JP2001100392A - フォーカスモニタ用マスク及びフォーカスモニタ方法 - Google Patents
フォーカスモニタ用マスク及びフォーカスモニタ方法Info
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- JP2001100392A JP2001100392A JP27470199A JP27470199A JP2001100392A JP 2001100392 A JP2001100392 A JP 2001100392A JP 27470199 A JP27470199 A JP 27470199A JP 27470199 A JP27470199 A JP 27470199A JP 2001100392 A JP2001100392 A JP 2001100392A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォーカス状態からのずれ量及びずれ方向を
高精度且つ簡便に検出することができ、露光精度の向上
等に寄与し得る。 【解決手段】 フォトリソグラフィーによりウェハー上
にパターンを転写する際に使用されるマスクであって、
フォーカスモニタに供されるフォーカスモニタ用マスク
において、遮光膜１３で囲まれて菱形の開口部１０１で
形成された複数のモニタパターンを有する第１のパター
ン領域と、半透明膜１２で囲まれて菱形の開口部１０２
で形成された複数のモニタパターンを有する第２のパタ
ーン領域とを備えている。
高精度且つ簡便に検出することができ、露光精度の向上
等に寄与し得る。 【解決手段】 フォトリソグラフィーによりウェハー上
にパターンを転写する際に使用されるマスクであって、
フォーカスモニタに供されるフォーカスモニタ用マスク
において、遮光膜１３で囲まれて菱形の開口部１０１で
形成された複数のモニタパターンを有する第１のパター
ン領域と、半透明膜１２で囲まれて菱形の開口部１０２
で形成された複数のモニタパターンを有する第２のパタ
ーン領域とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子等の製造に際して、投影露光装置におけるフォ
ーカス条件を設定するのに適したフォーカスモニタ用マ
スク及びフォーカスモニタ方法に関する。
表示素子等の製造に際して、投影露光装置におけるフォ
ーカス条件を設定するのに適したフォーカスモニタ用マ
スク及びフォーカスモニタ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のデバイスパターンの微細化に伴
い、露光量裕度や焦点深度などのプロセスマージンを十
分に得ることが難しくなっている。そのため、少ないプ
ロセスマージンを有効に使用し、歩留まりの低下を防ぐ
ためには、より高精度に露光量及びフォーカスをモニタ
する技術が必要になっている。
い、露光量裕度や焦点深度などのプロセスマージンを十
分に得ることが難しくなっている。そのため、少ないプ
ロセスマージンを有効に使用し、歩留まりの低下を防ぐ
ためには、より高精度に露光量及びフォーカスをモニタ
する技術が必要になっている。
【０００３】従来のフォーカスを管理する手法は、図１
０（ａ）に示したような菱形マークが入ったＱＣ用マス
クに対し、デフォーカスを変化させて露光を行い、ウェ
ハー上に転写された菱形マーク（図１０（ｂ））のパタ
ーン長Ｌが最長となるフォーカス点をベストフォーカス
値としていた。この場合、パターン長Ｌとデフォーカス
の関係は図１１に示すようになる（特開平１０−３３５
２０８号公報）。
０（ａ）に示したような菱形マークが入ったＱＣ用マス
クに対し、デフォーカスを変化させて露光を行い、ウェ
ハー上に転写された菱形マーク（図１０（ｂ））のパタ
ーン長Ｌが最長となるフォーカス点をベストフォーカス
値としていた。この場合、パターン長Ｌとデフォーカス
の関係は図１１に示すようになる（特開平１０−３３５
２０８号公報）。
【０００４】菱形マークは、ベストフォーカスでより細
かい部分まで解像されるが、フォーカスがベストフォー
カスからずれるに従って、細かい部分が解像されなくな
る。そのため、ウェハー上の菱形マークのパターン長Ｌ
は、ベストフォーカスの位置で最大値となり、プラスマ
イナスのデフォーカスに対してほぼ対称な特性を示す。
このマークの利用法としては、ロットを流す前に、先行
としてデフォーカスを変化させて露光を行い、ベストフ
ォーカスを求めることに適用できる。
かい部分まで解像されるが、フォーカスがベストフォー
カスからずれるに従って、細かい部分が解像されなくな
る。そのため、ウェハー上の菱形マークのパターン長Ｌ
は、ベストフォーカスの位置で最大値となり、プラスマ
イナスのデフォーカスに対してほぼ対称な特性を示す。
このマークの利用法としては、ロットを流す前に、先行
としてデフォーカスを変化させて露光を行い、ベストフ
ォーカスを求めることに適用できる。
【０００５】しかしながら、この種の方法にあっては次
のような問題があった。即ち、菱形マークを用いて、同
一露光条件で露光されているロットのフォーカス条件を
管理しようとした場合、転写後の菱形マークのパターン
長Ｌをモニタしただけでは、(1) フォーカスのずれ方向
が分からない、(2) 露光量の変動による影響を受けてし
まう、という問題点があった。
のような問題があった。即ち、菱形マークを用いて、同
一露光条件で露光されているロットのフォーカス条件を
管理しようとした場合、転写後の菱形マークのパターン
長Ｌをモニタしただけでは、(1) フォーカスのずれ方向
が分からない、(2) 露光量の変動による影響を受けてし
まう、という問題点があった。
【０００６】また、もう一つのフォーカスモニタ方法と
して、露光量に影響されずにフォーカスの変動量をパタ
ーンの位置ずれ量として検出する方法が提案されている
（Phase shift focus monitor applications to lithog
raphy tool control, D.Wheeler et.al, SPIE vol.305
1,pp225-233）。しかしながら、この方法におけるマー
クによるフォーカスの検出感度は、光源形状（σ形状）
に大きく依存し、比較的低σの露光条件においては十分
に感度が得られるものの、従来用いられる条件である比
