JP2004012365A - 基板検査システムおよび基板検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】マクロ検査とミクロ検査とを効率良く運用できる基板検査システムおよび基板検査方法を提供する。
【解決手段】被検査基板14に対するマクロ検査を実施して、被検査基板のマクロ欠陥を検出し、マクロ欠陥の分布情報15を出力する自動マクロ検査装置11と、この装置から出力された分布情報15を記憶する記憶装置12と、被検査基板に対するミクロ検査を実施して、ミクロ欠陥を検出するミクロ検査装置13とを備える。ミクロ検査装置は、ミクロ検査を実施する前に、記憶装置に記憶された分布情報15を参照して、被検査基板のうちマクロ欠陥が分布している領域ではミクロ検査の実施を省略する。
【選択図】 図1
【解決手段】被検査基板14に対するマクロ検査を実施して、被検査基板のマクロ欠陥を検出し、マクロ欠陥の分布情報15を出力する自動マクロ検査装置11と、この装置から出力された分布情報15を記憶する記憶装置12と、被検査基板に対するミクロ検査を実施して、ミクロ欠陥を検出するミクロ検査装置13とを備える。ミクロ検査装置は、ミクロ検査を実施する前に、記憶装置に記憶された分布情報15を参照して、被検査基板のうちマクロ欠陥が分布している領域ではミクロ検査の実施を省略する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体回路素子や液晶表示素子の製造工程において基板を検査する基板検査システムおよび基板検査方法に関し、特に、リソグラフィー工程後の検査に好適な基板検査システムおよび基板検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体回路素子や液晶表示素子の製造工程では、製造工程の時間的変動を監視したり、製造工程で発生した再生可能な不良品を検出したり、再生不可能な不良品を除去したりするために、基板(IC製造用のウエハや液晶製造用のガラス基板など)に対して様々な検査が実施されている。
【0003】
製造工程における様々な検査を大別すると、マクロ検査とミクロ検査とに分けることができる。マクロ検査とミクロ検査とは、基板の中で実際に検査を実施する領域の面積の比率(検査面積率)が大きく異なり、また、検査対象物のサイズや要求される検査精度も大きく異なる。
マクロ検査は、検査面積率が4%〜100%であり、検査対象物のサイズが数100μm以上である。つまり、肉眼で見える程度の巨視的な欠陥(例えば異物やレジストパターンの傷など)を広い領域で検査するものである。これに対し、ミクロ検査は、検査面積率が10−8%程度であり、検査精度が100nm〜10nm以下である。つまり、肉眼では見ることのできない微視的な欠陥(例えばレジストパターンの線幅の異常など)をごく狭い領域で検査するものである。
【0004】
このため、マクロ検査とミクロ検査の各々の利点を生かし、マクロ検査は、基板の広い領域で検査したいときに、ミクロ検査は、基板を微細に検査したいときに、個別に実施されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来技術では、マクロ検査とミクロ検査が個別に実施されるため、マクロ検査とミクロ検査の組み合わせによる1つの基板検査システムを考えたときに、この基板検査システムの中でマクロ検査とミクロ検査が効率的に運用されているとは限らなかった。
【0006】
本発明の目的は、マクロ検査とミクロ検査とを効率良く運用できる基板検査システムおよび基板検査方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の基板検査システムは、被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報を出力する自動マクロ検査装置と、前記自動マクロ検査装置から出力された前記マクロ欠陥の分布情報を記憶する記憶装置と、前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、ミクロ欠陥を検出するミクロ検査装置とを備え、前記ミクロ検査装置は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶装置に記憶された前記マクロ欠陥の分布情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域では前記ミクロ検査の実施を省略するものである。
【0008】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板検査システムにおいて、前記ミクロ検査装置は、前記被検査基板のうち予め定めたサンプリング領域に対して前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶装置に記憶された前記マクロ欠陥の分布情報を参照して、前記マクロ欠陥が分布している領域と重なる前記サンプリング領域では、前記マクロ欠陥が分布している領域以外の代替領域にて前記ミクロ検査を実施するものである。
【0009】
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の基板検査システムにおいて、前記ミクロ検査装置は、前記被検査基板の表面に形成されているレジストパターンと下地パターンとの相対的なずれを測定することにより、前記ミクロ検査を実施するものである。
請求項4に記載の発明は、被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報および分類情報を出力する自動マクロ検査装置と、前記自動マクロ検査装置から出力された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を記憶する記憶装置と、前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、前記マクロ欠陥に関連のあるミクロ欠陥を検出するミクロ検査装置とを備え、前記ミクロ検査装置は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶装置に記憶された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域で前記ミクロ検査を実施するか否かを決定するものである。
【0010】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の基板検査システムにおいて、前記ミクロ検査装置は、前記分類情報に含まれている前記マクロ欠陥の種類と当該ミクロ検査装置で検出可能な欠陥の種類との関連の度合いに応じて、前記ミクロ検査を実施するか否かを決定するものである。
請求項6に記載の発明は、請求項4または請求項5に記載の基板検査システムにおいて、前記ミクロ検査装置は、前記被検査基板の表面に形成されているレジストパターンの線幅を測定することにより、前記ミクロ検査を実施するものである。
【0011】
請求項7に記載の発明は、被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報を出力する自動マクロ検査工程と、前記自動マクロ検査工程により出力された前記マクロ欠陥の分布情報を記憶する記憶工程と、前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、ミクロ欠陥を検出するミクロ検査工程とを備え、前記ミクロ検査工程は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶工程で記憶された前記マクロ欠陥の分布情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域では前記ミクロ検査の実施を省略するものである。
【0012】
請求項8に記載の発明は、被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報および分類情報を出力する自動マクロ検査工程と、前記自動マクロ検査工程により出力された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を記憶する記憶工程と、前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、前記マクロ欠陥に関連のある種類のミクロ欠陥を検出するミクロ検査工程とを備え、前記ミクロ検査工程は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶工程で記憶された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域で前記ミクロ検査を実施するか否かを決定するものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。
(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態について説明する。第1実施形態は、請求項1〜請求項3,請求項7に対応する。
【0014】
第1実施形態の基板検査システム10は、図1に示すように、自動マクロ検査装置11と検査データ記憶装置12と重ね合わせ測定装置13とで構成され、自動マクロ検査装置11と検査データ記憶装置12とが不図示の通信手段を介して接続され、同様に、検査データ記憶装置12と重ね合わせ測定装置13も不図示の通信手段を介して接続され、全体としてネットワークを形成している。
【0015】
この基板検査システム10は、半導体回路素子の製造工程において、製造工程の時間的変動を監視したり、製造工程で発生した再生可能な不良品を検出したり、再生不可能な不良品を除去したりするために、IC製造用のウエハ14に対してマクロ検査とミクロ検査とを実施するものである(詳細は後述する)。
また、基板検査システム10における検査対象のウエハ14(被検査基板)は、図2のステップS1に示すリソグラフィー工程を経た後の状態にある。ちなみに、リソグラフィー工程では、ウエハ14の表面にレジスト膜が塗布され、このレジスト膜にマスク(レチクル)の回路パターンが露光され、さらに、レジスト膜の露光部分または未露光部分が現像される。このため、リソグラフィー工程後のウエハ14は、その表面にレジストパターンが形成された状態となっている。
