JP2005026292A - 半導体装置及びその製造方法、半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】評価値として、L&Sパターンにおけるエッチングシフト量をE、エッチシフトの疎密差((孤立パターンにおけるエッチングシフト)−(L&Sパターンにおけるエッチングシフト))をΔ、オーバーエッチング量をOE、SO2/O2流量比をSO2とすると、E及びΔはOE及びSO2の関数で表すことができる。この関数(関係式)を求める一方法として、重回帰分析法が好適である。
【選択図】 図7
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィーにより所望のパターンを得る半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置、プログラム及び記憶媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体ウェーハ毎又は半導体ウェーハのロット毎に寸法の揃ったパターンを得るため、エッチング条件を最適化してパターン寸法を管理値内に収める手法が案出されている。この手法はAPC(Advanced Process Control)と称されている(特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−143982号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
近時では、半導体装置の更なる微細化・高集積化が進み、ゲート電極に代表されるパターンの微細化も加速されている。それに伴い、個々のトランジスタの性能ばらつきが回路性能に大きく影響を与えるようになっている。特に性能向上のためのゲート長の微細化はトランジスタのロールオフ特性を劣化させ、わずかなゲート長の寸法変動がソース/ドレイン電流やスタンバイ時のリーク電流値を大きく変動させる。ゲート長の寸法変動は、半導体ウェーハ間やロット間のみならず、微細化が進むにつれて半導体ウェーハのチップ領域内で特に問題視され始めており、この問題の解決が急務とされる現況にある。
【0005】
本発明は、半導体ウェーハのチップ領域内におけるマスクパターンの粗密に起因する寸法変動の発生を解消し、特性劣化を生ぜしめることなく各種パターンを所望寸法に形成することを実現して、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターンの寸法を測定する工程と、前記寸法の測定値に基づき、前記チップ領域内におけるマスクパターンの粗密に起因する寸法変動の発生を解消することを見込んだエッチング条件を決定する工程と、前記エッチング条件に基づいて前記マスクパターンをエッチングする工程とを含む。
【0007】
本発明の半導体製造装置は、半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターンの寸法を測定する寸法測定手段と、前記寸法の測定値に基づき、前記チップ領域内におけるマスクパターンの粗密に起因する寸法変動の発生を解消することを見込んだエッチング条件を決定する決定手段と、前記エッチング条件に基づいて前記マスクパターンをエッチングするエッチング手段とを含む。
【0008】
本発明の半導体装置は、上記の製造方法により製造されてなるものである。
【0009】
本発明のプログラムは、予め複数のエッチングパラメータをマトリックスに組んでおき、複数の試験用パターンのエッチングシフト量又はエッチングシフト差を測定するステップと、複数の前記試験用パターンの前記エッチングシフト量又は前記エッチングシフト差を複数の前記エッチングパラメータの多項式でモデル化するステップと、加工対象となる半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターンの測定寸法を用いて計算した前記エッチングシフト量又は前記エッチングシフト差を前記多項式に代入し、前記多項式を前記各エッチングパラメータについて解き、これらの解からなるエッチング条件を得るステップとをコンピュータに実行させるためのものである。
【0010】
本発明の記憶媒体は、上記のプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能なものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
−本発明の基本骨子−
図1は、半導体ウェーハにおけるチップ内の疎密差の半導体ウェーハ間及びロット間の変動を示す特性図である。
