JPWO2007029315A1 - パターン転写マスク、焦点変動測定方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 23
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
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Abstract
Description
一般的に、フォーカスオフセット値と転写パターンの寸法測定値との関係は、偶数次の関数で近似されるいわゆるCD−フォーカス曲線を描く。CD−フォーカス曲線の一例を図1Aに示す。この場合、フォーカスオフセット値の極値が最適フォーカス値、即ちフォーカス中心となる。ここでは、一対の転写パターン間の距離を転写パターンの寸法測定値としているため、フォーカスオフセット値の極値は極小値となる。このように、CD−フォーカス曲線は例えば2次関数で近似されるため、フォーカスエラーが生じた場合、その極値からのズレが正側であるのか負側であるのかを判定することは困難である。また、フォーカス中心近傍では、フォーカスの変動量に対する寸法測定値の変動量が極めて小さく、寸法測定値が変動しても,フォーカスエラーを感度良く計測することができない。
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
本実施形態によるパターン転写マスク、ここではレチクルの概略構成を図3A〜図3Cに示す。ここで、図3Aはレチクルの主要構成を示す概略平面図、図3Bはレチクルの主要構成を示す概略断面図、図3Cはモニタパターンが転写された様子を示す概略平面図である。
このように、一対の転写モニタパターン群13,14が転写形成される。転写モニタパターン群13,14は、それぞれ線状パターン15が並列してなる。ここでは、転写モニタパターン群13,14間の離間距離dを転写モニタパターンの寸法として測定し、寸法測定値(CD値)とする。
上記のレチクルの製造方法の一例について説明する。図4A〜図4Cは、本実施形態によるレチクルの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図4Aに示すように、例えば石英基板3を用意し、この石英基板3の表面に、例えばクロム(Cr)膜4aをスパッタ法等により例えば膜厚50nm程度に堆積形成する。
上記のレチクルを用いたフォーカスエラーの測定原理について説明する。
このレチクルでは、メインパターン11の厚みとモニタパターン12の厚みとが異なるため、両者のウェーハ上のレジスト面への結像位置が異なることになる。
ここでは、メインパターン11よりもモニタパターン12の方が厚く形成されていることから、図5に示すように、メインパターン11のCD−フォーカス曲線F1に対して、モニタパターン12のCD−フォーカス曲線F2は右方へシフトする。
図6は、本実施形態によるフォーカスエラー測定装置の概略構成を示すブロック図である。このフォーカスエラー測定装置では、例えば図2のように構成されたレチクルを用いてフォーカスエラーを測定する。
寸法測定手段21は、例えばモニタパターン12が転写されてなる転写モニタパターンの寸法を測定するものであり、高精度の測定を可能とする電子顕微鏡や原子間力顕微鏡、光学式幅寸法計測装置などの各種計測装置である。
フォーカスエラー測定手段22は、CD−フォーカス曲線F1,F2を用いて、転写モニタパターンの寸法測定値から、メインパターン11のフォーカスエラー量を算出するフォーカスエラー量算出手段22aと、同様に寸法測定値からメインパターン11のフォーカスの正負方向を特定するフォーカス方向特定手段とを備えて構成されている。ここで、CD−フォーカス曲線F1,F2に関する諸データは、例えばデータベース化されて保存される。フォーカスエラー測定手段22は、このデータベースを用いてメインパターン11のフォーカスエラー量及びフォーカスの正負方向を決定する。
図7は、上述のフォーカスエラー測定装置を用いたフォーカスエラー測定方法をステップ順に示すフロー図である。
先ず、所期の露光装置を用いて、例えば図2のレチクルのモニタパターン12を、ウェーハ上に形成されたレジスト面に露光する(ステップS1)。
本実施形態では、リソグラフィー工程において、上述したようにフォーカスエラー量、フォーカスエラーの正負方向、露光エラー量及びフォーカス傾斜エラー量(以下、記載の便宜上、これらをまとめて変動量と呼ぶ。)の知見を得て、これを用いて所期のパターン形成を高精度に実行する。
先ず、前工程(フォトマスク作製工程、ウェーハ作製工程など)であるステップS11より受け入れたロットを露光処理する(ステップS12)。
また、露光エラー量については、図3Cで示した一対の転写モニタパターン13,14と、これらの反転パターン(即ち、転写モニタパターン13,14に相当する部位に溝状に形成されるパターン)とを用いて算出することができる。また、フォーカス傾斜エラー量については、ショット内の四隅のフォーカスエラーが判れば、そのショットのフォーカス傾斜成分を計算することが可能となる。
以下、本実施形態の緒変形例について説明する。
これらの変形例では、レチクルの構成が異なる点で本実施形態と相違する。なお、本実施形態と同様の構成部材等については、同符号を付して詳しい説明を省略する。
[レチクルの構成]
図9は、本実施形態の変形例1によるレチクルの主要構成を示す概略断面図である。
本例のレチクルにおいて、メインパターン11及びモニタパターン31は、石英基板3上に形成された遮光膜4がパターニングされて形成される。ここで、メインパターン11の高さと、モニタパターン31の高さとが相異なる値とされている。具体的には、メインパターン11とモニタパターン31とでは遮光膜4の厚みが異なり、メインパターン11に比較してモニタパターン31が薄く形成されている。例えば、メインパターン11の厚みが100nm程度、モニタパターン31が50nmに形成され、両者の厚みの差が50nm程度に設定されている。
