 10]エッチングパターンの面内ばらつきの発生を抑制するためのウェハ処理システ ムの調整方法を示すフローチャート。
発明を実施するための最良の形態
[0027] 以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。ここで は、半導体ウェハ Wに形成された被エッチング膜 (被エッチング層）をレジストパター ンを用いてエッチングしてエッチングパターンを形成するウェハ処理システムを例に とって説明する。
[0028] 図 1は被エッチング膜をパターニングするためのウェハ処理システムの構成を示す 図である。このウェハ処理システムは、レジスド塗布'現像処理装置 12と、露光装置 1 3と、エッチング装置 14と、レジスト剥離装置 15と、レジストパターンの形状を測定す るための第 1線幅測定装置（ODP— 1) 16と、エッチングパターンの形状を測定する 第 2線幅測定装置（ODP— 2) 17と、統合コンピュータ 11とを備えてレ、る。
[0029] レジスド塗布'現像処理装置 12は、成膜装置（図示せず）により CVD法や SOD法（ spin
on dielectric)等により形成された、層間絶縁膜のような被エッチング膜の上にレジス ト膜を形成し、露光処理後のレジスト膜を現像する。
[0030] 露光装置 13は、所定のマスクパターン (フォトマスク）を用いて所定の露光条件でレ ジスト膜を露光する。
[0031] エッチング装置 14は、レジストパターンをエッチングマスクとして被エッチング膜を エッチングするものであり、例えばプラズマエッチング装置として構成される。
[0032] レジスト剥離装置 15は、エッチング処理後のウェハ Wからレジストパターンを剥離 するものであり、例えばプラズマアツシング装置として構成される。
[0033] 第 1線幅測定装置（ODP— 1) 16は、レジスド塗布 ·現像処理装置 12による現像処 理後に形成されるレジストパターンの形状をスキヤテロメトリ技術を用いて測定する。
[0034] 第 2線幅測定装置（ODP— 2) 17は、エッチング装置 14よるエッチング処理の後に 形成される被エッチング膜のエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術を用い て測定するもので、その構成は第 1線幅測定装置（ODP— 1) 16と同じであり、測定 対象が異なるだけである。
[0035] スキヤテロメトリ技術とは、複数のパターン形状に対して回折光強度分布を計算して 、例えば、予めライブラリを作成しておき、測定対象のパターンに光を入射し、回折光 強度の角度方向分布を検出し、その検出結果と上記ライブラリとを比較し、パターン マッチングにより測定対象のパターンの幅、高さ等を推定するものであり、例えば、特 開 2002— 260994号公報に説明されている。
[0036] 統合コンピュータ 11は、ここでは、第 1および第 2線幅測定装置 16, 17および露光 装置 13を制御する。なお、統合コンピュータ 11は、これらに加えてレジスト塗布-現 像処理装置 12、エッチング装置 14、レジスト剥離装置 15をも制御する構成としてもよ ぐさらに図示しない成膜装置を制御することとしてもよい。
[0037] 図 2は統合コンピュータ 11の概略構成を示す図である。統合コンピュータ 11は、プ ロセスコントローラ（CPU) 31と、工程管理者が後述する露光処理のための管理範囲 を決定するためのコマンド入力操作を行うキーボードや例えばプロセスコントローラ（
CPU) 31による演算結果を可視化して表示するディスプレイを有するデータ入出力 部 32と、各種プログラムやデータが記憶された記憶部 33と、第 1線幅測定装置（OD P- 1) 16、第 2線幅測定装置（DOP— 2) 17および露光装置 13の間で、それぞれデ ータ通信を可能ならしめるインターフェース（IF) 34a、 34bおよび 34cとを有してレ、る
[0038] 記憶部 33には、具体的には、後述する露光管理範囲の決定や露光量とフォーカス 値の組み合わせの変更等をプロセスコントローラ（CPU) 31にて実行するための露 光管理プログラム 36、第 1線幅測定装置（ODP— 1) 16において測定された分光反 射スペクトルを解析するための第 1解析プログラム 37a、その解析に用いる第 1ライブ ラリ（データベース） 37b、第 2線幅測定装置（ODP_ 2) 17において測定された分光 反射スペクトルを解析するための第 2解析プログラム 38a、および、その解析に用いる 第 2ライブラリ（データベース） 38bが記録されている。
[0039] 第 1ライブラリ 37bは、レジストパターンの形状を示す線幅（図 2に示す「 CD」等）
R 1 や底幅、膜厚、側面角度等のパラメータとこれに対応する分光反射スペクトルに関す るデータを備えている。同様に、第 2ライブラリ 38bは、エッチングパターンの線幅（図 2に示す「 CD」等）や膜厚等とこれに対応する分光反射スぺ外ルに関するデータ
E 1
を備えている。なお、「線幅」はパターンの上面の幅を指し、「底幅」はパターンの最下 部の幅を指す。
[0040] なお、図 1、 2に示すウェハ処理システムは 2台の線幅測定装置を備えている力 1 台の線幅測定装置でレジストパターンとエッチングパターンのそれぞれの形状を測 定する構成としてもよい。その場合には、測定対象がレジストパターンとエッチングパ ターンのいずれであるかを統合コンピュータ 11が認識できるようにしておけばよい。 例えば、統合コンピュータ 11に工程管理者が測定対象をデータ入出力部 32から入 力した後に線幅測定装置による測定が開始されるようにしてもよいし、統合コンビユー タ 11がレジスト塗布 ·現像処理装置 12での処理を終えたウェハか、レジスト膜剥離装 置 15での処理を終えたウェハであるかを自動認識できるように、ウェハの搬送履歴 を統合コンピュータ 11が管理するようになってレ、てもよレ、。 [0041] 次に、このようなウェハ処理システムを用いて所望形状のエッチングパターンを形 成するための、ウェハ処理システムの調整方法について、図 3のフローチャートを参 照しながら説明する。このウェハ処理システムの調整方法は、実質的には、露光装置 13における露光量とフォーカス値の調整方法である。
