TWI279835B - Exposure parameters setting method and substrate processing device - Google Patents

Description

1279835 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於為了在製造半導體裝置等之製程形成 形狀之侧圖t，設定在用既定之圖案將用作侧遮罩^ 膜曝光時之最佳曝光條件的曝光條件設定方法、及在執氓^ 條件設定方法使用之基板處理裝置與電腦程式。 μ + 【先前技術】 在具有波_造等多層配線構造之半導體裝置的製程如 t 緣膜上形成抗糊膜後，將概定圖$把抗餘劑膜曝 聚韻刻’產生賴絕緣膜之_。又，在鮮之製 :設置之遮光層上形成抗__，_乾侧^生遮^層ς圖 獻1 Πίί所形刻圖案的線寬等之管理如下述的專利文 管理二5 银刻圖案之形狀定期地進行®1觀察而 荨，變更蝕刻圖案之尺寸。 "、牛（+先里或焦距值） ‘有决疋曝祕件需要長時_問 击 法可調整之__的尺寸止於 ^ ^奴尺寸變更方 是改善在一片晶圓之面内批）的平均尺寸，不 【專利文獻1】制2_-5_號公報 【發明内容】 案的曝光 條件;ΓΙΕ目地在於提料__频之蝕刻圖 1279835 本發明之別的目地在於提供在基板之面内整體得到所要 之蝕刻圖案的曝光條件設定方法。 ^發明之另外的目地在於提侧峨行這祕光條件設定 法之基板處理裝置及電腦程式。 依本發明之第-實施樣態，提供一種曝光條件設定方法，呈 j丄在，備魏個層之測基板的該被侧層上形成抗一 =定之職關案分職㈣光量和焦距值並將該抗餘 ΐ 位依次曝光、顯像，而在該多個部位形成抗_圖 案，彻祕·技術測定衫個部位之抗_醜的形狀；將 亥，劑圖案之抗蝕劑膜用作蝕刻遮罩將該被蝕刻層蝕刻 4 板將勒歸1丨麟嫌’而在該乡個部位形成働】圖宰. ^，_技制定該多個部位之綱圖_形$ = ^夕個雜做曝糾之該各雜的曝光奸舰值之组合、 2=位之該抗㈣贿的形狀败結果、及該多個部位之該 ，決定得酬要形狀之侧圖案所容許 之曝光置和焦距值之組合的管理範圍。 # 第1施樣態，可作成又具有：在決定該管理_ 15 Γ1㈣内之—組曝光量和焦距值的組合；在具備有 品基板的該被_層上形成抗_膜後，依據該所 ΐϊίί if焦雜將該抗侧膜曝光、顯像，並將該被侧 抗侧膜剝離而形成蝴圖案；利用散射測量技術 案的形狀；判斷細刻_之形狀是否位於既定之 同在该製品基板所形成之蝕刻圖案之形狀偏離既 寸辄圍，而且想要變更曝光量和焦距值以使在以後處 之品基減形成之侧_的靴錄絲許尺寸範圍 二ίΐ，光量和焦距值之組合偏離該管理範圍的情況，依據 量7距值’使用該製品圖案將該別的製品基板曝 像後，測疋所得到之絲_案的形狀；在該抗 的形狀位於既定之尺寸侧⑽纽，根據觸朗_之目標 6 1279835 尺寸.、在該測試用基板所形成之抗蝕劑 曝光使用之曝光量和焦距值的組合，決及在該依次 之新的管理範圍，·及在該抗_圖案之距值的組合 合之新的管理細之-連和触值的組 況，定=範圍之情 處理後之抗融劑圖案剝離為止之一連“用^触 為拓i:在該實施樣態’該多個部位構成以曝光量和隹距值 為矩t之矩陣較佳，該圖案之測㈣象包含圖案之;寬“ ^明之第二實施樣態’提供—種基板處理褒置，且備有： 依據_之圖案將在具備有被侧層之基板的該被 =:;抗_赚的形狀和糊案的形狀;及=i 定部測定對在基板所軸之抗姓劑膜的多個部位 圖案分別改變曝光量和焦距值後依次曝光、顯像 定；、列定=位的抗蝕劑圖案之形狀的結果；用該圖案形狀測 1=2 形成該抗蝕劑圖案之抗蝕劑膜用作蝕刻遮罩將 5=爛所形成之該多個部位的侧圖案之形狀的結果； 人:以夕個部位依次曝光時之該各部位的曝光量和焦距值之组 i理ϊί得酬要之侧®案所容許之曝光4和焦距值之組合的 一έ ΐ该Ϊ二實施樣態，可作成該控制部在依據該管理範圍内之 一光量和焦距值的組合所曝光之製品基板所形成的蝕刻圖案 偏，定之容許尺寸範圍的情況，決定屬於該管理範圍之 白、:光里和焦距值之組合，使在以後處理之別的製品基板所形 成之蝕刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍。 7 1279835 又，在該第二實施樣態，可作成該控制部在使用該管理範圍 内之一組曝光量和焦距值的組合所曝光之製品基板所形成的蝕刻 圖案之形狀偏離既定之容許尺寸範圍，而且想要變更曝光量和焦 距值=使在以後處理之別的製品基板所形成之蝕刻圖案的形狀^ =该容許尺寸範圍時，該新的曝光量和焦距值之組合偏離該管理 範，的情況，控制該曝光處理部，使依據該新的曝光量和焦距值 將該別的製品基板曝光；在依據該新的曝光量和焦距值進行曝光 處f後之別的製品基板所形成之抗蝕劑圖案的形狀位於既定之尺 ^範圍的h况’根據在该依次曝光之基板所形成之抗银劑圖案的 形狀、在該抗蝕劑圖案之形成所使用的光罩之目標尺寸、及^該 依次曝光使用之曝光量和焦距值敝合，決定曝光量和焦距= 組合之新的管理範圍。 偏ΐΐ ’在該第二實施樣態，該圖案形狀測定部可具有測定抗 之形狀的第—測定部和測魏刻圖案之形狀的第二測定 邵而構成。 