上記のレチクルの製造方法の一例について説明する。図10A〜図10Cは、変形例1によるレチクルの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図10Aに示すように、例えば石英基板3を用意し、この石英基板3の表面に、例えばクロム(Cr)膜からなる遮光膜4をスパッタ法等により例えば膜厚100nm程度に堆積形成する。
[レチクルの構成]
図11は、本実施形態の変形例2によるレチクルの主要構成を示す概略断面図である。
本例のレチクルにおいて、メインパターン11及びモニタパターン41は、石英基板3及び石英基板3上に形成された遮光膜4がパターニングされて形成される。ここで、メインパターン11の高さと、モニタパターン41の高さとが相異なる値とされている。具体的には、メインパターン11とモニタパターン41とでは遮光膜4の厚みは同一であるが、モニタパターン41では遮光膜4と共に石英基板3が加工され、メインパターン11に比較してモニタパターン41が高く(深く)形成されている。例えば、メインパターン11の高さが50nm程度、モニタパターン41が100nmに形成され、両者の高さ(深さ)の差が50nm程度に設定されている。
上記のレチクルの製造方法の一例について説明する。図12A〜図12Cは、変形例2によるレチクルの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図12Aに示すように、例えば石英基板3を用意し、この石英基板3の表面に、例えばクロム(Cr)膜を遮光膜4としてスパッタ法等により例えば膜厚50nm程度に堆積形成する。
[レチクルの構成]
図13は、本実施形態の変形例3によるレチクル、ここではハーフトーン型の位相シフトマスクの主要構成を示す概略断面図である。
本例のハーフトーンマスクにおいて、メインパターン51及びモニタパターン52は、石英基板3上に形成されたハーフトーン膜53及びクロム(Cr)膜54がパターニングされて形成される。ここで、メインパターン51の高さと、モニタパターン52の高さとが相異なる値とされている。具体的には、メインパターン51とモニタパターン52とではクロム膜54の分だけ厚みが異なり、メインパターン51に比較してモニタパターン52が厚く形成されている。例えば、メインパターン51の厚みが50nm程度、モニタパターン52が100nmに形成され、両者の厚みの差が50nm程度に設定されている。
上記のレチクルの製造方法の一例について説明する。図14A〜図14Eは、変形例3によるレチクルの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図14Aに示すように、例えば石英基板3を用意し、この石英基板3の表面に、例えばモリブデンシリサイド(MoSi)をスパッタ法等により例えば膜厚50nm程度に堆積し、ハーフトーン膜53を形成する。次に、ハーフトーン膜53上にクロム膜54をスパッタ法等により例えば膜厚50nm程度に堆積形成する。
更に、モニタパターン領域2にクロム膜54を残す場合、二次露光データを変更だけで良く、工程数を増加させることなく容易にモニタパターン52を形成することができる。
上述した実施形態及びその緒変形例によるフォーカスエラー測定装置を構成する各手段(寸法測定手段を除く。)、並びにフォーカスエラー測定方法、半導体装置の製造方法の各ステップ(図7のステップS1〜S3、図8のステップS11〜S15等)は、コンピュータのRAMやROMなどに記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本発明に含まれる。
Claims (18)
- 被転写体上に転写形成されるメインパターンが形成されてなるメインパターン領域と、
前記メインパターンが転写形成される際の焦点変動量を算出するためのモニタパターンが形成されてなるモニタパターン領域と
を有するパターン転写マスクであって、
前記メインパターンの高さと、前記モニタパターンの高さとが相異なる値とされてなることを特徴とするパターン転写マスク。 - 前記メインパターン及び前記モニタパターンは、基板上に形成された被加工膜が加工されてなるものであり、
前記メインパターンの厚みと、前記モニタパターンの厚みとが相異なる値とされてなることを特徴とする請求項1に記載のパターン転写マスク。 - 前記メインパターン及び前記モニタパターンは、基板及び当該基板上に形成された被加工膜が加工されてなるものであり、
前記メインパターンの深さと、前記モニタパターンの深さとが相異なる値とされてなることを特徴とする請求項1に記載のパターン転写マスク。 - 前記メインパターン及び前記モニタパターンは、基板上に形成された被加工膜が加工されてなるものであり、
前記メインパターン領域及び前記モニタパターン領域のうちの一方において、前記被加工膜上に遮光膜が残存することにより、前記メインパターンの厚みと、前記モニタパターンの厚みとが相異なる値とされてなることを特徴とする請求項1に記載のパターン転写マスク。 - 前記メインパターンの高さは、前記モニタパターンの高さよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載のパターン転写マスク。
- 前記メインパターンの高さは、前記モニタパターンの高さよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のパターン転写マスク。
- メインパターンを被転写体上に転写するに際して、前記メインパターンの焦点変動を測定する焦点変動測定方法であって、
前記メインパターンが形成されてなるメインパターン領域と、
前記メインパターンが転写される際の焦点変動量を算出するためのモニタパターンが形成されてなるモニタパターン領域と
を有し、
前記メインパターンの高さと、前記モニタパターンの高さとが相異なる値とされてなるパターン転写マスクを用いて、
前記モニタパターンを被転写体上に転写する第1のステップと、
前記転写モニタパターンの寸法を測定する第2のステップと、