[0042] 最初に図示しない成膜装置により被エッチング膜、例えば low— k膜を形成したテ ストウェハ Wを準備する（ステップ 1)。次いで、ウェハ Wをレジスド塗布'現像処理装 置 12に搬送し、そこで被エッチング膜上にレジスト膜を形成する（ステップ 2)。レジス ト膜が形成されたウェハ Wは露光装置 13に搬入され、そこで、図 4に示すように、露 光量を一定幅で E〜E (n ;自然数）の間で逐次変化させ、かつ、フォーカス値を一
0 n
定幅で F〜F (m ;自然数）の間で逐次変化させて、マトリックスを形成し、マトリックス
0 m
要素（E， F )の各々を 1ショットとする露光処理（以下「水準露光」とレ、う）を行う（ステツ プ 3)。このステップ 3では、フォトマスクとして、露光量とフォーカス値が適切な場合に 線幅 Hのレジストパターン（以下、「テストパターン」という）が得られるものを用レ、、後
0
に形成されるエッチングパターンの線幅の目標値も Hとする。
0
[0043] 次に、水準露光が行われたウェハ Wをレジスト塗布 ·現像処理装置 12に戻して、そ こで現像処理する（ステップ 4)。これにより、所定のレジストパターンが形成される。
[0044] レジストパターンが形成されたウェハ Wは、第 1線幅測定装置（ODP— 1) 16に搬 入され、そこで、レジストパターンのパターン形状をスキヤテロメトリ技術を用いて測定 する（ステップ 5)。このステップ 5では、露光 1ショット毎、つまりマトリックス要素（E , F
)毎に、例えば、各マトリックス要素の中心に所定波長の光を当てて、その分光反射 スペクトルを測定する。
[0045] 統合コンピュータ 11は、ステップ 5の処理により測定された波形とレジストパターン につレ、て記録された第 1ライブラリ 37bの情報とを照合することによつてレジストパター ンの線幅を求め、さらにその結果をステップ 3の露光量とフォーカス値の組み合わせ と照合し、これらをリンクさせる（ステップ 6)。なお、スキヤテロメトリ技術によれば、レジ ストパターンの形状にっレ、て、その線幅のみでなく底幅や側面の傾斜等をも求めるこ とができる力 ここではレジストパターンの形状を線幅で代表する。
[0046] 図 5はステップ 6により得られるレジストパターンの線幅と露光量およびフォーカス値 との関係の一例を示すグラフである。このグラフは、レジストパターンの線幅とその後 に形成されるエッチングパターンの線幅とにどの程度のずれが生ずるかを確認する ための資料となる。また、このグラフは、後述する管理範囲が決められた後に経時的 に製品ウェハ wを処理する過程で、所望形状のエッチングパターンを得るために露 光量とフォーカスの組み合わせを変更しなければならない状況が発生した際の参考 データとして用いることができる。
[0047] 次に、ウェハ Wは第 1線幅測定装置（ODP— 1) 16からエッチング装置 14搬送され 、そこでレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、被エッチング膜をエツチン グする（ステップ 7)。例えば、プラズマエッチング処理では、ウェハ Wを収容するチヤ ンバの真空度や、チャンバに導入するガス量、プラズマを発生させるための電圧、処 理時間等を変化させることにより、エッチング条件を変えることができるが、これらの調 整は容易ではないために、通常、エッチング条件は製品製造のための条件に固定さ れており、ここではステップ 7もそのような固定された条件で行われる。
[0048] エッチング処理が終了したウェハ Wはレジスト剥離装置 15搬送されて、そこで、レ ジスト膜の剥離処理が行われる（ステップ 8)。これにより、エッチングパターンがゥェ ハ Wの表面に現れる。続いてウェハ Wは第 2線幅測定装置（ODP— 2) 17に搬入さ れ、そこでエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術を用いて測定する（ステツ プ 9)。このステップ 9では、先のステップ 5と同様にして、露光 1ショット毎に各マトリツ タスの中心に所定波長の光を当てて、その分光反射スペクトルを測定する。
[0049] 統合コンピュータ 11は、ステップ 9の処理により測定された波形とエッチングパター ンについて記録された第 2ライブラリ 38bの情報とを照合することによりエッチングパタ 一ンの線幅を求め、その結果を各マトリックス要素（E , F )の露光量およびフォーカス 値とリンクさせる（ステップ 10)。
[0050] 図 6はステップ 10により得られるエッチングパターンの線幅と露光パラメータ（露光 量とフォーカス値）との関係を示すグラフの一例を示す図である。図 5と図 6とを比較 すると明らかなように、図 6において線幅 Hに最も近接している線は、図 5に示す露 光量 Eの線とは異なる露光量 E の線となっている。すなわち、形状精度の高いレジ ストパターンを形成するために最適な露光量とフォーカス値の組み合わせと、形状精 度のエッチングパターンを形成するために最適な露光量とフォーカス値の組み合わ せには差が生ずる。
[0051] このような差が生ずる理由について図 7A〜7Dを参照して簡単に説明する。図 7A 〜7Dはレジストパターンの断面形状とエッチングパターンの断面形状との関係の例 を示す図である。
[0052] 図 7Aに示すように、レジストパターン 61aが矩形であってエッチング雰囲気に対し て良好な耐性を示す場合には、レジストパターン 6 laの線幅 Hと等しい線幅 Wのエツ チングパターン 62aが得られる。これに対して、図 7Bに示すように、レジストパターン 61bが矩形であるがエッチング雰囲気に対する耐性が低い場合には、エッチング処 理時にレジストパターン 61bが浸食されることによりエッチングパターン 62bの線幅 W は当初のレジストパターン 61bの線幅 Hよりも狭くなる。さらに図 7Cに示すようにレジ ストパターン 61cが台形であれば、エッチングパターン 62cの線幅 Wはレジストパター ン 61cの線幅 Hよりも広くなり、逆に図 7Dに示すようにレジストパターン 61dが逆台形 であれば、エッチングパターン 62dの線幅 Wはレジストパターン 61dの線幅 Hよりも狭 くなる。
