CN100550299C - 曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序 - Google Patents

曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序 Download PDF

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Abstract

在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形。然后，对被刻蚀膜进行刻蚀，剥离抗蚀剂图形，通过散射测量技术测定上述多个部位的被刻蚀膜的图形的形状，根据逐次曝光的曝光量以及聚焦值、抗蚀剂图形的线宽和刻蚀图形的线宽，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。

Description

曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序
技术领域
本发明涉及在制造半导体装置等的步骤中为了形成有良好形状的刻蚀图形而对以预定图形对用作刻蚀掩模的抗蚀剂膜进行曝光时的最佳曝光条件进行设定的曝光条件设定方法、以及为了执行该曝光条件设定方法所用的衬底处理装置和计算机程序。
背景技术
在具有嵌入式结构等多层布线结构的半导体装置的制造工艺中，例如，在层间绝缘膜上形成抗蚀剂膜，以用预定图形对抗蚀剂膜进行曝光、显影后所形成的抗蚀剂图形作为刻蚀掩模，对层间绝缘膜进行等离子体刻蚀，进行层间绝缘膜的构图。另外，在光掩模的制作中，在设置于衬底上的遮光层上形成抗蚀剂图形，用干法刻蚀对遮光层进行构图。
如下述的专利文献1所述的那样，可通过定期对刻蚀图形的形状进行SEM观察来进行这样形成的刻蚀图形的线宽等的管理。而且，当刻蚀图形的形状在既定的尺寸范围之外的情况下，操作人员根据过去的处理数据等，改变刻蚀条件或形成作为刻蚀掩模的抗蚀剂图形用的光刻步骤中的处理条件(曝光量或聚焦值)等，由此，进行刻蚀图形的尺寸改变。
然而，存在如下问题：由于SEM观察必须熟练、对形状判断因人而异，所以，为了决定曝光条件，需要较长的时间。另外，可用上述尺寸改变方法进行调整的刻蚀图形的尺寸仅限于每1枚晶片(或每批)的平均尺寸，无法改善1枚晶片的面内的尺寸的分散性。
专利文献1：特开2003-59990号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于容易得到所希望形状的刻蚀图形的曝光条件设定方法。
本发明的另一目的在于提供一种用于在衬底的整个面内得到所希望形状的刻蚀图形的曝光条件设定方法。
本发明的另一目的在于提供一种用于执行这样的曝光条件设定方法的衬底处理装置和计算机程序。
按照本发明的第一方面，提供一种曝光条件设定方法，具有如下步骤：在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对上述抗蚀剂膜的多个部位逐次进行曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形；通过散射测量(スキヤテロメトリ)技术测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状；使用形成有上述抗蚀剂图形的抗蚀剂膜作为刻蚀掩模，对上述被刻蚀层进行刻蚀，从上述衬底上剥离上述抗蚀剂膜，在上述多个部位形成刻蚀图形；通过散射测量技术测定上述多个部位的刻蚀图形的形状；根据对上述多个部位进行逐次曝光时的上述各部位的曝光量和聚焦值的组合、上述多个部位的上述抗蚀剂图形的形状测定结果和上述多个部位的上述刻蚀图形的形状测定结果，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。
在上述第一方面中，还可以具有如下步骤：在决定了上述管理范围后，决定上述管理范围内的1组曝光量和聚焦值的组合；在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，根据上述所决定的曝光量和聚焦值以预定的产品图形对该抗蚀剂膜进行曝光、显影，对上述被刻蚀层进行刻蚀，剥离上述抗蚀剂膜，形成刻蚀图形；通过散射测量技术测定上述刻蚀图形的形状；判断上述刻蚀图形的形状是否在预定的允许尺寸范围内；在上述刻蚀图形的形状在上述允许尺寸范围之外的情况下，决定属于上述管理范围的新的曝光量和聚焦值的组合，以使其后处理的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内。
另外，在上述第一方面中，还可以具有如下步骤：在决定了上述管理范围后，决定上述管理范围内的1组曝光量和聚焦值的组合；在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，根据上述所决定的曝光量和聚焦值以预定的产品图形对该抗蚀剂膜进行曝光、显影，对上述被刻蚀层进行刻蚀，剥离上述抗蚀剂膜，形成刻蚀图形；通过散射测量技术测定上述刻蚀图形的形状；判断上述刻蚀图形的形状是否在预定的允许尺寸范围内；当形成在上述产品衬底上的刻蚀图形的形状在预定的允许尺寸范围之外而且要改变曝光量和聚焦值使得其后处理的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内时，在该新的曝光量和聚焦值的组合在上述管理范围之外的情况下，以该新的曝光量和聚焦值使用上述产品图形对上述另外的产品衬底进行曝光、显影，测定所得到的抗蚀剂图形的形状；在上述抗蚀剂图形的形状在预定的尺寸范围内的情况下，根据上述测试图形的目标尺寸、形成在上述测试衬底上的抗蚀剂图形的形状、以及上述逐次曝光中所使用的曝光量和聚焦值的组合，决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围；在上述抗蚀剂图形的形状在上述尺寸范围外的情况下，再执行用于使用新的测试衬底决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围的一系列处理。
此时，在使用上述新的测试衬底决定新的管理范围的情况下，在新的测试衬底的处理之前，优选对从形成抗蚀剂膜至刻蚀处理后的抗蚀剂图形剥离的一系列处理中所用的装置进行检查。
另外，在上述第一方面中，优选上述多个部位构成以曝光量和聚焦值为要素的矩阵，优选上述图形的测定对象包含图形的线宽。
按照本发明的第二方面，提供一种衬底处理装置，其具备：曝光处理部，以预定的图形对形成在具有被刻蚀层的衬底的该被刻蚀层上的抗蚀剂膜进行曝光；图形形状测定部，通过散射测量技术测定抗蚀剂图形的形状和刻蚀图形的形状；控制部，控制上述曝光处理部和上述图形形状测定部，其中，上述控制部根据如下内容决定为了得到所希望的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围，即：用上述图形形状测定部测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状的结果，该多个部位的抗蚀剂图形的形状是分别改变曝光量和聚焦值以预定的测试图形对形成在衬底上的抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影而得到的；用上述图形形状测定部测定上述多个部位的刻蚀图形的形状的结果，该多个部位的刻蚀图形的形状是通过以形成有上述抗蚀剂图形的抗蚀剂膜为刻蚀掩模对上述被刻蚀层进行刻蚀而形成的；以及对上述多个部位逐次曝光时的上述各部位的曝光量和聚焦值的组合。
在上述第二方面中，当形成在以上述管理范围内的一组曝光量和聚焦值的组合进行曝光后的产品衬底上的刻蚀图形的形状在预定的允许尺寸范围之外时，上述控制部决定属于上述管理范围的新的曝光量和聚焦值的组合，以使其后进行的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内。