較的大きなσ条件、又は輪帯照明条件においては十分な
感度が得られないという問題があった。
して、露光量に影響されずにフォーカスの変動量をパタ
ーンの位置ずれ量として検出する方法が提案されている
（Phase shift focus monitor applications to lithog
raphy tool control, D.Wheeler et.al, SPIE vol.305
1,pp225-233）。しかしながら、この方法におけるマー
クによるフォーカスの検出感度は、光源形状（σ形状）
に大きく依存し、比較的低σの露光条件においては十分
に感度が得られるものの、従来用いられる条件である比
較的大きなσ条件、又は輪帯照明条件においては十分な
感度が得られないという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、フォ
ーカスを管理するために菱形マークを用いる方法では、
フォーカス状態からのずれ量を検出することはできる
が、ずれ方向を検出することができない。また、フォー
カスの変動量をパターンの位置ずれ量として検出する方
法では、比較的大きなσ条件や輪帯照明条件においては
十分な感度が得られないという問題があった。
ーカスを管理するために菱形マークを用いる方法では、
フォーカス状態からのずれ量を検出することはできる
が、ずれ方向を検出することができない。また、フォー
カスの変動量をパターンの位置ずれ量として検出する方
法では、比較的大きなσ条件や輪帯照明条件においては
十分な感度が得られないという問題があった。
【０００８】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、フォーカス状態からの
ずれ量及びずれ方向を高精度且つ簡便に検出することが
でき、露光精度の向上等に寄与し得るフォーカスモニタ
用マスク及びフォーカスモニタ方法を提供することにあ
る。
ので、その目的とするところは、フォーカス状態からの
ずれ量及びずれ方向を高精度且つ簡便に検出することが
でき、露光精度の向上等に寄与し得るフォーカスモニタ
用マスク及びフォーカスモニタ方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は次のような構成を採用している。
するために本発明は次のような構成を採用している。
【００１０】即ち本発明は、フォトリソグラフィーによ
りウェハー上にパターンを転写する際に使用されるマス
クであって、フォーカスモニタに供されるフォーカスモ
ニタ用マスクにおいて、遮光部で囲まれて第１の開口部
で形成、又は第１の開口部で囲まれて遮光部で形成され
た少なくとも１つのモニタパターンを有する第１のパタ
ーン領域と、半透明膜で囲まれて第２の開口部で形成、
又は第２の開口部で囲まれて半透明膜で形成され、第２
の開口部を通過する露光光に対して半透明膜を通過する
露光光に所定の位相差を与える少なくとも１つのモニタ
パターンを有する第２のパターン領域とを備え、前記各
モニタパターンは、一方向に沿って中央部に対して両端
部が細い形状であることを特徴とする。
りウェハー上にパターンを転写する際に使用されるマス
クであって、フォーカスモニタに供されるフォーカスモ
ニタ用マスクにおいて、遮光部で囲まれて第１の開口部
で形成、又は第１の開口部で囲まれて遮光部で形成され
た少なくとも１つのモニタパターンを有する第１のパタ
ーン領域と、半透明膜で囲まれて第２の開口部で形成、
又は第２の開口部で囲まれて半透明膜で形成され、第２
の開口部を通過する露光光に対して半透明膜を通過する
露光光に所定の位相差を与える少なくとも１つのモニタ
パターンを有する第２のパターン領域とを備え、前記各
モニタパターンは、一方向に沿って中央部に対して両端
部が細い形状であることを特徴とする。
【００１１】より具体的には本発明のフォーカスモニタ
用マスクは、次のような構成を採用している。
用マスクは、次のような構成を採用している。
【００１２】(1) 遮光部で囲まれて、第１の開口部で形
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第１のパターン領域と、第２の開口部を通過する
露光光に対して０度若しくは１８０度からずれた位相差
を生じせしめる半透明膜で囲まれて、第２の開口部で形
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第２のパターン領域の双方を有していること。
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第１のパターン領域と、第２の開口部を通過する
露光光に対して０度若しくは１８０度からずれた位相差
を生じせしめる半透明膜で囲まれて、第２の開口部で形
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第２のパターン領域の双方を有していること。
【００１３】(2) 遮光部で囲まれて、第１の開口部で形
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第１のパターン領域と、第２の開口部で囲まれ
て、該開口部を通過する露光光に対して０度若しくは１
８０度からずれた位相差を生じせしめる半透明膜で形成
された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成さ
れた第２のパターン領域の双方を有していること。
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第１のパターン領域と、第２の開口部で囲まれ
て、該開口部を通過する露光光に対して０度若しくは１
８０度からずれた位相差を生じせしめる半透明膜で形成
された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成さ
れた第２のパターン領域の双方を有していること。
【００１４】(3) 第１の開口部で囲まれて、遮光部で形
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第１のパターン領域と、第２の開口部を通過する
露光光に対して０度若しくは１８０度からずれた位相差
を生じせしめる半透明膜で囲まれて、第２の開口部で形