[0053] このように、エッチングパターンの線幅はレジストパターンの形状の影響を大きく受 け、レジスト膜の露光が適切に行われないと良好なエッチングパターンを得ることが 困難となる。このため、ステップ 5、 6でレジストパターンの形状を測定して露光パラメ ータと関連づけたデータを得ることは、エッチングパターンの線幅を許容寸法範囲に 収めることに対しても有益となる。
[0054] こうしてステップ 10でエッチングパターンの線幅に関するデータが求められたら、統 合コンピュータ 11は所望形状のエッチングパターンを得るために必要とされる露光量 とフォーカス値の組み合わせの範囲（以下「管理範囲」とレ、う）を決定する (ステップ 1 D o
[0055] このステップ 11は、以下のようにして行われる。
まず、 目標とするエッチングパターンの線幅には一定の許容幅があるので、この幅 を δ とする。すると、エッチングパターンの線幅は Η土 δ の範囲にあればよいことと
0 0 0
なる。このエッチングパターンの許容範囲は図 6中のハッチングで示す領域である。こ の領域が管理範囲となる。
[0056] このようにして露光量とフォーカス値の組み合わせに管理範囲を設け、この管理範 囲内で実際の露光処理に適用する露光量とフォーカス値の組み合わせを決定する ことによって、許容寸法範囲に属するエッチングパターンを容易に得ることができるよ うになる。これにより、エッチング処理による不良品の発生を抑制することができる。
[0057] なお、上記説明においては、エッチングパターンの線幅のみを基準に露光量とフォ 一カス値の組み合わせの管理範囲を決定した力 前述の通り、スキヤテロメトリ技術に よれば、線幅のみでなく底幅や傾きも求めることができるので、最初に上述のようにェ ツチングパターンの線幅で最初の管理範囲を求め、次いで底幅で管理範囲を狭め、 さらにパターンの傾きで管理範囲を狭めて、露光量とフォーカス値の組み合わせの 最終的な管理範囲を求めてもよい。
[0058] また上記説明においては、 1枚のテストウェハ Wを用いて、露光量とフォーカス値の 組み合わせの管理範囲を決定したが、 2枚のテストウェハ Wを準備し、 1枚について はステップ 1〜5の処理を行った後に保管し、残る 1枚をステップ 1〜4、およびステツ プ 7〜： 11の処理（つまりレジストパターンの形状の測定は行わなレ、）を行った後に保 管するようにしてもょレ、。これは 2枚のテストウェハ Wにそれぞれ形成されるレジストパ ターンの形状が実質的に同じとみなすことができるからであり、このようにしてテストウ ェハ Wを保管することにより、後にウェハ処理システムの再調整が必要となったときの 参考にすることができる。
[0059] 上述したステップ 1〜： 11の工程は、製品となるウェハの処理を開始する前に行われ るものである。よって、ステップ 11の終了後に実際の製品ウェハの処理を行うが、エツ チングチャンバの清掃、被エッチング膜の性状変化、レジスト膜の性状変化、露光装 置やレジスト塗布 ·現像処理装置のメンテナンス等の製品ウェハの製造環境の経時 的な変化によって、レジストパターンの線幅が許容寸法範囲から外れてしまレ、、その 問題を解決するために露光量とフォーカス値を変更する必要が生ずる場合がある。 その際の調整方法について、以下に図 8に示すフローチャートを参照しながら説明 する。
[0060] ステップ 11により露光量とフォーカス値の組み合わせの管理範囲が決定されたら、 この管理範囲内で最も所望の線幅のエッチングパターンが得られやすい条件、露光 量とフォーカス値の組み合わせを決定する（ステップ 12)。ステップ 11で求められた 管理範囲を図 4に当て嵌めたものが図 9であり、この図 9中の斜線領域が管理範囲で ある。ステップ 12では、例えば、この管理範囲のほぼ中心の露光量とフォーカス値の 組み合わせを、製品ウェハ Wを露光する際の初期設定値とすることができる。
[0061] このようにして露光量とフォーカス値が決定したら、被エッチング膜を形成した製品 ウェハ Wを準備し (ステップ 13)、被エッチング膜上にレジスト膜を形成し (ステップ 14 )、形成されたレジスト膜を決定された露光量とフォーカス値で所定の製品パターンで 露光し (ステップ 15)、現像する（ステップ 16)。このようにして形成されたレジストバタ ーンをエッチングマスクとして用いて被エッチング膜をエッチングしてエッチングパタ ーンを形成し (ステップ 17)、次いでレジストパターンを剥離する（ステップ 18)。このよ うにしてエッチングパターンが形成された製品ウェハ Wについて、例えば、複数枚を 1単位とするロット毎に、または所定の枚数毎に、形成されたエッチングパターンの線 幅を第 2線幅測定装置（ODP— 2) 17により測定する (ステップ 19)。
[0062] 製品ウェハ Wに形成されるエッチングパターンの線幅には、当然に許容される寸法 範囲があるので、次いで、線幅が許容範囲内か否かを判断する（ステップ 20)。この 線幅が許容範囲であれば、ステップ 13に戻り、製品ウェハ Wの処理を継続する。こ の線幅がこの許容寸法範囲から外れた場合には、統合コンピュータ 11は、製品ゥェ ハ Wに形成されるエッチングパターンの線幅を許容寸法範囲内に収まるように露光 量とフォーカス値を変更する必要がある。
[0063] 例えば、エッチングパターンの線幅が許容寸法範囲よりも広くなつてレ、る場合には、 先に示した図 6を用いて説明すると、図 6に示す各曲線が上側にシフトしていると考え られる。このため、例えば、露光量を当初の E から Eや E さらにはそれより下側
i+ 1 i i_ l、
に変更することで、エッチングパターンの線幅を許容寸法範囲内に収めることができ ると考えられる。
[0064] しかし、このように変更した露光量とフォーカス値の組み合わせがステップ 11で求 めた管理範囲外になつた場合には、適切に露光処理が行われていないと考えられ、 製品ウェハ Wの品質保証の観点から好ましくない。 [0065] そこで、ステップ 19で測定された線幅が許容寸法範囲から外れた場合には、ステツ プ 11で求めた管理範囲内で露光量とフォーカス値の組み合わせを変更することによ り、エッチングパターンの線幅を許容寸法範囲内に収めることができるか否かを判断 する（ステップ 21)。