另外，在上述第二方面中，当形成在使用上述管理范围内的一组曝光量和聚焦值的组合进行曝光后的产品衬底上的刻蚀图形的形状在预定的允许尺寸范围之外、而且要改变曝光量和聚焦值以使其后所处理的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内时，在该新的曝光量和聚焦值的组合在上述管理范围之外的情况下，上述控制部控制上述曝光处理部，以使以该新的曝光量和聚焦值对上述另外的产品衬底进行曝光，在以新的曝光量和聚焦值进行曝光处理后的另外的产品衬底上所形成的抗蚀剂图形的形状落在预定的尺寸范围内的情况下，根据形成在上述逐次曝光后的衬底上的抗蚀剂图形的形状、形成该抗蚀剂图形所使用的光掩模的目标尺寸、以及上述逐次曝光所使用的曝光量与聚焦值的组合，决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围。
此外，在上述第二方面中，上述图形形状测定部以具有测定抗蚀剂图形的形状的第一测定部和测定刻蚀图形的形状的第二测定部的方式构成。
按照本发明的第三方面，提供一种计算机程序，该计算机程序使计算机控制衬底处理装置，其中，该衬底处理装置具有：曝光处理部，以预定的图形对形成在衬底上的抗蚀剂膜进行曝光；图形形状测定部，通过散射测量技术测定抗蚀剂图形的形状和刻蚀图形的形状，该计算机程序包含使计算机控制上述衬底处理装置的软件，以执行具有如下步骤的处理：在执行时，在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对该抗蚀剂膜的多个部位逐次进行曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形；通过散射测量技术测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状；使用形成有上述抗蚀剂图形的抗蚀剂膜作为刻蚀掩模，刻蚀上述被刻蚀层，从上述衬底上剥离上述抗蚀剂膜，在上述多个部位形成刻蚀图形；通过散射测量技术测定上述多个部位的刻蚀图形的形状；根据对上述多个部位进行逐次曝光时的上述各部位的曝光量和聚焦值的组合、上述多个部位的上述抗蚀剂图形的形状测定结果和上述多个部位的上述刻蚀图形的形状测定结果，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。
在上述第三方面中，上述处理还可以具有如下步骤：在决定了上述管理范围后，决定上述管理范围内的1组曝光量和聚焦值的组合；在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，根据上述所决定的曝光量和聚焦值以预定的产品图形对该抗蚀剂膜进行曝光、显影，刻蚀上述被刻蚀层，剥离抗蚀剂膜，形成刻蚀图形；通过散射测量技术测定上述刻蚀图形的形状；判断上述刻蚀图形的形状是否在预定的允许尺寸范围内；在上述刻蚀图形的形状在上述允许尺寸范围之外的情况下，决定属于上述管理范围的新的曝光量和聚焦值的组合，使得其后处理的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内。
另外，在上述第三方面中，上述处理还可以具有如下步骤：在决定了上述管理范围后，决定上述管理范围内的1组曝光量和聚焦值的组合；在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，根据上述所决定的曝光量和聚焦值以预定的产品图形对该抗蚀剂膜进行曝光、显影，刻蚀上述被刻蚀层，剥离上述抗蚀剂膜，形成刻蚀图形；通过散射测量技术测定上述刻蚀图形的形状；判断上述刻蚀图形的形状是否在预定的允许尺寸范围内；当形成在上述产品衬底上的刻蚀图形的形状在预定的允许尺寸范围之外、而且要改变曝光量和聚焦值使得其后所处理的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内时，在该新的曝光量和聚焦值的组合在上述管理范围之外的情况下，以该新的曝光量和聚焦值使用上述产品图形对上述另外的产品衬底进行曝光、显影，测定所得到的抗蚀剂图形的形状；在上述抗蚀剂图形的形状在预定的尺寸范围内的情况下，根据上述测试图形的目标尺寸、形成在上述测试衬底上的抗蚀剂图形的形状、以及上述逐次曝光所使用的曝光量和聚焦值的组合，决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围；在上述抗蚀剂图形的形状在上述尺寸范围外的情况下，再执行用于使用新的测试衬底决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围的一系列处理。
按照本发明的第四方面，提供一种曝光条件设定方法，具有如下步骤：在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对上述抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形；通过散射测量技术测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状；在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，以预定的产品图形，用预定的曝光量和聚焦值对上述抗蚀剂膜进行曝光、显影、刻蚀，通过散射测量技术测定除去上述抗蚀剂膜所得到的刻蚀图形的形状；在上述刻蚀图形之中存在其形状在允许尺寸范围外的区域的情况下，根据对上述测试衬底的上述多个部位进行逐次曝光时的上述各部位的曝光量和聚焦值的组合、以及形成在上述测试衬底上的抗蚀剂图形的形状测定数据，改变用于对上述产品衬底进行曝光的曝光量和聚焦值的组合，以使全部刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内。
在上述第四方面中，对上述刻蚀图形的形状在上述允许尺寸范围外的区域应用新的曝光量和聚焦值的组合；对上述刻蚀图形的形状在允许尺寸范围内的区域应用以前的曝光量和聚焦值的组合。
按照本发明的第五方面，提供一种衬底处理装置，其具备：曝光处理部，以预定的图形对形成在具有被刻蚀层的衬底的该被刻蚀层上的抗蚀剂膜进行曝光；图形形状测定部，通过散射测量技术测定抗蚀剂图形的形状和刻蚀图形的形状；控制部，控制上述曝光处理部和上述图形形状测定部，其中，上述控制部根据如下内容，在上述刻蚀图形之中存在其形状在预定的允许尺寸范围外的区域的情况下，改变上述测试衬底的曝光量和聚焦值的组合，以使全部刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内，即：用上述图形形状测定部测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状的结果，该多个部位的抗蚀剂图形的形状是分别改变曝光量和聚焦值以预定的测试图形对形成在测试衬底上的抗蚀剂膜的多个部位逐次进行曝光、显影而得到的；对上述多个部位进行逐次曝光时的上述各部位的曝光量和聚焦值的组合；用上述图形形状测定部测定上述被刻蚀层的刻蚀图形的形状的结果，该被刻蚀层的刻蚀图形的形状是以预定的产品图形按预定的曝光量和聚焦值对具有被刻蚀层和抗蚀剂膜的产品衬底的该抗蚀剂膜进行曝光、显影、刻蚀并剥离上述抗蚀剂膜而得到的。
在上述第五方面中，上述控制部对上述刻蚀图形的形状在上述允许尺寸范围外的区域应用新的曝光量和聚焦值的组合；对上述刻蚀图形的形状在允许尺寸范围内的区域应用以前的曝光量和聚焦值的组合。