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第２のパターン領域の双方を有していること。
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第１のパターン領域と、第２の開口部を通過する
露光光に対して０度若しくは１８０度からずれた位相差
を生じせしめる半透明膜で囲まれて、第２の開口部で形
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第２のパターン領域の双方を有していること。
【００１５】(4) 第１の開口部で囲まれて、遮光部で形
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第１のパターン領域と、第２の開口部で囲まれ
て、該開口部を通過する露光光に対して０度若しくは１
８０度からずれた位相差を生じせしめる半透明膜で形成
された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成さ
れた第２のパターン領域の双方を有していること。
成された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成
された第１のパターン領域と、第２の開口部で囲まれ
て、該開口部を通過する露光光に対して０度若しくは１
８０度からずれた位相差を生じせしめる半透明膜で形成
された少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成さ
れた第２のパターン領域の双方を有していること。
【００１６】ここで、本発明のフォーカスモニタ用マス
クでは、第２の開口部を通過する露光光に対する半透明
膜を通過する露光光の位相差は、＋４５度から＋１５０
度、又は−４５度から−１５０度の範囲に設定されてい
るのが望ましい。
クでは、第２の開口部を通過する露光光に対する半透明
膜を通過する露光光の位相差は、＋４５度から＋１５０
度、又は−４５度から−１５０度の範囲に設定されてい
るのが望ましい。
【００１７】また本発明は、フォトリソグラフィーによ
りウェハー上にパターンを転写する際に使用されるマス
クであって、フォーカスモニタに供されるフォーカスモ
ニタ用マスクにおいて、第１の開口部で囲まれて第１の
半透明膜で形成、又は第１の半透明膜で囲まれて第１の
開口部で形成され、第１の開口部を通過する露光光に対
して第１の半透明膜を通過する露光光に所定の位相差を
与える少なくとも１つのモニタパターンを有する第１の
パターン領域と、第２の開口部で囲まれて第２の半透明
膜で形成、又は第２の半透明膜で囲まれて第２の開口部
で形成され、第２の開口部を通過する露光光に対して第
２の半透明膜を通過する露光光に第１のパターン領域と
は異なる位相差を与える少なくとも１つのモニタパター
ンを有する第２のパターン領域とを備え、前記各モニタ
パターンは、一方向に沿って中央部に対して両端部が細
い形状であることを特徴とする。
りウェハー上にパターンを転写する際に使用されるマス
クであって、フォーカスモニタに供されるフォーカスモ
ニタ用マスクにおいて、第１の開口部で囲まれて第１の
半透明膜で形成、又は第１の半透明膜で囲まれて第１の
開口部で形成され、第１の開口部を通過する露光光に対
して第１の半透明膜を通過する露光光に所定の位相差を
与える少なくとも１つのモニタパターンを有する第１の
パターン領域と、第２の開口部で囲まれて第２の半透明
膜で形成、又は第２の半透明膜で囲まれて第２の開口部
で形成され、第２の開口部を通過する露光光に対して第
２の半透明膜を通過する露光光に第１のパターン領域と
は異なる位相差を与える少なくとも１つのモニタパター
ンを有する第２のパターン領域とを備え、前記各モニタ
パターンは、一方向に沿って中央部に対して両端部が細
い形状であることを特徴とする。
【００１８】より具体的には本発明のフォーカスモニタ
用マスクは、次のような構成を採用している。
用マスクは、次のような構成を採用している。
【００１９】(1) 第１の開口部を通過する露光光に対し
て０度若しくは１８０度からずれた位相差を生じせしめ
る第１の半透明膜で囲まれて、第１の開口部で形成され
た少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された
第１のパターン領域と、第２の開口部を通過する露光光
に対して０度若しくは１８０度からずれた位相差を生ぜ
しめ、且つ第１の半透明膜と異なった位相差を生じせし
める第２の半透明膜で囲まれて、第２の開口部で形成さ
れた少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成され
た第２のパターン領域の双方を有していること。
て０度若しくは１８０度からずれた位相差を生じせしめ
る第１の半透明膜で囲まれて、第１の開口部で形成され
た少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された
第１のパターン領域と、第２の開口部を通過する露光光
に対して０度若しくは１８０度からずれた位相差を生ぜ
しめ、且つ第１の半透明膜と異なった位相差を生じせし
める第２の半透明膜で囲まれて、第２の開口部で形成さ
れた少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成され
た第２のパターン領域の双方を有していること。
【００２０】(2) 第１の開口部を通過する露光光に対し
て０度若しくは１８０度からずれた位相差を生じせしめ
る第１の半透明膜で囲まれて、第１の開口部で形成され
た少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された
第１のパターン領域と、第２の開口部で囲まれて、該開
口部を通過する露光光に対して０度若しくは１８０度か
らずれた位相差を生ぜしめ、且つ第１の半透明膜と異な
った位相差を生じせしめる第２の半透明膜で形成された
少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された第
２のパターン領域の双方を有していること。
て０度若しくは１８０度からずれた位相差を生じせしめ
る第１の半透明膜で囲まれて、第１の開口部で形成され
た少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された
