JP2008053601A

JP2008053601A - 半導体製造管理装置

Info

Publication number: JP2008053601A
Application number: JP2006230404A
Authority: JP
Inventors: Tsuneo Yasuda; 恒雄安田; Shinroku Maejima; 伸六前島; Yasuhiro Sato; 康弘佐藤; Taisuke Miwa; 泰介三輪; Tomoyuki Tsunoda; 智幸角田
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2006-08-28
Filing date: 2006-08-28
Publication date: 2008-03-06

Abstract

【課題】半導体製造装置の管理項目が常に所定値に向かうように補正を行なうことが可能な半導体製造管理装置を提供すること。
【解決手段】関係データ管理用データベース１ｂは、露光装置３によって加工した管理ロットを検査して得られた測定値を複数回分取得して記憶する。最適補正値計算部１ａは、関係データ管理用データベース１ｂから取得した最新の管理ロット測定値がＡ規格内にある場合、複数回の管理ロット測定値を用いて露光装置３に設定する補正値を計算する。したがって、露光装置３を常に最適な状態で動作させることが可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造装置を管理する技術に関し、特に、半導体製造装置の管理項目の値が常に所定値に向かうように補正を行なう半導体製造管理装置に関する。

従来の半導体製造装置を管理する手法においては、管理項目の値が目標範囲内（規格内）であれば、半導体製造装置の状態をそのまま維持し、特別な調整を行なわない。管理項目の値が目標範囲外（規格外）になったときにだけ、管理項目が目標範囲内となるように半導体製造装置に対して特別な調整を行なっていた。これに関連する技術として、下記の特許文献１に開示された発明がある。

特許文献１に開示された位置合わせ方法は、露光処理する露光処理過程と、重ね合わせ測定値を測定する測定過程と、指定された所望の合わせ補正値と測定された重ね合わせ測定値とを対応させて蓄積して露光履歴データベースを作成する過程と、この過程で作成された露光履歴データベースにおける所定の期間に亘っての変化の状態を示す評価値を基に、露光装置における先行露光による合わせ補正値調整の要否を判定する先行露光要否判定過程とを含む。
特開２００１−２５７１５９号公報

近年、半導体製造における微細化が進むのに伴って、管理項目の目標範囲がより小さくなってきている。このような状況において、従来の半導体製造装置の管理手法を用いたのでは規格外の管理項目が発生する頻度が高くなり、半導体製造が円滑に行なえなくなるといった問題点があった。このような問題は、上述した特許文献１に開示された発明を用いたとしても解決することはできない。

本願発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、半導体製造装置の管理項目が常に所定値に向かうように補正を行なうことが可能な半導体製造管理装置を提供することである。

本発明のある局面に従えば、半導体製造装置の管理項目の値を補正する半導体製造管理装置であって、半導体製造装置によって加工した管理ロットを検査して得られた測定値を複数回分取得する取得手段と、取得手段によって取得された最新の管理ロットの測定値が第１の規格内にある場合、複数回の管理ロットの測定値を用いて半導体製造装置に設定する補正値を計算する計算手段とを含む。

本発明のある局面によれば、取得手段によって取得された最新の管理ロットの測定値が第１の規格内にある場合、計算手段が複数回の管理ロットの測定値を用いて半導体製造装置に設定する補正値を計算するので、半導体製造装置を常に最適な状態で動作させることが可能となる。

本発明の実施の形態においては、半導体製造装置として露光装置を、管理項目としてベースライン（ＸＹずれ補正、フォーカス補正など）を、制御機器としてＡＰＣ（Advanced Process Control）システムを用いた場合について説明するが、これらに限定されるものではない。

図１は、本発明の実施の形態における半導体製造システムの概略構成を示すブロック図である。この半導体製造システムは、ＡＰＣシステム１と、ＭＥＳ（Manufacturing Execution System）２と、露光装置３と、検査装置４と、検査専用製品（管理ロット）５と、各装置を接続する通信ネットワーク６とを含む。なお、ＡＰＣシステム１を半導体製造管理装置とも呼ぶものとし、この半導体製造管理装置がＭＥＳ２を含んだ構成であってもよい。

ＡＰＣシステム１は、露光装置３に設定する最適な補正値を計算する最適補正値計算部１ａと、最適補正値計算部１ａが最適補正値を計算する際に必要となる元データを記憶する関係データ管理用データベース１ｂとを含む。