【0016】
そして、基板検査システム10では、リソグラフィー工程によりレジストパターンが表面に形成されたウエハ14に対して、図2のステップS2→S3に示す順序で検査を実施する。このとき、ウエハ14は、不図示の搬送手段によって、まず初めに自動マクロ検査装置11へ搬送され、その次に重ね合わせ測定装置13へ搬送される。
【0017】
詳細は後述するが、自動マクロ検査装置11は、図2のステップS2に示すマクロ検査工程において、ウエハ14に対するマクロ検査を実施する装置である。また、重ね合わせ測定装置13は、ステップS3の重ね合わせ測定工程において、ウエハ14に対するミクロ検査を実施する装置である。すなわち、ウエハ14に対する検査は、マクロ検査→ミクロ検査の順に実施される。
【0018】
さて、自動マクロ検査装置11は、マクロ検査工程(図2のS2)において、ウエハ14の広い領域を照明すると共に、ウエハ14から発生する回折光や反射光などに基づいてウエハ14の像を撮像する(例えば特開平11−72443号公報)。そして、得られたウエハ画像に対して画像処理を行ったり、ウエハ画像の光量をモニタしたりすることで、ウエハ14のマクロ欠陥14a(図3)を自動的に検出する。なお、自動マクロ検査装置11による検査面積率は、4%〜100%である。
【0019】
自動マクロ検査装置11によって検出されるマクロ欠陥14aとは、ウエハ14の表面に付着した異物、レジストパターンの傷、レジスト膜の塗布むら、露光時のデフォーカスによる膜厚むらや断面形状の異常などである。つまり、マクロ欠陥14aは、肉眼で見える程度の巨視的な欠陥である(サイズは数100μm以上)。
【0020】
さらに、自動マクロ検査装置11は、マクロ検査工程(図2のS2)において、検出したマクロ欠陥14aの分布情報を自動的に電子情報化してマクロ欠陥マップ15(図1)を生成し、このマクロ欠陥マップ15を自動的に出力する。マクロ欠陥マップ15には、検出されたマクロ欠陥14aのウエハ14上での座標や面積に関する情報が含まれている。なお、マクロ欠陥マップ15は、各々のウエハ14ごとに生成され、ウエハ番号と共に出力される。
【0021】
次に、検査データ記憶装置12について説明する。検査データ記憶装置12は、自動マクロ検査装置11から出力されたマクロ欠陥マップ15およびウエハ番号を不図示の通信手段を介して取り込み、ウエハ番号に対応する適切なID番号をマクロ欠陥マップ15に付けて記憶するデータサーバである。ID番号は、ウエハ番号からマクロ欠陥マップ15を特定するときに参照される。
【0022】
このようにして、ウエハ14のマクロ欠陥マップ15が検査データ記憶装置12に記憶される一方で、自動マクロ検査装置11によるマクロ検査を終えたウエハ14は、重ね合わせ測定装置13に向けて搬送される。そして、重ね合わせ測定装置13によってウエハ14に対するミクロ検査が実施される(図2のステップS3の重ね合わせ測定工程)。
【0023】
重ね合わせ測定装置13は、ウエハ14のごく狭い領域を照明すると共に、ウエハ14から発生する反射光などに基づいてウエハ14の像を撮像する。そして、得られたウエハ画像に対して画像処理を行うことで、ウエハ14の表面に形成されているレジストパターンと下地パターンとの相対的なずれ(重ね合わせずれ)を自動的に測定する。
【0024】
この場合、レジストパターンの重ね合わせずれの異常が、ウエハ14のミクロ欠陥に対応する。このミクロ欠陥は、肉眼では見ることのできない微視的な欠陥である。なお、重ね合わせ測定装置13の検査精度は、100nm〜10nm以下である。
また、重ね合わせ測定装置13による検査面積率は10−8%程度であり、この検査面積率に応じて経験的に、複数のサンプリング領域13a(図4)がミクロ検査領域として予め用意されている。重ね合わせ測定装置13は、請求項の「ミクロ検査装置」に対応する。
【0025】
さらに、重ね合わせ測定装置13によって検出されるミクロ欠陥の種類(レジストパターンの重ね合わせずれの異常)は、上記した自動マクロ検査装置11によって検出されるマクロ欠陥14aの種類(異物やレジストパターンの傷など)と関連がない。つまり、マクロ欠陥14aが重ね合わせずれの変動に直接的な因果関係をもつことはない。
【0026】
しかし、仮に、重ね合わせ測定装置13によるミクロ検査領域(サンプリング領域13a)にマクロ欠陥14aが存在すると、重ね合わせ測定装置13の測定結果に何らかの変化が生じたり、正常な重ね合わせ測定(ミクロ検査)ができなかったりする。このような事態を避けるため、重ね合わせ測定装置13は、図2のステップS3の重ね合わせ測定工程において、図5の処理(ステップS11〜S15)を順に実行する。
【0027】
重ね合わせ測定装置13は、ウエハ14のサンプリング領域13a(図4)に対して重ね合わせ測定を実施する前に、図5のステップS11において、検査データ記憶装置12に記憶されているウエハ欠陥マップ15を不図示の通信手段を介して取り込む。このとき、ウエハ14のウエハ番号に基づいてマクロ欠陥マップ15のID番号を参照することで、ウエハ14に対応するマクロ欠陥マップ15を特定し、このマクロ欠陥マップ15を取り込む。
【0028】
次に、重ね合わせ測定装置13は、ステップS12に進み、取り込んだマクロ欠陥マップ15を参照して、ウエハ14にマクロ欠陥14aがあるかないかを判断する。そして、マクロ欠陥14aがない場合には(S12がN)、ステップS13に進み、予め用意された全てのサンプリング領域13aで重ね合わせ測定を実施する。
【0029】
また、ウエハ14にマクロ欠陥14aがある場合には(S12がY)、ステップS14に進み、マクロ欠陥14aの分布領域とサンプリング領域13aとが重なっているか否かを判断する。そして、マクロ欠陥14aの分布領域とサンプリング領域13aとが全く重なっていない場合には(S14がN)、ステップS13に進み、予め用意された全てのサンプリング領域13aで重ね合わせ測定を実施する。
【0030】
一方、マクロ欠陥14aの分布領域とサンプリング領域13aとが図4に示すように少しでも重なっている場合には(S14がY)、ステップS15に進む。そして、マクロ欠陥14aの分布領域と少しでも重なるサンプリング領域13aでは重ね合わせ測定の実施を省略し、それ以外のサンプリング領域13aで重ね合わせ測定を実施する。
【0031】
このようにして重ね合わせ測定工程(図5)(図2のS3)も終了すると、ステップS4では、上記のマクロ検査および重ね合わせ測定(ミクロ検査)の結果に基づく判定がなされる。そして、正常なウエハ14は次工程(加工工程)へ送られ、再生可能な不良品は再生工程へ送られ、再生不可能な不良品は廃棄される。
【0032】
上記したように、第1実施形態の基板検査システム10では、自動マクロ検査装置11で検出されたマクロ欠陥14aの分布領域において、重ね合わせ測定装置13によるミクロ検査を実施しない。つまり、マクロ欠陥14aの分布領域を避けて、重ね合わせ測定装置13によるミクロ検査を実施できる。
このため、常に、ウエハ14の表面に付着した異物やレジストパターンの傷など(マクロ欠陥14a)の影響を受けることなく、正確にレジストパターンの重ね合わせずれを測定できる。したがって、レジストパターンの重ね合わせずれの異常(ウエハ14のミクロ欠陥)も正確に検出でき、信頼性が向上する。
【0033】
さらに、重ね合わせ測定に適したミクロ検査領域を取捨選択し、マクロ欠陥14aの分布領域で重ね合わせ測定を実施してしまうといった無駄なミクロ検査を確実に省くことができるため、重ね合わせ測定装置13による正確なミクロ検査を効率良く実施することが可能となる。
また、重ね合わせ測定装置13によるミクロ検査を、製造工程の時間的変動を監視するプロセスモニターとして実施する場合、重ね合わせ測定装置13がモニターしているプロセス変動(重ね合わせずれの変動)と直接的な因果関係のない突発的な不良が発生しても、その影響を受けることのない(プロセス変動の特異点を避けた)正確で効率的なプロセスモニターが可能となる。
【0034】
なお、上記した第1実施形態では、重ね合わせ測定工程(図5)において、マクロ欠陥14aの分布領域と重なるサンプリング領域13aでは重ね合わせ測定を省略するという処理を行ったが、本発明はこの構成に限定されない。例えば、図6に示すように、マクロ欠陥14aの分布領域と重なるサンプリング領域13aの代わりに、マクロ欠陥14aの分布領域以外の正常な領域の中から任意の代替領域13bを新たに選択して、この代替領域13bで重ね合わせ測定を実施しても良い。
【0035】
また、上記した第1実施形態では、複数のサンプリング領域13aがミクロ検査領域として予め用意されている例を説明したが、重ね合わせ測定工程(図5)において、ウエハ14のマクロ欠陥14aの分布領域を把握した後で、マクロ欠陥14aの分布領域以外の正常な領域の中から任意のサンプリング領域をミクロ検査領域として選択しても良い。
【0036】
さらに、上記した第1実施形態では、重ね合わせ測定装置13をミクロ検査装置として用いた基板検査システム10の例を説明したが、本発明はこの構成に限定されない。自動マクロ検査装置11によって検出されるマクロ欠陥14aの種類と関連がないミクロ欠陥を検出可能なミクロ検査装置であれば、重ね合わせ測定装置13に代えて用いることができる。この場合にも、上記と同様の効果を奏する。
【0037】
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態は、請求項4〜請求項6,請求項8に対応する。
第2実施形態の基板検査システム30は、図7に示すように、上記した自動マクロ検査装置11に代えて自動マクロ検査装置31を設け、上記した重ね合わせ測定装置13に代えて線幅測定装置33を設けたものである。ただし、自動マクロ検査装置31の基本的な構成は、上記の自動マクロ検査装置11と同じである。
【0038】