第１のパターン領域と、第２の開口部で囲まれて、該開
口部を通過する露光光に対して０度若しくは１８０度か
らずれた位相差を生ぜしめ、且つ第１の半透明膜と異な
った位相差を生じせしめる第２の半透明膜で形成された
少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された第
２のパターン領域の双方を有していること。
【００２１】(3) 第１の開口部で囲まれて、該開口部を
通過する露光光に対して０度若しくは１８０度からずれ
た位相差を生じせしめる第１の半透明膜で形成された少
なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された第１
のパターン領域と、第２の開口部を通過する露光光に対
して０度若しくは１８０度からずれた位相差を生ぜし
め、且つ第１の半透明膜と異なった位相差を生じせしめ
る第２の半透明膜で囲まれて、第２の開口部で形成され
た少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された
第２のパターン領域の双方を有していること。
通過する露光光に対して０度若しくは１８０度からずれ
た位相差を生じせしめる第１の半透明膜で形成された少
なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された第１
のパターン領域と、第２の開口部を通過する露光光に対
して０度若しくは１８０度からずれた位相差を生ぜし
め、且つ第１の半透明膜と異なった位相差を生じせしめ
る第２の半透明膜で囲まれて、第２の開口部で形成され
た少なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された
第２のパターン領域の双方を有していること。
【００２２】(4) 第１の開口部で囲まれて、該開口部を
通過する露光光に対して０度若しくは１８０度からずれ
た位相差を生じせしめる第１の半透明膜で形成された少
なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された第１
のパターン領域と、第２の開口部で囲まれて、該開口部
を通過する露光光に対して０度若しくは１８０度からず
れた位相差を生ぜしめ、且つ第１の半透明膜と異なった
位相差を生じせしめる第２の半透明膜で形成された少な
くとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された第２の
パターン領域の双方を有していること。
通過する露光光に対して０度若しくは１８０度からずれ
た位相差を生じせしめる第１の半透明膜で形成された少
なくとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された第１
のパターン領域と、第２の開口部で囲まれて、該開口部
を通過する露光光に対して０度若しくは１８０度からず
れた位相差を生ぜしめ、且つ第１の半透明膜と異なった
位相差を生じせしめる第２の半透明膜で形成された少な
くとも１つの楔形又は菱形パターンで形成された第２の
パターン領域の双方を有していること。
【００２３】ここで、本発明のフォーカスモニタ用マス
クでは、第１の開口部を通過する露光光に対する第１の
半透明膜を通過する露光光の位相差は＋４５度から＋１
５０度に設定され、第２の開口部を通過する露光光に対
する第２の半透明膜を通過する露光光の位相差は−４５
度から−１５０度に設定されていることが望ましい。さ
らに、第１及び第２の半透明膜は異なる材料であっても
よいし、同じ材料であってもよい。同じ材料を用いる場
合、第２のパターン領域において−４５度から−１５０
度の範囲の位相差を与えるためには、透明基板の一部を
堀込んで形成するのが望ましい。
クでは、第１の開口部を通過する露光光に対する第１の
半透明膜を通過する露光光の位相差は＋４５度から＋１
５０度に設定され、第２の開口部を通過する露光光に対
する第２の半透明膜を通過する露光光の位相差は−４５
度から−１５０度に設定されていることが望ましい。さ
らに、第１及び第２の半透明膜は異なる材料であっても
よいし、同じ材料であってもよい。同じ材料を用いる場
合、第２のパターン領域において−４５度から−１５０
度の範囲の位相差を与えるためには、透明基板の一部を
堀込んで形成するのが望ましい。
【００２４】また本発明は、上記した何れかのフォーカ
スモニタ用マスクを用いて、ウェハー上にパターンを転
写する際の最適なフォーカス状態からのずれ量をモニタ
するフォーカスモニタ方法であって、フォーカスモニタ
用マスクを用いてウェハー上にパターンを転写する工程
と、前記ウェハー上に形成されたパターンのうち、第１
及び第２のパターン領域のモニタパターンの双方のパタ
ーンサイズを計測する計測工程と、前記計測工程の結果
から、第１のパターン領域のモニタパターンのパターン
サイズと第２のパターン領域のモニタパターンのパター
ンサイズとの差、又は比を求める演算工程とを含むこと
を特徴とする。
スモニタ用マスクを用いて、ウェハー上にパターンを転
写する際の最適なフォーカス状態からのずれ量をモニタ
するフォーカスモニタ方法であって、フォーカスモニタ
用マスクを用いてウェハー上にパターンを転写する工程
と、前記ウェハー上に形成されたパターンのうち、第１
及び第２のパターン領域のモニタパターンの双方のパタ
ーンサイズを計測する計測工程と、前記計測工程の結果
から、第１のパターン領域のモニタパターンのパターン
サイズと第２のパターン領域のモニタパターンのパター
ンサイズとの差、又は比を求める演算工程とを含むこと
を特徴とする。
【００２５】ここで、モニタパターンは菱形であり、計
測工程では該モニタパターンの長い方の対角線の長さを
計測することを特徴とする。
測工程では該モニタパターンの長い方の対角線の長さを
計測することを特徴とする。
【００２６】（作用）本発明によれば、上述した構成の
第１のパターン領域と第２のパターン領域を有するフォ
ーカスモニタ用マスクをウェハー上へ転写することによ
って、露光プロセス中において様々に発生する最適なフ
ォーカス状態からのずれを精度良く且つ簡便に求めるこ
とができる。
第１のパターン領域と第２のパターン領域を有するフォ
ーカスモニタ用マスクをウェハー上へ転写することによ