チップ内の寸法ばらつきの原因は、リソグラフィー工程における近接効果補正残渣等のシステマティックなばらつきの他、図1から判るように、半導体ウェーハ単位、ロット単位における例えば露光装置のフォーカスずれによる疎密差のランダムな乖離が大きな影響を与えている。このフォーカスずれによる疎密差の発生原因を調べたところ、図2に示すように、露光におけるフォーカスマージンがL&S(Line & Space)パターン(密なパターン)に比べて孤立パターン(疎なパターン)のそれが小さいために起こる可能性が高い。
【0012】
本発明者は、半導体ウェーハのチップ単位に着目し、当該チップ内におけるパターンの疎密差に起因して発生するパターンの寸法変動を解消すべく、APCの技術思想をチップ単位に適用する。即ち、半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターンの寸法を測定し、寸法変動の発生を解消することを見込んだエッチング条件を決定して、このエッチング条件に基づいてマスクパターンをエッチング(トリミング)することを案出した。即ち、具体的な一例としては、図3に示すように、半導体基板のチップ領域内において、エッチング前にレジスト寸法を測長SEMで測定し、その値をもとに、エッチング装置のエッチング条件を変えて(フィードフォーワード)エッチングを行うことにより、所望の寸法のゲートパターンを得る。
【0013】
このエッチング条件中の装置制御パラメータ(エッチングパラメータ)の数は、基準パターンの種類数以上の数であり、予め作成したエッチングパラメータの相関関係(例えば、基準パターンの評価値をエッチングパラメータで表した関係式)に従って算出されるものである。エッチングパラメータとしては、オーバーエッチング量及びエッチングガスの流量比がある。更にエッチング精度を向上させるため、実効フォーカス量をエッチングパラメータとして加えても好適である。
【0014】
−本発明を適用した具体的な実施形態−
図4は、微細ゲート加工プロセスを工程順に示す概略断面図である。
先ず、図4(a)に示すように、半導体ウェーハ1上にゲート絶縁膜2を形成した後、多結晶シリコン膜3を堆積する。そして、多結晶シリコン膜3上に反射防止膜4を解してフォトレジストを塗付し、これをフォトリソグラフィー(例えばArFレーザ光による露光及び現像等)により電極形状に加工し、レジストマスク5を形成する。
【0015】
続いて、図4(b)に示すように、レジストマスク5のレジストパターン6をトリミング、ここでは等方性ドライエッチングにより細らせる。これにより、フォトリソグラフィーの解像限界以下の寸法とされた微細なレジストパターン6を有するレジストマスク5が完成する。
【0016】
続いて、図4(c)に示すように、レジストマスク5を用いて反射防止膜4及び多結晶シリコン膜3を異方性ドライエッチングし、レジストパターン6の形状に倣ったゲート電極7をパターン形成する。そして、灰化処理等によりレジストマスク5を除去し、反射防止膜4をウェットエッチング等により除去する。
【0017】
しかる後、ソース/ドレイン、層間絶縁膜及び各種配線層等の形成を経て、半導体装置、例えばMOSトランジスタ等を完成させる。
【0018】
本実施形態では、図4(b)のトリミングステップにおいて、予め基準パターンを用いて得られたエッチング条件に基づいてエッチング条件を適正化することにより、エッチングシフト量やチップ内におけるパターンの疎密に起因する寸法変動を制御する。
【0019】
図5及び図6は、トリミングステップにおけるエッチングパラメータのうち、オーバーエッチング量(OE)とエッチングガスの流量比(O2ガス流量に対するSO2ガス流量の比)を変えた時の、L&Sパターンのエッチシフト量(図5)とエッチシフトの疎密差((孤立パターンにおけるエッチシフト量)−(L&Sパターンにおけるエッチシフト量))(図6)を示す特性図である。これらの結果から、オーバーエッチング量とSO2/O2流量比とを適当に選べば、疎密差を解消しながらL&Sパターンのエッチングシフト量を自在に制御できることが判る。
【0020】
図5及び図6の結果を基に、評価値として、L&Sパターンにおけるエッチングシフト量をE、エッチシフトの疎密差((孤立パターンにおけるエッチングシフト)−(L&Sパターンにおけるエッチングシフト))をΔ、オーバーエッチング量をOE、SO2/O2流量比をSO2とすると、E及びΔはOE及びSO2の関数で表すことができる。例えば1次式で近似すると、図7のような数式で表すことができる。当該式中で各定数の決め方としては、線形多項式の係数を最小二乗法で決めることもできるし、係数の有意性を吟味した重回帰分析法を使って決めることも可能である。
【0021】
この2元連立方程式をOE及びSO2について解くことができ、所望のエッチングシフト量と疎密差解消量を入力することにより、最適なオーバーエッチング量とSO2/O2流量比とを求めることができる(図8)。
【0022】