予め把握されている、前記メインパターンが転写されてなる転写メインパターンの寸法測定値と焦点変動値との関係を示す第1の関係と、前記転写モニタパターンの寸法測定値と焦点変動値との関係を示す第2の関係とを用いて、前記第1のステップにおける転写モニタパターンの寸法測定値から、前記メインパターンの焦点変動量を算出するとともに焦点変動の正負方向を特定する第3のステップと
を含むことを特徴とする焦点変動測定方法。 - 前記第1及び第2の関係は、それぞれ偶関数曲線を描くものであり、
前記第3のステップにおいて、前記メインパターンの高さと前記モニタパターンの高さとが異なることに起因し、前記第2の関係の極値が前記第1の関係の極値から相対的に移行することを利用して、前記焦点変動量及び前記正負方向を見積もることを特徴とする請求項7に記載の焦点変動測定方法。 - 前記パターン転写マスクは、
前記メインパターン及び前記モニタパターンが、基板上に形成された被加工膜が加工されてなり、
前記メインパターンの厚みと、前記モニタパターンの厚みとが相異なる値とされてなるものであることを特徴とする請求項7に記載の焦点変動測定方法。 - 前記パターン転写マスクは、
前記メインパターン及び前記モニタパターンが、基板及び当該基板上に形成された被加工膜が加工されてなり、
前記メインパターンの深さと、前記モニタパターンの深さとが相異なる値とされてなるものであることを特徴とする請求項7に記載の焦点変動測定方法。 - 前記パターン転写マスクは、
前記メインパターン及び前記モニタパターンが、基板上に形成された被加工膜が加工されてなり、
前記メインパターン領域及び前記モニタパターン領域のうちの一方において、前記被加工膜上に遮光膜が残存することにより、前記メインパターンの厚みと、前記モニタパターンの厚みとが相異なる値とされてなるものであることを特徴とする請求項7に記載の焦点変動測定方法。 - 前記パターン転写マスクは、前記メインパターンの高さが前記モニタパターンの高さよりも小さく形成されていることを特徴とする請求項7に記載の焦点変動測定方法。
- 前記パターン転写マスクは、前記メインパターンの高さが前記モニタパターンの高さよりも大きく形成されていることを特徴とする請求項7に記載の焦点変動測定方法。
- メインパターンを被転写体上に転写するに際して、前記メインパターンの焦点変動を測定する焦点変動測定装置であって、
前記メインパターンが形成されてなるメインパターン領域と、
前記メインパターンが転写される際の焦点変動量を算出するためのモニタパターンが形成されてなるモニタパターン領域と
を有し、
前記メインパターンの高さと、前記モニタパターンの高さとが相異なる値とされてなるパターン転写マスクを用いて、
前記モニタパターンが転写されてなる転写モニタパターンの寸法を測定する寸法測定手段と、
予め把握されている、前記メインパターンが転写されてなる転写メインパターンの寸法測定値と焦点変動値との関係を示す第1の関係と、前記転写モニタパターンの寸法測定値と焦点変動値との関係を示す第2の関係とを用いて、前記転写モニタパターンの寸法測定値から、前記メインパターンの焦点変動量を算出するとともに焦点変動の正負方向を特定する焦点変動測定手段と
を含むことを特徴とする焦点変動測定装置。 - 前記第1及び第2の関係は、それぞれ偶関数曲線を描くものであり、
前記焦点変動測定手段は、前記メインパターンの高さと前記モニタパターンの高さとが異なることに起因し、前記第2の関係の極値が前記第1の関係の極値から相対的に移行することを利用して、前記焦点変動量及び前記正負方向を見積もることを特徴とする請求項14に記載の焦点変動測定装置。 - 被転写体上に転写形成されるメインパターンが形成されてなるメインパターン領域と、
前記メインパターンが転写形成される際のフォーカスエラー量を算出するためのモニタパターンが形成されてなるモニタパターン領域と
を有し、
前記メインパターンの高さと、前記モニタパターンの高さとが相異なる値とされてなるパターン転写マスクを用いて、
前記モニタパターンを被転写体上に転写する第1のステップと、
前記転写モニタパターンの寸法を測定する第2のステップと、
予め把握されている、前記メインパターンが転写されてなる転写メインパターンの寸法測定値と焦点変動値との関係を示す第1の関係と、前記転写モニタパターンの寸法測定値と焦点変動値との関係を示す第2の関係とを用いて、前記第1のステップにおける転写モニタパターンの寸法測定値から、前記メインパターンの焦点変動量を算出するとともに焦点変動の正負方向を特定する第3のステップと、
算出された前記焦点変動量が規格内であるか否かを判定する第4のステップと
を含み、
前記焦点変動量が規格内であると判定された場合には次ステップへ進み、規格外であると判定された場合には、前記複数の転写パターンを除去した後、前記第3のステップで測定された前記焦点変動量及び前記焦点変動の正負方向を前記第1のステップに反映させて、前記第1のステップ乃至前記第4のステップを再度実行することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1及び第2の関係は、それぞれ偶関数曲線を描くものであり、
前記第3のステップにおいて、前記メインパターンの高さと前記モニタパターンの高さとが異なることに起因し、前記第2の関係の極値が前記第1の関係の極値から相対的に移行することを利用して、前記焦点変動量及び前記正負方向を見積もることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3のステップにおいて、前記焦点変動量を算出するとともに、前記被転写体の露光変動量及び焦点傾斜変動量を算出することを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2005/016347 WO2007029315A1 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | パターン転写マスク、焦点変動測定方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007029315A1 true JPWO2007029315A1 (ja) | 2009-03-26 |
JP4668274B2 JP4668274B2 (ja) | 2011-04-13 |