って、露光プロセス中において様々に発生する最適なフ
ォーカス状態からのずれを精度良く且つ簡便に求めるこ
とができる。
【００２７】即ち、本発明のような構成のフォーカスモ
ニタ用パターンをウェハー上に転写した場合、第１のパ
ターン領域のモニタパターンと第２のパターン領域のモ
ニタパターンとの最適なフォーカス位置にずれが生じ、
相互に異なるデフォーカス特性を示す。その結果、二つ
のモニタパターンのパターン寸法を測定することによっ
て、最適なフォーカス状態からのずれ量（ずれの方向も
含めて）を求めることが可能となる。
ニタ用パターンをウェハー上に転写した場合、第１のパ
ターン領域のモニタパターンと第２のパターン領域のモ
ニタパターンとの最適なフォーカス位置にずれが生じ、
相互に異なるデフォーカス特性を示す。その結果、二つ
のモニタパターンのパターン寸法を測定することによっ
て、最適なフォーカス状態からのずれ量（ずれの方向も
含めて）を求めることが可能となる。
【００２８】また、第１及び第２の半透明膜を用いるフ
ォーカスモニタ用マスクにおいて、隣接する開口部を通
過する露光光に対して、一方を＋４５度から＋１５０
度、他方を−４５度から−１５０度の位相差を生じせし
めようにすることによって、２つの領域のマークにおけ
るフォーカス特性に大きな差異を引き起こせることか
ら、最適なフォーカス状態からのずれ量（ずれの方向も
含めて）を高感度にモニタすることが可能となる。
ォーカスモニタ用マスクにおいて、隣接する開口部を通
過する露光光に対して、一方を＋４５度から＋１５０
度、他方を−４５度から−１５０度の位相差を生じせし
めようにすることによって、２つの領域のマークにおけ
るフォーカス特性に大きな差異を引き起こせることか
ら、最適なフォーカス状態からのずれ量（ずれの方向も
含めて）を高感度にモニタすることが可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。
形態によって説明する。
【００３０】（第１の実施形態）本発明の第１の実施形
態では、露光用マスク上に、フォーカス点を測定するた
めのモニタパターン（マーク）として、遮光部に形成さ
れた菱形マーク、及び半透明膜に形成された菱形マーク
の２種類のマークを配置した。
態では、露光用マスク上に、フォーカス点を測定するた
めのモニタパターン（マーク）として、遮光部に形成さ
れた菱形マーク、及び半透明膜に形成された菱形マーク
の２種類のマークを配置した。
【００３１】図１は、本発明の第１の実施形態に係わる
フォーカスモニタ用マスクの概略構成を説明するための
もので、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。モニ
タパターンは、マスクのデバイスパターンがない領域
（ダイシングライン）の遮光部に形成されている。図中
の１１はガラス等の透明基板、１２はＳｉＯ2 等の半透
明膜、１３はＣｒ等の遮光膜を示す。また、１０１は遮
光膜１３に形成された菱形マーク（第１の開口部）を、
１０２は半透明膜１２に形成された菱形マーク（第２の
開口部）を示す。なお、半透明膜１２は、露光光に対し
て透過率が６％であり、位相を１８０度ずらす作用を持
っている。
フォーカスモニタ用マスクの概略構成を説明するための
もので、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。モニ
タパターンは、マスクのデバイスパターンがない領域
（ダイシングライン）の遮光部に形成されている。図中
の１１はガラス等の透明基板、１２はＳｉＯ2 等の半透
明膜、１３はＣｒ等の遮光膜を示す。また、１０１は遮
光膜１３に形成された菱形マーク（第１の開口部）を、
１０２は半透明膜１２に形成された菱形マーク（第２の
開口部）を示す。なお、半透明膜１２は、露光光に対し
て透過率が６％であり、位相を１８０度ずらす作用を持
っている。
【００３２】菱形マーク１０１を形成した第１のパター
ン領域及び菱形マーク１０２を形成した第２のパターン
領域では、各マークが一定のピッチで５つずつ配置され
ている。そして、菱形マーク１０１，１０２は、図２に
示す平面図の通り、ウェハー換算上でＸ軸方向の長さが
１２μｍ，Ｙ軸方向の幅が０．１８μｍで、さらにピッ
チは０．３６μｍとなっている。なお、第２の開口部で
ある菱形マーク１０２の部分では、半透明膜１２を通過
する露光光と開口部１０２を通過する露光光とに９０度
の位相差を付けるために、基板が例えば１２４ｎｍ堀込
まれている。
ン領域及び菱形マーク１０２を形成した第２のパターン
領域では、各マークが一定のピッチで５つずつ配置され
ている。そして、菱形マーク１０１，１０２は、図２に
示す平面図の通り、ウェハー換算上でＸ軸方向の長さが
１２μｍ，Ｙ軸方向の幅が０．１８μｍで、さらにピッ
チは０．３６μｍとなっている。なお、第２の開口部で
ある菱形マーク１０２の部分では、半透明膜１２を通過
する露光光と開口部１０２を通過する露光光とに９０度
の位相差を付けるために、基板が例えば１２４ｎｍ堀込
まれている。
【００３３】ここで本発明者は、半透明膜１２を通過す
る露光光と開口部１０２を通過する露光光との位相をほ
ぼ９０度ずらすことよって、半透明膜部のマーク１０２
によりウェハー上に形成された菱形パターンのフォーカ
ス点と、遮光膜部のマーク１０１によりウェハー上に形
成された菱形パターンとのフォーカス点の間にずれが生
じ、デフォーカスに対して異なるパターン寸法特性を示
すことに注目した。そして、この二つのマークの露光・
現像後のパターン寸法の差をモニタすると、デフォーカ
スに対して単調減少又は単調増加することを利用し、デ
フォーカスに対するパターン寸法差の関係を較正曲線と
して求めておき、露光・現像後のウェハー上のパターン
寸法の差を測定することで、フォーカスのずれ量を方向
も含めてモニタすることを考案した。
る露光光と開口部１０２を通過する露光光との位相をほ
ぼ９０度ずらすことよって、半透明膜部のマーク１０２
によりウェハー上に形成された菱形パターンのフォーカ
ス点と、遮光膜部のマーク１０１によりウェハー上に形
成された菱形パターンとのフォーカス点の間にずれが生
じ、デフォーカスに対して異なるパターン寸法特性を示
すことに注目した。そして、この二つのマークの露光・
現像後のパターン寸法の差をモニタすると、デフォーカ