且古=發，之第三實施樣態，提供—種電腦程式，使電腦控制 ^ 4ί 既疋之圖案將在基板所形成之抗餘劑膜曝光曝光處理部 ίΪίί射Ϊ量技侧定抗侧圖案的形狀賴_案的形狀之 ί部的基板處理裝置’其特徵為包含在執行時使電腦 ϋίΐ板雜裝置之軟體’使執行具有如下的步驟之處理：在 絲板的該被侧層上形成抗侧膜後， 3改變曝光量和焦距值並將該抗賴膜之 ^ : 術測賴多個部位之抗侧圖案的形狀之步 ΐ圖ίί! f劑翻離，而在該多個部位形成银 形狀二诚ί射測量技術測定該多個部位之侧圖案的 光量和個部她次曝光時之該各部位的曝 “、、距值之齡、該乡個躲之該抗鋪__狀測定結 1279835 t及該多個部位之該酬®案的形狀測定結果，決定得到所要 少、之韻刻圖案所谷許之曝光1和焦距值之組合的管理範圍之+ 驟0 圍接在ΐίίϊ施樣態，可作成Μ理又具有：在決定該管理範 ，後’決疋麵理範圍内之—組曝光量和焦距值的組合之步驟. ίίίί，刻層之製品基板的該被侧層上形成抗_膜後， 二二e之曝光量和焦距值將該抗侧膜曝光、顯像，並將 ’使該祕劑膜剝離而形絲刻圖案之步驟；利 技侧定該侧__狀之步驟；騎細刻 位於既定之容許尺寸範圍内的步驟；及在賴刻圖宰 3=，該容許尺寸範圍的情況，決定屬於該管理範圍之新的 之組合，使在以後處理之別的製品基板所形成之 蝕刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍之步驟。 又，在该第二實施樣態，亦可作成該處理又具有：在決定# =範Γϋ定該管理範圍内之—組曝光量和焦ί值 &德㈣^有f姓刻層之製品基板的該被侧層上形成抗钱劑 蚊之料量和細轉雜侧_光、顯像， 並將勤j層侧，使該祕麵__雜姻案之+ 用散射測量技術測錢侧圖案的形狀之步驟；判斷ίϋ =案:之形狀是否位於既定之容許尺寸範圍_ 基板所形成之蝕刻圖案之形狀偏離既定之容 光量和焦距值以使在以後處理之別的製品基板所形成ί 圖案將該別的製品基板曝光、顯像後，败所得到之^ 狀之步驟；在該抗侧圖案的形狀位於既定之尺ΐ 的微、及在該依次曝光烟之曝 距值的組&，決定曝光量和錄值·合之新的管理範圍之^、、、 1279835 驟；及在該抗蝕劑圖案之形狀位於該尺寸範圍外的情況，使用新 的測試用基板再執行用以決定曝光量和焦距值的組合之新的管理 範圍之一連串的處理之步驟。 依本發明之第四實施樣態，提供一種曝光條件設定方法，具 有：在具備有被蝕刻層之測試用基板的該被蝕刻層上形成抗蝕劑 膜後，依既定之測試用圖案分別改變曝光量和焦距值並將該抗蝕 劑膜之多個部位依次曝光、顯像，而在該多個部位形成抗蝕劑圖 案之步驟；利用散射測量技術測定該多個部位之抗蝕劑圖案的形 狀之步驟；在具備有被蝕刻層之製品基板的該被蝕刻層上形成抗 I虫劑，後，用既定之製品圖案依據既定之曝光量和焦距值將該抗 蝕劑膜曝光、顯像及蝕刻後，利用散射測量技術測定除去該抗蝕 劑膜所得到之蝕刻圖案的形狀之步驟；及在該蝕刻圖案之中該形 狀位於容許尺寸範圍外之區域的情況，根據在將該測試用基板的 該多個部位依次曝光時之各部位的曝光量和焦距值之組合及在該 測試用基板所形成之抗蝕劑圖案的形狀測定資料，變更將該製品 基板曝光所需之曝光量和焦距值的組合，使全部之餘刻圖案的形 狀位於該容許尺寸範圍内之步驟。 ^ 在該第四實施樣態，可作成對該蝕刻圖案的形狀位於該容許 尺寸範圍外之區域，應甩新的曝光量和焦距值之組合，而對該蝕 刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍内之區域，應用以往的曝光 和焦距值之組合。 一依本發明之第五實施樣態，提供一種基板處理裝置，具備有： 曝光處理部，爾蚊之目㈣在具财被侧狀基板的該被 f刻層上所形成之抗蝕劑臈曝光；圖案形狀測定部，利用散射測 量，術測定抗蝕劑圖案的形狀和蝕刻圖案的形狀；及控制部，控 制雜光處理部和該圖飾狀測定部；其特徵為··該控制部根據： 用該，案形狀測定部測定對在基板所形成之抗储膜的多個部位 依，定之測期圖案分別改祕光量和f、距值後依次曝光、顯像 所得到之多個部位的抗蝕劑圖案之形狀的結果；在將該多個部位 1279835 之該各部位的曝光量和焦距值植合；既定之製 ^ ，在该蝕刻圖案之中該形狀位於容許尺寸範圍外之 的情況，變更該製品基板之曝光量和焦距值的組合 刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍内。 吏°卩之蝕 种ίΐ3ΐίί態二了作賴控制部對該蝕刻圖案的形狀位 寸減卜域，應闕_光量㈣距值之組合， ==:=:於該邮^ 目士依ΐ發明之第六實施樣態，提供—種電腦程式，使電腦控制 ς = 康既定之圖案將在基板所形成之抗侧膜曝光曝光處理部 j用政侧量技_定祕__雜和侧酵 圖案形狀败部絲賊理裝置，其舰為包 域財置之軟體，錄行具有如下的步 二備有被侧層之測期基板__卿上職抗糊膜後， „定之職關案分職麵光量和触值並將該抗姓劑膜之 二個J位依次曝光、顯像，而在該多個部⑽成滅_案之步 驟，利錄侧量技術败該㈣部位之減麵_形狀之步 ，；在具财被侧狀製絲板_被侧層上軸抗㈣膜 ^用既疋之製品圖案依據既定之曝光量和焦距值將該抗餘劑膜 曝光、顯像及侧後，_散制量技侧定除去該抗鋪膜所 !^之#!!圖案的形狀之步驟；及在該__之中該形狀位於 谷介尺寸範圍外之區域的情況，根據在將制期基板的該多個 部位依次曝光時之各部位的曝光量和舰值之齡及在該測試用 ，板所形成之^蝕劑圖案的形狀測定資料，變更將該製品基板曝 光所需之曝錢和焦距⑽組合，使全部之侧圖案的形狀位於 該容許尺寸範圍内之步驟。 、 11 1279835 在該第六實施樣態，提供一種電腦程式，對該蝕刻圖案的形 狀位於該容許尺寸範圍外之區域，應用新的曝光量和焦距值之組 合，而對該蝕刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍内之區域，應 以往的曝光量和焦距值之組合。 發明之斂要 依本發明，因在測试用基板之被韻刻膜上的抗餘劑膜之多個 部位’利用散射測量技術測定分別改變曝光量和焦距值後依次曝 光、顯像所形成之抗蝕劑圖案的形狀及將這些多個部位再蝕刻時 之侧，，的形狀後’自這些測定絲決定得到所要形狀之银刻 圖案所容許的曝光量和焦距值之組合的管理範圍， 籲許尺寸範圍内之侧圖案，可抑制在韻刻處理之不良f的 本㈣，目在職隸板讀侧獻形餘_膜， 利用政射測讀術測定在雜改變曝光量和焦距健依次曝光、 案巧狀，根據這些測定結果變更將製