本実施形態による半導体製造装置は、図9に示すように、半導体ウェーハのチップ領域内における複数の基準パターンの寸法を測定する寸法測定手段11と、寸法の測定値に基づき、チップ領域内におけるマスクパターンの粗密に起因する寸法変動の発生を解消することを見込んだエッチング条件を決定する決定手段12と、決定されたエッチング条件に基づいてマスクパターンをエッチング(トリミング)するエッチング手段13とを備えて構成される。寸法測定手段11としては光散乱による測定装置やCD−SEM、走査電子顕微鏡が、エッチング手段13としては等方性ドライエッチング装置を用いることが好適である。
【0023】
上記のトリミングを実行するにおいて、エッチングレシピを作成し、これを用いてエッチングするプロセスフローを図10及び図11に示す。
先ず、図10に示すように、エッチングレシピを作成して準備しておく。
予め、例えば露光装置の露光量及びフォーカス値をマトリックスに組むとともに、複数のエッチングパラメータ(ここでは、オーバーエッチング量であるOE及びエッチングガスの流量比であるSO2/O2)をマトリックスに組んでおき、チップ領域に設けられた試験用パターンの評価値、ここではエッチングシフト量及び疎密差を解消するための値(ここではエッチングシフトの疎密差)を測定する(ステップS11)。試験用パターンによる実験テーブルの一例を図12に示す。
【0024】
続いて、複数の試験用パターンのエッチングシフト量又は前記エッチングシフト差を複数のエッチングパラメータの多項式でモデル化する(ステップS12)。
【0025】
続いて、この多項式をエッチングパラメータについて解き、必要なエッチングシフト量及びエッチングシフトの疎密差を解消するエッチングパラメータを算出する演算式を作成する(ステップS13)。即ちこのとき、図7に例示するように、エッチングシフト量E及びエッチングシフトの疎密差ΔをエッチングパラメータであるOE及びSO2/O2の関数で表す際の係数が決定される。
【0026】
そして、予め一定のエッチングシフト量及びエッチングシフトの疎密差を評価値とする複数のエッチングレシピからなるレシピセットを登録する(ステップS14)。
【0027】
次に、図11に示すように、上述のトリミングを行う。
先ず、加工対象となる半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターン(モニターパターン)の寸法を測長SEM等を用いて測定する(ステップS1)。
【0028】
続いて、管理値(狙い値)とチップ領域内におけるパターンの疎密差から、必要なエッチングシフト量及びエッチングシフトの疎密差を計算する(ステップS2)。
【0029】
続いて、計算されたエッチングシフト量又はエッチングシフト差をステップS13で作成した演算式に代入し、この演算式を各エッチングパラメータについて解く(ステップS3)。
【0030】
続いて、図13に示すように、ステップS11〜S14で予め用意したレシピセットの中から必要なエッチングパラメータに最も近いレシピ、即ち最適レシピを選択する(ステップS4)。
【0031】
そして、この最適レシピに従ってエッチング手段13のエッチング条件を設定し、等方性ドライエッチングによりレジストパターンをトリミングする(ステップS5)。これにより、チップ領域内でパターン疎密差の影響を受けることなく所望寸法のパターンを形成するためのレジストマスクが完成する。
【0032】
例えば、現実のプロセスにおいて、チップ領域内における基準パターンをL&Sパターン及び孤立パターンの2種とし、フォトリソグラフィー工程後のL&Sパターンにおけるレジスト寸法が80nm、孤立パターンのレジスト寸法が82nm、管理寸法(狙い寸法)が45nmであったとする。この場合、必要なエッチングシフト量は35nm、疎密解消量は2nmとなるため、図7の関係式に基づいて最適なオーバーエッチング量とSO2/O2流量比とを求めると、オーバーエッチング量は29.7%、SO2/O2流量比は24%と決めることができる。この最適レシピに従ってトリミングを行うことにより、エッチング後のゲート電極の幅(ゲート長)は、L&Sパターン及び孤立パターンともに、狙い寸法(管理寸法)の45nmに加工されることになる。
【0033】
ここで、例えば疎密差の原因の一つとなる光露光工程における実効フォーカス量をモニターし、図7における重回帰式の中に実効フォーカス量を加えてモデル化すると更にモデルの精度を高めることができる。
【0034】
レジストパターンの寸法は光露光工程における実効フォーカス量と実効露光量とが決まると一意に決定されるため、評価値として、E及びΔの替わりに実行フォーカス量及び実露光量を使うことも可能である。また、光散乱法により、レジストパターンの形状情報(例えば、傾斜角度、高さ、トップ寸法、ミドル寸法、ボトム寸法など)を用いることもできる。
【0035】
(変形例)