この基板検査システム30も、半導体回路素子の製造工程において、IC製造用のウエハ14に対するマクロ検査とミクロ検査とを実施する。ウエハ14は、図8のステップS21に示すリソグラフィー工程を経た後の状態にあり、その表面にレジストパターンが形成されている。
そして、基板検査システム30では、レジストパターンが表面に形成されたウエハ14に対して、図8のステップS22→S23に示す順序で検査を実施する。このとき、ウエハ14は、不図示の搬送手段によって、まず初めに自動マクロ検査装置31へ搬送され、その次に線幅測定装置33へ搬送される。
【0039】
詳細は後述するが、自動マクロ検査装置31は、図8のステップS22に示すマクロ検査工程において、ウエハ14に対するマクロ検査を実施する装置である。また、線幅測定装置33は、ステップS23の線幅測定工程において、ウエハ14に対するミクロ検査を実施する装置である。すなわち、ウエハ14に対する検査は、マクロ検査→ミクロ検査の順に実施される。
【0040】
さて、自動マクロ検査装置31は、マクロ検査工程(図8のS22)において、上記の自動マクロ検査装置11と同様にウエハ14(図9)のマクロ欠陥14b〜14dを自動的に検出する際、ウエハ画像に現れるパターンの特徴や光量に基づいて、マクロ欠陥14b〜14dの分類も併せて自動的に行う。
例えば、ウエハ14の表面に付着した異物(マクロ欠陥14b)は、ウエハ画像の中で小さく光る点となる。レジスト膜の塗布むら(マクロ欠陥14c)は、ウエハ画像の中で中心から外側に向かって尾を引くようなコメット状となる。露光時のデフォーカスによる膜厚むらや断面形状の異常(マクロ欠陥14d)は、ショット単位で明るくなったり暗くなったりする。
【0041】
このように、ウエハ14のマクロ欠陥14b〜14dの種類ごとに、ウエハ画像の中に現れるパターンの特徴や光量が異なるため、これらの特徴などを自動マクロ検査装置31内に予め記憶しておき、マクロ欠陥14b〜14dの検出時に参照することで、自動欠陥分類を行うことができる。
そして、自動マクロ検査装置31は、マクロ検査工程(図8のS22)において、検出したマクロ欠陥14b〜14dの分布情報および分類情報を自動的に電子情報化してマクロ欠陥マップ35(図7)を生成し、このマクロ欠陥マップ35を自動的に出力する。マクロ欠陥マップ35には、検出されたマクロ欠陥14b〜14dのウエハ14上での座標や面積に関する情報と種類に関する情報とが含まれている。
【0042】
このマクロ欠陥マップ35は、不図示の通信手段を介して検査データ記憶装置12に取り込まれ、ウエハ番号に対応する適切なID番号が付けられて、そこに記憶される。ウエハ番号は、マクロ欠陥マップ35と共に自動マクロ検査装置31から出力されたものである。
このようにして、ウエハ14のマクロ欠陥マップ35が検査データ記憶装置12に記憶される一方で、自動マクロ検査装置31によるマクロ検査を終えたウエハ14は、線幅測定装置33に向けて搬送される。そして、線幅測定装置33によってウエハ14に対するミクロ検査が実施される(図8のステップS23の線幅測定工程)。
【0043】
線幅測定装置33は、ウエハ14のごく狭い領域を照明すると共に、ウエハ14から発生する反射光などに基づいてウエハ14の像を撮像する。そして、得られたウエハ画像に対して画像処理を行うことで、ウエハ14の表面に形成されているレジストパターンの線幅を自動的に測定する(ミクロ検査)。
この場合、レジストパターンの線幅の異常が、ウエハ14のミクロ欠陥に対応する。このミクロ欠陥は、肉眼では見ることのできない微視的な欠陥である。なお、検査精度は、100nm〜10nm以下である。また、線幅測定装置33による検査面積率は10−8%程度であり、この検査面積率に応じて経験的に、複数のサンプリング領域がミクロ検査領域として予め用意される。線幅測定装置33は、請求項の「ミクロ検査装置」に対応する。
【0044】
さらに、線幅測定装置33によって検出されるミクロ欠陥の種類(レジストパターンの線幅の異常)は、上記した自動マクロ検査装置11によって検出されるマクロ欠陥14b〜14dの種類と関連があり、特に、露光時のデフォーカスによる膜厚むらや断面形状の異常(マクロ欠陥14d)と関連が深い。つまり、デフォーカスによるマクロ欠陥14dは、レジストパターンの線幅の異常に直接的な因果関係をもつことがある。
【0045】
このため、線幅測定装置33は、図8のステップS23の線幅測定工程において、図10の処理(ステップS31〜S35)を順に実行する。すなわち、ウエハ14のサンプリング領域に対して線幅測定を実施する前に、ステップS31において、検査データ記憶装置12に記憶されているウエハ欠陥マップ35を不図示の通信手段を介して取り込む。
【0046】
次に、線幅測定装置33は、ステップS32に進み、取り込んだマクロ欠陥マップ35を参照して、ウエハ14にマクロ欠陥14b〜14dがあるかないかを判断する。そして、マクロ欠陥14b〜14dがある場合(S32がY)、ステップS33に進んで、それらの種類がデフォーカスによるマクロ欠陥14dか否かを判断する。
【0047】
この判断の結果、デフォーカスによるマクロ欠陥14dを含む場合には(S33がY)、ステップS34に進み、デフォーカスによるマクロ欠陥14dの分布領域で線幅測定を実施する。そして次に、ステップS35において、予め用意されたサンプリング領域での線幅測定も実施する。
一方、ウエハ14にマクロ欠陥(14b〜14d)が存在しない場合(S32がN)、または、デフォーカスによるマクロ欠陥14dがない場合(S33がN)、線幅測定装置33は、ステップS34の処理を実行せずにステップS35に進み、予め用意されたサンプリング領域での線幅測定のみを実施する。
【0048】
このようにして線幅測定工程(図10)(図8のS23)も終了すると、ステップS24では、上記のマクロ検査および線幅測定(ミクロ検査)の結果に基づく判定がなされる。この場合、線幅測定を実施した領域の何れかにおいて測定値が規格外であれば不良品と判定される。そして、正常なウエハ14は次工程(加工工程)へ送られ、再生可能な不良品は再生工程へ送られ、再生不可能な不良品は廃棄される。
【0049】
上記したように、第2実施形態の基板検査システム30では、自動マクロ検査装置11で検出されたマクロ欠陥の種類を参照して、マクロ欠陥の分布領域におけるミクロ検査を実施するか否かを決定し、露光時のデフォーカスによるマクロ欠陥14dの分布領域では、このマクロ欠陥14dと関連の深いミクロ欠陥を検出可能な線幅測定装置33によってミクロ検査を実施する。
【0050】
このため、デフォーカスによるマクロ欠陥14dの詳細な線幅測定が可能となり、デフォーカスによってレジストパターンの線幅が正常値から何nm変化したかを定量的に把握することもできる。また、予め用意されたサンプリング領域での線幅測定だけでは見逃されていたミクロ欠陥(線幅の異常)も検出することができ、信頼性が向上する。
【0051】
さらに、線幅測定装置33によって検出可能なミクロ欠陥(線幅の異常)とは関連の薄いマクロ欠陥14b(異物)やマクロ欠陥14c(レジスト塗布むら)の分布領域では、線幅測定装置33によるミクロ検査を実施しないため、線幅測定装置33によるミクロ検査を効率良く実施することができる。
なお、ウエハ14にマクロ欠陥(14b〜14d)が発生していない場合は、予め用意されたサンプリング領域でのミクロ検査を実施するだけであり、自動マクロ検査装置11で検出されるマクロ欠陥(14b〜14d)の発生頻度が極端に高くない限り、検査工数の増加を最小限に抑えることが可能となる。
【0052】
また、線幅測定装置33によるミクロ検査をプロセスモニターとして実施する場合、線幅測定装置33がモニターしているプロセス変動(レジストパターンの線幅の変動)と直接的な因果関係のない突発的な不良が発生しても、その影響を受けることのない(プロセス変動の特異点を避けた)効率的なプロセスモニターが可能となる。
【0053】
上記した第2実施形態では、線幅測定装置33によって検出可能なミクロ欠陥と関連の深いマクロ欠陥14dの分布領域でミクロ検査を実施するという処理の例を説明したが、本発明はこの構成に限定されない。
例えば、予め用意されたサンプリング領域のうち何れかが、線幅測定装置33によって検出可能なミクロ欠陥とは関連の浅いマクロ欠陥14b(異物)やマクロ欠陥14c(レジスト塗布むら)の分布領域と重なっている場合には、そのサンプリング領域でのミクロ検査を省略する処理を付加することが考えられる。
【0054】
さらに、上記した第2実施形態では、線幅測定装置33をミクロ検査装置として用いた基板検査システム30を説明したが、本発明はこの構成に限定されない。自動マクロ検査装置11によって検出されるマクロ欠陥(14b〜14d)の種類と関連があるミクロ欠陥を検出可能なミクロ検査装置であれば、線幅測定装置33に代えて用いることができる。この場合にも、上記と同様の効果を奏する。
【0055】
例えば、レジストパターンの断面形状を測定する断面形状測定装置を上記の線幅測定装置33に代えて用いた場合、この断面形状測定装置によって検出可能なミクロ欠陥の種類(断面形状の異常)は、露光時のデフォーカスによるマクロ欠陥14dと関連が深いため、このマクロ欠陥14dの分布領域でも、断面形状測定を実施すれば良い。これにより、デフォーカスによるマクロ欠陥14dの詳細な断面形状測定が可能となり、デフォーカスによってレジストパターンの断面形状がどのように変化したかを把握することもできる。
【0056】
さらに、レジスト膜厚を測定する膜厚測定装置を上記の線幅測定装置33に代えて用いた場合、この膜厚測定装置によって検出可能なミクロ欠陥の種類(膜厚の異常)は、レジスト膜の塗布むら(マクロ欠陥14c)やデフォーカスによるマクロ欠陥14dと関連が深いため、これらマクロ欠陥14c,14dの分布領域でも、膜厚測定を実施すれば良い。これにより、レジスト膜の塗布むら(14c)やデフォーカスによるマクロ欠陥14dの詳細な膜厚測定が可能となり、その膜厚が好ましい厚さに対して何nm変化したかを把握することもできる。
【0057】
また、基板表面の異物を検査する表面異物検査装置を上記の線幅測定装置33に代えて用いた場合、この表面異物検査装置によって検出可能なミクロ欠陥の種類(異物)は、ウエハ14の表面に付着した異物(マクロ欠陥14b)と関連が深いため、このマクロ欠陥14bの分布領域でも、異物検査を実施すれば良い。これにより、その異物を構成する物質を特定したり、大きさが何μmかを把握することもできる。