綱案的形狀，利用散射測量技術測定在 f^口基板的紐刻層上形成抗_膜後用既定的 【實施方式】

升>狀的弟一線寬測定裝置(〇DP 抗蝕劑塗布·顯像處理裝置12 ;曝 劑剝離裝置15 ;測定抗蝕劑圖案之 — 1)16 ;測定蝕刻圖案之形狀的第 12 1279835 二線寬測定裝置(ODP —2)17 ;及統合電腦11。 抗蝕劑塗布•顯像處理裝置12在成膜裝置（圖上未示）依據 CVD法或S0D(Spin On Dielectric)法等所形成之如層間絕緣膜的 被蝕刻層之上形成抗蝕劑膜，並將曝光處理後之抗蝕劑膜顯像。 曝光裝置13使用既定之遮罩圖案（光罩）依據既定之曝光條 將抗#劑膜曝光。 蚀刻裝置14係將抗蝕劑圖案作為蝕刻遮罩將被蝕刻膜蝕刻 者，例如以電漿蝕刻裝置構成。 抗蝕劑剝離裝置15係自蝕刻處理後的晶圓將抗蝕劑圖案剝離 者，例如以電漿灰化裝置構成。 _ 帛-線寬測定裝置(0DP-1)16使用散射測量技術加以測定在 ^用抗·塗布•顯像處理裝置U之顯像處理後 案之形狀。 u 寬測定裝置(贈一2)17係使用散射測量技術加以測定 '二光裝置13之姓刻處理後形成的被姓刻膜之蝕刻圖案的形 狀者，其構造和第-線寬測定裝置⑽卜1)16_，僅測定對象 ^ 術係對多種圖案形狀計算繞射光強度分布，例如 ί，f則定對象之圖案射人光後，檢測繞射光強度 布，再比較該檢測結果和該資料庫，利用圖案比對推測 兒明，圖案的寬度、㊉度等者，例如在觸施―26〇994公 電腦11在此控娜—彳0弟二綠％測絲置丨6、丨7以及 ίίίίΐ3/二卜’統合電腦11亦可採用除此以外亦控制抗飾劑 f又ίΐίΐίΐ 侧裝置14及抗賴剝離裝置15之構 亦可作為控制圖上未不之成膜裝置的步驟。 第2圖係表示統合電腦^之概略構造圖 處理用控繼_)31 ;龍輸^ =用、= 定後述之曝光處理之管理範圍的命令輸入操作之 13 1279835 處理用控制器（CP_之計算結果的顯示器；記憶部33，儲 ，程式或資料；以及界面（IF)34a、34b及34c，在和第-線寬測 定裝置(0DP-1)16、第二線寬測定裝置(〇Dp_2)17及曝光裝置Y 之間使各自可進行資料通信。 在記憶部33，具體而言，記錄··處理用控制器（cp_執 後述之曝光管理範圍的決定或曝光量和焦距值之組合的變更 而之曝光官理程式36 ;用以分析在第一線寬測定裝置(〇Dp— =測定之分光反射光譜之第-分触式37a;在該分析使用之第一 貧料庫37b ;用以分析在第二線寬測定裝置(〇Dp__2)17所測定之 =光反射光譜之第二分析喊38a;及在該分析使狀第二 38b。 干 一第一資料庫37b具備表示抗蝕細案之形狀的線寬（第2圖所 =之「£DU等）或底寬、膜厚、側面角度等參數和關於對應於來 數之分光反射光譜的資料。-樣地，第二資料庫勘具備表示餘 ^圖案之線寬（第2圖所示之「晶」等）或膜厚等和關於對應於表 ，之分光反射光譜的資料。此外，「線寬」指_之上面的^度^ 底寬」指圖案之最下部的寬度。 此外，雖然第卜2圖所示之晶圓處理系統具備2台線寬測定 j置，但是亦可採用用一台線寬測定裝置測定抗蝕劑圖案和蝕刻 圖案各自之形狀的構造。在此情況，作成統合電腦U可識別測定 對象係抗蝕劑圖案和蝕刻圖案之哪一個即可。例如，亦可' 合電腦11在製程管理者自資料輸出入部32輸入測定對象後利 用線寬測定裝置之測定開始，亦可作成統合電腦u管理晶圓之搬 運，歷，使統合電腦11可自動識別是完成在抗蝕劑塗布·顯像處 理裝置12之處理的晶圓或是完成在抗蝕劑剝離裝置15之處理 晶圓。 其次，邊參照第3圖邊說明用以使用這種晶圓處理系統形成 所要之蝕刻圖案的晶圓處理系統之調整方法。本晶圓處理系統之 調整方法實質上係在曝絲置13之曝光量和焦距值_整方法。 14 1279835 *最初，備利用圖上未示之成膜裝置形成例如1〇w—k膜之被敍 刻膜的測試用晶® w(步驟1)。接著，將晶圓至抗侧塗布· 顯像處理，置I2，在那裡在被侧膜上形成抗#麵(步驟2)。 將已形成抗蝕劑膜之晶圓w搬入曝光裝置13，在那裡，如第4圖 所不，依據=定寬度在E。〜En(n :自然數)之間使曝光量依次變化， 而且依據固定寬度在F〇〜Fm(m:自然數)之間使焦距值依次變化，而 形成矩，，進行對各個矩陣S(Ei，Fj)作—次曝光照射的曝光處理 (以下稱曰為「水準曝光」）(步驟幻。在本步驟3，在光罩上，使用 在曝光^和焦距值適當的情況得到線寬H。的抗蝕劑圖案（以下稱 為「測試關案」）者，後面形成之侧_的線寬之目標值亦設 為H。。 接著，使已進行水準曝光的晶圓w回到抗餘劑塗布·顯像處 理裝置12，在聰進行齡處理(步驟4)。_，形成既定之抗 #劑圖案。 將已形成抗_圖案之晶圓請入第一線寬測定裝置(〇Dp— =6 ^在^裡’使職射測倾術加以測定(步㈣。在本步驟5， 照^亦Ϊ每一矩陣元(Ei，W，例如使既定波長之光 ”、、射各矩陣7L的中心後，測定其分光反射光譜。 Μ,Ϊί電腦11藉f比對步驟5之處理所浙的波形和對抗 ，，案，錄之第一資料庫37b的資訊，求出抗韻劑圖案的線 見，再將，結果和步驟3之曝光量與焦距值之組合比對後'連社 之;步驟6)。又，藉由散射測量技術，ϋ 線I代表抗餘劑圖案之形狀。 第5圖絲示利用步驟6得到之抗糊圖 圖 Η :===，_必=更曝光^ 15 1279835 詈if W自第—線寬測絲置1)16搬至軌裝 $在那，將抗圖案用作侧圖·，將被蚀刻膜姓刻（步ς 二，1錄侧處理，雖然藉著改變收容晶圓以之室的直 =或引人室之氣體量、肋產生賴之賴及處 ^ ϊίΐϊ^ 產生h所而之條件，在此步驟7亦依據那種固定之條件進行。