按照本发明的第六方面，提供一种计算机程序，该计算机程序使计算机控制衬底处理装置，其中，该衬底处理装置具有：曝光处理部，以预定的图形对形成在衬底上的抗蚀剂膜进行曝光；图形形状测定部，通过散射测量技术测定抗蚀剂图形的形状和刻蚀图形的形状，其中，该计算机程序包含使计算机控制上述衬底处理装置的软件，以执行具有如下步骤的处理：在执行时，在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对该抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形；通过散射测量技术测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状；在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，以预定的产品图形用预定的曝光量和聚焦值对上述抗蚀剂膜进行曝光、显影、刻蚀，通过散射测量技术测定除去上述抗蚀剂膜所得到的刻蚀图形的形状；在上述刻蚀图形之中存在其形状在允许尺寸范围外的区域的情况下，根据对上述测试衬底的上述多个部位进行逐次曝光时的上述各部位的曝光量和聚焦值的组合、以及形成在上述测试衬底上的抗蚀剂图形的形状测定数据，改变用于对上述产品衬底进行曝光的曝光量和聚焦值的组合，使得全部刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内。
在上述第六方面中，提供一种计算机程序，对上述刻蚀图形的形状在上述允许尺寸范围外的区域应用新的曝光量和聚焦值的组合；对上述刻蚀图形的形状在允许尺寸范围内的区域应用以前的曝光量和聚焦值的组合。
按照本发明，由于在测试衬底的被刻蚀膜上的抗蚀剂膜的多个部位，分别改变曝光量和聚焦值，进行逐次曝光、显影，通过散射测量技术测定所形成的抗蚀剂图形的形状和进一步对这些多个部位进行刻蚀时的刻蚀图形的形状，决定为了从这些之中得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围，所以，可容易地得到允许尺寸范围内的刻蚀图形，从而可抑制刻蚀处理中的不合格品的产生。
另外，按照本发明，由于在测试衬底的被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，在此处改变曝光量和聚焦值，进行逐次曝光、显影，通过散射测量技术测定所形成的多个抗蚀剂图形的形状，在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，通过散射测量技术测定以预定的产品图形所形成的刻蚀图形的形状，据此改变用于对产品衬底进行曝光的曝光量和聚焦值的组合，使得全部刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内，从而可抑制衬底面内的刻蚀图形形状的分散性的产生，容易在衬底整个面内得到落在允许尺寸范围内的刻蚀图形，可抑制不合格品的产生。
附图说明
图1是表示晶片处理系统的结构的图。
图2是表示综合计算机的概略结构的图。
图3是表示晶片处理系统的调整方法的流程图。
图4是表示逐次曝光的矩阵的图。
图5是表示由逐次曝光得到的抗蚀剂图形的线宽与曝光量以及聚焦值的关系的曲线图。
图6是表示刻蚀图形的线宽与曝光量以及聚焦值的关系的曲线图。
图7A是表示抗蚀剂图形的剖面形状与刻蚀图形的剖面形状的关系的例子的图。
图7B是表示抗蚀剂图形的剖面形状与刻蚀图形的剖面形状的关系的例子的图。
图7C是表示抗蚀剂图形的剖面形状与刻蚀图形的剖面形状的关系的例子的图。
图7D是表示抗蚀剂图形的剖面形状与刻蚀图形的剖面形状的关系的例子的图。
图8是表示用于改变曝光量和聚焦值的组合的方法的流程图。
图9是表示逐次曝光的矩阵与曝光量和聚焦值的组合的管理范围的关系的图。
图10是表示抑制刻蚀图形的面内分散性的产生用的晶片处理系统的调整方法的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。在此处，以使用抗蚀剂图形对形成在半导体晶片W上的被刻蚀膜(被刻蚀层)进行刻蚀而形成刻蚀图形的晶片处理系统为例进行说明。
图1是表示用于对被刻蚀膜进行构图的晶片处理系统的结构的图。该晶片处理系统具有：抗蚀剂涂敷、显影处理装置12；曝光装置13；刻蚀装置14；抗蚀剂剥离装置15；用于测定抗蚀剂图形的形状的第一线宽测定装置(ODP-1)16；用于测定刻蚀图形的形状的第二线宽测定装置(ODP-2)17；以及综合计算机11。
抗蚀剂涂敷、显影处理装置12由成膜装置(未图示)在用CVD法或SOD法(spin on dielectric：旋转涂覆电介质)等方法所形成的层间绝缘膜那样的被刻蚀膜上形成抗蚀剂膜，并对曝光处理后的抗蚀剂膜进行显影。
曝光装置13使用预定的掩模图形(光掩模)在预定的曝光条件下对抗蚀剂膜进行曝光。
刻蚀装置14是以抗蚀剂图形为刻蚀掩模对被刻蚀膜进行刻蚀的装置，例如，构成为等离子体刻蚀装置。
抗蚀剂剥离装置15是从刻蚀处理后的晶片W上剥离抗蚀剂图形的装置，例如，构成为等离子体灰化装置。
第一线宽测定装置(ODP-1)16使用散射测量技术对由抗蚀剂涂敷、显影处理装置12进行的显影处理后所形成的抗蚀剂图形的形状进行测定。
第二线宽测定装置(ODP-2)17使用散射测量技术对由刻蚀装置14进行刻蚀处理后所形成的被刻蚀膜的刻蚀图形的形状进行测定，其结构与第一线宽测定装置(ODP-1)16相同，只是测定对象不同。
所谓散射测量技术，是指对多个图形形状计算衍射光强度分布，例如，预先构建程序库，将光入射到测定对象的图形上，检测衍射光强度的角度方向分布，将其检测结果与上述程序库进行比较，由图形匹配来推定测定对象的图形的宽度、高度等，例如，已在特开2002-260994号公报中进行了说明。
综合计算机11在此处控制第一、第二线宽测定装置16、17以及曝光装置13。并且，综合计算机11除了控制这些装置以外，也可对抗蚀剂涂敷、显影处理装置12、刻蚀装置14、抗蚀剂剥离装置15进行控制，并且还可控制未图示的成膜装置。
图2是表示综合计算机11的概略结构的图。综合计算机11具有：处理控制器(CPU)31；数据输入输出部32，其具有显示器，将步骤管理人员进行用于决定后述的曝光处理用的管理范围的命令输入操作的键盘或者例如处理控制器(CPU)31的运算结果可视化并进行显示；存储部33，存储各种程序或数据；接口(IF)34a、34b和34c，使得在第一线宽测定装置(ODP-1)16、第二线宽测定装置(ODP-2)17以及曝光装置13之间能够分别进行数据通信。
具体地说，在存储部33中记录如下内容：曝光管理程序36，用于由处理控制器(CPU)31执行后述的曝光管理范围的决定或者曝光量与聚焦值的组合的改变等；第一分析程序37a，用于分析在第一线宽测定装置(ODP-1)16中测得的分光反射光谱；该分析中所使用的第一程序库(数据库)37b；第二分析程序38a，用于分析在第二线宽测定装置(ODP-2)17中测得的分光反射光谱；以及该分析中所使用的第二程序库(数据库)38b。
第一程序库37b具有表示抗蚀剂图形的形状的线宽(图2所示的“RCD1”等)或底宽、膜厚、侧面角度等参数和与对应于此的分光反射光谱相关的数据。同样地，第二程序库38b具有刻蚀图形的线宽(图2所示的“ECD1”等)或膜厚等和与对应于此的分光反射光谱相关的数据。并且，“线宽”是指图形的上表面的宽度，“底宽”是指图形的最下部的宽度。
并且，图1、2所示的晶片处理系统具有2台线宽测定装置，但是，也可以是用1台线宽测定装置对抗蚀剂图形和刻蚀图形各自的形状进行测定的结构。此时，只要综合计算机11能够识别测定对象是抗蚀剂图形和刻蚀图形中的哪一种图形即可。例如，可以使综合计算机11在步骤管理人员从数据输入输出部32输入测定对象后开始线宽测定装置的测定，也可以使综合计算机11管理晶片运送过程，以使综合计算机11能够自动识别是完成在抗蚀剂涂敷、显影处理装置12中的处理后的晶片，还是完成在抗蚀剂膜剥离装置15中的处理后的晶片。
然后，参照图3的流程图，说明使用这样的晶片处理系统来形成所希望形状的刻蚀图形的晶片处理系统的调整方法。这样的晶片处理系统的调整方法实质上是曝光装置13中的曝光量和聚焦值的调整方法。