【0058】
さらに、線幅測定装置33と、断面形状測定装置と、膜厚測定装置と、表面異物検査装置とを組み合わせて用いることもできる。この場合、自動マクロ検査装置11によって検出されたマクロ欠陥に対し自動欠陥分類(異物,塗布不良,デフォーカス)を行うことで、欠陥種別に応じたミクロ検査を効率良く実施することが可能となる。
【0059】
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態(請求項1〜請求項8に対応)について説明する。
第3実施形態の基板検査システム50は、図11に示すように、上記した基板検査システム30(図7)に対して顕微鏡装置51と重ね合わせ測定装置52をさらに付加したものである。ただし、重ね合わせ測定装置52は、上記した重ね合わせ測定装置13(図1)と同じ構成である。
【0060】
この基板検査システム30も、半導体回路素子の製造工程において、IC製造用のウエハ14に対するマクロ検査とミクロ検査とを実施する。ウエハ14は、図12のステップS41に示すリソグラフィー工程を経た後の状態にあり、その表面にレジストパターンが形成されている。
そして、基板検査システム50では、レジストパターンが表面に形成されたウエハ14に対して、図12のステップS42→S43→S44→S45に示す順序で検査を実施する。このとき、ウエハ14は、不図示の搬送手段によって、まず初めに自動マクロ検査装置31へ搬送され、その次に線幅測定装置33へ搬送され、その次に顕微鏡装置51へ搬送され、最後に重ね合わせ測定装置52へ搬送される。
【0061】
詳細は後述するが、自動マクロ検査装置31は、図12のステップS42に示すマクロ検査工程において、ウエハ14に対するマクロ検査を実施する。また、線幅測定装置33は、ステップS43の線幅測定工程において、ウエハ14に対するミクロ検査を実施する。顕微鏡装置51は、ステップS44の顕微鏡観察工程において、ウエハ14に対するミクロ検査を実施する。重ね合わせ測定装置52は、ステップS45の重ね合わせ測定工程において、ウエハ14に対するミクロ検査を実施する。すなわち、ウエハ14に対する検査は、マクロ検査→ミクロ検査の順に実施される。
【0062】
さて、自動マクロ検査装置31は、マクロ検査工程(図12のS42)において、ウエハ14のマクロ欠陥を自動的に検出すると共に、検出したマクロ欠陥の自動分類を行う。そして、マクロ欠陥の分布情報および分類情報を自動的に電子情報化してマクロ欠陥マップ35(図11)を生成し、このマクロ欠陥マップ35を自動的に出力する。マクロ欠陥マップ35は、不図示の通信手段を介して検査データ記憶装置12に取り込まれ、そこに記憶される。
【0063】
線幅測定装置33は、線幅測定工程(ステップS43)において、図10の処理(ステップS31〜S35)を順に実行し、ウエハ欠陥マップ35を参照して、レジストパターンの線幅を自動的に測定する。つまり、ウエハ14がデフォーカスによるマクロ欠陥を含む場合には、そのマクロ欠陥の分布領域と予め用意されたサンプリング領域とで線幅を測定する。また、デフォーカスによるマクロ欠陥がない場合には、予め用意されたサンプリング領域のみで線幅を測定する。
【0064】
このようにして、線幅測定装置33でのミクロ検査が終了すると、ウエハ14は、顕微鏡装置51に向けて搬送される。
顕微鏡装置51は、ウエハ14を微視的に観察することにより欠陥を判別するためのミクロ検査装置である。顕微鏡装置51には、例えば、光学顕微鏡、電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、近接場光学顕微鏡などの各種顕微鏡を用いることができる。
【0065】
そして、顕微鏡装置51は、顕微鏡観察工程(ステップS44)において、図13の処理(ステップS51〜S53)を順に実行する。すなわち、ウエハ14の観察を実施する前に、ステップS51において、検査データ記憶装置12に記憶されているウエハ欠陥マップ35を不図示の通信手段を介して取り込む。
次に、顕微鏡装置51は、ステップS52に進み、取り込んだマクロ欠陥マップ35を参照して、ウエハ14におけるマクロ欠陥の有無を判断する。そして、マクロ欠陥がある場合(S52がY)には、マクロ欠陥の分布領域で観察を実施する(ステップS53)。一方、ウエハ14にマクロ欠陥がない場合(S52がN)、顕微鏡装置51は、ウエハ14の観察を行うことなく処理を終了する。
【0066】
このようにして、顕微鏡装置51でのミクロ検査が終了すると、ウエハ14は、重ね合わせ測定装置52に向けて搬送される。
重ね合わせ測定装置52は、重ね合わせ測定工程(ステップS45)において、図5の処理(ステップS11〜S15)を順に実行し、ウエハ欠陥マップ35を参照して、レジストパターンと下地パターンとの重ね合わせずれを自動的に測定する。つまり、ウエハ14がマクロ欠陥を含む場合には、そのマクロ欠陥の分布領域を除くサンプリング領域で重ね合わせずれを測定する。また、マクロ欠陥がない場合には、予め用意されたサンプリング領域で重ね合わせずれを測定する。
【0067】
このようにして重ね合わせ測定工程(図12のS45)も終了すると、ステップS46では、上記のマクロ検査および線幅測定,顕微鏡観察,重ね合わせ測定(ミクロ検査)の結果に基づく判定がなされる。そして、正常なウエハ14は次工程(加工工程)へ送られ、再生可能な不良品は再生工程へ送られ、再生不可能な不良品は廃棄される。
【0068】
上記したように、第3実施形態の基板検査システム50では、自動マクロ検査装置31で検出されたマクロ欠陥の分布情報および分類情報(マクロ欠陥マップ35)を検査データ記憶装置12に記憶させ、このマクロ欠陥マップ35を複数のミクロ検査装置(33,51,52)で共有するため、ミクロ検査装置(33,51,52)の各々におけるミクロ検査を効率良く実施することができる。
【0069】
なお、上記した実施形態では、ミクロ検査装置の例として、重ね合わせ測定装置13,52、線幅測定装置33、断面形状測定装置、膜厚測定装置、表面異物検査装置、顕微鏡装置を挙げたが、その他にも、パターン欠陥を検査するパターン欠陥検査装置や、基板の平面形状の測定を行う平坦度測定装置をミクロ検査装置として用いることもできる。
【0070】
また、上記した実施形態では、半導体回路素子の製造工程においてIC製造用のウエハ14を検査する例を説明したが、本発明は、液晶表示素子の製造工程において液晶製造用のガラス基板を検査する場合にも同じように適用できる。
【0071】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、マクロ検査とミクロ検査とを効率良く運用することができるため、コスト増加を抑えつつ信頼性の高い検査を実施することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態の基板検査システム10の構成を示すブロック図である。
【図2】ウエハ14に対する各工程の順序を示すフローチャートである。
【図3】ウエハ14におけるマクロ欠陥14aを説明する図である。
【図4】予め用意されたサンプリング領域13aを説明する図である。
【図5】図2の重ね合わせ測定工程の具体例を示すフローチャートである。
【図6】ウエハ14の正常な領域から選択された代替領域13bを説明する図である。
【図7】第2実施形態の基板検査システム30の構成を示すブロック図である。
【図8】ウエハ14に対する各工程の順序を示すフローチャートである。
【図9】ウエハ14のマクロ欠陥の自動分類を説明する図である。
【図10】図8の線幅測定工程の具体例を示すフローチャートである。
【図11】第3実施形態の基板検査システム50の構成を示すブロック図である。
【図12】ウエハ14に対する各工程の順序を示すフローチャートである。
【図13】図12の顕微鏡観察工程の具体例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
10,30,50 基板検査システム
11,31 自動マクロ検査装置
12 検査データ記憶装置
13,52 重ね合わせ測定装置
13a サンプリング領域
13b 代替領域
14 ウエハ
14a,14b,14c,14d マクロ欠陥
15,35 ウエハ欠陥マップ
33 線幅測定装置
51 顕微鏡装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体回路素子や液晶表示素子の製造工程において基板を検査する基板検査システムおよび基板検査方法に関し、特に、リソグラフィー工程後の検査に好適な基板検査システムおよび基板検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体回路素子や液晶表示素子の製造工程では、製造工程の時間的変動を監視したり、製造工程で発生した再生可能な不良品を検出したり、再生不可能な不良品を除去したりするために、基板(IC製造用のウエハや液晶製造用のガラス基板など)に対して様々な検査が実施されている。
【0003】
製造工程における様々な検査を大別すると、マクロ検査とミクロ検査とに分けることができる。マクロ検査とミクロ検査とは、基板の中で実際に検査を実施する領域の面積の比率(検査面積率)が大きく異なり、また、検査対象物のサイズや要求される検査精度も大きく異なる。
マクロ検査は、検査面積率が4%〜100%であり、検査対象物のサイズが数100μm以上である。つまり、肉眼で見える程度の巨視的な欠陥(例えば異物やレジストパターンの傷など)を広い領域で検査するものである。これに対し、ミクロ検査は、検査面積率が10−8%程度であり、検査精度が100nm〜10nm以下である。つまり、肉眼では見ることのできない微視的な欠陥(例えばレジストパターンの線幅の異常など)をごく狭い領域で検査するものである。
【0004】