スに対して単調減少又は単調増加することを利用し、デ
フォーカスに対するパターン寸法差の関係を較正曲線と
して求めておき、露光・現像後のウェハー上のパターン
寸法の差を測定することで、フォーカスのずれ量を方向
も含めてモニタすることを考案した。
【００３４】次に、上記２種類の菱形マークを用いて、
フォーカス点を検出する手順について説明する。上記マ
ークを配置した本実施形態のフォーカスモニタ用マスク
のパターンをウェハ上に転写するために、デバイスパタ
ーンと同一の露光条件にて露光を行った。ウェハー上
に、塗布型反射防止膜６０ｎｍをスピンコートし、さら
に化学増幅系ポジ型レジストを厚さ０．４μｍでスピン
コーティングした。このウェハーに対して上記マスクを
用い、投影光学系の縮小比１／４、露光波長２４８ｎ
ｍ，ＮＡ０．６、コヒーレンスファクタσ０．７５、輪
帯遮蔽率ε０．６７、露光装置の設定露光量７．５ｍＪ
／ｃｍ2 という露光条件で露光した。
フォーカス点を検出する手順について説明する。上記マ
ークを配置した本実施形態のフォーカスモニタ用マスク
のパターンをウェハ上に転写するために、デバイスパタ
ーンと同一の露光条件にて露光を行った。ウェハー上
に、塗布型反射防止膜６０ｎｍをスピンコートし、さら
に化学増幅系ポジ型レジストを厚さ０．４μｍでスピン
コーティングした。このウェハーに対して上記マスクを
用い、投影光学系の縮小比１／４、露光波長２４８ｎ
ｍ，ＮＡ０．６、コヒーレンスファクタσ０．７５、輪
帯遮蔽率ε０．６７、露光装置の設定露光量７．５ｍＪ
／ｃｍ2 という露光条件で露光した。
【００３５】次いで、露光が終了したウェハーを、１０
０℃，９０秒でポストエクスポージャーべ一ク（ＰＥ
Ｂ）したあと、０．２１規定のアルカリ現像液にて６０
秒現像を行った。
０℃，９０秒でポストエクスポージャーべ一ク（ＰＥ
Ｂ）したあと、０．２１規定のアルカリ現像液にて６０
秒現像を行った。
【００３６】次いで、処理されたウェハー上の２種類の
菱形パターンを、光学式の線幅測定器によって測長し、
半透明膜部の菱形マーク１０２におけるＸ軸方向のパタ
ーン寸法Ｌ’と遮光膜部の菱形マーク１０１におけるＸ
軸方向のパターン寸法Ｌとの差を求めた。
菱形パターンを、光学式の線幅測定器によって測長し、
半透明膜部の菱形マーク１０２におけるＸ軸方向のパタ
ーン寸法Ｌ’と遮光膜部の菱形マーク１０１におけるＸ
軸方向のパターン寸法Ｌとの差を求めた。
【００３７】図３には、露光によって得られた寸法差
（Ｌ−Ｌ’）とデフォーカスとの関係（較正曲線）を示
した。このグラフの横軸はデフォーカス、縦軸は菱形マ
ーク１０１，１０２のパターン寸法（Ｌ又はＬ’）、及
び寸法差を表している。三つの曲線は、実線が遮光膜部
の菱形マーク１０１のパターン寸法特性、点線が半透明
膜部の菱形マーク１０２のパターン寸法特性、そして一
点鎖線が、半透明膜部の菱形パターン寸法から遮光膜部
の菱形パターン寸法を差し引いた寸法差のデフォーカス
に対する特性を示したものである。この寸法差の特性
が、デフォーカスに対して単調増加していることから、
フォーカスの位置ずれ量を、符号を含めて求めることが
できた。
（Ｌ−Ｌ’）とデフォーカスとの関係（較正曲線）を示
した。このグラフの横軸はデフォーカス、縦軸は菱形マ
ーク１０１，１０２のパターン寸法（Ｌ又はＬ’）、及
び寸法差を表している。三つの曲線は、実線が遮光膜部
の菱形マーク１０１のパターン寸法特性、点線が半透明
膜部の菱形マーク１０２のパターン寸法特性、そして一
点鎖線が、半透明膜部の菱形パターン寸法から遮光膜部
の菱形パターン寸法を差し引いた寸法差のデフォーカス
に対する特性を示したものである。この寸法差の特性
が、デフォーカスに対して単調増加していることから、
フォーカスの位置ずれ量を、符号を含めて求めることが
できた。
【００３８】さらに、露光の際に露光量を変化させて、
較正曲線の露光量依存性を調べた。具体的には、露光量
を、７．５ｍＪ／ｃｍ2 を中心に−１０％から＋１０％
まで変化させて露光を行った。図４には、寸法差とデフ
ォーカスの関係（較正曲線）のドーズ依存性を示した。
グラフは、露光量７．５ｍＪ／ｃｍ2 を中心として、露
光量を−１０％，−５％，−１％，−７．５ｍＪ／ｃｍ
2 ，＋１％，＋５％，＋１０％と変化させた場合の、寸
法差とデフォーカスとの関係を示したものである。
較正曲線の露光量依存性を調べた。具体的には、露光量
を、７．５ｍＪ／ｃｍ2 を中心に−１０％から＋１０％
まで変化させて露光を行った。図４には、寸法差とデフ
ォーカスの関係（較正曲線）のドーズ依存性を示した。
グラフは、露光量７．５ｍＪ／ｃｍ2 を中心として、露
光量を−１０％，−５％，−１％，−７．５ｍＪ／ｃｍ
2 ，＋１％，＋５％，＋１０％と変化させた場合の、寸
法差とデフォーカスとの関係を示したものである。
【００３９】このグラフから、ドーズを−１０％から＋
１０％の間で変化させても、デフォーカス依存性は、殆
ど変化しない（グラフ中の各直線が殆ど重なっている）
ことが分かる。従って、露光量が変動した場合において
も、本実施形態のフォーカスモニタ用マスクはフォーカ
ス位置ずれ量を高精度に検出できた。
１０％の間で変化させても、デフォーカス依存性は、殆
ど変化しない（グラフ中の各直線が殆ど重なっている）
ことが分かる。従って、露光量が変動した場合において
も、本実施形態のフォーカスモニタ用マスクはフォーカ
ス位置ずれ量を高精度に検出できた。
【００４０】上記のマスクを用いて、実際のデバイスパ
ターンと同一の露光、現像条件でロット処理を行った。
次いで、ロット処理されたものから数枚のウェハーを抜
き出し、半透明膜部の菱形マーク１０２のパターン寸法
Ｌ’と、遮光膜部の菱形マーク１０１におけるパターン
寸法Ｌの差を求め、その値より、図３に示した較正曲線
を用いてフォーカスのずれ量を符号を含めて求めた。そ
して、求められた数枚のフォーカスずれ量の平均値を、
そのロットにおけるフォーカスのずれ量とし、次ロット
に対して露光装置のフォーカス設定値にフィードバック
をかけて露光を行った。その結果、フォーカスのずれに
よる線幅変動を抑えることができた。
ターンと同一の露光、現像条件でロット処理を行った。
次いで、ロット処理されたものから数枚のウェハーを抜
き出し、半透明膜部の菱形マーク１０２のパターン寸法
Ｌ’と、遮光膜部の菱形マーク１０１におけるパターン
寸法Ｌの差を求め、その値より、図３に示した較正曲線