[0066] 露光量とフォーカス値の組み合わせを管理範囲内で変更することにより、エツチン グパターンの線幅を許容寸法範囲内に収めることができる場合には、統合コンビユー タ 11は、そのように露光量とフォーカス値の組み合わせを自動変更する (ステップ 22 )。この方法は主に、製品ウェハ Wの処理を開始してから初めて露光量とフォーカス 値を変更する場合等、変更回数が少ない場合に用レ、られる。なお、工程管理者が露 光量とフォーカス値の組み合わせを手動で変更する（データ入出力部 32で新たな露 光量とフォーカス値の組み合わせを決定する）ことができるようにしてもょレ、。
[0067] このようにして新たな露光量とフォーカス値の組み合わせが決定されたら、露光装 置 13は統合コンピュータ 11からの指令により、次に処理される製品ウェハ Wからそ の新たな露光量とフォーカス値で露光処理を行い（ステップ 23)、その後、現像、エツ チング、レジストパターン剥離を経て、製品ウェハ Wに形成されたエッチングパターン の線幅を測定する（ステップ 24)。そして、線幅が許容範囲内か否力を判断する（ステ ップ 25)。ここで測定された線幅が許容寸法範囲内であれば、ステップ 13に戻り、引 き続いて製品ウェハ Wの処理を継続する。一方、測定された線幅が許容寸法範囲外 の場合には、例えば、統合コンピュータ 11は、露光装置 13の稼働を停止して、警報 を発する (ステップ 26)。工程管理者は、警報が発せられた場合には、製品ウェハ W のエッチングパターンを検査し、またウェハ処理システムを点検して、製品ウェハ Wを 処理すること力 Sできるように対処する。
[0068] 一方、ステップ 21において管理範囲内で露光量とフォーカス値の組み合わせを変 更することにより、エッチングパターンの線幅を許容寸法範囲内に収めることができな レ、と判断された場合には、一旦、露光装置 13の露光量とフォーカス値を管理範囲か ら外れた新たな露光量とフォーカス値に調整する（ステップ 27)。
[0069] このように、管理範囲内で露光量とフォーカス値の組み合わせを変更することにより 、エッチングパターンの線幅を許容寸法範囲内に収めることができない事態が生じる のは、以下のような理由からである。
[0070] 上述したように、管理範囲内で露光量とフォーカス値の組み合わせを変更すること によりエッチングパターンの線幅を許容寸法範囲内に収めることができる場合に、ス テツプ 22で露光量とフォーカス値を変更すると、例えば、露光量とフォーカス値の組 み合わせが、最初に設定した図 9の斜線領域の中心から斜線領域内の外側へシフト することになる。したがって、このような変更を繰り返すと、新たな露光量とフォーカス 値の組み合わせが管理範囲から外れる事態が生じる。
[0071] この場合に、ステップ 27において、ー且、露光装置 13を管理範囲から外れた新た な露光量とフォーカス値に調整するのは、ウェハ処理システムを停止させることによる 生産低下を防止するためであり、設定された新たな露光量とフォーカス値で、十分に 製品ウェハ Wの処理が可能な場合があるからである。
[0072] このように新たな露光量とフォーカス値に調整した後、このような新たな条件で別の 製品ウェハ Wを製品パターンで露光し、現像し、得られたレジストパターンの形状 (線 幅）を検査する (ステップ 28)。
[0073] ここで、レジストパターンの線幅は、その後に形成されるエッチングパターンの線幅 を許容寸法範囲に収めるために、一定の許容寸法範囲に収まっている必要がある。 そのため、ステップ 28で得られたレジストパターンの線幅が許容寸法範囲内か否か を判断する (ステップ 29)。許容範囲内の場合には、先にテスト基板に形成されたレ ジストパターンの形状とテストパターンの目標寸法と水準露光における露光量とフォ 一カス値の組み合わせとに基づいて、露光量とフォーカス値の組み合わせの新たな 管理範囲を決定して、新たな露光量とフォーカス値の管理範囲を設定する (ステップ 30)。そして、設定された新たな露光量とフォーカス値の組み合わせで、製品ウェハ Wの処理をステップ 13に戻って継続する。
[0074] 一方、レジストパターンの線幅が一定の寸法範囲外の場合には、製品ウェハ Wの 処理を中止し、新たなテスト基板を用いて再びステップ 1からステップ 11の処理を行 レ、、露光量とフォーカス値の組み合わせの新たな管理範囲を決定する（ステップ 31) 。これにより新たにステップ 12以降の処理を再開することができる。
[0075] なお、このステップ 31の処理を行う場合には、前もって、被エッチング膜の形成ゃレ ジスト膜形成からエッチング処理後のレジストパターン剥離に至る一連の処理に用い られる装置の点検を行うことが好ましい。これにより、その後のシステムの点検までの 時間が長くなり、その間の処理条件の変動を抑えることができ、製品ウェハ Wの品質 を一定に維持することが容易となる。
[0076] 次に、ウェハ処理システムを用いて製品を製造する際に、エッチング処理のウェハ W面内での形状ばらつきを抑制し、ウェハ W面内の全てのショットにおいて所望のェ ツチングパターン形状が得られるように、露光装置 13を調整する方法について、図 1 0に示すフローチャートを参照しながら説明する。
[0077] 最初に、先に説明した図 3に示すステップ 1〜6と同じ手順で、テストウェハへの被 エッチング膜の形成 (ステップ 101)、レジスト膜の形成 (ステップ 102)、テストパター ンが形成されたフォトマスクを用いた水準露光 (ステップ 103)、現像処理 (ステップ 1 04)、スキヤテロメトリ技術によるレジストパターンの形状測定 (ステップ 105)、水準露 光に用いられた露光量とフォーカス値の組み合わせとレジストパターンの形状データ
Figure imgf000022_0001
続いて、被エッチング膜を形成した製品ウェハ Wを準備し (ステップ 107)、レジスト 膜を形成し (ステップ 108)、製品製造の為のパターンが形成されたフォトマスクを用 レ、、経験的に製品不良が生じていないような実績のある露光量とフォーカス値の組み 合わせで露光し (ステップ 109)、現像し (ステップ 110)、形成されたレジストパターン