、將侧處理已完了之晶圓W搬至祕_離裝置15，在 裡，進行抗触劑之剝離處理（步·驟8)。因而，在晶圓w之表 侧圖案。接著將晶圓界搬入第二線寬測定裝置(〇Dp—2)17 那裡使用散射測量技術加以測定侧圖案之形狀(步驟9)。在 ，9 ’和前面之步驟5 -樣’對每次曝光照射使既定波長之光昭^ 各矩陣的中心後，測定其分光反射光譜。 …、射 _ ί合電腦11藉著比對個步驟9之處理所測定的波形和對餘 :ίϊίί31資料庫38b的資訊，求出银刻圖案的線寬， 再連結其結果和矩陣元(Ei，Fj)之曝光量及焦距值(步驟1〇)。 第6,係表示湘步驟1G所得到之蝴随的線寬和曝光來 y曝光1及焦距值)之關係的圖形例之圖。比較第5圖和第 =知’在第6圖最接近線寬Hd的線為和第5圖所示之曝光量

Ei+1之線。即，在用以形成形狀精度高之抗蝕劑圖 =敢，之曝光量純雜的組合_⑽成雜精度高之 圖案的最佳之曝光量和焦距值的組合發生差值。 〆f照第7A〜7D目簡單說明發生這種差值之理由。第7Α〜7])圖 ^不抗I虫劑圖案之剖面形狀和侧圖案之剖面狀的關係例之 圖。 如第7A圖所示，在抗蝕劑圖案61a為矩形並對蝕刻周圍之氣 ^示良好的耐性之情況，得到線寬w和抗_贿仙的線寬Η ^之侧圖案62a。而’如第7Β圖所*，在雖然抗圖案他 ^矩形但是對侧顯之氣體的耐性低之情況，因在侧處理時 邊抗蚀麵案61b ’飿刻圖案62b之線寬w變成比抗侧圖案 16 1279835 61 b的線寬Η窄。又，如笛闽沉·- * e2c^Kw47^ > t w ，mA ® f 62d 見位於4尺寸範圍亦有益。 電二===的 合 合的範_下稱為「管理顧」）（步距值之組 如以下所示進行本步驟U。 t, ^ 在合二==產容:尺寸咖 量和ίϊ值之，縣準決定曝光 1僅可轉輸爾錢顧， 之組合的最終之管理範圍。 w欠出曝先！和焦距值 1279835 及步驟7〜11之處理（即不測定抗侧圖案之形狀)後保管。這 ^可將在2試用晶圓¥各自形成之抗蚀劑圖案的形狀當作實 ，上相同H依此方式保管__晶圓w，可作為 整晶圓處理系統時之參考。 而受丹。周 上述之步驟1〜11之製程係在成為製品之晶圓的處理開始之 雖i在步驟11完了後進行實際之製品晶圓的處理， 但疋因酬至之h掃、被_膜的性f變化、抗糊膜的性 化、曝光裝置或抗蝕劑塗布·顯像處理裝置之維修等製品 ^造=峨時間之變化，抗侧_之線寬就偏離料尺寸範 ’有，了驗該_而需錢更曝光量和舰值的情況。 邊參照第8圖所示之流程圖邊說明那時之調整方法。 在木焦距值之組合的管理範圍後，決定 ^ 4圖者細9圖。本弟9 @中之斜線區域係管理範圍 字圍之大致中心的曝光量和焦距值之組合作 為將製m2晶圓W曝光時之起始設定值。 依此方式決定曝光量和焦雜後，準備 13)，在_膜上形成 _將^彡紅抗糊膜 、祕(步驟16)。職此方柄形成之餘劑圖案 .乂遮罩’將被韻刻膜侧而形成飿刻圖案（步驟17)，接^ ^曰si ,如對以多片為—單位之每—批，或每既定之“，^用 見浙裝置⑽Ρ-2)17啦所形成之_圖案的線寬‘ 在製品晶圓W形成之蝕刻圖案的線寬因當狹 容許範_，酬_3，_品_=理 18 1279835 =容許範_情況，統合_ u f要變更曝光量和焦距值，使在 裟品晶圓w形成之蝕刻圖案的線寬位於容許尺寸範圍内。 例如’在蝕刻圖案的線寬比容許尺寸範圍寬情 3所示之第6巧明時，可能第6圖所示之各曲線向上侧 而，例如，藉著將曝光量自最初之Ei+l變更至Ei或Ei—〗，甚 下側，可使蝕刻圖案的線寬位於容許尺寸範圍内。 跡”可是/在依此方式所變更之曝光量和焦距值的組合位於在步 口所求出之管理範圍外的情況，可能未適t地進行曝光處理， 在1品晶圓w之品質保證的實施樣態上不太好。 —j此，在步驟19所測定之線寬偏離容許範圍的情況，判斷 驟11所求出之管理範圍内變更曝光量和焦距值之組合，^ 否可使，，圖案的線寬位於容許尺寸範圍内（步驟21)。 於容焦距值之組合而可使蝕刻圖案的線寬位 和牛1 _更曝光量 σ (步驟）。本方法主制於自製品晶® w之處理 曝ί量和焦距值的情況等變更次數少的情況。此二 :二2成纽官理者能財動變更曝*量和焦距值之組合(用資 ;别出入部32決定新的曝光量和焦距值之組合）。 、 依此方式決定新的曝光量和焦距值之組合後，曝光 =自統合電腦u之指令，自下一個處理之製品晶圓w開始依g ^的曝光量和焦距值之組合進行曝光處理（步驟23)，缺後，鲈 ί Z、巧、抗⑽圖案剝離，測定在製品晶圓w所形成麦之^ 二Γ/驟的Λ寬(ί‘驟24)、。然後，判斷線寬是否位於容許尺寸範圍 =驟5)。若在此所測定之線寬位於容許尺寸 製品晶圓W的處理。而，在所測定之線寬偏離容^ 邈ίν半!例如統合電腦11停止曝光裝置13之運轉，發出 26) °製程管理者在有警報的情況，檢查製品m ί' i檢查晶圓處理系統’採取對策而可處理製品晶圓w。 