を用いてフォーカスのずれ量を符号を含めて求めた。そ
して、求められた数枚のフォーカスずれ量の平均値を、
そのロットにおけるフォーカスのずれ量とし、次ロット
に対して露光装置のフォーカス設定値にフィードバック
をかけて露光を行った。その結果、フォーカスのずれに
よる線幅変動を抑えることができた。
【００４１】また、今回は、上記フォーカスモニタ用マ
スクにより得られたウェハー上のパターンにおけるフォ
ーカスのずれ量を使って、次ロットに対してフィードバ
ックを行ったが、本来のデバイスパターンのフォーカス
位置と、フォーカスモニタ用マークのフォーカス位置
は、露光装置の収差やデバイスパターンの下地の段差形
状等により異なる場合がある。この場合は、フォーカス
モニタ用マスクで得られたフォーカスのずれ量に対して
デバイス固有のオフセット値を加味した値を、フォーカ
スのずれ量としてフィードバックすればよい。
スクにより得られたウェハー上のパターンにおけるフォ
ーカスのずれ量を使って、次ロットに対してフィードバ
ックを行ったが、本来のデバイスパターンのフォーカス
位置と、フォーカスモニタ用マークのフォーカス位置
は、露光装置の収差やデバイスパターンの下地の段差形
状等により異なる場合がある。この場合は、フォーカス
モニタ用マスクで得られたフォーカスのずれ量に対して
デバイス固有のオフセット値を加味した値を、フォーカ
スのずれ量としてフィードバックすればよい。
【００４２】なお、本実施形態においては、露光装置と
独立した光学式の線幅測定器を用いて、フォーカス検出
マークを測定したが、露光装置自体に内蔵された線幅測
定機能やＳＥＭ等の光学式以外の測定装置を用いること
も可能である。また、モニタパターンは、線幅測定装置
で測定可能なマークであればよく、楔形であってもよ
い。菱形或いは楔形の形状は、必ずしも先端を鋭利に形
成する必要はなく、中央部よりも先端部が細く形成され
ていればフォーカスモニタマークとしての機能を発揮す
る。さらに、フォーカスモニタマークのサイズ，ピッ
チ，及び半透明膜部分の透過率は図２に示したものだけ
に限定されるものではなく、使用する露光条件によって
種々変更することで、よりフォーカス検出性能の向上を
はかることができる。
独立した光学式の線幅測定器を用いて、フォーカス検出
マークを測定したが、露光装置自体に内蔵された線幅測
定機能やＳＥＭ等の光学式以外の測定装置を用いること
も可能である。また、モニタパターンは、線幅測定装置
で測定可能なマークであればよく、楔形であってもよ
い。菱形或いは楔形の形状は、必ずしも先端を鋭利に形
成する必要はなく、中央部よりも先端部が細く形成され
ていればフォーカスモニタマークとしての機能を発揮す
る。さらに、フォーカスモニタマークのサイズ，ピッ
チ，及び半透明膜部分の透過率は図２に示したものだけ
に限定されるものではなく、使用する露光条件によって
種々変更することで、よりフォーカス検出性能の向上を
はかることができる。
【００４３】また、第１のパターン領域における遮光部
と開口部との関係は、逆にしてもよい。即ち、開口部で
囲まれて菱形若しくは楔形の遮光膜で形成されたモニタ
パターンを有するようにしてもよい。同様に、第２のパ
ターン領域における半透明膜部と開口部との関係も逆に
してもよい。即ち、開口部で囲まれて菱形若しくは楔形
の半透明膜で形成されたモニタパターンを有するように
してもよい。そして、これらの何れの組み合わせを用い
ても、本実施形態と同様の効果が得られる。
と開口部との関係は、逆にしてもよい。即ち、開口部で
囲まれて菱形若しくは楔形の遮光膜で形成されたモニタ
パターンを有するようにしてもよい。同様に、第２のパ
ターン領域における半透明膜部と開口部との関係も逆に
してもよい。即ち、開口部で囲まれて菱形若しくは楔形
の半透明膜で形成されたモニタパターンを有するように
してもよい。そして、これらの何れの組み合わせを用い
ても、本実施形態と同様の効果が得られる。
【００４４】本実施形態では、第２のパターン領域で開
口部１０２を通過する露光光に対しその周辺を通過する
露光光に９０度の位相差を持たせるために、１８０度の
位相差を持った半透明膜１２を使用し、基板の一部を堀
込むようにしたが、９０度の位相差を持った半透明膜を
使用すれば基板の堀込みは不要となる。開口部１０２を
通過する露光光とその周辺を通過する露光光との位相差
は９０度に限定されたものではなく、遮光膜部の菱形マ
ーク１０１と、半透明膜部の菱形マーク１０２とのベス
トフォーカス位置変化を生じさせるものであればよい。
口部１０２を通過する露光光に対しその周辺を通過する
露光光に９０度の位相差を持たせるために、１８０度の
位相差を持った半透明膜１２を使用し、基板の一部を堀
込むようにしたが、９０度の位相差を持った半透明膜を
使用すれば基板の堀込みは不要となる。開口部１０２を
通過する露光光とその周辺を通過する露光光との位相差
は９０度に限定されたものではなく、遮光膜部の菱形マ
ーク１０１と、半透明膜部の菱形マーク１０２とのベス
トフォーカス位置変化を生じさせるものであればよい。
【００４５】また、半透明膜としては、ＳｉＯ2 の他
に、酸窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯＮ），窒
化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＮ），弗化クロム
（ＣｒＦ），ジルコニウムシリサイド（ＧｒＳｉＯ）な
どを用いることができる。さらに、半透明膜の透過率は
６％に限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更
可能である。本発明者らの実験によれば、半透明膜の透
過率として３％から１５％の間で良い感度を得ている。
に、酸窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯＮ），窒
化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＮ），弗化クロム
（ＣｒＦ），ジルコニウムシリサイド（ＧｒＳｉＯ）な
どを用いることができる。さらに、半透明膜の透過率は
６％に限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更