Family
ID=37835452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007534212A Expired - Fee Related JP4668274B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | パターン転写マスク、焦点変動測定方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7598007B2 (ja) |
JP (1) | JP4668274B2 (ja) |
KR (1) | KR100926473B1 (ja) |
CN (1) | CN101258442B (ja) |
WO (1) | WO2007029315A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9046788B2 (en) * | 2008-05-19 | 2015-06-02 | International Business Machines Corporation | Method for monitoring focus on an integrated wafer |
JP5258678B2 (ja) * | 2009-06-16 | 2013-08-07 | 株式会社ミツトヨ | 硬さ試験機 |
CN101943854B (zh) * | 2009-07-03 | 2012-07-04 | 深圳清溢光电股份有限公司 | 半灰阶掩模板半曝光区的设计方法及其制造方法 |
FR2979023A1 (fr) * | 2011-08-08 | 2013-02-15 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de determination de la mise au point et de la dose d'un equipement de micro-lithographie optique |
JP5665784B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2015-02-04 | 株式会社東芝 | フォトマスクおよびパターン形成方法 |
JP6063650B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2017-01-18 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
US10274839B2 (en) * | 2013-03-11 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Two-dimensional marks |
US9304389B2 (en) | 2013-10-31 | 2016-04-05 | United Microelectronics Corp. | Photomask and fabrication method thereof |
US8954919B1 (en) | 2013-11-01 | 2015-02-10 | United Microelectronics Corp. | Calculation method for generating layout pattern in photomask |
US9581898B2 (en) | 2015-04-14 | 2017-02-28 | United Microelectronics Corp. | Manufacturing method of pattern transfer mask |
IL256114B2 (en) * | 2015-06-12 | 2023-10-01 | Asml Netherlands Bv | Test device, test method, lithographic device, reticle device and manufacturing method |
CN105116683B (zh) * | 2015-09-17 | 2019-08-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种光学邻近效应修正离焦模型的校准方法 |
CN112230515A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-01-15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种优化光刻聚焦的方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11102061A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Matsushita Electron Corp | 投影露光用フォトマスクパターン、投影露光用フォトマスク、焦点位置検出方法、焦点位置制御方法および半導体装置の製造方法 |
JP2001100392A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | フォーカスモニタ用マスク及びフォーカスモニタ方法 |
JP2001189264A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | フォーカスモニタマスク及びフォーカスモニタ方法 |
JP2001274059A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Nikon Corp | 投影光学系の検査装置及び検査方法、それに用いられる結像特性計測用マスク、並びに、露光装置及び露光方法 |
JP2004253589A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Renesas Technology Corp | フォーカスモニタ用光学マスク、露光装置、および半導体装置の製造方法 |