Figure imgf000022_0002
、レジストパターンを剥離処理し
(ステップ 112)、形成されたエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測 定する（ステップ 113)。
[0079] 続いて、このステップ 113で得られるエッチングパターンの線幅が製品ウェハ Wの 面全体で許容範囲内に収まっているか否力、を判断する（ステップ 114)。線幅が製品 ウェハ Wの面全体で許容範囲内に収まっている場合には、ステップ 107に戻って、 製品ウェハ Wの処理を続行する。
[0080] これに対して、ステップ 113で得られるエッチングパターンの線幅が製品ウェハ W の一部では許容範囲内に収まっているが、一部は許容範囲外である場合が起こり得 る。例えば、プラズマエッチング処理では、経験的に、ウェハ Wの中心部で外周部よ りも線幅が細くなる傾向が見られる。つまりエッチングパターンの線幅にドーナッツ状 の分布が現れる。このため、面全体で線幅が許容寸法範囲内ではない場合、すなわ ちエッチングパターンの線幅が製品ウェハ wの中心部では許容範囲内に収まってい るが、外周部では許容範囲外である場合には、第 1の方法として、製品ウェハ Wの外 周部における露光量とフォーカス値を変更する方法 (ステップ 115)がある。また、第 2 の方法として、製品ウェハ Wの全体の露光量とフォーカス値を変更する方法 (ステツ プ 116)がある。ただし、第 2の方法は、製品ウェハ Wの外周部の露光量とフォーカス 値の変更に合わせて製品ウェハ W全体に露光量とフォーカス値を変更したときに、 製品ウェハ Wの中心部における線幅を許容範囲内に止めることができることが前提と なる。これらのいずれかを取ることにより、製品ウェハ W全体でエッチングパターンの 線幅を許容範囲内に収めることができる。
[0081] このような露光量とフォーカス値の変更には、先に行ったテストウェハ Wの評価結果 を利用する。上述したエッチングパターンの線幅が製品ウェハ Wの中心部では許容 範囲内に収まっている力 外周部では許容範囲外である場合には、製品ウェハ Wの 外周部の線幅は所望の線幅よりも広いということになるから、第 1の方法を用いる場合 には、まず、製品ウェハ Wに対して用いられた従前の露光量およびフォーカス値と同 じ露光量およびフォーカス値で露光されたテストウェハ W内の領域を検索し、その露 光領域（ショット）のレジストパターンの線幅よりも細レ、線幅が得られる露光量およびフ オーカス値を選び出す。そして、製品ウェハ Wの露光処理時には、製品ウェハ Wの 中心部は従前の露光量とフォーカス値で露光し、外周部をこの新たな露光量および フォーカス値に変更して露光する。これにより、製品ウェハ W全体のレジストパターン の線幅を許容範囲に収めることができる。
[0082] この第 1の方法では、露光 1ショット毎に露光量とフォーカス値を変えてもよレ、。これ によって、製品ウェハ W面内でさらに線幅均一性に優れたエッチングパターンを得る こと力 Sできる。
[0083] また、前記第 2の方法を用いる場合には、製品ウェハ Wに対して適用された従前の 露光量とフォーカス値と同じ露光量とフォーカス値で露光されたテストウェハ W内の 領域を検索し、その露光領域 (ショット）のレジストパターンの線幅よりも線幅が狭くな る露光量とフォーカス値の組み合わせであって、し力も、その露光量とフォーカス値 で製品ウェハ wの中心部を露光した際にも、得られるエッチングパターンの線幅が許 容範囲内に収めることができる露光量とフォーカス値の組み合わせを選び出す。そし て、製品ウェハ wの露光は、選ばれた新たな露光量とフォーカス値のみで行う。この 方法によっても、製品ウェハ W全体のレジストパターンの線幅を許容範囲に収めるこ とができる。この第 2の方法は、主に、露光ショット毎のレジストパターンの線幅の差が 小さレ、場合に用いることができる。
[0084] これら第 1の方法、第 2の方法のいずれの方法においても、露光量とフォーカス値 の変更は、工程管理者の判断、工程管理者や技術者が設計した係数モデルによつ て行われる。
[0085] なお、以上説明した実施形態は、あくまでも本発明の技術的内容を明らかにするこ とを意図するものであって、本発明はこのような具体例にのみ限定して解釈されるも のではなぐ本発明の精神とクレームに述べる範囲で、種々に変更して実施すること ができるものである。
[0086] 例えば、エッチング装置としては、 1台に限らず複数のエッチング装置を用いてもよ ぐまたは複数のエッチングチャンバを有するエッチング装置を用いてもよい。また、 同様に、レジスト塗布'現像処理装置についても、 1台に限らず複数設けてもよぐま た複数のレジスト塗布ユニットおよび複数の現像ユニットを設けてもょレ、。このような場 合には、エッチング装置間またはエッチングチャンバ間で、またレジスト塗布'現像処 理装置間またはレジスト塗布ユニットあるいは現像ユニット間で個体差があり、通常の 装置の運転条件設定からは把握できない処理条件のばらつきが生じることがある。こ のような場合、全ての処理部にそれぞれ IDを設け、統合コンピュータは全ての IDの 組み合わせにおいてフォトリソグラフィー処理の条件に対応する管理範囲を設定し、 所望形状のエッチングパターンを得るために、これら管理範囲毎に露光量とフォー力 ス値の組み合わせを変更するようにきるように構成することが好ましい。
[0087] さらに、このような変更に関するデータを蓄積して活用することにより、エッチングパ ターンの形状が一定に保持されるように、露光量とフォーカス値の組み合わせを変更 のタイミングと精度を高めるように構成することできる。 [0088] また、上記実施形態では、本発明を半導体ウェハに適用した場合について示した 力 液晶表示装置に代表される FPD (フラットパネルディスプレイ)用のガラス基板等
、他の基板に本発明を適用することもできる。
産業上の利用可能性
[0089] 本発明は、半導体装置や FPDの製造において、高い線幅精度が要求される場合 に好適である。