而’在，驟21判斷藉著在管理範圍内變更曝光量和焦距值之 19 1279835 纽於容許尺寸範圍_情況，暫時 量和焦距值(步^27t 整成偏離管理範圍之新的曝光 益法管理範圍内變更曝光量和焦距值之組合而 寬位於容許尺寸範圍内的狀況，係由於如下 人而’在藉著在管理麵畴更曝光量和焦距值之組 G變 光案的線寬位於容許尺寸範圍⑽情況，在步驟 設定之^、q ί和i、f值時，例如曝光量和焦距值之組合自最初所 ^綱#0*圖ί斜線區域向斜線區域内之外側變化。因此，重複 ^況=彳就|生新的曝光量和焦距值之組合偏離管理範圍的 喟敕27 ’暫_曝絲置13之料量和焦距值 Γ辄_之_曝光量和焦距值’係用以防止使晶圓 起之生產力降低，依據所蚊之新的曝光量和 f ’很有可此進行製品晶圓W之處理的情況之緣故。 用萝：ϊΐί^ϊΐ新的曝光量和焦距值後，依據這種新的條件 晶圓w曝光、顯像後’檢查所得到之抗触 剜圖案之形狀(線寬）（步驟28)。 ^ΐί ’/ΐ#劑圖案之線寬需要位於固定之容許尺寸範圍，以 ΐί ί t 侧®㈣線寬錄容許尺寸制。_，觸 ^得狀抗側贿的是錄於料尺寸範圍（步 =i；f谷許範圍内的情況，根據已在職用基板戶斤形成之抗蚀 ΐϊί 、測ΐ賴ΐ的目標尺寸、在水準曝光之曝光量和 “、、彳I、且口，決疋曝光置和焦距值之組合之新的管理範圍後， 的曝光量和焦距值之管理範圍（步驟30)。然後，依據所設 =新的曝光量和焦距值之組合，回到步驟13，繼續製品晶圓w 的處理。 而，在抗蝕劑圖案之線寬位於固定之尺寸範圍外的情況，中 1279835 ，處編__軸自步驟1至步 驟：因而可重：==:=新的管理細(步 臈之形成或自被蝕刻 ί=:ί 品質保持穩定Γ八曰&理條件的㈣，易於將製品晶圓w之 之方Ϊ次使^斤_程圖邊說明調整曝光裝置13 =理？^=測1用圖案之光罩進行水準曝光(步驟_、顯 驟105) ΊΛ、隹用散射測量技術測定抗_圖案之形狀(步 狀料姊驗制齡及抗侧 处，準備已形成被侧膜之製品晶圓w(步驟107)，形成抗 ===‘驟108)後，使用已形成製品製造所需之圖案的光罩，依 奚止^5上未發絲品奸之具有實績的曝光量和焦距值之組合 =1G9)、顯像(步驟11G)，再將所形成之抗侧圖案作為 =案姓刻（步.驟111 )，接著進行抗側圖案之剝離處理（步驟 )後，湘散侧倾術敎卿紅侧_的形狀 lid) 〇 接著，判斷在本步驟113所得到之侧圖案的線寬是否 ，晶圓w之面整體位於容許範圍内（步驟114)。在線寬在製品晶^ 之面整體位於容許範圍内的情況，回到步驟1〇7，繼續製品晶圓 W的處理。 21 1279835 而 品 曰圓生雖然在步驟113所得到之侧圖案的線寬在製 的兄鳩科位於容許範圍Θ ’但是一部分位於容許範圍外 外在賴_處理，在經驗上有線寬在晶圓w的中 分i。因„之傾向，’在蝕刻圖案之線寬出現甜甜圓狀的 ’在面整體線寬不在容許尺寸翻_情況，即，雖 的線寬在製品晶圓冗之中心部位於容許範_，但是 3容許範圍外的情況，在第一種方法上，有變更在製 -=固之外周部的曝光量和焦距值之方法（步驟115)。又，在第 二法上，有變更製品晶圓W整體的曝光量和焦距值之方法(步 扣Μ )。但，第二種方法之前提為，在配合外周部的曝光量和隹 =值之變更而在製品晶圓w整體變更曝縫和焦距值時，可使 製号晶圓W之中心部的線寬位於容許範圍内。藉著採取其中一種 方法，=在製品晶圓w整體使蝕刻圖案的線寬位於容許範圍内。 二在這種曝光量和焦距值之變更，利用前面進行之測試用晶圓W 的評估=果。在上述之雖然蝕刻圖案的線寬在製品晶圓w之中心 部位於容許範圍内，但是在外周部位於容許範圍外的情況，因製 品晶圓W之外周部的線寬比所要之線寬寬，在使用第一種方法的 情況，首先，檢索依據和對製品晶圓w使用之以前的曝光量及焦 距值之相同的曝光量及焦距值所曝光的測試用晶圓W内的區域， ^出可得到比該曝光區域(曝光照射）之抗蝕劑圖案的線寬細之線 寬的曝光量及焦距值。然後，在製品晶圓w之曝光處理時，依據 以前之曝光量和焦距值將製品晶圓w的中心部曝光，而變更為新 的曝光量和焦距值後將外周部曝光。因而，可使製品晶圓w整體 之抗蝕劑圖案的線寬位於容許範圍内。 在本第一種方法，亦可在每次曝光照射變更曝光量和焦距 值。因而，在製品晶圓W面内可得到線寬均勻性更優異的蝕刻圖 案。 又’在使用該第二種方法的情況，檢索依據和對製品晶圓w 所應用之以前的曝光量及焦距值之相同的曝光量及焦距值所曝光 22 1279835 的測試用晶圓w内的區域，選出係線寬比該曝光區域（曝光照射） 之f蝕劑圖案的線寬變細之曝光量及焦距值，而且，在依據該曝 ，畺和焦距值將晶圓W之中心部曝光時，所得到之餘刻圖案的線 I可位於容許範圍内之曝光量和焦距值之組合。然後，僅依據所 選擇之新的曝光量和焦距值將製品晶圓w曝光。依據本方法亦可 使製品晶圓w整體之抗银劑圖案的線寬位於容許範圍内。本第二 種方法主要可在母次曝光照射之抗餘劑圖案的線寬之差小的情 況使用。 輿^種找之任—種方法’雜據製程