最初准备用未图示的成膜装置形成被刻蚀膜例如low-k膜后的测试晶片W(步骤1)。然后，将晶片W运送到抗蚀剂涂敷、显影处理装置12，在此处，在被刻蚀膜上形成抗蚀剂膜(步骤2)。将形成有抗蚀剂膜的晶片W运进曝光装置13内，在此处，如图4所示，使曝光量以固定幅度在E0～En(n：自然数)之间逐次变化，而且，使聚焦值以固定幅度在F0～Fm(m：自然数)之间逐次变化，形成矩阵，进行以各矩阵要素(Ei，Fj)为1次拍摄(shot)的曝光处理(以下称为“水平曝光”)(步骤3)。在该步骤3中，在曝光量和聚焦值恰当的情况下，使用可得到线宽为H0的抗蚀剂图形(以下，称为“测试图形”)的掩模作为光掩模，将其后形成的刻蚀图形的线宽的目标值也定为H0。
然后，将进行水平曝光后的晶片W返回到抗蚀剂涂敷、显影处理装置12，在此处，进行显影处理(步骤4)。由此，形成预定的抗蚀剂图形。
将形成有抗蚀剂图形的晶片W运送到第一线宽测定装置(ODP-1)16，在此处，通过散射测量技术测定抗蚀剂图形的图形形状(步骤5)。在该步骤5中，按照每1次拍摄曝光，即按照每个矩阵要素(Ei，Fj)，例如，向各矩阵要素的中心照射预定波长的光，测定其分光反射光谱。
综合计算机11通过对照由步骤5的处理测得的波形与对抗蚀剂图形所记录的第一程序库37b的信息求得抗蚀剂图形的线宽，并且，将其结果与步骤3的曝光量和聚焦值的组合进行对照，对它们进行链接(link)(步骤6)。并且，根据散射测量技术，就抗蚀剂图形的形状而言，不仅可求得其线宽，而且可求得底宽或侧面的斜度等，但是，在此处，用线宽代表抗蚀剂图形的形状。
图5是表示由步骤6得到的抗蚀剂图形的线宽与曝光量以及聚焦值的关系的一例的曲线图。该曲线图成为用于确认抗蚀剂图形的线宽与其后所形成的刻蚀图形的线宽产生何种程度的偏移的资料。另外，该曲线图可用作如下情况的参考数据：在决定后述的管理范围后，在随时间变化对产品晶片W进行处理的过程中，产生了为得到所希望形状的刻蚀图形而必须改变曝光量和聚焦值的组合的状况。
然后，将晶片W从第一线宽测定装置(ODP-1)16运送到刻蚀装置14，在此处，将抗蚀剂图形用作刻蚀掩模，对被刻蚀膜进行刻蚀(步骤7)。例如，在等离子体刻蚀处理中，改变容纳晶片W的室内的真空度或者导入室内的气体量、用于产生等离子体的电压、处理时间等，由此，可改变刻蚀条件，但是，由于这些调整并不容易，通常将刻蚀条件固定为用于产品制造的条件，在此处，步骤7也是在这种固定条件下进行的。
将结束刻蚀处理后的晶片W运送到抗蚀剂剥离装置15，在此处，进行抗蚀剂膜的剥离处理(步骤8)。由此，在晶片W的表面上露出刻蚀图形。然后，将晶片W运送到第二线宽测定装置(ODP-2)17，在此处，使用散射测量技术测定刻蚀图形的形状(步骤9)。在该步骤9中，与先前的步骤5相同，按照每1次拍摄曝光，对各矩阵的中心照射预定波长的光，测定其分光反射光谱。
综合计算机11通过对照由步骤9的处理测得的波形与对刻蚀图形所记录的第二程序库38b的信息求得刻蚀图形的线宽，使其结果与各矩阵要素(Ei，Fj)的曝光量以及聚焦值链接(步骤10)。
图6是表示由步骤10得到的刻蚀图形的线宽与曝光参数(曝光量和聚焦值)的关系的一例的曲线图。对图5与图6进行比较可知，在图6中，最接近于线宽H0的线是与图5所示曝光量为Ei的线不同的曝光量为Ei+1的线。即，用于形成形状精度较高的抗蚀剂图形的最佳的曝光量与聚焦值的组合、和用于形成形状精度较高的刻蚀图形的最佳的曝光量与聚焦值的组合产生差异。
参照图7A～7D简单地说明产生这种差异的原因。图7A～7D是表示抗蚀剂图形的剖面形状与刻蚀图形的剖面形状的关系的例子的图。
如图7A所示，在抗蚀剂图形61a为矩形、对刻蚀气氛表现出良好的耐受性的情况下，可得到与抗蚀剂图形61a的线宽H相等的线宽W的刻蚀图形62a。与此相对，如图7B所示，在抗蚀剂图形61b为矩形、但对刻蚀气氛的耐受性较低的情况下，在刻蚀处理时由于抗蚀剂图形61b受到侵蚀，所以，刻蚀图形62b的线宽W比最初的抗蚀剂图形61b的线宽H窄。并且，如图7C所示，如果抗蚀剂图形61c为梯形，则刻蚀图形62c的线宽W比抗蚀剂图形61c的线宽H宽，反之，如图7D所示，如果抗蚀剂图形61d为倒梯形，则刻蚀图形62d的线宽W比抗蚀剂图形61d的线宽H窄。
这样，刻蚀图形的线宽受抗蚀剂图形的形状的影响很大，若未恰当地进行抗蚀剂膜的曝光，则难以得到良好的刻蚀图形。因此，在步骤5、6中测定抗蚀剂图形的形状以得到与曝光参数相关联的数据，这对于使刻蚀图形的线宽落在允许尺寸范围内的情况也是有益的。
这样，在步骤10中如果求得与刻蚀图形的线宽相关的数据，则综合计算机11决定要得到所希望形状的刻蚀图形所需的曝光量和聚焦值的组合的范围(以下称为“管理范围”)(步骤11)。
该步骤11以如下方式进行。
首先，由于作为目标的刻蚀图形的线宽有固定的允许宽度，所以，将该宽度定为δ0。于是，刻蚀图形的线宽只要在H0±δ0的范围内即可。该刻蚀图形的允许范围是图6中用阴影线表示的区域。该区域为管理范围。
这样，对曝光量和聚焦值的组合设置管理范围，在该管理范围内决定应用于实际曝光处理的曝光量和聚焦值的组合，由此，能够容易地得到属于允许尺寸范围的刻蚀图形。由此，可抑制因刻蚀处理造成的不合格品的产生。
并且，在上述说明中，仅以刻蚀图形的线宽为基准决定了曝光量和聚焦值的组合的管理范围，但是，如上所述，根据散射测量技术不仅可求得线宽，也可求得底宽或斜度，所以，最初如上述那样以刻蚀图形的线宽求得最初的管理范围，然后以底宽使管理范围缩小，并且以图形的斜度使管理范围缩小，以此求得曝光量和聚焦值的组合的最终的管理范围亦可。
另外，在上述说明中，使用1枚测试晶片W决定曝光量和聚焦值的组合的管理范围，但是，也可准备2枚测试晶片W，其中1枚在进行步骤1～5的处理后被保管起来，剩下的1枚在进行步骤1～4以及步骤7～11的处理(即，未测定抗蚀剂图形的形状)后被保管起来。这是因为，在2枚测试晶片W上分别形成的抗蚀剂图形的形状实质上可视作相同，这样，保管测试晶片W，由此，可作为以后需要进行晶片处理系统的再调整时的参考。
在作为产品的晶片的处理开始前进行上述步骤1～11的步骤。因而，在步骤11结束后才进行实际的产品晶片的处理，但是，由于刻蚀室的清洁处理、被刻蚀膜的性能变化、抗蚀剂膜的性能变化、曝光装置或抗蚀剂涂敷、显影处理装置的维护等的产品晶片的制造环境随时间的变化，抗蚀剂图形的线宽超出允许尺寸范围以外，为了解决这一问题，往往需要改变曝光量和聚焦值。以下，参照图8所示的流程图，说明此时的调整方法。
如果由步骤11决定了曝光量和聚焦值的组合的管理范围，则在该管理范围内决定最容易得到希望的线宽的刻蚀图形的条件、曝光量和聚焦值的组合(步骤12)。图9是将步骤11中所求得的管理范围用于图4的图，该图9中的斜线区域为管理范围。在步骤12中，例如，可将该管理范围的大致中心处的曝光量和聚焦值的组合定为对产品晶片W曝光时的初始设定值。
这样，如果决定了曝光量和聚焦值，则准备形成有被刻蚀膜的产品晶片W(步骤13)，在被刻蚀膜上形成抗蚀剂膜(步骤14)，以所决定的曝光量和聚焦值用预定的产品图形对所形成的抗蚀剂膜进行曝光(步骤15)、显影(步骤16)。使用这样形成的抗蚀剂图形作为刻蚀掩模，对被刻蚀膜进行刻蚀，形成刻蚀图形(步骤17)，然后，剥离抗蚀剂图形(步骤18)。这样，对形成有刻蚀图形的产品晶片W而言，例如，按照每个以多枚为1个单位的批次，或者按照预定的枚数，用第二线宽测定装置(ODP-2)17测定所形成的刻蚀图形的线宽(步骤19)。
由于形成在产品晶片W上的刻蚀图形的线宽存在应当允许的尺寸范围，所以，接着判断线宽是否在允许范围内(步骤20)。如果该线宽为允许范围，则返回到步骤13，继续产品晶片W的处理。在该线宽在该允许尺寸范围以外的情况下，综合计算机11需要改变曝光量和聚焦值，以使形成在产品晶片W上的刻蚀图形的线宽落在允许尺寸范围内。
例如，在刻蚀图形的线宽比允许尺寸范围宽的情况下，若使用先前所示的图6进行说明，认为图6所示的各曲线向上侧移动。因此可认为，例如，将曝光量从最初的Ei+1改变为Ei或Ei-1，甚至Ei-1的下侧，由此，可使刻蚀图形的线宽落在允许尺寸范围内。
但是，在这样改变后的曝光量和聚焦值的组合处于在步骤11中所求得的管理范围外的情况下，认为没有适当地进行曝光处理，从保证产品晶片W的品质的观点看是不好的。