Claims

請求の範囲
[1] 被エッチング層を備えたテスト基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、 前記レジスト膜の複数の部位を所定のテストパターンで露光量とフォーカス値とをそ れぞれ変化させて逐次露光し、現像して、前記複数の部位にレジストパターンを形成 することと、
前記複数の部位のレジストパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定すること と、
前記レジストパターンが形成されたレジスト膜をエッチングマスクとして用いて前記 被エッチング層をエッチングし、前記レジスト膜を前記基板から剥離して、前記複数 の部位にエッチングパターンを形成することと、
前記複数の部位のエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定する ことと、
前記複数の部位を逐次露光した際における前記各部位の露光量およびフォーカス 値の組み合わせと、前記複数の部位の前記レジストパターンの形状測定結果と、前 記複数の部位の前記エッチングパターンの形状測定結果とに基づいて、所望形状 のエッチングパターンを得るために許容される露光量とフォーカス値の組み合わせの 管理範囲を決定することと
を有する、露光条件設定方法。
[2] 請求項 1の露光条件設定方法において、前記管理範囲が決定された後に、前記管 理範囲内の 1組の露光量とフォーカス値の組み合わせを決定することと、
被エッチング層を備えた製品基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、 当該レジスト膜を前記決定された露光量とフォーカス値により所定の製品パターンで 露光し、現像し、前記被エッチング層をエッチングし、前記レジスト膜を剥離してエツ チングパターンを形成することと、
前記エッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定することと、 前記エッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲内か否力を判断することと、 前記エッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲から外れた場合に、その後に 処理される別の製品基板に形成されるエッチングパターンの形状が前記許容寸法範 囲に収まるように、前記管理範囲に属する新たな露光量とフォーカス値の組み合わ せを決定することと
をさらに有する、露光条件設定方法。
[3] 請求項 1の露光条件設定方法において、前記管理範囲が決定された後に、前記管 理範囲内の 1組の露光量とフォーカス値の組み合わせを決定することと、
被エッチング層を備えた製品基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、 当該レジスト膜を前記決定された露光量とフォーカス値により所定の製品パターンで 露光し、現像し、前記被エッチング層をエッチングし、前記レジスト膜を剥離してエツ チングパターンを形成することと、
前記エッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定することと、 前記エッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲内か否力、を判断することと、 前記製品基板に形成されたエッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲から 外れ、かつ、その後に処理される別の製品基板に形成されるエッチングパターンの 形状が前記許容寸法範囲に収まるように露光量とフォーカス値を変更しょうとすると、 その新たな露光量とフォーカス値の組み合わせが前記管理範囲から外れる場合に、 その新たな露光量とフォーカス値で前記製品パターンを用いて前記別の製品基板を 露光し、現像し、得られたレジストパターンの形状を測定することと、
前記レジストパターンの形状が所定の寸法範囲内の場合に、前記テストパターンの 目標寸法と前記テスト基板に形成されたレジストパターンの形状と前記逐次露光に 用いられた露光量とフォーカス値の組み合わせとに基づいて露光量とフォーカス値 の組み合わせの新たな管理範囲を決定することと、
前記レジストパターンの形状が前記寸法範囲外の場合に、新たなテスト基板を用い て露光量とフォーカス値の組み合わせの新たな管理範囲を決定するための一連の 処理を再実行することと
をさらに有する、記載の露光条件設定方法。
[4] 請求項 3の露光条件設定方法において、前記新たなテスト基板を用いて新たな管 理範囲を決定する場合には、新たなテスト基板の処理に先立って、レジスト膜形成か らエッチング処理後のレジストパターン剥離に至る一連の処理に用いられる装置の点 検を行う、露光条件設定方法。
[5] 請求項 1の露光条件設定方法において、前記複数の部位は、露光量とフォーカス 値とを要素とするマトリックスを構成している、露光条件設定方法。
[6] 請求項 1の露光条件設定方法において、前記パターンの測定対象は、パターンの 線幅を含む、露光条件設定方法。
[7] 被エッチング層を備えた基板の当該被エッチング層上に形成されたレジスト膜を所 定のパターンで露光する露光処理部と、
レジストパターンの形状とエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測 定するパターン形状測定部と、
前記露光処理部と前記パターン形状測定部を制御する制御部と
を具備する基板処理装置であって、
前記制御部は、
基板に形成されたレジスト膜の複数の部位に対して所定のテストパターンで露光量 とフォーカス値をそれぞれ変化させて逐次露光され、現像されて得られる前記複数の 部位のレジストパターンの形状を前記パターン形状測定部で測定した結果と、 前記レジストパターンが形成されたレジスト膜をエッチングマスクとして前記被エッチ ング層をエッチングすることにより形成された前記複数の部位のエッチングパターン の形状を前記パターン形状測定部で測定した結果と、
前記複数の部位を逐次露光した際における前記各部位の露光量およびフォーカス 値の組み合わせとに基づいて、
所望のエッチングパターンを得るために許容される露光量とフォーカス値の組み合 わせの管理範囲を決定する、基板処理装置。
[8] 請求項 7の基板処理装置において、前記制御部は、前記管理範囲内の 1組の露光 量とフォーカス値の組み合わせで露光された製品基板に形成されたエッチングパタ ーンの形状が所定の許容寸法範囲から外れた場合に、その後に行われる別の製品 基板に形成されるエッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲に収まるように、 前記管理範囲に属する新たな露光量とフォーカス値の組み合わせを決定する、基板 処理装置。 [9] 請求項 7の基板処理装置において、前記制御部は、前記管理範囲内の 1組の露光 量とフォーカス値の組み合わせを用いて露光された製品基板に形成されたエツチン グパターンの形状が所定の許容寸法範囲から外れ、かつ、その後に処理される別の 製品基板に形成されるエッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲に収まるよう に露光量とフォーカス値を変更しょうとすると、その新たな露光量とフォーカス値の組 み合わせが前記管理範囲から外れる場合に、その新たな露光量とフォーカス値で前 記別の製品基板を露光するように前記露光処理部を制御し、
前記新たな露光量とフォーカス値で露光処理された別の製品基板に形成されたレ ジストパターンの形状が所定の寸法範囲に収まった場合に、前記逐次露光された基 板に形成されたレジストパターンの形状と当該レジストパターンの形成に用いられた フォトマスクによる目標寸法と前記逐次露光に用いられた露光量とフォーカス値の組 み合わせとに基づいて、露光量とフォーカス値の組み合わせの新たな管理範囲を決 定する、基板処理装置。
[10] 請求項 7の基板処理装置において、前記パターン形状測定部は、レジストパターン の形状を測定する第 1測定部と、エッチングパターンの形状を測定する第 2測定部を 有している、基板処理装置。
[11] 基板に形成されたレジスト膜を所定のパターンで露光する露光処理部と、レジスト パターンの形状とエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定するパ ターン形状測定部とを有する基板処理装置をコンピュータに制御させるコンピュータ プログラムであって、
実行時に、
被エッチング層を備えたテスト基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、 当該レジスト膜の複数の部位を所定のテストパターンで露光量とフォーカス値とをそ れぞれ変化させて逐次露光し、現像して、前記複数の部位にレジストパターンを形成 することと、
前記複数の部位のレジストパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定すること と、
前記レジストパターンが形成されたレジスト膜をエッチングマスクとして用いて前記 被エッチング層をエッチングし、前記レジスト膜を前記基板から剥離して、前記複数 の部位にエッチングパターンを形成することと、
前記複数の部位のエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定する ことと、
前記複数の部位を逐次露光した際における前記各部位の露光量およびフォーカス 値の組み合わせと、前記複数の部位の前記レジストパターンの形状測定結果と、前 記複数の部位の前記エッチングパターンの形状測定結果とに基づいて、所望形状 のエッチングパターンを得るために許容される露光量とフォーカス値の組み合わせの 管理範囲を決定することと
を有する処理が実行されるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させるソ フトウェアを含む、コンピュータプログラム。
[12] 請求項 11のコンピュータプログラムにおいて、前記処理は、さらに、前記管理範囲 が決定された後に、前記管理範囲内の 1組の露光量とフォーカス値の組み合わせを 決定することと、