If ί之觸、製程管理者或技術者所設計之係數模式變更曝光 里和焦距值。 =外’以上所綱之倾職，完妓設法弄清楚本發明之 發是解釋成本發明僅限定為_具_者，在本 ^月之精精和在t請專讎圍所述之範圍可進行各種變更後實 2如在蝕刻裝置上，未限定為一台，亦 置’又，亦可使用具有多個姓刻室之钱刻步 二 劑塗布•顯像處理裝置，未限定為;，亦 又亦可設置多台抗倾性布裝置及多 =口

_裝置間或侧室間，又在抗綱塗布g ^ / J 之處理部各自設置Π)，統她fD ’在全部 麵刻處理之條件的管理範®，卩之ID的組合蚊對應於光 圖案之形狀保持固定，並提高變更=ft上使钎將飿刻 和精度。 文尺曝九里和焦距值之組合的時序 又，在上狀實施賴，雖然絲將本發明躺於半導體晶 23 1279835 圓的情況，但是亦可將本發明應用於由液晶顯示裝置所代表之 FPD(平面顯示器）用之玻璃基板等其他的基板。 產皇上利用性 本發明適合於在半導體裝置或FPD之製造要求高線寬精度的 情況。 【圖式簡單說明】 圖1係表示晶圓處理系統之構造圖。 圖2係表示統合電腦之概略構造圖。

圖3係表示晶圓處理系統之調整方法的流程圖。 圖4係表示依次曝光之矩陣圖。 圖5係表示利用依次曝光得到之抗蝕劑圖案的線 及焦距值之關係的圖形。 +尤里 圖6係表示姓刻圖案的線寬和曝光量及焦距值之關係的圖形。 關係表示抗㈣圖案之剖面形狀和侧圖案之剖面形狀的 關係系表示抗韻劑圖案之剖面形狀和姓刻圖案之剖面形狀的 關係表示抗侧圖案之剖面形狀和侧®案之剖面形狀的 關係表示抗賴醜之剖面雜和侧®案之剖面形狀的 ，抑以變更曝光量和焦距值之組合的綠之流程圖。 表碰次曝光之輯和曝光量及焦距值之關係圖。 系統的調整方法之流程 回表不用以抑制蝕刻圖案之面内變動的發生之晶圓處理 圖 【主要元件符號說明】 11統合電腦 24 12 抗姓劑塗布•顯像處理裝置、 13 曝光裝置 14 蝕刻裝置 15 抗蝕劑剝離裝置 16 ODP-1 17 ODP-2 31 CPU 32 資料輸出入部 36 曝光管理程式 37a 第一分析程式 37b 第一資料庫 38a 第二分析程式 38b 第二資料庫 61a^ 、61d抗蝕劑圖案 62a^ 、62d蝕刻圖案 1279835 準備已形成被蝕刻膜的測試用晶圓（步驟1) 形成抗蝕劑膜（步驟2) 曝光量•焦距值之水準曝光（步驟3) 顯像(步驟4) 測定抗蝕劑圖案之線寬（步驟5) 曝光量•焦距值和抗银劑圖案之線寬的連結（步驟6) I虫刻（步驟7) 剝離抗蝕劑圖案（步驟8) 測定蝕刻圖案之線寬（步驟9) 曝光量•焦距值和蝕刻圖案之線寬的連結（步驟10) 設定曝光量•焦鉅值之管理範圍（步驟11) 25

Claims (1)