ここで、本実施形態の変形例について説明する。
本例では、上述したレジストパターンのトリミングを以下のように実行する。
先ず、図14に示すように、図10のステップS11〜S13と同様のプロセスを経て前記演算式を作成する。
【0036】
次に、図15に示すように、上述のトリミングを行う。
先ず、本実施形態と同様に、図11のステップS1〜S3を経て、上述の演算式から各エッチングパラメータの値を得る。
【0037】
続いて、図16に示すように、必要なエッチングパラメータの値を可変パラメータレシピにセットする(ステップS6)。即ちこの場合、1つのエッチングレシピ中のエッチングパラメータを外部から制御できる構成とされる。
【0038】
そして、上述の演算式から得られた各エッチングパラメータの値をエッチング条件として設定し、等方性ドライエッチングによりレジストパターンをトリミングする(ステップS5)。これにより、チップ領域内でパターン疎密差の影響を受けることなく所望寸法のパターンを形成するためのレジストマスクが完成する。
【0039】
上述した実施形態及び変形例による半導体製造装置及び製造方法を構成する各装置及び各ステップ(例えば、図10のステップS11〜S14、図11のS1〜S5、図14のステップS11〜S13、図15のS1〜S6,S5を含む。)は、コンピュータのRAMやROMなどに記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本発明に含まれる。
【0040】
具体的に、前記プログラムは、例えばCD−ROMのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラムを記録する記録媒体としては、CD−ROM以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、前記プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワーク(LAN、インターネットの等のWAN、無線通信ネットワーク等)システムにおける通信媒体(光ファイバ等の有線回線や無線回線等)を用いることができる。
【0041】
また、コンピュータが供給されたプログラムを実行することにより上述の実施形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているOS(オペレーティングシステム)或いは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実施形態の機能が実現される場合や、供給されたプログラムの処理の全て或いは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形態の機能が実現される場合も、かかるプログラムは本発明に含まれる。
【0042】
例えば、図17は、パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。この図17において、1200はコンピュータPCである。PC1200は、CPU1201を備え、ROM1202又はハードディスク(HD)1211に記憶された、或いはフレキシブルディスクドライブ(FD)1212より供給されるデバイス制御ソフトウェアを実行し、システムバス1204に接続される各デバイスを総括的に制御する。
【0043】
以上説明したように、本実施形態によれば、半導体ウェーハのチップ領域内におけるマスクパターンの粗密に起因する寸法変動の発生を解消し、特性劣化を生ぜしめることなく各種パターンを所望寸法に形成することが実現する。
【0044】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0045】
(付記1)半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターンの寸法を測定する工程と、
前記寸法の測定値に基づき、前記チップ領域内におけるマスクパターンの粗密に起因する寸法変動の発生を解消することを見込んだエッチング条件を決定する工程と、
前記エッチング条件に基づいて前記マスクパターンをエッチングする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【0046】
(付記2)前記エッチング条件は、予め作成したエッチングパラメータの相関関係に従って算出されるとともに、
前記エッチングパラメータの数は、前記基準パターンの種類数以上であることを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
【0047】
(付記3)前記エッチングパラメータは、オーバーエッチング量及びエッチングガスの流量比であることを特徴とする付記2に記載の半導体装置の製造方法。