因此，当在步骤19中所测定的线宽在允许尺寸范围外时，判断能否通过在由步骤11中所求得的管理范围内改变曝光量和聚焦值的组合而使刻蚀图形的线宽落在允许尺寸范围内(步骤21)。
通过在管理范围内改变曝光量和聚焦值的组合可使刻蚀图形的线宽落在允许尺寸范围内的情况下，综合计算机11就这样自动改变曝光量和聚焦值的组合(步骤22)。该方法主要在开始产品晶片W的处理后初次改变曝光量和聚焦值的情况等、改变次数较少的情况下使用。并且，步骤管理人员也能够以手动改变曝光量和聚焦值的组合(通过数据输入输出部32决定新的曝光量和聚焦值的组合)。
这样，如果决定了新的曝光量和聚焦值的组合，则曝光装置13根据来自综合计算机11的指令，从以下处理的产品晶片W开始以该新的曝光量和聚焦值进行曝光处理(步骤23)，其后，对经显影、刻蚀、抗蚀剂图形剥离而形成在产品晶片W上的刻蚀图形的线宽进行测定(步骤24)。然后，判断线宽是否在允许范围内(步骤25)。如果此处测得的线宽在允许尺寸范围内，则返回到步骤13，接着继续处理产品晶片W。另一方面，在测得的线宽在允许尺寸范围外的情况下，例如，综合计算机11停止曝光装置13的工作，发出警报(步骤26)。在发出了警报的情况下，步骤管理人员采取应对措施，以便可检查产品晶片W的刻蚀图形，并且检查晶片处理系统，对产品晶片W进行处理。
另一方面，在步骤21中，在判断为不能通过在管理范围内改变曝光量和聚焦值的组合使刻蚀图形的线宽落在允许尺寸范围内的情况下，暂且将曝光装置13的曝光量和聚焦值调整为管理范围之外的新的曝光量和聚焦值(步骤27)。
这样，通过在管理范围内改变曝光量和聚焦值的组合也不能使刻蚀图形的线宽落在允许尺寸范围内，产生此情况的原因如下。
如上所述，当通过在管理范围内改变曝光量和聚焦值的组合可使刻蚀图形的线宽落在允许尺寸范围内时，若在步骤22中改变曝光量和聚焦值，例如，曝光量和聚焦值的组合从最初设定的图9的斜线区域的中心移动到斜线区域内的外侧。因此，若重复这样的改变，则会产生新的曝光量和聚焦值的组合偏离管理范围的情况。
此时，在步骤27中，暂且将曝光装置13调整为处于管理范围之外的新的曝光量和聚焦值，这是因为存在如下情况：为了防止因使晶片处理系统停止而造成的生产下降，以所设定的新的曝光量和聚焦值可充分地进行对产品晶片W的处理。
这样，在调整为新的曝光量和聚焦值后，在这样新的条件下，以产品图形对其它产品晶片W进行曝光、显影，检查所得到的抗蚀剂图形的形状(线宽)(步骤28)。
在此处，为了使其后所形成的刻蚀图形的线宽落在允许尺寸范围内，抗蚀剂图形的线宽必须落在固定的允许尺寸范围内。因此，判断在步骤28中所得到的抗蚀剂图形的线宽是否在允许尺寸范围内(步骤29)。当在允许范围内时，根据先前形成在测试衬底上的抗蚀剂图形的形状、测试图形的目标尺寸以及水平曝光中的曝光量和聚焦值的组合，决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围，设定新的曝光量和聚焦值的管理范围(步骤30)。然后，返回到步骤13，以所设定的新的曝光量和聚焦值的组合继续对产品晶片W进行处理。
另一方面，在抗蚀剂图形的线宽在固定的尺寸范围外的情况下，中止产品晶片W的处理，使用新的测试衬底再次进行从步骤1至步骤11的处理，决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围(步骤31)。由此，可重新开始步骤12以后的处理。
并且，在进行该步骤31的处理的情况下，最好预先对从形成被刻蚀膜或形成抗蚀剂膜至刻蚀处理后的抗蚀剂图形剥离的一系列的处理中所用的装置进行检查。由此，到其后的系统检查的时间变长，可抑制其间的处理条件的变动，容易使产品晶片W的品质维持恒定。
然后，参照图10所示的流程图，说明调整曝光装置13以使在用晶片处理系统制造产品时可抑制刻蚀处理的晶片W面内的形状分散性、在晶片W面内的全部拍摄中得到所希望的刻蚀图形形状的方法。
最初，以与先前所说明的图3所示的步骤1～6相同的过程进行对测试晶片形成被刻蚀膜(步骤101)、形成抗蚀剂膜(步骤102)、使用形成有测试图形的光掩模的水平曝光(步骤103)、显影处理(步骤104)、用散射测量技术测定抗蚀剂图形的形状(步骤105)、水平曝光中所用的曝光量和聚焦值的组合与抗蚀剂图形的形状数据的链接(步骤106)。
然后，准备形成有被刻蚀膜的产品晶片W(步骤107)，形成抗蚀剂膜(步骤108)，使用形成有用于产品制造的图形的光掩模以在经验上不产生产品不良的有效的某个曝光量和聚焦值的组合进行曝光(步骤109)、显影(步骤110)，以所形成的抗蚀剂图形为刻蚀掩模进行刻蚀(步骤111)，对抗蚀剂图形进行剥离处理(步骤112)，通过散射测量技术测定所形成的刻蚀图形的形状(步骤113)。
然后，判断在该步骤113中所得到的刻蚀图形的线宽在产品晶片W的整个面内是否落在允许范围内(步骤114)。当线宽在产品晶片W的整个面内落在允许范围内时，返回到步骤107，继续进行产品晶片W的处理。
与此相对，容易产生如下情况：在步骤113中所得到的刻蚀图形的线宽在产品晶片W的一部分上落在允许范围内，但是，一部分在允许范围外。例如，在等离子体刻蚀处理中，在经验上，可看到线宽在晶片W的中心部比外围部细的趋势。即，刻蚀图形的线宽呈现环状的分布。因此，当在整个面内线宽不在允许尺寸范围内时，即，刻蚀图形的线宽在产品晶片W的中心部落在允许范围内而在外围部则在允许范围外的情况下，作为第一方法，有改变产品晶片W的外围部的曝光量和聚焦值的方法(步骤115)。另外，作为第二方法，有改变产品晶片W整体的曝光量和聚焦值的方法(步骤116)。但是，第二方法的前提是：在与产品晶片W的外围部的曝光量和聚焦值的改变一致地在产品晶片W整体上改变曝光量和聚焦值时，可使产品晶片W的中心部中的线宽限于允许范围内。通过选取其中的某一种，在产品晶片W整体上可使刻蚀图形的线宽落在允许范围内。
在这样的曝光量和聚焦值的改变中利用先前所进行的测试晶片W的评价结果。上述刻蚀图形的线宽在产品晶片W的中心部落在允许范围内而在外围部则在允许范围外的情况下，由于与所希望的线宽相比，产品晶片W的外围部的线宽较宽，所以，在使用第一方法的情况下，首先查看以与对产品晶片W所使用的以前的曝光量以及聚焦值相同的曝光量以及聚焦值进行曝光后的测试晶片W内的区域，选出可得到比该曝光区域(拍摄)的抗蚀剂图形的线宽细的线宽的曝光量以及聚焦值。而且，在产品晶片W的曝光处理时，用以前的曝光量和聚焦值对产品晶片W的中心部进行曝光，改变为该新的曝光量和聚焦值对外围部进行曝光。由此，可使产品晶片W整体的抗蚀剂图形的线宽落在允许范围内。
在该第一方法中，也可按照每1次拍摄曝光改变曝光量和聚焦值。由此，可在产品晶片W面内得到线宽均匀性更优良的刻蚀图形。
另外，在使用上述第二方法的情况下，查看以与对产品晶片W所应用的以前的曝光量以及聚焦值相同的曝光量以及聚焦值进行曝光后的测试晶片W内的区域，选出线宽比该曝光区域(拍摄)的抗蚀剂图形的线宽窄而且以该曝光量和聚焦值对产品晶片W的中心部进行曝光时也可使所得到的刻蚀图形的线宽落在允许范围内的曝光量和聚焦值的组合。然后，仅以所选出的新的曝光量和聚焦值进行产品晶片W的曝光。通过该方法也可使产品晶片W整体的抗蚀剂图形的图形的线宽落在允许范围内。该第二方法主要可用于每次曝光拍摄时的抗蚀剂图形的线宽之差较小的情况。
在这些第一方法、第二方法中的任意一种方法中，通过步骤管理人员的判断、步骤管理人员或者技术人员所设计的系数模型进行曝光量和聚焦值的改变。
并且，以上所说明的实施方式始终意在阐明本发明的技术性的内容，本发明并非仅限定于这样的具体例子来进行解释，在本发明的宗旨和技术方案所述的范围内，可进行各种变更并进行实施。