1279835 十、申請專利範圍： 1· 一種曝光條件設定方法，其特徵為包含如下步驟·· _在具财被侧層之測姻基板_被侧層上形成抗韻劑 、後]以既定之測試關案令曝光量和焦距值分別改變而將該抗 ，膜之多個部錄次曝光、顯像，俾於該多個部姻彡成抗侧 圔柔， 利用散射測量技術測定該多個部位之抗侧圖案的形狀； 以形成有該抗蝕劑圖案之抗蝕劑膜作為蝕刻遮罩，將該被蝕 fJ層蝕刻後，自該基板將該抗蝕劑膜剝離，而在該多個部位形成 ί虫刻圖案； 利用散射測量技術測定該多個部位之蝕刻圖案的形狀；及 根據在將該多個部位依次曝光時之該各部位的曝光量和焦距 ，之組合、該多個雜之該抗蝴__狀測定結果、及&多 ==該_，的形狀測定結果，決域得所要形狀之_ 圖案所谷許之曝光量和焦距值之組合的管理範圍。 2·如申凊專利範圍第1項之曝光條件設定方法，更包含如下 步驟： 在決定該管理範圍後，決定歸理範圍内之—組曝光量和焦 距值的組合； '' %二，有被侧層之製品基板的該被侧層上形成抗侧膜 該所蚊之曝光量和焦距值賴抗侧膜㈣、顯像， 、’ f^被蝕刻層蝕刻，使該抗蝕劑膜剝離而形成蝕刻圖案； 利用散射測量技術測定該蝕刻圖案的形狀； 〃 判，該蝕刻圖案之形狀是否位於既定之容許尺寸範圍内；及 料侧醜之形狀偏賴容許尺寸範圍的情況，決定屬於 圍之新的曝錢和焦距值之組合，使在以後處理之別的 、口口土板所形成之蝕刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍。 步驟3··如申鱗利範圍第1項之曝光條件設定方法，更包含如下 26 1279835 距值f管理翻後，決定膽理範_之—_光量和焦 德，有被韻刻層之製品基板的該被餘刻層上形成抗餘劑膜 並將決定之曝光量和焦雜將該抗侧财光、顯像，、 亚刻賴刻，使該抗鋪膜剝離而形成餘刻圖案像 刊，政射測量技術測定該蝕刻圖案的形狀； N亥侧®案之形狀是倾於既定之容許尺寸 在該製絲板所形成之__之雜 尺 If想要變更曝光量和該似使在以後處理之 之ίΓ圖案的形狀位於該容許尺寸範圍時，於該t i旦值之組合偏離該管理範圍的情況下，依據該新的曝 將該別的製品基板曝光，像後， 利丨ίί抗蝴贿的形狀位於既定之尺寸範_的情況，根據 之目標尺寸、及在該測試用基板所之 及在該依次曝光使用之曝光量和焦距值的組合= 疋曝先，和焦距值的組合之新的管理範圍；及 之形狀位於該尺寸範圍外的情況，使用新的 田申!f專利範圍第3項之曝光條件設定方法，其中，在使 把…南白、t式用基板決定新的管理範圍之情況，在新的測試用基 檢查在自抗铜猶的形成至侧處理後之抗餘劑圖 案剝離為蚊-連㈣輕所使狀裝置。 ㈣ μ 5·如申請專利範圍第1項之曝光條件設定方法，其中，該多 個。ΙΜ靖成鱗光量和焦距值為矩陣元之矩陣。 6如申請專利範圍第i項之曝光條件設定方法，其中 案之測定對象包含圖案之線寬。 口 7· —種基板處理裴置，包含： 27 1279835 該被ΞίίΖΙ既定之贿’將在具備有被侧層之基板的 敉做刻層上所形成之抗蝕劑膜予以曝光； 狀和峨部，糊散酬量技術關定祕細案的形 狀和钱刻圖案的形狀；及 ，制部，控制該曝光處理部和該圖案形狀測定部； 其特徵為： 之暖制部根據下前_決定紐得縣之侧®案所容許 *九里和焦距值之組合的管理範圍： 圖案形狀測定部，對在基板所形成之抗蝕劑膜的多個部

_既定之測試關案，分別改變曝光量和焦距值後依次曝光、 ”、f斤得到之多個部位的抗蝕劑圖案之形狀的測定結果； 形狀败部，贿抗铜彳職卿狀祕劑膜作 罩，將該被#刻層蝕刻，所形成之該多個部位的蝕刻圖 案之开>狀的測定結果；及 在將该多個部位依次曝光時之該各部位的曝光量和焦距 組合。 “、 請ί利範圍第7項之基板處理裝置，其中，該控制部 ^口 s理範圍内之—組曝光量和焦距值的組合加以曝光而得 $叩基板上所形成的蝕刻圖案之形狀偏離既定之容許尺寸範圍 況下，決定屬於該f理範圍之新的㈣量和焦距值之組合， 以，處理之別的製品基板所形成之姓刻圖案的形狀位於該容 許尺寸範圍。 9·如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中： 該控制部在使用該管理範圍内之—組曝光量&焦距值的組合 =曝光之製品基板上形成的_ _之雜偏離既定之容許尺寸 範圍’且想碰更曝光量和焦距值以使在以後處理之別的製品基 才，所形成之侧圖㈣形狀位於該容許尺寸範_，該新的曝光 虿和焦距值之組合偏離該管理範圍的情況下·，控制該曝光處理 部，使依據該新的曝光量和焦距值將該別的製品基板曝光； 28 1279835 在依據該新的曝光量和焦距值進行曝光處理後之別 板所形成之抗_圖案_狀位於既定之尺寸範_情況衣= 依;; 曝，1和焦距值的組合，而決定曝光量和焦距值的組合之新 理範圍。 吕 10.如申請專利賴帛7項之基板歧裝置，其中， 狀測定部具有用以測定抗蝕劑圖案之形狀的第一測 定蝕刻圖案之形狀的第二測定部。 用以測

11. 一種電腦程式之記錄媒體，用以記錄電腦程式，嗦 式用以使電腦控制一基板處理裝置，該基板處理裝置且有·曝1 處理部，依猶权目餘在基板卿狀抗__光^ 案形狀測定部，_散射測量技酬定抗侧目案的形狀和^ 圖案的形狀；該電腦程式包含在執行時使電腦控制該基 置之軟體，以執行具有如下步驟之處理： 、 在具備有被蝕刻層之測試用基板的該被餘刻層上形成抗蝕_ 膜後，以既定之測試用圖案令曝光量和焦距值分別改變而將該^ 蝕劑膜之多個部位依次曝光、顯像，俾於該多個部位形成抗ϋ 圖案之步驟，