このため、マクロ検査とミクロ検査の各々の利点を生かし、マクロ検査は、基板の広い領域で検査したいときに、ミクロ検査は、基板を微細に検査したいときに、個別に実施されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来技術では、マクロ検査とミクロ検査が個別に実施されるため、マクロ検査とミクロ検査の組み合わせによる1つの基板検査システムを考えたときに、この基板検査システムの中でマクロ検査とミクロ検査が効率的に運用されているとは限らなかった。
【0006】
本発明の目的は、マクロ検査とミクロ検査とを効率良く運用できる基板検査システムおよび基板検査方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の基板検査システムは、被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報を出力する自動マクロ検査装置と、前記自動マクロ検査装置から出力された前記マクロ欠陥の分布情報を記憶する記憶装置と、前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、ミクロ欠陥を検出するミクロ検査装置とを備え、前記ミクロ検査装置は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶装置に記憶された前記マクロ欠陥の分布情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域では前記ミクロ検査の実施を省略するものである。
【0008】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板検査システムにおいて、前記ミクロ検査装置は、前記被検査基板のうち予め定めたサンプリング領域に対して前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶装置に記憶された前記マクロ欠陥の分布情報を参照して、前記マクロ欠陥が分布している領域と重なる前記サンプリング領域では、前記マクロ欠陥が分布している領域以外の代替領域にて前記ミクロ検査を実施するものである。
【0009】
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の基板検査システムにおいて、前記ミクロ検査装置は、前記被検査基板の表面に形成されているレジストパターンと下地パターンとの相対的なずれを測定することにより、前記ミクロ検査を実施するものである。
請求項4に記載の発明は、被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報および分類情報を出力する自動マクロ検査装置と、前記自動マクロ検査装置から出力された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を記憶する記憶装置と、前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、前記マクロ欠陥に関連のあるミクロ欠陥を検出するミクロ検査装置とを備え、前記ミクロ検査装置は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶装置に記憶された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域で前記ミクロ検査を実施するか否かを決定するものである。
【0010】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の基板検査システムにおいて、前記ミクロ検査装置は、前記分類情報に含まれている前記マクロ欠陥の種類と当該ミクロ検査装置で検出可能な欠陥の種類との関連の度合いに応じて、前記ミクロ検査を実施するか否かを決定するものである。
請求項6に記載の発明は、請求項4または請求項5に記載の基板検査システムにおいて、前記ミクロ検査装置は、前記被検査基板の表面に形成されているレジストパターンの線幅を測定することにより、前記ミクロ検査を実施するものである。
【0011】
請求項7に記載の発明は、被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報を出力する自動マクロ検査工程と、前記自動マクロ検査工程により出力された前記マクロ欠陥の分布情報を記憶する記憶工程と、前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、ミクロ欠陥を検出するミクロ検査工程とを備え、前記ミクロ検査工程は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶工程で記憶された前記マクロ欠陥の分布情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域では前記ミクロ検査の実施を省略するものである。
【0012】
請求項8に記載の発明は、被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報および分類情報を出力する自動マクロ検査工程と、前記自動マクロ検査工程により出力された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を記憶する記憶工程と、前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、前記マクロ欠陥に関連のある種類のミクロ欠陥を検出するミクロ検査工程とを備え、前記ミクロ検査工程は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶工程で記憶された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域で前記ミクロ検査を実施するか否かを決定するものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。
(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態について説明する。第1実施形態は、請求項1〜請求項3,請求項7に対応する。
【0014】
第1実施形態の基板検査システム10は、図1に示すように、自動マクロ検査装置11と検査データ記憶装置12と重ね合わせ測定装置13とで構成され、自動マクロ検査装置11と検査データ記憶装置12とが不図示の通信手段を介して接続され、同様に、検査データ記憶装置12と重ね合わせ測定装置13も不図示の通信手段を介して接続され、全体としてネットワークを形成している。
【0015】
この基板検査システム10は、半導体回路素子の製造工程において、製造工程の時間的変動を監視したり、製造工程で発生した再生可能な不良品を検出したり、再生不可能な不良品を除去したりするために、IC製造用のウエハ14に対してマクロ検査とミクロ検査とを実施するものである(詳細は後述する)。
また、基板検査システム10における検査対象のウエハ14(被検査基板)は、図2のステップS1に示すリソグラフィー工程を経た後の状態にある。ちなみに、リソグラフィー工程では、ウエハ14の表面にレジスト膜が塗布され、このレジスト膜にマスク(レチクル)の回路パターンが露光され、さらに、レジスト膜の露光部分または未露光部分が現像される。このため、リソグラフィー工程後のウエハ14は、その表面にレジストパターンが形成された状態となっている。
【0016】
そして、基板検査システム10では、リソグラフィー工程によりレジストパターンが表面に形成されたウエハ14に対して、図2のステップS2→S3に示す順序で検査を実施する。このとき、ウエハ14は、不図示の搬送手段によって、まず初めに自動マクロ検査装置11へ搬送され、その次に重ね合わせ測定装置13へ搬送される。
【0017】
詳細は後述するが、自動マクロ検査装置11は、図2のステップS2に示すマクロ検査工程において、ウエハ14に対するマクロ検査を実施する装置である。また、重ね合わせ測定装置13は、ステップS3の重ね合わせ測定工程において、ウエハ14に対するミクロ検査を実施する装置である。すなわち、ウエハ14に対する検査は、マクロ検査→ミクロ検査の順に実施される。
【0018】
さて、自動マクロ検査装置11は、マクロ検査工程(図2のS2)において、ウエハ14の広い領域を照明すると共に、ウエハ14から発生する回折光や反射光などに基づいてウエハ14の像を撮像する(例えば特開平11−72443号公報)。そして、得られたウエハ画像に対して画像処理を行ったり、ウエハ画像の光量をモニタしたりすることで、ウエハ14のマクロ欠陥14a(図3)を自動的に検出する。なお、自動マクロ検査装置11による検査面積率は、4%〜100%である。
【0019】
自動マクロ検査装置11によって検出されるマクロ欠陥14aとは、ウエハ14の表面に付着した異物、レジストパターンの傷、レジスト膜の塗布むら、露光時のデフォーカスによる膜厚むらや断面形状の異常などである。つまり、マクロ欠陥14aは、肉眼で見える程度の巨視的な欠陥である(サイズは数100μm以上)。
【0020】
さらに、自動マクロ検査装置11は、マクロ検査工程(図2のS2)において、検出したマクロ欠陥14aの分布情報を自動的に電子情報化してマクロ欠陥マップ15(図1)を生成し、このマクロ欠陥マップ15を自動的に出力する。マクロ欠陥マップ15には、検出されたマクロ欠陥14aのウエハ14上での座標や面積に関する情報が含まれている。なお、マクロ欠陥マップ15は、各々のウエハ14ごとに生成され、ウエハ番号と共に出力される。
【0021】
次に、検査データ記憶装置12について説明する。検査データ記憶装置12は、自動マクロ検査装置11から出力されたマクロ欠陥マップ15およびウエハ番号を不図示の通信手段を介して取り込み、ウエハ番号に対応する適切なID番号をマクロ欠陥マップ15に付けて記憶するデータサーバである。ID番号は、ウエハ番号からマクロ欠陥マップ15を特定するときに参照される。
【0022】
このようにして、ウエハ14のマクロ欠陥マップ15が検査データ記憶装置12に記憶される一方で、自動マクロ検査装置11によるマクロ検査を終えたウエハ14は、重ね合わせ測定装置13に向けて搬送される。そして、重ね合わせ測定装置13によってウエハ14に対するミクロ検査が実施される(図2のステップS3の重ね合わせ測定工程)。
【0023】