例如，作为刻蚀装置，不限于1台，也可用多台刻蚀装置，或者也可用具有多个刻蚀室的刻蚀装置。另外，同样地，对于抗蚀剂涂敷、显影处理装置，也不限于1台，也可设置多台，另外，设置多个抗蚀剂涂敷单元以及多个显影单元亦可。在这样的情况下，在刻蚀装置间或者刻蚀室间，并且在抗蚀剂涂敷、显影处理装置间或者抗蚀剂涂敷单元或显影单元间存在个体差异，有时会产生不能根据常规的装置的运行条件设定来掌握的处理条件的分散性。在这样的情况下，对全部的处理部分别设置ID，综合计算机在全部ID的组合中设定与光刻处理条件对应的管理范围，为了得到所希望形状的刻蚀图形，优选按照这些管理范围中的每一个改变曝光量和聚焦值的组合。
并且，通过积累与这种改变相关的数据并加以运用，由此，可提高改变曝光量和聚焦值的组合的定时(timing)和精度，以保持刻蚀图形的形状恒定。
另外，在上述实施方式中，示出了将本发明应用于半导体晶片的情况，但是，对以液晶显示装置为代表的FPD(平板显示器)用的玻璃衬底等其它衬底，也可应用本发明。
工业上的可利用性
本发明适合于在半导体装置或FPD的制造中要求较高的线宽精度的情况。

Claims (17)

1.一种曝光条件设定方法，具有如下步骤：
在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，用预定的测试图形对上述抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形；
通过散射测量技术测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状；
使用形成有上述抗蚀剂图形的抗蚀剂膜作为刻蚀掩模，对上述被刻蚀层进行刻蚀，从上述衬底上剥离上述抗蚀剂膜，在上述多个部位形成刻蚀图形；
通过散射测量技术测定上述多个部位的刻蚀图形的形状；
根据对上述多个部位进行逐次曝光时的上述各部位的曝光量以及聚焦值的组合、上述多个部位的上述抗蚀剂图形的形状测定结果和上述多个部位的上述刻蚀图形的形状测定结果，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。
2.如权利要求1的曝光条件设定方法，其特征在于，具有如下步骤：
在决定上述管理范围后，决定上述管理范围内的一组曝光量和聚焦值的组合；
在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，根据上述所决定的曝光量和聚焦值以预定的产品图形对该抗蚀剂膜进行曝光、显影，对上述被刻蚀层进行刻蚀，剥离上述抗蚀剂膜，形成刻蚀图形；
通过散射测量技术测定上述刻蚀图形的形状；
判断上述刻蚀图形的形状是否在预定的允许尺寸范围内；
在上述刻蚀图形的形状在上述允许尺寸范围之外的情况下，决定属于上述管理范围的新的曝光量和聚焦值的组合，以使其后处理的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内。
3.如权利要求1的曝光条件设定方法，其特征在于，具有如下步骤：
在决定上述管理范围后，决定上述管理范围内的一组曝光量和聚焦值的组合；
在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，根据上述所决定的曝光量和聚焦值，以预定的产品图形对该抗蚀剂膜进行曝光、显影，对上述被刻蚀层进行刻蚀，剥离上述抗蚀剂膜，形成刻蚀图形；
通过散射测量技术测定上述刻蚀图形的形状；
判断上述刻蚀图形的形状是否在预定的允许尺寸范围内；
若形成在上述产品衬底上的刻蚀图形的形状在预定的允许尺寸范围之外、而且要改变曝光量和聚焦值以使其后处理的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内时，在该新的曝光量和聚焦值的组合在上述管理范围之外的情况下，以该新的曝光量和聚焦值使用上述产品图形对上述另外的产品衬底进行曝光、显影，测定所得到的抗蚀剂图形的形状；
在上述抗蚀剂图形的形状在预定的尺寸范围内的情况下，根据上述测试图形的目标尺寸、形成在上述测试衬底上的抗蚀剂图形的形状、以及上述逐次曝光中所使用的曝光量与聚焦值的组合，决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围；
在上述抗蚀剂图形的形状在上述尺寸范围外的情况下，再执行用于使用新的测试衬底决定曝光量与聚焦值的组合的新的管理范围的一系列处理。
4.如权利要求3的曝光条件设定方法，其特征在于，
在使用上述新的测试衬底决定新的管理范围的情况下，在新的测试衬底的处理之前，对从形成抗蚀剂膜至刻蚀处理后的抗蚀剂图形剥离的一系列处理中所使用的装置进行检查。
5.如权利要求1的曝光条件设定方法，其特征在于，
上述多个部位构成以曝光量和聚焦值为要素的矩阵。
6.如权利要求1的曝光条件设定方法，其特征在于，
上述图形的测定对象包括图形的线宽。
7.一种衬底处理装置，其具有：曝光处理部，以预定的图形对形成在具有被刻蚀层的衬底的该被刻蚀层上的抗蚀剂膜进行曝光；图形形状测定部，通过散射测量技术测定抗蚀剂图形的形状和刻蚀图形的形状；以及控制部，控制上述曝光处理部和上述图形形状测定部，其特征在于，上述控制部根据如下内容决定为了得到所希望的刻蚀图形所允许的曝光量与聚焦值的组合的管理范围，即：用上述图形形状测定部测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状的结果，该多个部位的抗蚀剂图形的形状是分别改变曝光量和聚焦值并以预定的测试图形对形成在衬底上的抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影而得到的；用上述图形形状测定部测定上述多个部位的刻蚀图形的形状的结果，该多个部位的刻蚀图形的形状是通过以形成有上述抗蚀剂图形的抗蚀剂膜为刻蚀掩模对上述被刻蚀层进行刻蚀而形成的；以及对上述多个部位逐次曝光时的上述各部位的曝光量和聚焦值的组合。
8.如权利要求7的衬底处理装置，其特征在于，
当形成在以上述管理范围内的一组曝光量和聚焦值的组合进行曝光后的产品衬底上的刻蚀图形的形状在预定的允许尺寸范围之外时，上述控制部决定属于上述管理范围的新的曝光量和聚焦值的组合，以使其后进行的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内。
9.如权利要求7的衬底处理装置，其特征在于，
当形成在使用上述管理范围内的一组曝光量和聚焦值的组合进行曝光后的产品衬底上的刻蚀图形的形状在预定的允许尺寸范围之外、而且要改变曝光量和聚焦值以使其后处理的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内时，在该新的曝光量和聚焦值的组合在上述管理范围之外的情况下，上述控制部控制上述曝光处理部，以使以该新的曝光量和聚焦值对上述另外的产品衬底进行曝光，
在以新的曝光量和聚焦值进行曝光处理后的另外的产品衬底上所形成的抗蚀剂图形的形状落在预定的尺寸范围内的情况下，根据形成在上述逐次曝光后的衬底上的抗蚀剂图形的形状、形成该抗蚀剂图形所使用的光掩模的目标尺寸、以及上述逐次曝光所使用的曝光量与聚焦值的组合，决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围。
10.如权利要求7的衬底处理装置，其特征在于，
上述图形形状测定部具有测定抗蚀剂图形的形状的第一测定部和测定刻蚀图形的形状的第二测定部。
11.一种计算机程序，该计算机程序使计算机控制衬底处理装置，其中，该衬底处理装置具有：曝光处理部，以预定的图形对形成在衬底上的抗蚀剂膜进行曝光；以及图形形状测定部，通过散射测量技术测定抗蚀剂图形的形状和刻蚀图形的形状，其特征在于，
该计算机程序包含使计算机控制上述衬底处理装置的软件，以执行具有如下步骤的处理：
在执行时，
在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对该抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形；
通过散射测量技术测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状；