【0048】
(付記4)前記エッチングパラメータは、オーバーエッチング量、エッチングガスの流量比及び実効フォーカス量であることを特徴とする付記2に記載の半導体装置の製造方法。
【0049】
(付記5)前記相関関係は、前記基準パターンの評価値を前記エッチングパラメータで表した関係式であることを特徴とする付記2〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【0050】
(付記6)前記評価値は、パターン密度が疎の領域における前記基準パターンの寸法測定値とパターン密度が密の領域における前記基準パターンの寸法測定値との差分量、及び前記寸法測定値と目的とする管理値との差分であるエッチングシフト量であることを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
【0051】
(付記7)前記基準パターンの前記寸法は光散乱法により測定されることを特徴とする付記1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
【0052】
(付記8)前記評価値は、前記基準パターンの実効フォーカス量及び実露光量であることを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
【0053】
(付記9)付記1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
【0054】
(付記10)半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターンの寸法を測定する寸法測定手段と、
前記寸法の測定値に基づき、前記チップ領域内におけるマスクパターンの粗密に起因する寸法変動の発生を解消することを見込んだエッチング条件を決定する決定手段と、
前記エッチング条件に基づいて前記マスクパターンをエッチングするエッチング手段と
を含むことを特徴とする半導体製造装置。
【0055】
(付記11)前記エッチング条件は、予め作成したエッチングパラメータの相関関係に従って算出されることを特徴とする付記10に記載の半導体製造装置。
【0056】
(付記12)前記エッチングパラメータの数は、前記基準パターンの種類数以上であることを特徴とする付記11に記載の半導体製造装置。
【0057】
(付記13)前記エッチングパラメータは、オーバーエッチング量及びエッチングガスの流量比であることを特徴とする付記11又は12に記載の半導体製造装置。
【0058】
(付記14)前記エッチングパラメータは、オーバーエッチング量、エッチングガスの流量比及びフォーカス量であることを特徴とする付記11又は12に記載の半導体製造装置。
【0059】
(付記15)前記相関関係は、前記基準パターンの評価値を前記エッチングパラメータで表した関係式であることを特徴とする付記11〜14のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
【0060】
(付記16)前記評価値は、パターン密度が疎の領域における前記基準パターンの寸法測定値とパターン密度が密の領域における前記基準パターンの寸法測定値との差分量、及び前記寸法測定値と目的とする管理値との差分であるエッチングシフト量であることを特徴とする付記15に記載の半導体製造装置。
【0061】
(付記17)前記基準パターンの前記寸法は光散乱法により測定されることを特徴とする付記10〜16のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
【0062】
(付記18)前記評価値は、前記基準パターンのフォーカス量及び露光量であることを特徴とする付記15に記載の半導体製造装置。
【0063】
(付記19)予め複数のエッチングパラメータをマトリックスに組んでおき、複数の試験用パターンのエッチングシフト量又はエッチングシフト差を測定するステップと、
複数の前記試験用パターンの前記エッチングシフト量又は前記エッチングシフト差を複数の前記エッチングパラメータの多項式でモデル化するステップと、
加工対象となる半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターンの測定寸法を用いて計算した前記エッチングシフト量又は前記エッチングシフト差を前記多項式に代入し、前記多項式を前記各エッチングパラメータについて解き、これらの解からなるエッチング条件を得るステップと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【0064】
(付記20)予め複数のエッチングパラメータをマトリックスに組んでおき、複数の試験用パターンのエッチングシフト量又はエッチングシフト差を測定するステップと、