JP2004259765A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Toshiba Corp | フォーカスモニタ方法及びマスク |
JP2005079455A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、及び露光システム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0169227B1 (ko) * | 1995-12-30 | 1999-02-01 | 김광호 | 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법 |
JPH10154647A (ja) | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Matsushita Electron Corp | パターン形成異常検出方法 |
JP2000133569A (ja) | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | フォーカスの補正方法および半導体装置の製造方法 |
US6440616B1 (en) | 1999-09-28 | 2002-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask and method for focus monitoring |
JP3793147B2 (ja) | 2002-12-04 | 2006-07-05 | 株式会社東芝 | レチクルセット、レチクルセットの設計方法、露光モニタ方法、レチクルセットの検査方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2006030466A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光マスク、リファレンスデータ作成方法、フォーカス測定方法、露光装置管理方法および電子デバイス製造方法 |
-
2005
- 2005-09-06 JP JP2007534212A patent/JP4668274B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-06 CN CN2005800515026A patent/CN101258442B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-06 KR KR1020087004259A patent/KR100926473B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-09-06 WO PCT/JP2005/016347 patent/WO2007029315A1/ja active Application Filing
-
2008
- 2008-03-06 US US12/043,197 patent/US7598007B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11102061A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Matsushita Electron Corp | 投影露光用フォトマスクパターン、投影露光用フォトマスク、焦点位置検出方法、焦点位置制御方法および半導体装置の製造方法 |
JP2001100392A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | フォーカスモニタ用マスク及びフォーカスモニタ方法 |
JP2001189264A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | フォーカスモニタマスク及びフォーカスモニタ方法 |
JP2001274059A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Nikon Corp | 投影光学系の検査装置及び検査方法、それに用いられる結像特性計測用マスク、並びに、露光装置及び露光方法 |
JP2004253589A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Renesas Technology Corp | フォーカスモニタ用光学マスク、露光装置、および半導体装置の製造方法 |
JP2004259765A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Toshiba Corp | フォーカスモニタ方法及びマスク |
JP2005079455A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、及び露光システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080031442A (ko) | 2008-04-08 |
WO2007029315A1 (ja) | 2007-03-15 |
US7598007B2 (en) | 2009-10-06 |
JP4668274B2 (ja) | 2011-04-13 |
CN101258442A (zh) | 2008-09-03 |
US20080153011A1 (en) | 2008-06-26 |
CN101258442B (zh) | 2012-02-15 |
KR100926473B1 (ko) | 2009-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100720 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110112 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |