JP2007189065A - 露光方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 マスクパターンの像を第1レジスト膜上にそれぞれ異なる露光量を用いてスキャン投影し、複数のテストレジストパターンを形成するステップS102、スキャン方向におけるマスクパターンのマスク線幅を位置の座標と共に計測するステップS104、スキャン方向における複数のテストレジストパターンのそれぞれのレジスト線幅を、位置の座標に対応する投影位置で計測するステップS105、マスク線幅、レジスト線幅、及び露光量の関係を位置の座標と共に取得するステップS106、及び、関係に基づいて、スキャン方向においてレジスト線幅が一定となるよう、位置の座標に応じて露光量を変動させながらマスクパターンの像を第2レジスト膜上にスキャン投影するステップS110を含む。
【選択図】 図13
Description
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。例えば実施の形態においては、関係取得モジュール121は第n座標Pnにおける実測値MWnを有するマスクパターン66aの像を第1乃至第iの試験値の露光量でそれぞれ投影した場合のレジスト線幅の第1乃至第iの実測値RW1n〜RWinから、第nの近似関数を第nの関係として算出すると説明した。これに対し、関係取得モジュール121は、露光量の第1乃至第iの試験値と、レジスト線幅の第1乃至第iの実測値RW1n〜RWinとの関係を記録したワークシートを第nの関係として作成してもよい。この場合露光量算出モジュール122は、ワークシートから設計値RWDのレジスト線幅を有するテストレジストパターンを形成するために最も適する露光量を抽出すればよい。また実施の形態においては、テストレジストパターンの形成に用いたフォトマスクで製造用レジストパターンを形成する例を示した。しかし、フォトマスクは必ずしも同一である必要はなく、同一製品群を製造するために用いられる異なるフォトマスクを製造用レジストパターンを形成する時に用いてもよい。以上示したように、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明からは妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
41…照明光源
66a〜66f…マスクパターン
121…関係取得モジュール
122…露光量算出モジュール
123…制御関数算出モジュール
338…近似関数記憶モジュール
339…工程情報記憶モジュール
341…算出値記憶モジュール
342…制御関数記憶モジュール
Claims (5)
- マスクパターンの像を第1レジスト膜上にそれぞれ異なる露光量を用いてスキャン投影し、複数のテストレジストパターンを形成するステップと、
スキャン方向における前記マスクパターンのマスク線幅を位置の座標と共に計測するステップと、
前記スキャン方向における前記複数のテストレジストパターンのそれぞれのレジスト線幅を、前記位置の座標に対応する投影位置で計測するステップと、
前記マスク線幅、前記レジスト線幅、及び前記露光量の関係を前記位置の座標と共に取得するステップと、
前記関係に基づいて、前記スキャン方向において前記レジスト線幅が一定となるよう、前記位置の座標に応じて前記露光量を変動させながら前記マスクパターンの像を第2レジスト膜上にスキャン投影するステップ
とを含むことを特徴とする露光方法。 - 前記関係を取得するステップは、前記マスク線幅ごとに前記露光量及び前記レジスト線幅のそれぞれを変数とする近似関数を算出するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記関係を取得するステップは、前記変数としての前記レジスト線幅に前記テストレジストパターンの設計値を代入し、前記マスク線幅ごとに前記露光量を算出するステップを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の露光方法。
- 前記関係を取得するステップは、前記マスク線幅ごとの前記露光量の算出値に基づいて、前記マスク線幅及び前記露光量の関係を近似するステップを更に含むことを特徴とする請求項3に記載の露光方法。
- 第1半導体基板上に第1レジスト膜を形成するステップと、
マスクパターンの像を前記第1レジスト膜上にそれぞれ異なる露光量を用いてスキャン投影し、複数のテストレジストパターンを前記第1半導体基板上に形成するステップと、
スキャン方向における前記マスクパターンのマスク線幅を位置の座標と共に計測するステップと、
前記スキャン方向における前記複数のテストレジストパターンのそれぞれのレジスト線幅を、前記位置の座標に対応する投影位置で計測するステップと、
前記マスク線幅、前記レジスト線幅、及び前記露光量の関係を前記位置の座標と共に取得するステップと、
第2半導体基板上に第2レジスト膜を形成するステップと、
前記関係に基づいて、前記スキャン方向において前記レジスト線幅が一定となるよう、前記位置の座標に応じて前記露光量を変動させながら前記マスクパターンの像を前記第2レジスト膜上にスキャン投影し、製造用レジストパターンを前記第2半導体基板上に形成するステップ
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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