使用形成有上述抗蚀剂图形的抗蚀剂膜作为刻蚀掩模，对上述被刻蚀层进行刻蚀，从上述衬底上剥离上述抗蚀剂膜，在上述多个部位形成刻蚀图形；
通过散射测量技术测定上述多个部位的刻蚀图形的形状；
根据对上述多个部位进行逐次曝光时的上述各部位的曝光量与聚焦值的组合、上述多个部位的上述抗蚀剂图形的形状测定结果、上述多个部位的上述刻蚀图形的形状测定结果，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。
12.如权利要求11的计算机程序，其特征在于，
上述处理还具有如下步骤：
在决定上述管理范围后，决定上述管理范围内的一组曝光量和聚焦值的组合；
在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，根据上述所决定的曝光量和聚焦值，以预定的产品图形对该抗蚀剂膜进行曝光、显影，对上述被刻蚀层进行刻蚀，剥离上述抗蚀剂膜，形成刻蚀图形；
通过散射测量技术测定上述刻蚀图形的形状；
判断上述刻蚀图形的形状是否在预定的允许尺寸范围内；
当上述刻蚀图形的形状在上述允许尺寸范围之外的情况下，决定属于上述管理范围的新的曝光量和聚焦值的组合，以使其后处理的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内。
13.如权利要求11的计算机程序，其特征在于，
上述处理还具有如下步骤：
在决定了上述管理范围后，决定上述管理范围内的一组曝光量和聚焦值的组合；
在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，根据上述所决定的曝光量和聚焦值，以预定的产品图形对该抗蚀剂膜进行曝光、显影，对上述被刻蚀层进行刻蚀，剥离上述抗蚀剂膜，形成刻蚀图形；
通过散射测量技术测定上述刻蚀图形的形状；
判断上述刻蚀图形的形状是否在预定的允许尺寸范围内；
当形成在上述产品衬底上的刻蚀图形的形状在预定的允许尺寸范围之外、而且要改变曝光量和聚焦值以使其后处理的另外的产品衬底上所形成的刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内时，在该新的曝光量和聚焦值的组合在上述管理范围之外的情况下，以该新的曝光量和聚焦值使用上述产品图形对上述另外的产品衬底进行曝光、显影，测定所得到的抗蚀剂图形的形状；
当上述抗蚀剂图形的形状在预定的尺寸范围内时，根据上述测试图形的目标尺寸、形成在上述测试衬底上的抗蚀剂图形的形状、以及上述逐次曝光所用的曝光量和聚焦值的组合，决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围；
在上述抗蚀剂图形的形状在上述尺寸范围外的情况下，再执行用于使用新的测试衬底决定曝光量和聚焦值的组合的新的管理范围的一系列处理。
14.一种曝光条件设定方法，具有如下步骤：
在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对上述抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形；
通过散射测量技术测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状；
在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，以预定的产品图形，用预定的曝光量和聚焦值对上述抗蚀剂膜进行曝光、显影、刻蚀，通过散射测量技术测定除去上述抗蚀剂膜后所得到的刻蚀图形的形状；
在上述刻蚀图形之中存在其形状在允许尺寸范围外的区域的情况下，根据对上述测试衬底的上述多个部位进行逐次曝光时的上述备部位的曝光量和聚焦值的组合、以及形成在上述测试衬底上的抗蚀剂图形的形状测定数据，改变用于对上述产品衬底进行曝光的曝光量和聚焦值的组合，以使全部刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内。
15.如权利要求14的曝光条件设定方法，其特征在于，
对上述刻蚀图形的形状在上述允许尺寸范围外的区域应用新的曝光量和聚焦值的组合；对上述刻蚀图形的形状在允许尺寸范围内的区域应用以前的曝光量和聚焦值的组合。
16.一种计算机程序，该计算机程序使计算机控制衬底处理装置，其中，该衬底处理装置具有：曝光处理部，以预定的图形对形成在衬底上的抗蚀剂膜进行曝光；图形形状测定部，通过散射测量技术测定抗蚀剂图形的形状和刻蚀图形的形状，其特征在于，
该计算机程序包含使计算机控制上述衬底处理装置的软件，以执行具有如下步骤的处理：
在执行时，
在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对上述抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形；
通过散射测量技术测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状；
在具有被刻蚀层的产品衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，以预定的产品图形按预定的曝光量和聚焦值对上述抗蚀剂膜进行曝光、显影、刻蚀，通过散射测量技术测定除去上述抗蚀剂膜所得到的刻蚀图形的形状；
在上述刻蚀图形之中存在其形状在允许尺寸范围外的区域的情况下，根据对上述测试衬底的上述多个部位进行逐次曝光时的上述各部位的曝光量和聚焦值的组合、以及形成在上述测试衬底上的抗蚀剂图形的形状测定数据，改变用于对上述产品衬底进行曝光的曝光量和聚焦值的组合，以使全部刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内。
17.如权利要求16的计算机程序，其特征在于，
对上述刻蚀图形的形状在上述允许尺寸范围外的区域应用新的曝光量和聚焦值的组合；对上述刻蚀图形的形状在允许尺寸范围内的区域应用以前的曝光量和聚焦值的组合。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101278375B (zh) * 2005-11-16 2010-12-22 株式会社尼康 基板处理方法、光掩膜的制造方法及光掩膜、以及元件制造方法
KR100919802B1 (ko) * 2006-12-28 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 다중 노광 방법
JP5270109B2 (ja) * 2007-05-23 2013-08-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JP5258082B2 (ja) * 2007-07-12 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2009055817A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Tokai Univ 細胞運命の解析方法
NL1036098A1 (nl) * 2007-11-08 2009-05-11 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus lithographic, processing cell and device manufacturing method.
CN101459048B (zh) * 2007-12-13 2010-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 获得刻蚀工艺试片线宽的方法及刻蚀方法
JP5065082B2 (ja) * 2008-02-25 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