関係データ管理用データベース１ｂは、通信ネットワーク６を介してＭＥＳ２から検査専用製品５の測定値（以下、管理ロット測定値とも呼ぶ。）などの最適補正値を計算する際に必要となる情報を受けて記憶する。

最適補正値計算部１ａは、関係データ管理用データベース１ｂに記憶されるデータを参照して、後述する方法によって最適補正値を計算し、通信ネットワーク６を介して露光装置３に設定する。

ＭＥＳ２は、半導体製品の製造状況を管理するシステムであり、ＡＰＣシステム１が最適補正値を計算する際に必要となるＡＰＣ関連データを抽出するＡＰＣ関連データ抽出部２ａと、露光装置３、検査装置４などの装置に製品処理情報を与えて各装置を制御する製品情報管理制御部２ｂと、製造関係データ管理用データベース２ｃとを含む。

ＡＰＣ関連データ抽出部２ａは、製造関係データ管理用データベース２ｃから検査専用製品５の測定値などの最適補正値を計算するのに必要なデータを抽出し、通信ネットワーク６を介してＡＰＣシステム１に送信する。

製品情報管理制御部２ｂは、製造関係データ管理用データベース２ｃから通信ネットワークに接続された半導体製造装置に関連する製品処理情報を抽出し、通信ネットワーク６を介して各半導体製造装置に与えることにより、半導体の製造工程を制御する。また、製品情報管理制御部２ｂは、露光装置３などの半導体製造装置の製品処理情報を製造関係データ管理用データベース２ｃの適切な位置に記録し、適宜その情報を読出して各半導体製造装置に与える。

製造関係データ管理用データベース２ｃは、半導体製造に関するあらゆる情報、たとえば、露光装置３などの半導体製造装置を制御するための製品処理情報、検査装置４から受けた検査専用製品５の測定値などを記憶しており、必要に応じてＡＰＣ関連データ抽出部２ａおよび製品情報管理制御部２ｂに与える。

図２は、本発明の実施の形態におけるＡＰＣシステム１の構成例を示すブロック図である。このＡＰＣシステム１は、コンピュータ本体１１、ディスプレイ装置１２、ＦＤ（Flexible Disk）１４が装着されるＦＤドライブ１３、キーボード１５、マウス１６、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc-Read Only Memory）１８が装着されるＣＤ−ＲＯＭ装置１７、およびネットワーク通信装置１９を含む。最適補正値計算プログラムは、ＦＤ１４またはＣＤ−ＲＯＭ１８等の記録媒体によって供給される。最適補正値計算プログラムがコンピュータ本体１１によって実行されることによって、露光装置３の最適補正値の計算が行なわれる。また、最適補正値計算プログラムは他のコンピュータより通信回線を経由し、コンピュータ本体１１に供給されてもよい。

また、コンピュータ本体１１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２０、ＲＯＭ（Read Only Memory）２１、ＲＡＭ（Random Access Memory）２２およびハードディスク２３を含む。ＣＰＵ２０は、ディスプレイ装置１２、ＦＤドライブ１３、キーボード１５、マウス１６、ＣＤ−ＲＯＭ装置１７、ネットワーク通信装置１９、ＲＯＭ２１、ＲＡＭ２２またはハードディスク２３との間でデータを入出力しながら処理を行なう。ＦＤ１４またはＣＤ−ＲＯＭ１８に記録された最適補正値計算プログラムは、ＣＰＵ２０によりＦＤドライブ１３またはＣＤ−ＲＯＭ装置１７を介してハードディスク２３に格納される。ＣＰＵ２０は、ハードディスク２３から適宜最適補正値計算プログラムをＲＡＭ２２にロードして実行することによって、最適補正値の計算が行なわれる。

図１に示す最適補正値計算部１ａは、ＣＰＵ２０がＲＡＭ２２にロードされた最適補正値計算プログラムを実行することによって実現される。また、関係データ管理用データベース１ｂとして、たとえばハードディスク２３の所定領域が割当てられる。

また、ＭＥＳ２は、図２に示すＡＰＣシステム１と同様の構成を有している。また、ＡＰＣシステム１とＭＥＳ２との両方が、図２に示す１つのハードウェア構成によって実現されてもよい。

図３は、検査専用製品５内の製品ウェハの断面の一部を示す図である。検査専用製品５内の製品ウェハは、Ｓｉウェハ７と、Ｓｉウェハ７上に形成された回路パターン８と、レジスト（感光剤）９とを含む。半導体製品は、回路パターン８を多数積層することによって製造される。レジスト９は、回路パターン８の上にさらに積層するパターンを形成する際に利用される。

露光装置３は、処理すべき半導体製品が流れてくると、回路パターン８上にさらに回路パターンを形成するために、レジスト９でコーティングして焼き付け処理（露光処理）を行ない、最後にレジスト９を現像処理する。

検査装置４は、回路パターン８とレジスト９との実測ずれ量１０を測定し、通信ネットワーク６を介して測定値をＭＥＳ２に送信する。

図４は、検査専用製品５の製造フローの一例を示す図である。この製造フローにおいては、製造順番にしたがって工程名と装置名とが記載されている。ＭＥＳ２は、この製造フローに示す手順で各装置に製品処理情報を与えることにより、検査専用製品５の検査を行なう。

たとえば、製造順番“１”において、ＭＥＳ２は、露光装置３を制御することにより検査専用製品５に対するリソグラフィ工程の処理を行なう。次に、ＭＥＳ２は、製造順番“２”において、検査装置４を制御することにより検査専用製品５の検査（重ね合わせ検査）を行ない、実測ずれ量１０を取得する。

次に、ＭＥＳ２は、製造順番“３”において、ＡＰＣシステム１によって計算された最適補正値を露光装置３に設定することにより露光装置定期点検補正工程の処理を行なう。そして、ＭＥＳ２は、製造順番“４”において、図示しないアッシング装置を制御して検査専用製品５のレジスタ９を除去する。

製造番号“１”〜“４”と同様の処理が、製造番号“５”以降にも記載されており、検査専用製品５の定期点検が繰返し行なわれる。この定期点検は、たとえば、１日に１回行なわれる。この場合、製造番号“１”〜“４”の処理により定期点検が行なわれた次の日に、製造番号“５”〜“８”の処理により定期点検が行なわれる。

この定期点検によって得られた実測ずれ量１０が順次製造関係データ管理用データベース２ｃに格納される。ＡＰＣシステム１が最適補正値を計算する際に、ＡＰＣ関連データ抽出部２ａが最近の数回分の実測ずれ量１０を製造関係データ管理用データベース２ｃから抽出して、ＡＰＣシステム１に送信する。なお、検査専用製品５は、同じものが繰返し使用される。

図５は、ＡＰＣシステム１によって計算された最適補正値を露光装置３に設定する方法を説明するための図である。図４に示す処理フローに従って、“１０月１日８時”にリソグラフィ工程の処理が行なわれ、“１０月１日９時”に重ね合わせ検査工程の処理が行なわれると、ＡＰＣシステム１は、後述する方法によって最適補正値を計算する。

そして、“１０月１日１０時”に露光装置定期点検補正工程の処理が行なわれる。このとき、ＡＰＣシステム１によって計算された最適補正値が“−１０”であれば、装置定数イニシャル値“２５”と加算されて、加算結果である“１５”が補正値（新装置定数）として露光装置３に設定される。

同様の方法によって、“１０月２日１０時”に補正値“２０”が露光装置３に設定され、“１０月３日１０時”に補正値“２５”が露光装置３に設定される。

図６は、本発明の実施の形態におけるＡＰＣシステム１の処理手順の概略を説明するためのフローチャートである。まず、図４に示す製造フローに従って露光装置３の定期点検が実行される（Ｓ１）。

次に、最適補正値計算部１ａは、露光装置３が最適状態になるように最適補正値を計算して露光装置３に設定し（Ｓ２）、次の定期点検まで待機する（Ｓ３）。次の定期点検の時間になると、ステップＳ１以降の処理が再度行なわれる。

図７は、最適補正値計算部１ａによる最適補正値の計算方法を説明するための図である。図７において、“Ｕ”は管理ロット測定値（検査専用製品５の実測ずれ量１０）の上限値を示しており、“Ｌ”は管理ロット測定値の下限値を示している。

また、四角の中に数字の“４”が記載されたものが最新の管理ロット測定値を示し、四角の中に数字の“３”が記載されたものが最新から１つ前の管理ロット測定値を示し、四角の中に数字の“２”が記載されたものが最新から２つ前の管理ロット測定値を示し、四角の中に数字の“１”が記載されたものが最新から３つ前の管理ロット測定値を示している。

条件１は、最新の管理ロット測定値が有効範囲内の場合を示している。この場合、最適補正値計算部１ａは、最新のｎ回の有効範囲内の管理ロット測定値からそれぞれの補正値を求め、その補正値を平均することによって最適補正値を計算する。図７の条件１においては、４つの管理ロット測定値の中から有効範囲内にある３つの管理ロット測定値から最適補正値を求める場合を示している。

装置の状態が不安定ならば、１つまたは２つの管理ロット測定値から最適補正値を計算するようにしてもよいし、装置の状態が安定していれば、３〜５つの管理ロット測定値から最適補正値を計算するようにしてもよい。

条件２は、最新の２回の管理ロット測定値がともに有効範囲外の場合を示している。この場合、最適補正値計算部１ａは、有効範囲外にある最新の２回の管理ロット測定値からそれぞれの補正値を求め、その補正値を平均することによって最適補正値を計算する。

図７の条件２の１）は、最新の２回の管理ロット測定値がともに上限値“Ｕ”を上回っている場合、または下限値“Ｌ”を下回っている場合を示している。また、条件２の２）は、一方が上限値“Ｕ”を上回っており、他方が下限値“Ｌ”を下回っている場合を示している。

図７の条件２の３）は、最新の２回の管理ロット測定値のうち、少なくとも１つがデータ抜けの場合を示している。この場合には、ＮＧ応答を行ない、最適補正値計算部１ａは最適補正値の計算を行なわない。データ抜けとは、露光装置３を点検したときに得られたデータ群の一部または全部が、プログラムの不具合などで欠落した状態を示しており、図７においては点線の四角で示している。また、ＮＧ応答とは、最適補正値計算部１ａによる補正値の計算が不可能である場合に、ＭＥＳ２にＮＧを返すことを意味している。

条件３は、最新の管理ロット測定値が有効範囲外であり、その１つ前の管理ロット測定値が有効範囲内の場合を示している。この場合、最適補正値計算部１ａは最適補正値の計算を行なわない。

条件３の１）は、最新の管理ロット測定値が上限値“Ｕ”を上回っているか、下限値“Ｌ”を下回っており、その１つ前の管理ロット測定値が有効範囲内の場合を示している。この場合、最適補正値計算部１ａは最適補正値の計算を行なわない。

また、条件３の２）は最新の管理ロット測定値がデータ抜けであり、その前の管理ロット測定値が有効範囲内の場合を示している。この場合、ＮＧ応答を行ない、最適補正値計算部１ａは最適補正値の計算は行なわれない。

図８は、本発明の実施の形態において使用される３つの規格を説明するための図である。Ａ規格は、図７に示す上限値“Ｕ”および下限値“Ｌ”に対応しており、半導体製造の微細化のために設けられた厳しい規格である。

Ｂ規格は、Ａ規格の上限値“Ｕ”よりも大きな上限値、および下限値“Ｌ”よりも小さい下限値を用いており、Ａ規格よりも緩い規格である。このＢ規格は、露光装置３に設定する補正値が大きく変動するのを防止する（大飛びを防止する）ために設けられた規格である。

Ｃ規格は、最適補正値計算部１ａによって計算された露光装置３に設定する補正値に対して設けられた規格であり、最適補正値が上限値“Ｕ’”および下限値“Ｌ’”の範囲内にあるか否かを判定するためのものである。この規格は、計算機の誤動作発見などのために用いられる。

図９は、本発明の実施の形態におけるＡＰＣシステム１の処理手順の詳細を説明するためのフローチャートである。まず、ＭＥＳ２の製品情報管理制御部２ｂが露光装置３を制御して検査専用製品５の写真製版処理を行なわせ（Ｓ１１）、検査装置４を制御して重ね合わせ検査を行なわせる（Ｓ１２）。検査装置４の検査結果は、管理ロット測定値として製造関係データ管理用データベース２ｃに格納される。

次に、ＡＰＣシステム１の最適補正値計算部１ａは、ＭＥＳ２から受けた管理ロット測定値などの情報を関係データ管理用データベース１ｂに格納し、最新の管理ロット測定値がＡ規格内であるか否かを判定する（Ｓ１３）。最新の管理ロット測定値がＡ規格内であれば（Ｓ１３，ＯＫ）、図７の条件１で説明したように有効範囲内にある最新のｎ回分の管理ロット測定値から補正値を計算する（Ｓ１４）。