複数の前記試験用パターンの前記エッチングシフト量又は前記エッチングシフト差を複数の前記エッチングパラメータの多項式でモデル化するステップと、
加工対象となる半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターンの測定寸法を用いて計算した前記エッチングシフト量又は前記エッチングシフト差を前記多項式に代入し、前記多項式を前記各エッチングパラメータについて解き、これらの解からなるエッチング条件を得るステップと
をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【0065】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体ウェーハのチップ領域内におけるマスクパターンの粗密に起因する寸法変動の発生を解消し、特性劣化を生ぜしめることなく各種パターンを所望寸法に形成することが実現する。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体ウェーハにおけるチップ内の疎密差の半導体ウェーハ間及びロット間の変動を示す特性図である。
【図2】露光装置のフォーカスずれによる疎密差の発生原因を調べるための特性図である。
【図3】本発明に用いるAPCの一例を示す模式図である。
【図4】微細ゲート加工プロセスを工程順に示す概略断面図である。
【図5】トリミングステップにおけるエッチングパラメータのうち、オーバーエッチング量とエッチングガスの流量比を変えた時の、L&Sパターンのエッチシフト量を示す特性図である。
【図6】トリミングステップにおけるエッチングパラメータのうち、オーバーエッチング量とエッチングガスの流量比を変えた時の、エッチシフトの疎密差を示す特性図である。
【図7】評価値であるE及びΔをエッチングパラメータであるOE及びSO2で表した関係式、及びこの関係式をOE及びSO2について解いた関係式を示す説明図である。
【図8】最適なオーバーエッチング量とSO2/O2流量比とを求めるための特性図である。
【図9】本実施形態による半導体製造装置の概略構成を示す模式図である。
【図10】本実施形態において、エッチングレシピを作成するプロセスフロー図である。
【図11】本実施形態において、エッチングレシピを用いてエッチングするプロセスフロー図である。
【図12】試験用パターンによる実験テーブルの一例を示す図である。
【図13】本実施形態において、レシピセットの中から最適レシピを選択することを説明するための模式図である。
【図14】本変形例において、エッチングレシピを作成するプロセスフロー図である。
【図15】本変形例において、エッチングレシピを用いてエッチングするプロセスフロー図である。
【図16】本変形例において、エッチングパラメータを可変パラメータレシピに入力することを説明するための模式図である。
【図17】パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。
【符号の説明】
1 半導体ウェーハ
2 ゲート絶縁膜
3 多結晶シリコン膜
4 反射防止膜
5 レジストマスク
6 レジストパターン
11 寸法測定手段
12 決定手段
13 エッチング手段
Claims (5)
- 半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターンの寸法を測定する工程と、
前記寸法の測定値に基づき、前記チップ領域内におけるマスクパターンの粗密に起因する寸法変動の発生を解消することを見込んだエッチング条件を決定する工程と、
前記エッチング条件に基づいて前記マスクパターンをエッチングする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記エッチング条件は、予め作成したエッチングパラメータの相関関係に従って算出されるととともに、
前記エッチングパラメータの数は、前記基準パターンの種類数以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記エッチングパラメータは、オーバーエッチング量及びエッチングガスの流量比であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
- 半導体基板のチップ領域内における複数の基準パターンの寸法を測定する寸法測定手段と、
前記寸法の測定値に基づき、前記チップ領域内におけるマスクパターンの粗密に起因する寸法変動の発生を解消することを見込んだエッチング条件を決定する決定手段と、
前記エッチング条件に基づいて前記マスクパターンをエッチングするエッチング手段と
を含むことを特徴とする半導体製造装置。
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