重ね合わせ測定装置13は、ウエハ14のごく狭い領域を照明すると共に、ウエハ14から発生する反射光などに基づいてウエハ14の像を撮像する。そして、得られたウエハ画像に対して画像処理を行うことで、ウエハ14の表面に形成されているレジストパターンと下地パターンとの相対的なずれ(重ね合わせずれ)を自動的に測定する。
【0024】
この場合、レジストパターンの重ね合わせずれの異常が、ウエハ14のミクロ欠陥に対応する。このミクロ欠陥は、肉眼では見ることのできない微視的な欠陥である。なお、重ね合わせ測定装置13の検査精度は、100nm〜10nm以下である。
また、重ね合わせ測定装置13による検査面積率は10−8%程度であり、この検査面積率に応じて経験的に、複数のサンプリング領域13a(図4)がミクロ検査領域として予め用意されている。重ね合わせ測定装置13は、請求項の「ミクロ検査装置」に対応する。
【0025】
さらに、重ね合わせ測定装置13によって検出されるミクロ欠陥の種類(レジストパターンの重ね合わせずれの異常)は、上記した自動マクロ検査装置11によって検出されるマクロ欠陥14aの種類(異物やレジストパターンの傷など)と関連がない。つまり、マクロ欠陥14aが重ね合わせずれの変動に直接的な因果関係をもつことはない。
【0026】
しかし、仮に、重ね合わせ測定装置13によるミクロ検査領域(サンプリング領域13a)にマクロ欠陥14aが存在すると、重ね合わせ測定装置13の測定結果に何らかの変化が生じたり、正常な重ね合わせ測定(ミクロ検査)ができなかったりする。このような事態を避けるため、重ね合わせ測定装置13は、図2のステップS3の重ね合わせ測定工程において、図5の処理(ステップS11〜S15)を順に実行する。
【0027】
重ね合わせ測定装置13は、ウエハ14のサンプリング領域13a(図4)に対して重ね合わせ測定を実施する前に、図5のステップS11において、検査データ記憶装置12に記憶されているウエハ欠陥マップ15を不図示の通信手段を介して取り込む。このとき、ウエハ14のウエハ番号に基づいてマクロ欠陥マップ15のID番号を参照することで、ウエハ14に対応するマクロ欠陥マップ15を特定し、このマクロ欠陥マップ15を取り込む。
【0028】
次に、重ね合わせ測定装置13は、ステップS12に進み、取り込んだマクロ欠陥マップ15を参照して、ウエハ14にマクロ欠陥14aがあるかないかを判断する。そして、マクロ欠陥14aがない場合には(S12がN)、ステップS13に進み、予め用意された全てのサンプリング領域13aで重ね合わせ測定を実施する。
【0029】
また、ウエハ14にマクロ欠陥14aがある場合には(S12がY)、ステップS14に進み、マクロ欠陥14aの分布領域とサンプリング領域13aとが重なっているか否かを判断する。そして、マクロ欠陥14aの分布領域とサンプリング領域13aとが全く重なっていない場合には(S14がN)、ステップS13に進み、予め用意された全てのサンプリング領域13aで重ね合わせ測定を実施する。
【0030】
一方、マクロ欠陥14aの分布領域とサンプリング領域13aとが図4に示すように少しでも重なっている場合には(S14がY)、ステップS15に進む。そして、マクロ欠陥14aの分布領域と少しでも重なるサンプリング領域13aでは重ね合わせ測定の実施を省略し、それ以外のサンプリング領域13aで重ね合わせ測定を実施する。
【0031】
このようにして重ね合わせ測定工程(図5)(図2のS3)も終了すると、ステップS4では、上記のマクロ検査および重ね合わせ測定(ミクロ検査)の結果に基づく判定がなされる。そして、正常なウエハ14は次工程(加工工程)へ送られ、再生可能な不良品は再生工程へ送られ、再生不可能な不良品は廃棄される。
【0032】
上記したように、第1実施形態の基板検査システム10では、自動マクロ検査装置11で検出されたマクロ欠陥14aの分布領域において、重ね合わせ測定装置13によるミクロ検査を実施しない。つまり、マクロ欠陥14aの分布領域を避けて、重ね合わせ測定装置13によるミクロ検査を実施できる。
このため、常に、ウエハ14の表面に付着した異物やレジストパターンの傷など(マクロ欠陥14a)の影響を受けることなく、正確にレジストパターンの重ね合わせずれを測定できる。したがって、レジストパターンの重ね合わせずれの異常(ウエハ14のミクロ欠陥)も正確に検出でき、信頼性が向上する。
【0033】
さらに、重ね合わせ測定に適したミクロ検査領域を取捨選択し、マクロ欠陥14aの分布領域で重ね合わせ測定を実施してしまうといった無駄なミクロ検査を確実に省くことができるため、重ね合わせ測定装置13による正確なミクロ検査を効率良く実施することが可能となる。
また、重ね合わせ測定装置13によるミクロ検査を、製造工程の時間的変動を監視するプロセスモニターとして実施する場合、重ね合わせ測定装置13がモニターしているプロセス変動(重ね合わせずれの変動)と直接的な因果関係のない突発的な不良が発生しても、その影響を受けることのない(プロセス変動の特異点を避けた)正確で効率的なプロセスモニターが可能となる。
【0034】
なお、上記した第1実施形態では、重ね合わせ測定工程(図5)において、マクロ欠陥14aの分布領域と重なるサンプリング領域13aでは重ね合わせ測定を省略するという処理を行ったが、本発明はこの構成に限定されない。例えば、図6に示すように、マクロ欠陥14aの分布領域と重なるサンプリング領域13aの代わりに、マクロ欠陥14aの分布領域以外の正常な領域の中から任意の代替領域13bを新たに選択して、この代替領域13bで重ね合わせ測定を実施しても良い。
【0035】
また、上記した第1実施形態では、複数のサンプリング領域13aがミクロ検査領域として予め用意されている例を説明したが、重ね合わせ測定工程(図5)において、ウエハ14のマクロ欠陥14aの分布領域を把握した後で、マクロ欠陥14aの分布領域以外の正常な領域の中から任意のサンプリング領域をミクロ検査領域として選択しても良い。
【0036】
さらに、上記した第1実施形態では、重ね合わせ測定装置13をミクロ検査装置として用いた基板検査システム10の例を説明したが、本発明はこの構成に限定されない。自動マクロ検査装置11によって検出されるマクロ欠陥14aの種類と関連がないミクロ欠陥を検出可能なミクロ検査装置であれば、重ね合わせ測定装置13に代えて用いることができる。この場合にも、上記と同様の効果を奏する。
【0037】
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態は、請求項4〜請求項6,請求項8に対応する。
第2実施形態の基板検査システム30は、図7に示すように、上記した自動マクロ検査装置11に代えて自動マクロ検査装置31を設け、上記した重ね合わせ測定装置13に代えて線幅測定装置33を設けたものである。ただし、自動マクロ検査装置31の基本的な構成は、上記の自動マクロ検査装置11と同じである。
【0038】
この基板検査システム30も、半導体回路素子の製造工程において、IC製造用のウエハ14に対するマクロ検査とミクロ検査とを実施する。ウエハ14は、図8のステップS21に示すリソグラフィー工程を経た後の状態にあり、その表面にレジストパターンが形成されている。
そして、基板検査システム30では、レジストパターンが表面に形成されたウエハ14に対して、図8のステップS22→S23に示す順序で検査を実施する。このとき、ウエハ14は、不図示の搬送手段によって、まず初めに自動マクロ検査装置31へ搬送され、その次に線幅測定装置33へ搬送される。
【0039】
詳細は後述するが、自動マクロ検査装置31は、図8のステップS22に示すマクロ検査工程において、ウエハ14に対するマクロ検査を実施する装置である。また、線幅測定装置33は、ステップS23の線幅測定工程において、ウエハ14に対するミクロ検査を実施する装置である。すなわち、ウエハ14に対する検査は、マクロ検査→ミクロ検査の順に実施される。
【0040】
さて、自動マクロ検査装置31は、マクロ検査工程(図8のS22)において、上記の自動マクロ検査装置11と同様にウエハ14(図9)のマクロ欠陥14b〜14dを自動的に検出する際、ウエハ画像に現れるパターンの特徴や光量に基づいて、マクロ欠陥14b〜14dの分類も併せて自動的に行う。
例えば、ウエハ14の表面に付着した異物(マクロ欠陥14b)は、ウエハ画像の中で小さく光る点となる。レジスト膜の塗布むら(マクロ欠陥14c)は、ウエハ画像の中で中心から外側に向かって尾を引くようなコメット状となる。露光時のデフォーカスによる膜厚むらや断面形状の異常(マクロ欠陥14d)は、ショット単位で明るくなったり暗くなったりする。
【0041】
このように、ウエハ14のマクロ欠陥14b〜14dの種類ごとに、ウエハ画像の中に現れるパターンの特徴や光量が異なるため、これらの特徴などを自動マクロ検査装置31内に予め記憶しておき、マクロ欠陥14b〜14dの検出時に参照することで、自動欠陥分類を行うことができる。
そして、自動マクロ検査装置31は、マクロ検査工程(図8のS22)において、検出したマクロ欠陥14b〜14dの分布情報および分類情報を自動的に電子情報化してマクロ欠陥マップ35(図7)を生成し、このマクロ欠陥マップ35を自動的に出力する。マクロ欠陥マップ35には、検出されたマクロ欠陥14b〜14dのウエハ14上での座標や面積に関する情報と種類に関する情報とが含まれている。
【0042】
このマクロ欠陥マップ35は、不図示の通信手段を介して検査データ記憶装置12に取り込まれ、ウエハ番号に対応する適切なID番号が付けられて、そこに記憶される。ウエハ番号は、マクロ欠陥マップ35と共に自動マクロ検査装置31から出力されたものである。
このようにして、ウエハ14のマクロ欠陥マップ35が検査データ記憶装置12に記憶される一方で、自動マクロ検査装置31によるマクロ検査を終えたウエハ14は、線幅測定装置33に向けて搬送される。そして、線幅測定装置33によってウエハ14に対するミクロ検査が実施される(図8のステップS23の線幅測定工程)。
【0043】
線幅測定装置33は、ウエハ14のごく狭い領域を照明すると共に、ウエハ14から発生する反射光などに基づいてウエハ14の像を撮像する。そして、得られたウエハ画像に対して画像処理を行うことで、ウエハ14の表面に形成されているレジストパターンの線幅を自動的に測定する(ミクロ検査)。