被エッチング層を備えた製品基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、 当該レジスト膜を前記決定された露光量とフォーカス値により所定の製品パターンで 露光し、現像し、前記被エッチング層をエッチングし、前記レジスト膜を剥離してエツ チングパターンを形成することと、
前記エッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定することと、 前記エッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲内か否力を判断することと、 前記エッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲から外れた場合に、その後に 処理される別の製品基板に形成されるエッチングパターンの形状が前記許容寸法範 囲に収まるように、前記管理範囲に属する新たな露光量とフォーカス値の組み合わ せを決定することと
有する、コンピュータプログラム。
[13] 請求項 11のコンピュータプログラムにおいて、前記処理は、さらに、前記管理範囲 が決定された後に、前記管理範囲内の 1組の露光量とフォーカス値の組み合わせを 決定することと、 被エッチング層を備えた製品基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、 当該レジスト膜を前記決定された露光量とフォーカス値により所定の製品パターンで 露光し、現像し、前記被エッチング層をエッチングし、前記レジスト膜を剥離してエツ チングパターンを形成することと、
前記エッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定することと、 前記エッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲内か否力、を判断することと、 前記製品基板に形成されたエッチングパターンの形状が所定の許容寸法範囲から 外れ、かつ、その後に処理される別の製品基板に形成されるエッチングパターンの 形状が前記許容寸法範囲に収まるように露光量とフォーカス値を変更しょうとすると、 その新たな露光量とフォーカス値の組み合わせが前記管理範囲から外れる場合に、 その新たな露光量とフォーカス値で前記製品パターンを用いて前記別の製品基板を 露光し、現像し、得られたレジストパターンの形状を測定することと、
前記レジストパターンの形状が所定の寸法範囲内の場合に、前記テストパターンの 目標寸法と前記テスト基板に形成されたレジストパターンの形状と前記逐次露光に 用いられた露光量とフォーカス値の組み合わせとに基づいて露光量とフォーカス値 の組み合わせの新たな管理範囲を決定することと、
前記レジストパターンの形状が前記寸法範囲外の場合に、新たなテスト基板を用い て露光量とフォーカス値の組み合わせの新たな管理範囲を決定するための一連の 処理を再実行することと
を有する、コンピュータプログラム。
被エッチング層を備えたテスト基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し、 前記レジスト膜の複数の部位を所定のテストパターンで露光量とフォーカス値とをそ れぞれ変化させて逐次露光し、現像して、前記複数の部位にレジストパターンを形成 することと、
前記複数の部位のレジストパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定すること と、
被エッチング層を備えた製品基板の当該エッチング層上にレジスト膜を形成し、前 記レジスト膜を所定の製品パターンで所定の露光量とフォーカス値で露光し、現像し 、エッチングし、前記レジスト膜を除去して得られたエッチングパターンの形状を、ス キヤテロメトリ技術により測定することと、
前記エッチングパターンの中にその形状が許容寸法範囲外の領域が存在する場 合に、全てのエッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲内に収まるように、前記 テスト基板の前記複数の部位を逐次露光した際における前記各部位の露光量とフォ 一カス値の組み合わせと、前記テスト基板に形成されたレジストパターンの形状測定 データとに基づいて、前記製品基板を露光するための露光量とフォーカス値の組み 合わせを変更することと
を有する、露光条件設定方法。
[15] 請求項 14の露光条件設定方法において、前記エッチングパターンの形状が前記 許容寸法範囲外の領域に対しては、新たな露光量とフォーカス値の組み合わせを適 用し、前記エッチングパターンの形状が許容寸法範囲内の領域については従前の 露光量とフォーカス値の組み合わせを適用する、露光条件設定方法。
[16] 被エッチング層を備えた基板の当該被エッチング層上に形成されたレジスト膜を所 定のパターンで露光する露光処理部と、
レジストパターンの形状とエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測 定するパターン形状測定部と、
前記露光処理部と前記パターン形状測定部を制御する制御部と、
を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、
テスト基板に形成されたレジスト膜の複数の部位が所定のテストパターンで露光量 とフォーカス値をそれぞれ変化させて逐次露光され、現像されて得られる前記複数の 部位のレジストパターンの形状を前記パターン形状測定部で測定した結果と、 前記複数の部位を逐次露光した際における前記各部位の露光量およびフォーカス 値の組み合わせと、
被エッチング層とレジスト膜を備えた製品基板の当該レジスト膜を所定の製品バタ ーンで所定の露光量とフォーカス値で露光し、現像し、エッチングし、前記レジスト膜 を剥離し得られた前記被エッチング層のエッチングパターンの形状を前記パターン 形状測定部で測定した結果とに基づいて、
前記エッチングパターンの中にその形状が所定の許容寸法範囲外の領域が存在 する場合に、全てのエッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲内に収まるよう に、前記テスト基板の露光量とフォーカス値の組み合わせを変更する、基板処理装 置。
[17] 請求項 16の基板処理装置において、前記制御部は、前記エッチングパターンの形 状が前記許容寸法範囲外の領域に対しては新たな露光量とフォーカス値の組み合 わせを適用し、前記エッチングパターンの形状が許容寸法範囲内の領域については 従前の露光量とフォーカス値の組み合わせを適用する、基板処理装置。
[18] 基板に形成されたレジスト膜を所定のパターンで露光する露光処理部と、レジスト パターンの形状とエッチングパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定するパ ターン形状測定部とを有する基板処理装置をコンピュータに制御させるコンピュータ プログラムであって、
実行時に、
被エッチング層を備えたテスト基板の当該被エッチング層上にレジスト膜を形成し 、前記レジスト膜の複数の部位を所定のテストパターンで露光量とフォーカス値とをそ れぞれ変化させて逐次露光し、現像して、前記複数の部位にレジストパターンを形成 することと、
前記複数の部位のレジストパターンの形状をスキヤテロメトリ技術により測定すること と、
被エッチング層を備えた製品基板の当該エッチング層上にレジスト膜を形成し、前 記レジスト膜を所定の製品パターンで所定の露光量とフォーカス値で露光し、現像し 、エッチングし、前記レジスト膜を除去して得られたエッチングパターンの形状を、ス キヤテロメトリ技術により測定することと、
前記エッチングパターンの中にその形状が許容寸法範囲外の領域が存在する場 合に、全てのエッチングパターンの形状が前記許容寸法範囲内に収まるように、前記 テスト基板の前記複数の部位を逐次露光した際における前記各部位の露光量とフォ 一カス値の組み合わせと、前記テスト基板に形成されたレジストパターンの形状測定 データとに基づいて、前記製品基板を露光するための露光量とフォーカス値の組み 合わせを変更することと
を有する処理が実行されるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させるソ フトウェアを含む、コンピュータプログラム。
請求項 18のコンピュータプログラムにおいて、前記エッチングパターンの形状が前 記許容寸法範囲外の領域に対しては、新たな露光量とフォーカス値の組み合わせを 適用し、前記エッチングパターンの形状が許容寸法範囲内の領域については従前 の露光量とフォーカス値の組み合わせを適用する、コンピュータプログラム。
PCT/JP2005/020450 2004-11-16 2005-11-08 露光条件設定方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム WO2006054459A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005800392295A CN100550299C (zh) 2004-11-16 2005-11-08 曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序
US11/718,760 US7960078B2 (en) 2004-11-16 2005-11-08 Exposure condition setting method, substrate processing device, and computer program
KR1020077011171A KR100887352B1 (ko) 2004-11-16 2005-11-08 노광 조건 설정 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 프로그램이 수록된 기록매체
EP05803015A EP1814143A4 (en) 2004-11-16 2005-11-08 CONDITIONING ADJUSTMENT METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM
US13/114,329 US8500950B2 (en) 2004-11-16 2011-05-24 Exposure condition setting method, substrate processing apparatus, and computer program