WO2009143200A2 (en) * 2008-05-21 2009-11-26 Kla-Tencor Corporation Substrate matrix to decouple tool and process effects
JP5398318B2 (ja) * 2009-03-24 2014-01-29 株式会社東芝 露光装置および電子デバイスの製造方法
US7845868B1 (en) * 2009-09-09 2010-12-07 Nanya Technology Corporation Apparatus for semiconductor manufacturing process
CN102200696B (zh) * 2011-05-27 2014-10-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 利用聚焦与曝光量矩阵确定最佳光刻工艺参数的方法
JP6036439B2 (ja) * 2013-03-21 2016-11-30 豊田合成株式会社 代替半導体基板、代替半導体基板の製造方法および露光条件の設定方法
WO2016142169A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-15 Asml Netherlands B.V. Focus-dose co-optimization based on overlapping process window
US10551165B2 (en) * 2015-05-01 2020-02-04 Adarza Biosystems, Inc. Methods and devices for the high-volume production of silicon chips with uniform anti-reflective coatings
JP6537992B2 (ja) * 2016-03-30 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
JP6541618B2 (ja) * 2016-05-25 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
WO2017212035A1 (en) * 2016-06-10 2017-12-14 Imec Vzw Metrology method and apparatus for a semiconductor manufacturing process
CN107908082B (zh) * 2017-12-29 2020-08-28 武汉华星光电技术有限公司 曝光机的曝光量自动调节系统及方法
CN108987349A (zh) * 2018-07-25 2018-12-11 信利（惠州）智能显示有限公司 传片基板保护方法
JP7291515B2 (ja) * 2019-03-27 2023-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、記憶媒体及び基板処理システムの制御装置
CN112213922B (zh) * 2019-07-09 2022-11-01 芯恩（青岛）集成电路有限公司 一种光刻曝光条件的设定方法
CN110632829A (zh) * 2019-10-31 2019-12-31 上海华力集成电路制造有限公司 光刻工艺方法
CN111366115B (zh) * 2020-03-18 2022-08-12 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种激光器波导宽度的测量方法
CN114063392B (zh) * 2020-08-05 2023-06-09 长鑫存储技术有限公司 准确获取光刻参数的方法
EP3979003B1 (en) 2020-08-05 2023-01-18 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for accurately acquiring lithographic parameter

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965309A (en) * 1997-08-28 1999-10-12 International Business Machines Corporation Focus or exposure dose parameter control system using tone reversing patterns
US6643557B1 (en) 2000-06-09 2003-11-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for using scatterometry to perform feedback and feed-forward control
US6625512B1 (en) 2000-07-25 2003-09-23 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for performing final critical dimension control
KR100811964B1 (ko) 2000-09-28 2008-03-10 동경 엘렉트론 주식회사 레지스트 패턴 형성장치 및 그 방법
US6625497B2 (en) * 2000-11-20 2003-09-23 Applied Materials Inc. Semiconductor processing module with integrated feedback/feed forward metrology
JP2002260994A (ja) 2001-03-05 2002-09-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3906035B2 (ja) * 2001-03-29 2007-04-18 株式会社東芝 半導体製造装置の制御方法
US7382447B2 (en) * 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
JP2003059990A (ja) 2001-08-17 2003-02-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP4302965B2 (ja) 2002-11-01 2009-07-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスの製造方法及びその製造システム
US7352453B2 (en) * 2003-01-17 2008-04-01 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for process optimization and control by comparison between 2 or more measured scatterometry signals
JP4090986B2 (ja) 2003-12-24 2008-05-28 東京エレクトロン株式会社 線幅測定方法，基板の処理方法及び基板の処理装置
US7553678B2 (en) * 2006-03-17 2009-06-30 United Microelectronics Corp. Method for detecting semiconductor manufacturing conditions

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