次に、最適補正値計算部１ａは、計算した補正値がＣ規格内であるか否かを判定する（Ｓ１５）。補正値がＣ規格内であれば（Ｓ１５，ＯＫ）、ステップＳ１４で計算した補正値を最適補正値として露光装置３に設定し（Ｓ１６）、ステップＳ１７に進む。

補正値がＣ規格内になければ（Ｓ１５，ＮＧ）、スタッフに連絡を行ない（Ｓ１８）、露光装置３を手動で補正し（Ｓ１９）、ステップＳ１７に進む。

ステップＳ１３において、最新の管理ロット測定値がＡ規格内になければ（Ｓ１３，ＮＧ）、最適補正値計算部１ａは、１回前の検査で求められた管理ロット測定値がＡ規格内であるか否かを判定する（Ｓ２０）。

１回前の管理ロット測定値がＡ規格内にあれば（Ｓ２０，Ｙｅｓ）、最新の管理ロット測定値がＢ規格内にあるか否かを判定する（Ｓ２１）。最新の管理ロット測定値がＢ規格内になければ（Ｓ２１，ＮＧ）、上述したように大飛びを防止するために露光装置３をリセットし（Ｓ２５）、ステップＳ２２に進む。

最新の管理ロット測定値がＢ規格内にある場合（Ｓ２１，ＯＫ）、または露光装置３をリセットした場合（Ｓ２５）には、装置定数補正の工程を削除し（Ｓ２２）、図７の条件３で説明したように、露光装置３の補正値の設定を行なわずに（Ｓ２３）、ステップＳ１７に進む。

また、１回前の管理ロット測定値がＡ規格内になければ（Ｓ２０，Ｎｏ）、２回前の管理ロット測定値がＡ規格内にあるか否かを判定する（Ｓ２４）。２回前の管理ロット測定値がＡ規格内にあれば（Ｓ２４，Ｙｅｓ）、図７の条件２で説明したように、最適補正値計算部１ａは、最新の２回の管理ロット測定値から補正値を計算する（Ｓ２６）。そして、計算した補正値がＣ規格内にあるか否かを判定する（Ｓ２７）。

計算した補正値がＣ規格内にあれば（Ｓ２７，ＯＫ）、ステップＳ２６で計算した補正値を最適補正値として露光装置３に設定し（Ｓ２８）、ステップＳ１７に進む。また、計算した補正値がＣ規格内になければ（Ｓ２７，ＮＧ）、スタッフに連絡を行ない（Ｓ２９）、露光装置３を手動で補正し（Ｓ３０）、ステップＳ１７に進む。

２回前の管理ロット測定値がＡ規格内になければ（Ｓ２４，Ｎｏ）、最新の３回の管理ロット測定値がすべてＡ規格外であるので、スタッフに連絡を行ない（Ｓ２９）、露光装置３を手動で補正し（Ｓ３０）、ステップＳ１７に進む。

ステップＳ１９において、図示しないアッシング装置によるレジスト除去工程の処理を行なって検査専用製品５の再生を行なう。そして、Ａ規格、Ｂ規格またはＣ規格による判定のいずれかでＮＧがあったか否かを判定する（Ｓ３１）。

判定のいずれかでＮＧがあった場合には（Ｓ３１，有り）、ステップＳ１１に戻って再度最適補正値の計算を行なう。また、判定のいずれにおいてもＮＧがなければ（Ｓ３１，無し）、翌日の点検まで待機する（Ｓ３２）。なお、露光装置３の補正値を計算する際に（Ｓ１４，Ｓ２６）、データ抜けが発生してＮＧ応答となった場合には、そのデータを補正値計算に使用できないので、再度ステップＳ１１からの処理が行なわれる。

図１０は、本発明の実施の形態におけるＡＰＣシステム１によって計算された最適補正値を用いずに補正を行なった場合の実測ずれ量の変動と、最適補正値を用いて補正を行なった場合の実測ずれ量の変動とを示す図である。

図１０においては、横軸が点検日を示しており、縦軸が実測ずれ量の変動率（％）を示している。図１０から分かるように、ＡＰＣシステム１によって計算された最適補正値を用いて露光装置３の補正を行なう場合、補正を行なわない場合と比較して、実測ずれ量の変動率が０％近辺で遷移しており、露光装置３の管理が良好に行なわれている。

以上の説明においては、補正対象の半導体製造装置として露光装置の場合について説明したが、ドライエッチング装置、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、スパッタ装置、イオン注入装置、ウェットエッチング装置、拡散装置などにも適用することが可能である。これらの装置の場合には、点検データの内容のみが異なる。