この場合、レジストパターンの線幅の異常が、ウエハ14のミクロ欠陥に対応する。このミクロ欠陥は、肉眼では見ることのできない微視的な欠陥である。なお、検査精度は、100nm〜10nm以下である。また、線幅測定装置33による検査面積率は10−8%程度であり、この検査面積率に応じて経験的に、複数のサンプリング領域がミクロ検査領域として予め用意される。線幅測定装置33は、請求項の「ミクロ検査装置」に対応する。
【0044】
さらに、線幅測定装置33によって検出されるミクロ欠陥の種類(レジストパターンの線幅の異常)は、上記した自動マクロ検査装置11によって検出されるマクロ欠陥14b〜14dの種類と関連があり、特に、露光時のデフォーカスによる膜厚むらや断面形状の異常(マクロ欠陥14d)と関連が深い。つまり、デフォーカスによるマクロ欠陥14dは、レジストパターンの線幅の異常に直接的な因果関係をもつことがある。
【0045】
このため、線幅測定装置33は、図8のステップS23の線幅測定工程において、図10の処理(ステップS31〜S35)を順に実行する。すなわち、ウエハ14のサンプリング領域に対して線幅測定を実施する前に、ステップS31において、検査データ記憶装置12に記憶されているウエハ欠陥マップ35を不図示の通信手段を介して取り込む。
【0046】
次に、線幅測定装置33は、ステップS32に進み、取り込んだマクロ欠陥マップ35を参照して、ウエハ14にマクロ欠陥14b〜14dがあるかないかを判断する。そして、マクロ欠陥14b〜14dがある場合(S32がY)、ステップS33に進んで、それらの種類がデフォーカスによるマクロ欠陥14dか否かを判断する。
【0047】
この判断の結果、デフォーカスによるマクロ欠陥14dを含む場合には(S33がY)、ステップS34に進み、デフォーカスによるマクロ欠陥14dの分布領域で線幅測定を実施する。そして次に、ステップS35において、予め用意されたサンプリング領域での線幅測定も実施する。
一方、ウエハ14にマクロ欠陥(14b〜14d)が存在しない場合(S32がN)、または、デフォーカスによるマクロ欠陥14dがない場合(S33がN)、線幅測定装置33は、ステップS34の処理を実行せずにステップS35に進み、予め用意されたサンプリング領域での線幅測定のみを実施する。
【0048】
このようにして線幅測定工程(図10)(図8のS23)も終了すると、ステップS24では、上記のマクロ検査および線幅測定(ミクロ検査)の結果に基づく判定がなされる。この場合、線幅測定を実施した領域の何れかにおいて測定値が規格外であれば不良品と判定される。そして、正常なウエハ14は次工程(加工工程)へ送られ、再生可能な不良品は再生工程へ送られ、再生不可能な不良品は廃棄される。
【0049】
上記したように、第2実施形態の基板検査システム30では、自動マクロ検査装置11で検出されたマクロ欠陥の種類を参照して、マクロ欠陥の分布領域におけるミクロ検査を実施するか否かを決定し、露光時のデフォーカスによるマクロ欠陥14dの分布領域では、このマクロ欠陥14dと関連の深いミクロ欠陥を検出可能な線幅測定装置33によってミクロ検査を実施する。
【0050】
このため、デフォーカスによるマクロ欠陥14dの詳細な線幅測定が可能となり、デフォーカスによってレジストパターンの線幅が正常値から何nm変化したかを定量的に把握することもできる。また、予め用意されたサンプリング領域での線幅測定だけでは見逃されていたミクロ欠陥(線幅の異常)も検出することができ、信頼性が向上する。
【0051】
さらに、線幅測定装置33によって検出可能なミクロ欠陥(線幅の異常)とは関連の薄いマクロ欠陥14b(異物)やマクロ欠陥14c(レジスト塗布むら)の分布領域では、線幅測定装置33によるミクロ検査を実施しないため、線幅測定装置33によるミクロ検査を効率良く実施することができる。
なお、ウエハ14にマクロ欠陥(14b〜14d)が発生していない場合は、予め用意されたサンプリング領域でのミクロ検査を実施するだけであり、自動マクロ検査装置11で検出されるマクロ欠陥(14b〜14d)の発生頻度が極端に高くない限り、検査工数の増加を最小限に抑えることが可能となる。
【0052】
また、線幅測定装置33によるミクロ検査をプロセスモニターとして実施する場合、線幅測定装置33がモニターしているプロセス変動(レジストパターンの線幅の変動)と直接的な因果関係のない突発的な不良が発生しても、その影響を受けることのない(プロセス変動の特異点を避けた)効率的なプロセスモニターが可能となる。
【0053】
上記した第2実施形態では、線幅測定装置33によって検出可能なミクロ欠陥と関連の深いマクロ欠陥14dの分布領域でミクロ検査を実施するという処理の例を説明したが、本発明はこの構成に限定されない。
例えば、予め用意されたサンプリング領域のうち何れかが、線幅測定装置33によって検出可能なミクロ欠陥とは関連の浅いマクロ欠陥14b(異物)やマクロ欠陥14c(レジスト塗布むら)の分布領域と重なっている場合には、そのサンプリング領域でのミクロ検査を省略する処理を付加することが考えられる。
【0054】
さらに、上記した第2実施形態では、線幅測定装置33をミクロ検査装置として用いた基板検査システム30を説明したが、本発明はこの構成に限定されない。自動マクロ検査装置11によって検出されるマクロ欠陥(14b〜14d)の種類と関連があるミクロ欠陥を検出可能なミクロ検査装置であれば、線幅測定装置33に代えて用いることができる。この場合にも、上記と同様の効果を奏する。
【0055】
例えば、レジストパターンの断面形状を測定する断面形状測定装置を上記の線幅測定装置33に代えて用いた場合、この断面形状測定装置によって検出可能なミクロ欠陥の種類(断面形状の異常)は、露光時のデフォーカスによるマクロ欠陥14dと関連が深いため、このマクロ欠陥14dの分布領域でも、断面形状測定を実施すれば良い。これにより、デフォーカスによるマクロ欠陥14dの詳細な断面形状測定が可能となり、デフォーカスによってレジストパターンの断面形状がどのように変化したかを把握することもできる。
【0056】
さらに、レジスト膜厚を測定する膜厚測定装置を上記の線幅測定装置33に代えて用いた場合、この膜厚測定装置によって検出可能なミクロ欠陥の種類(膜厚の異常)は、レジスト膜の塗布むら(マクロ欠陥14c)やデフォーカスによるマクロ欠陥14dと関連が深いため、これらマクロ欠陥14c,14dの分布領域でも、膜厚測定を実施すれば良い。これにより、レジスト膜の塗布むら(14c)やデフォーカスによるマクロ欠陥14dの詳細な膜厚測定が可能となり、その膜厚が好ましい厚さに対して何nm変化したかを把握することもできる。
【0057】
また、基板表面の異物を検査する表面異物検査装置を上記の線幅測定装置33に代えて用いた場合、この表面異物検査装置によって検出可能なミクロ欠陥の種類(異物)は、ウエハ14の表面に付着した異物(マクロ欠陥14b)と関連が深いため、このマクロ欠陥14bの分布領域でも、異物検査を実施すれば良い。これにより、その異物を構成する物質を特定したり、大きさが何μmかを把握することもできる。
【0058】
さらに、線幅測定装置33と、断面形状測定装置と、膜厚測定装置と、表面異物検査装置とを組み合わせて用いることもできる。この場合、自動マクロ検査装置11によって検出されたマクロ欠陥に対し自動欠陥分類(異物,塗布不良,デフォーカス)を行うことで、欠陥種別に応じたミクロ検査を効率良く実施することが可能となる。
【0059】
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態(請求項1〜請求項8に対応)について説明する。
第3実施形態の基板検査システム50は、図11に示すように、上記した基板検査システム30(図7)に対して顕微鏡装置51と重ね合わせ測定装置52をさらに付加したものである。ただし、重ね合わせ測定装置52は、上記した重ね合わせ測定装置13(図1)と同じ構成である。
【0060】
この基板検査システム30も、半導体回路素子の製造工程において、IC製造用のウエハ14に対するマクロ検査とミクロ検査とを実施する。ウエハ14は、図12のステップS41に示すリソグラフィー工程を経た後の状態にあり、その表面にレジストパターンが形成されている。
そして、基板検査システム50では、レジストパターンが表面に形成されたウエハ14に対して、図12のステップS42→S43→S44→S45に示す順序で検査を実施する。このとき、ウエハ14は、不図示の搬送手段によって、まず初めに自動マクロ検査装置31へ搬送され、その次に線幅測定装置33へ搬送され、その次に顕微鏡装置51へ搬送され、最後に重ね合わせ測定装置52へ搬送される。
【0061】
詳細は後述するが、自動マクロ検査装置31は、図12のステップS42に示すマクロ検査工程において、ウエハ14に対するマクロ検査を実施する。また、線幅測定装置33は、ステップS43の線幅測定工程において、ウエハ14に対するミクロ検査を実施する。顕微鏡装置51は、ステップS44の顕微鏡観察工程において、ウエハ14に対するミクロ検査を実施する。重ね合わせ測定装置52は、ステップS45の重ね合わせ測定工程において、ウエハ14に対するミクロ検査を実施する。すなわち、ウエハ14に対する検査は、マクロ検査→ミクロ検査の順に実施される。
【0062】
さて、自動マクロ検査装置31は、マクロ検査工程(図12のS42)において、ウエハ14のマクロ欠陥を自動的に検出すると共に、検出したマクロ欠陥の自動分類を行う。そして、マクロ欠陥の分布情報および分類情報を自動的に電子情報化してマクロ欠陥マップ35(図11)を生成し、このマクロ欠陥マップ35を自動的に出力する。マクロ欠陥マップ35は、不図示の通信手段を介して検査データ記憶装置12に取り込まれ、そこに記憶される。
【0063】
線幅測定装置33は、線幅測定工程(ステップS43)において、図10の処理(ステップS31〜S35)を順に実行し、ウエハ欠陥マップ35を参照して、レジストパターンの線幅を自動的に測定する。つまり、ウエハ14がデフォーカスによるマクロ欠陥を含む場合には、そのマクロ欠陥の分布領域と予め用意されたサンプリング領域とで線幅を測定する。また、デフォーカスによるマクロ欠陥がない場合には、予め用意されたサンプリング領域のみで線幅を測定する。