利用散射測量技術測定該多個部位之抗蝕劑圖案的形狀之步 以形成有該抗蝕劑圖案之抗蝕劑膜作為蝕刻遮罩，將該被敍 刻層姓刻後，自該基板將該抗蝕劑膜剝離，而在該多個位 蝕刻圖案之步驟； y 利用散射測量技術測定該多個部位之钮刻圖案的形狀之步 驟，及 根據在將該多個部位依次曝光時之該各部位的曝光量和焦距 值之組合、该多個部位之該抗银劑圖案的形狀測定結果、及該多 個部位之該蝕刻圖案的形狀測定結果，決定獲得所要形狀之蝕刻 29 1279835 圖案所各§午之曝光量和焦距值之組合的管理範圍之步驟。 12·如申請專利範圍第η項之電腦程式之記錄媒體，复 該處理又具有·· ^ T 在決定該管理範圍後，決定該管理範圍内之一組曝光 距值的組合之步驟； …、 在具備有被侧層之製品基板的該被餘刻層上形成抗 後，依據該所決定之曝光量和焦距值將該抗蝕劑膜曝光、顯、 並將該被蝕刻層蝕刻，使該抗蝕劑膜剝離而形成蝕刻圖案之步驟； 利用散射測量技術測定該蝕刻圖案的形狀之步驟；’ ’ •判斷該蝕刻圖案之形狀是否位於既定之容許尺寸範圍内的步 驟，及 〃在該飿刻圖案之形狀偏離該容許尺寸範圍的情況， 该官理範圍之新的曝光量和焦距值之組合，使在以後處理之別的 製品基板所形成之蝕刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍之步驟。 13·如申請專利範圍第η項之電腦程式之記 =中 該處理又具有： /、τ 在決定該管理翻後，決定該管理範_之 距值的組合之步驟； +尤里和焦 仏ΐίΐ有被韻刻層<製品基板的該被韻刻層上形成抗餘劑膜 後’ ^據酬狄之曝錄純雜觸減細曝*、顯、 並將該被侧層賴，使該抗賴翻離而形賴刻圖案之步驟· 利用散射測量技術測定該蝕刻圖案的形狀之步驟，/、 •判斷該侧_之職是否位魏定之料尺寸範圍内的牛 驟； 乂 在該製品基板所形成之蝕刻圖案之形狀偏離既定之 ，圍’而且想要變更曝紐和焦距似使在以後處理之別^品 土板所形成之蝕刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍時，該^暖 =和焦距值之組合偏離該管理範_情況，依據騎的曝= 和,，、、距值’使用該製品圖案將該別的製品基板曝光、顯像後，測 30 1279835 定所得，之抗糊圖㈣形狀之步驟； 兮测ί 細案的形狀位魏定之尺寸範圍_情況，根據 的=寸、在該測試用基板所形成之抗蝕細案 光量使用之曝光量和焦距值的組合，決定曝 里和焦距值的組合之新的管理範圍之步驟； 的測案之形狀位㈣尺寸範圍外的情況’使用新 用基板再執行用以決定曝光量和焦距值的組合之新的管理 靶固之一連串的處理之步驟。 =· 一種曝光條件設定方法，其特徵為包含如下步驟： 膜接Ϊ被侧層之測朗基板的該被侧層上形成抗侧 圖案之步驟·依曝先顯像，俾於該多個部位形成抗蝕劑 驟；利用散射測量技術測定該錢部&之抗侧_的形狀之步 尨田八ΐ有被儀刻層之製品基板的該被钱刻層上形成抗钱劑膜 #、翻，疋之製品圖案依既定之曝光量和焦距值將該抗蝕劑膜曝 ，及蝕刻，再利用散射測量技術測定除去該抗蝕劑膜所得 到之蝕刻圖案的形狀之步驟；及 τ 案中存在有其形狀位於容許尺寸範圍外之區域的 據在將該測試用基板的該多個部位依次曝光時之各部 ϊΐίί量和焦距值之組合及在該測試用基板所形成之抗餘劑圖 ίΐΓί測定貧料，變更將該製品基板曝光所需之曝光量和焦距 =的、、且δ，使全部之蝕刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍内之步 ^ 申請專利範圍第14項之曝光條件設定方法，其中，對 =^圖_形狀位於該容許尺寸範圍外之區域，顧新的曝光 值之組合’而對紐刻圖案的形狀位於該容許尺寸 内之區域，應肋往的曝光量和焦距值之組合。 31 1279835 1β· —種基板處理裝置，包含： ㈣理部，依觀定之®案將在具備減侧層之基板的 Μ被银刻層上所形成之抗蝕劑膜曝光； 純㈣定部，利紐射測量技術測定抗細®案的雜 和餘刻圖案的形狀；及 ^制部，控制該曝光處理部和該圖案形狀測定部； 其特徵為： 該控制部根據 邱你=，_狀測定部’對在基板所形狀減麵的多個 ”、=侍到之多個部位的抗蝕劑圖案之形狀的測定結果； 組合在1衫個部位依讀光時之該各雜_枝和焦距值之 祕ίΐ,ί之製品圖案，依既定之曝光量和焦距值，將具備該 德二4·=餘劑膜的製品基板之該抗賴膜曝光、顯像及侧 ㈣職雜峡部觀抗側翻離所制之該被餘 刻層的银刻圖案之形狀的結果； m纖蚀 产、兄在==案中存在有其形狀位於容許尺寸翻外之區域的 K製雜板之曝光量和焦距值的組合，使全部之_ 圖案的形狀位於該容許尺寸範圍内。 17.如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，盆 的形狀位於該容許尺寸範圍外之區域，應用^的 二^焦之組合；^對該侧_的形狀位於該容許尺寸 耗圍内之區域’應肋往的曝光量和焦雜之組合。 H Μ· 一種電腦程式之記錄媒體，用以記錄電腦程式， 制—基域理裝置，該基板處縣置具有= ，理邛，依據既定之圖案將在基板所形成之抗 及 圓刚量· 圖案的職，_腦程式包含在執行時钱腦控繼基板處理装】 32 1279835 置之備Ϊ執行具有如下步驟之處理: 膜後，崎定基板的該被侧層上形成抗_ 餘劑膜之多個部位距ί分別改變而將該抗 圖案之步驟； 曝先顯像，俾於該多個部位形成抗蝕劑 驟；利用散射測量技術測定該多個部位之抗歸m#的形狀之步 後，層之製品基板的該被蝕刻層上形成抗蝕劑膜 瞧来、黯德38 圖案依據既定之曝光量和焦距值將該抗蝕劑膜 i到之刻後’利用散射測量技術測定除去該抗蝕劑膜所 于〗之蝕刻圖案的形狀之步驟；及

^ ^刻圖案中存在有其形狀位於容許尺寸範圍外之區域的 二^止，在將该測試用基板的該多個部位依次曝光時之各部位 认二I里和焦距值之組合及在該測試用基板所形成之抗蝕劑圖案 則定龍，變更_製品基板曝光所需之曝光量和焦距值 的、、且δ ’使全 1 部之钮刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍内之步驟。 19·如申請專利範圍第18項之電腦程式之記錄媒體，其中， 蝕刻圖案的形狀位於該容許尺寸範圍外之區域，應用新的曝 "里和焦距值之組合；而對該蝕刻圖案的形狀位於該容許尺寸範 圍内之區域，應用以往的曝光量和焦距值之組合。 十一、圖式： 33