以上説明したように、本実施の形態におけるＡＰＣシステム１によれば、最新の管理ロット測定値がＡ規格内であっても、露光装置３の補正値を計算して設定するようにしたので、露光装置３を常に最適な状態で動作させることが可能となった。それによって、製造される半導体製品の品質が安定し、良品の数を増やすことが可能となった。

また、最新の管理ロット測定値が有効範囲内にある場合、有効範囲内にあるｎ回分の管理ロット測定値から最適補正値を計算するようにしたので、実測ずれ量が所定値を中心として遷移し、その変動量を小さくすることが可能となった。

また、最新の２回の管理ロット測定値が有効範囲外の場合には、突発的に発生した変動ではないとして、その２回の管理ロット測定値から最適補正値を計算するようにしたので、露光装置３の補正をより正確に行なうことが可能となった。

また、最新の管理ロット測定値が有効範囲内であり、その１回前の管理ロット測定値が有効範囲外の場合には、露光装置３の補正を行なわないようにしたので、露光装置３の補正をより正確に行なうことが可能となった。

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の実施の形態における半導体製造システムの概略構成を示すブロック図である。本発明の実施の形態におけるＡＰＣシステム１の構成例を示すブロック図である。検査専用製品５内の製品ウェハの断面の一部を示す図である。検査専用製品５の製造フローの一例を示す図である。ＡＰＣシステム１によって計算された最適補正値を露光装置３に設定する方法を説明するための図である。本発明の実施の形態におけるＡＰＣシステム１の処理手順の概略を説明するためのフローチャートである。最適補正値計算部１ａによる最適補正値の計算方法を説明するための図である。本発明の実施の形態において使用される３つの規格を説明するための図である。本発明の実施の形態におけるＡＰＣシステム１の処理手順の詳細を説明するためのフローチャートである。本発明の実施の形態におけるＡＰＣシステム１によって計算された最適補正値を用いずに補正を行なった場合の実測ずれ量の変動と、最適補正値を用いて補正を行なった場合の実測ずれ量の変動とを示す図である。

符号の説明

１ＡＰＣシステム、１ａ最適補正値計算部、１ｂ関係データ管理用データベース、２ＭＥＳ、２ａＡＰＣ関連データ抽出部、２ｂ製品情報管理制御部、２ｃ製造関係データ管理用データベース、３露光装置、４検査装置、５検査専用製品、６通信ネットワーク、７Ｓｉウェハ、８回路パターン、９レジスト、１０実測ずれ量、１１コンピュータ本体、１２ディスプレイ装置、１３ＦＤドライブ、１４ＦＤ、１５キーボード、１６マウス、１７ＣＤ−ＲＯＭ装置、１８ＣＤ−ＲＯＭ、１９ネットワーク通信装置、２０ＣＰＵ、２１ＲＯＭ、２２ＲＡＭ、２３ハードディスク。

Claims

半導体製造装置の管理項目の値を補正する半導体製造管理装置であって、
前記半導体製造装置によって加工した管理ロットを検査して得られた測定値を複数回分取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された最新の管理ロットの測定値が第１の規格内にある場合、複数回の管理ロットの測定値を用いて前記半導体製造装置に設定する補正値を計算する計算手段とを含む、半導体製造管理装置。
前記計算手段は、最新の管理ロットの測定値が前記第１の規格内にある場合、前記第１の規格内にある最新の複数回分の測定値から前記半導体製造装置に設定する補正値を計算する、請求項１記載の半導体製造管理装置。
前記計算手段は、最新の２回分の管理ロットの測定値がともに前記第１の規格内にない場合、当該２回分の管理ロットの測定値から前記半導体製造装置に設定する補正値を計算する、請求項１記載の半導体製造管理装置。
前記計算手段は、最新の管理ロットの測定値が前記第１の規格内になく、最新の１回前の管理ロットの測定値が前記第１の規格内にある場合、前記半導体製造装置に設定する補正値の計算を行なわない、請求項１記載の半導体製造管理装置。
前記計算手段は、最新の管理ロットの測定値が前記第１の規格内になく、最新の１回前の管理ロットの測定値が前記第１の規格内にある場合であって、最新の１回前の管理ロットの測定値が、前記第１の規格よりも範囲が広い第２の規格内にない場合には、前記半導体製造装置のリセットを行なう、請求項１記載の半導体製造管理装置。