【0064】
このようにして、線幅測定装置33でのミクロ検査が終了すると、ウエハ14は、顕微鏡装置51に向けて搬送される。
顕微鏡装置51は、ウエハ14を微視的に観察することにより欠陥を判別するためのミクロ検査装置である。顕微鏡装置51には、例えば、光学顕微鏡、電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、近接場光学顕微鏡などの各種顕微鏡を用いることができる。
【0065】
そして、顕微鏡装置51は、顕微鏡観察工程(ステップS44)において、図13の処理(ステップS51〜S53)を順に実行する。すなわち、ウエハ14の観察を実施する前に、ステップS51において、検査データ記憶装置12に記憶されているウエハ欠陥マップ35を不図示の通信手段を介して取り込む。
次に、顕微鏡装置51は、ステップS52に進み、取り込んだマクロ欠陥マップ35を参照して、ウエハ14におけるマクロ欠陥の有無を判断する。そして、マクロ欠陥がある場合(S52がY)には、マクロ欠陥の分布領域で観察を実施する(ステップS53)。一方、ウエハ14にマクロ欠陥がない場合(S52がN)、顕微鏡装置51は、ウエハ14の観察を行うことなく処理を終了する。
【0066】
このようにして、顕微鏡装置51でのミクロ検査が終了すると、ウエハ14は、重ね合わせ測定装置52に向けて搬送される。
重ね合わせ測定装置52は、重ね合わせ測定工程(ステップS45)において、図5の処理(ステップS11〜S15)を順に実行し、ウエハ欠陥マップ35を参照して、レジストパターンと下地パターンとの重ね合わせずれを自動的に測定する。つまり、ウエハ14がマクロ欠陥を含む場合には、そのマクロ欠陥の分布領域を除くサンプリング領域で重ね合わせずれを測定する。また、マクロ欠陥がない場合には、予め用意されたサンプリング領域で重ね合わせずれを測定する。
【0067】
このようにして重ね合わせ測定工程(図12のS45)も終了すると、ステップS46では、上記のマクロ検査および線幅測定,顕微鏡観察,重ね合わせ測定(ミクロ検査)の結果に基づく判定がなされる。そして、正常なウエハ14は次工程(加工工程)へ送られ、再生可能な不良品は再生工程へ送られ、再生不可能な不良品は廃棄される。
【0068】
上記したように、第3実施形態の基板検査システム50では、自動マクロ検査装置31で検出されたマクロ欠陥の分布情報および分類情報(マクロ欠陥マップ35)を検査データ記憶装置12に記憶させ、このマクロ欠陥マップ35を複数のミクロ検査装置(33,51,52)で共有するため、ミクロ検査装置(33,51,52)の各々におけるミクロ検査を効率良く実施することができる。
【0069】
なお、上記した実施形態では、ミクロ検査装置の例として、重ね合わせ測定装置13,52、線幅測定装置33、断面形状測定装置、膜厚測定装置、表面異物検査装置、顕微鏡装置を挙げたが、その他にも、パターン欠陥を検査するパターン欠陥検査装置や、基板の平面形状の測定を行う平坦度測定装置をミクロ検査装置として用いることもできる。
【0070】
また、上記した実施形態では、半導体回路素子の製造工程においてIC製造用のウエハ14を検査する例を説明したが、本発明は、液晶表示素子の製造工程において液晶製造用のガラス基板を検査する場合にも同じように適用できる。
【0071】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、マクロ検査とミクロ検査とを効率良く運用することができるため、コスト増加を抑えつつ信頼性の高い検査を実施することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態の基板検査システム10の構成を示すブロック図である。
【図2】ウエハ14に対する各工程の順序を示すフローチャートである。
【図3】ウエハ14におけるマクロ欠陥14aを説明する図である。
【図4】予め用意されたサンプリング領域13aを説明する図である。
【図5】図2の重ね合わせ測定工程の具体例を示すフローチャートである。
【図6】ウエハ14の正常な領域から選択された代替領域13bを説明する図である。
【図7】第2実施形態の基板検査システム30の構成を示すブロック図である。
【図8】ウエハ14に対する各工程の順序を示すフローチャートである。
【図9】ウエハ14のマクロ欠陥の自動分類を説明する図である。
【図10】図8の線幅測定工程の具体例を示すフローチャートである。
【図11】第3実施形態の基板検査システム50の構成を示すブロック図である。
【図12】ウエハ14に対する各工程の順序を示すフローチャートである。
【図13】図12の顕微鏡観察工程の具体例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
10,30,50 基板検査システム
11,31 自動マクロ検査装置
12 検査データ記憶装置
13,52 重ね合わせ測定装置
13a サンプリング領域
13b 代替領域
14 ウエハ
14a,14b,14c,14d マクロ欠陥
15,35 ウエハ欠陥マップ
33 線幅測定装置
51 顕微鏡装置
Claims (8)
- 被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報を出力する自動マクロ検査装置と、
前記自動マクロ検査装置から出力された前記マクロ欠陥の分布情報を記憶する記憶装置と、
前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、ミクロ欠陥を検出するミクロ検査装置とを備え、
前記ミクロ検査装置は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶装置に記憶された前記マクロ欠陥の分布情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域では前記ミクロ検査の実施を省略する
ことを特徴とする基板検査システム。 - 請求項1に記載の基板検査システムにおいて、
前記ミクロ検査装置は、前記被検査基板のうち予め定めたサンプリング領域に対して前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶装置に記憶された前記マクロ欠陥の分布情報を参照して、前記マクロ欠陥が分布している領域と重なる前記サンプリング領域では、前記マクロ欠陥が分布している領域以外の代替領域にて前記ミクロ検査を実施する
ことを特徴とする基板検査システム。 - 請求項1または請求項2に記載の基板検査システムにおいて、
前記ミクロ検査装置は、前記被検査基板の表面に形成されているレジストパターンと下地パターンとの相対的なずれを測定することにより、前記ミクロ検査を実施する
ことを特徴とする基板検査システム。 - 被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報および分類情報を出力する自動マクロ検査装置と、
前記自動マクロ検査装置から出力された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を記憶する記憶装置と、
前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、前記マクロ欠陥に関連のある種類のミクロ欠陥を検出するミクロ検査装置とを備え、
前記ミクロ検査装置は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶装置に記憶された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域で前記ミクロ検査を実施するか否かを決定する
ことを特徴とする基板検査システム。 - 請求項4に記載の基板検査システムにおいて、
前記ミクロ検査装置は、前記分類情報に含まれている前記マクロ欠陥の種類と当該ミクロ検査装置で検出可能な欠陥の種類との関連の度合いに応じて、前記ミクロ検査を実施するか否かを決定する
ことを特徴とする基板検査システム。 - 請求項4または請求項5に記載の基板検査システムにおいて、
前記ミクロ検査装置は、前記被検査基板の表面に形成されているレジストパターンの線幅を測定することにより、前記ミクロ検査を実施する
ことを特徴とする基板検査システム。 - 被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報を出力する自動マクロ検査工程と、
前記自動マクロ検査工程により出力された前記マクロ欠陥の分布情報を記憶する記憶工程と、
前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、ミクロ欠陥を検出するミクロ検査工程とを備え、
前記ミクロ検査工程は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶工程で記憶された前記マクロ欠陥の分布情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域では前記ミクロ検査の実施を省略する
ことを特徴とする基板検査方法。 - 被検査基板に対するマクロ検査を実施して、前記被検査基板のマクロ欠陥を検出し、該マクロ欠陥の分布情報および分類情報を出力する自動マクロ検査工程と、
前記自動マクロ検査工程により出力された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を記憶する記憶工程と、
前記被検査基板に対するミクロ検査を実施して、前記マクロ欠陥に関連のある種類のミクロ欠陥を検出するミクロ検査工程とを備え、
前記ミクロ検査工程は、前記ミクロ検査を実施する前に、前記記憶工程で記憶された前記マクロ欠陥の分布情報および分類情報を参照して、前記被検査基板のうち前記マクロ欠陥が分布している領域で前記ミクロ検査を実施するか否かを決定する
ことを特徴とする基板検査方法。
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