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-331745 2004-11-16
JP2004331745 2004-11-16

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/718,760 A-371-Of-International US7960078B2 (en) 2004-11-16 2005-11-08 Exposure condition setting method, substrate processing device, and computer program
US13/114,329 Division US8500950B2 (en) 2004-11-16 2011-05-24 Exposure condition setting method, substrate processing apparatus, and computer program

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006054459A1 true WO2006054459A1 (ja) 2006-05-26

Family

ID=36407004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/020450 WO2006054459A1 (ja) 2004-11-16 2005-11-08 露光条件設定方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7960078B2 (ja)
EP (1) EP1814143A4 (ja)
JP (1) JP4527652B2 (ja)
KR (1) KR100887352B1 (ja)
CN (2) CN101493656B (ja)
TW (1) TWI279835B (ja)
WO (1) WO2006054459A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090014125A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method
JP2009055817A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Tokai Univ 細胞運命の解析方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007058240A1 (ja) * 2005-11-16 2007-05-24 Nikon Corporation 基板処理方法、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク、並びにデバイス製造方法
KR100919802B1 (ko) * 2006-12-28 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 다중 노광 방법
JP5270109B2 (ja) * 2007-05-23 2013-08-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
NL1036098A1 (nl) * 2007-11-08 2009-05-11 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus lithographic, processing cell and device manufacturing method.
CN101459048B (zh) * 2007-12-13 2010-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 获得刻蚀工艺试片线宽的方法及刻蚀方法
JP5065082B2 (ja) * 2008-02-25 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
KR101504504B1 (ko) * 2008-05-21 2015-03-20 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 툴 및 프로세스 효과들을 분리하기 위한 기판 매트릭스
JP5398318B2 (ja) * 2009-03-24 2014-01-29 株式会社東芝 露光装置および電子デバイスの製造方法
US7845868B1 (en) * 2009-09-09 2010-12-07 Nanya Technology Corporation Apparatus for semiconductor manufacturing process
CN102200696B (zh) * 2011-05-27 2014-10-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 利用聚焦与曝光量矩阵确定最佳光刻工艺参数的方法
JP6036439B2 (ja) * 2013-03-21 2016-11-30 豊田合成株式会社 代替半導体基板、代替半導体基板の製造方法および露光条件の設定方法
WO2016142169A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-15 Asml Netherlands B.V. Focus-dose co-optimization based on overlapping process window
US10551165B2 (en) * 2015-05-01 2020-02-04 Adarza Biosystems, Inc. Methods and devices for the high-volume production of silicon chips with uniform anti-reflective coatings
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
JP6537992B2 (ja) * 2016-03-30 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム
JP6541618B2 (ja) * 2016-05-25 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
WO2017212035A1 (en) * 2016-06-10 2017-12-14 Imec Vzw Metrology method and apparatus for a semiconductor manufacturing process
CN107908082B (zh) * 2017-12-29 2020-08-28 武汉华星光电技术有限公司 曝光机的曝光量自动调节系统及方法
CN108987349A (zh) * 2018-07-25 2018-12-11 信利（惠州）智能显示有限公司 传片基板保护方法
JP7291515B2 (ja) * 2019-03-27 2023-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、記憶媒体及び基板処理システムの制御装置
CN112213922B (zh) * 2019-07-09 2022-11-01 芯恩（青岛）集成电路有限公司 一种光刻曝光条件的设定方法
CN110632829A (zh) * 2019-10-31 2019-12-31 上海华力集成电路制造有限公司 光刻工艺方法
CN111366115B (zh) * 2020-03-18 2022-08-12 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种激光器波导宽度的测量方法
CN114063392B (zh) * 2020-08-05 2023-06-09 长鑫存储技术有限公司 准确获取光刻参数的方法
EP3979003B1 (en) 2020-08-05 2023-01-18 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for accurately acquiring lithographic parameter

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001097279A2 (en) * 2000-06-09 2001-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for using scatterometry to perform feedback and feed-forward control
WO2002009170A2 (en) * 2000-07-25 2002-01-31 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for performing final critical dimension control
WO2003007365A2 (en) * 2001-07-10 2003-01-23 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing module with integrated feedback/feed forward metrology
JP2003059990A (ja) 2001-08-17 2003-02-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004158478A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Hitachi High-Technologies Corp 半導体デバイスの製造方法及びその製造システム
US20040190008A1 (en) 2003-01-17 2004-09-30 Kla-Tencor Corporation Method for process optimization and control by comparison between 2 or more measured scatterometry signals

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965309A (en) * 1997-08-28 1999-10-12 International Business Machines Corporation Focus or exposure dose parameter control system using tone reversing patterns
KR100811964B1 (ko) 2000-09-28 2008-03-10 동경 엘렉트론 주식회사 레지스트 패턴 형성장치 및 그 방법
JP2002260994A (ja) 2001-03-05 2002-09-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3906035B2 (ja) * 2001-03-29 2007-04-18 株式会社東芝 半導体製造装置の制御方法
US7382447B2 (en) * 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
JP4090986B2 (ja) 2003-12-24 2008-05-28 東京エレクトロン株式会社 線幅測定方法，基板の処理方法及び基板の処理装置
US7553678B2 (en) * 2006-03-17 2009-06-30 United Microelectronics Corp. Method for detecting semiconductor manufacturing conditions

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001097279A2 (en) * 2000-06-09 2001-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for using scatterometry to perform feedback and feed-forward control
WO2002009170A2 (en) * 2000-07-25 2002-01-31 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for performing final critical dimension control
WO2003007365A2 (en) * 2001-07-10 2003-01-23 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing module with integrated feedback/feed forward metrology
JP2003059990A (ja) 2001-08-17 2003-02-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004158478A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Hitachi High-Technologies Corp 半導体デバイスの製造方法及びその製造システム
US20040190008A1 (en) 2003-01-17 2004-09-30 Kla-Tencor Corporation Method for process optimization and control by comparison between 2 or more measured scatterometry signals

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1814143A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090014125A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method
US8377721B2 (en) * 2007-07-12 2013-02-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method
JP2009055817A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Tokai Univ 細胞運命の解析方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7960078B2 (en) 2011-06-14
KR100887352B1 (ko) 2009-03-06
US20070298335A1 (en) 2007-12-27
KR20070068458A (ko) 2007-06-29
EP1814143A1 (en) 2007-08-01
TW200639906A (en) 2006-11-16
CN101061568A (zh) 2007-10-24
JP2006173579A (ja) 2006-06-29
US20110220287A1 (en) 2011-09-15
TWI279835B (en) 2007-04-21
CN101493656A (zh) 2009-07-29
EP1814143A4 (en) 2009-01-21
US8500950B2 (en) 2013-08-06
JP4527652B2 (ja) 2010-08-18
CN100550299C (zh) 2009-10-14
CN101493656B (zh) 2010-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006054459A1 (ja) 露光条件設定方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム
US8440475B2 (en) Alignment calculation
US6912438B2 (en) Using scatterometry to obtain measurements of in circuit structures
US20170221741A1 (en) Method and Apparatus of Evaluating a Semiconductor Manufacturing Process
US20030000922A1 (en) Using scatterometry to develop real time etch image
TWI272675B (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US7186488B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system
WO2006049037A1 (ja) 露光条件補正方法、基板処理装置、およびコンピュータプログラム
US11366397B2 (en) Method and apparatus for simulation of lithography overlay
US6630361B1 (en) Use of scatterometry for in-situ control of gaseous phase chemical trim process
JP4480482B2 (ja) プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム
US7052575B1 (en) System and method for active control of etch process
US8492174B2 (en) Etch tool process indicator method and apparatus
JP2011054859A (ja) 半導体装置用パターン検査装置および検査システム
US10008422B2 (en) Method for assessing the usability of an exposed and developed semiconductor wafer
JP4834706B2 (ja) 構造検査方法
US10386829B2 (en) Systems and methods for controlling an etch process
CN1790658A (zh) 确定半导体制造过程的独立式结构的线宽的系统和方法
US6931618B1 (en) Feed forward process control using scatterometry for reticle fabrication
US7573568B2 (en) Method and apparatus for detecting a photolithography processing error, and method and apparatus for monitoring a photolithography process
CN107924803A (zh) 用于等离子体蚀刻过程的单晶片实时蚀刻速率及均匀度预测器
KR20050012937A (ko) 반도체 제조 공정 검사 방법 및 검사 장치

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KM KN KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV LY MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11718760

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005803015

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580039229.5

Country of ref document: CN

Ref document number: 1020077011171

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005803015

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11718760

Country of ref document: US