可能である。本発明者らの実験によれば、半透明膜の透
過率として３％から１５％の間で良い感度を得ている。
【００４６】図５に、図２に示したマークの半透明膜部
と透過部分との位相差とフォーカスの検出感度の関係を
示した。この図から、必要とされるフォーカスずれ量の
検出精度を０．０５μｍとし、線幅測定器の測定精度を
０．０２μｍ程度とすると、フォーカスモニタに必要と
される検出感度の限界は、感度（寸法差／デフォーカ
ス）＝｜ΔＬ−ΔＬ’｜／｜Δｆｏｃｕｓ｜＝０．８と
なり、０．８以上が必要となる。このことから、位相差
は４５度から１５０度の間の範囲に設定する必要があ
る。
と透過部分との位相差とフォーカスの検出感度の関係を
示した。この図から、必要とされるフォーカスずれ量の
検出精度を０．０５μｍとし、線幅測定器の測定精度を
０．０２μｍ程度とすると、フォーカスモニタに必要と
される検出感度の限界は、感度（寸法差／デフォーカ
ス）＝｜ΔＬ−ΔＬ’｜／｜Δｆｏｃｕｓ｜＝０．８と
なり、０．８以上が必要となる。このことから、位相差
は４５度から１５０度の間の範囲に設定する必要があ
る。
【００４７】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態では、露光用マスク上に、フォーカス点を測定するた
めのモニタパターン（マーク）として、半透明膜で形成
された菱形マークを配置した。先に説明した第１の実施
形態と異なるところは、第１及び第２のパターン領域の
何れにも半透明膜を設け、菱形マークの形成により、第
１のパターン領域では＋９０度の位相差を持たせ、第２
のパターン領域では−９０度の位相差を持たせたことで
ある。
態では、露光用マスク上に、フォーカス点を測定するた
めのモニタパターン（マーク）として、半透明膜で形成
された菱形マークを配置した。先に説明した第１の実施
形態と異なるところは、第１及び第２のパターン領域の
何れにも半透明膜を設け、菱形マークの形成により、第
１のパターン領域では＋９０度の位相差を持たせ、第２
のパターン領域では−９０度の位相差を持たせたことで
ある。
【００４８】図６は、本発明の第２の実施形態に係わる
フォーカスモニタ用マスクの概略構成を説明するための
もので、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。モニ
タパターンは、マスクのデバイスパターンがない領域
（ダイシングライン）の遮光部に形成されている。図中
の１１は透明基板、１２は半透明膜、１３は遮光膜を示
す。また、２０１，２０２は、半透明膜１２に形成され
た菱形マークを示している。なお、半透明膜１２は、露
光光に対して透過率が６％であり、位相を１８０度ずら
す作用を持っている。
フォーカスモニタ用マスクの概略構成を説明するための
もので、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。モニ
タパターンは、マスクのデバイスパターンがない領域
（ダイシングライン）の遮光部に形成されている。図中
の１１は透明基板、１２は半透明膜、１３は遮光膜を示
す。また、２０１，２０２は、半透明膜１２に形成され
た菱形マークを示している。なお、半透明膜１２は、露
光光に対して透過率が６％であり、位相を１８０度ずら
す作用を持っている。
【００４９】菱形マーク（第１の開口部）２０１を形成
した第１のパターン領域では、開口部に露出する基板１
１を一部堀込む（例えば１２４ｎｍ）ことにより、開口
部である菱形マーク２０１を通過する光に対しその周辺
の半透明膜１２を通過する光は＋９０度の位相差を持つ
ことになる。また、菱形マーク（第２の開口部）２０２
を形成した第２のパターン領域では、開口部に露出する
基板１１を一部堀込む（例えば３７２ｎｍ）ことによ
り、開口部である菱形マーク２０２を通過する光に対し
その周辺の半透明膜１２を通過する光は−９０度の位相
差を持つようにしている。
した第１のパターン領域では、開口部に露出する基板１
１を一部堀込む（例えば１２４ｎｍ）ことにより、開口
部である菱形マーク２０１を通過する光に対しその周辺
の半透明膜１２を通過する光は＋９０度の位相差を持つ
ことになる。また、菱形マーク（第２の開口部）２０２
を形成した第２のパターン領域では、開口部に露出する
基板１１を一部堀込む（例えば３７２ｎｍ）ことによ
り、開口部である菱形マーク２０２を通過する光に対し
その周辺の半透明膜１２を通過する光は−９０度の位相
差を持つようにしている。
【００５０】また、第１のパターン領域及び第２のパタ
ーン領域では、各マークが一定のピッチで５つずつ配置
されている。そして、菱形マーク２０１，２０２は、図
７に示す平面図の通り、ウェハー換算上でＸ軸方向の長
さが１２μｍ、Ｙ軸方向の幅が０．１８μｍで、さらに
ピッチは０．３６μｍとなっている。
ーン領域では、各マークが一定のピッチで５つずつ配置
されている。そして、菱形マーク２０１，２０２は、図
７に示す平面図の通り、ウェハー換算上でＸ軸方向の長
さが１２μｍ、Ｙ軸方向の幅が０．１８μｍで、さらに
ピッチは０．３６μｍとなっている。
【００５１】先に説明した第１の実施形態で、遮光膜部
と半透明膜部に菱形マークがそれぞれ形成されたマスク
を用いてウェハー上にパターンニングし、形成された遮
光膜部と半透明膜部の各マークのパターン寸法の差は、
デフォーカスに対して単調減少又は単調増加することが
示された。
と半透明膜部に菱形マークがそれぞれ形成されたマスク
を用いてウェハー上にパターンニングし、形成された遮
光膜部と半透明膜部の各マークのパターン寸法の差は、
デフォーカスに対して単調減少又は単調増加することが
示された。
【００５２】そこで発明者は、フォーカスのずれ量の検
出感度をさらに向上させるために、第１のパターン領域
では半透明膜１２を通過する露光光を、開口部２０１を
通過する露光光に対して位相をほぼ＋９０度ずらし、第
２のパターン領域では半透明膜１２を透過する露光光
を、開口部２０２を通過する露光光に対して位相をほぼ
−９０度（２７０度）ずらした。開口部２０１を通過す
る露光光に対して位相をほぼ＋９０度ずらした半透明膜
部の菱形マーク２０１のフォーカス点と、遮光膜部に形
成された菱形マークのフォーカス点のずれ量は、第１の
実施形態に記載した量だけ変化する。
出感度をさらに向上させるために、第１のパターン領域
では半透明膜１２を通過する露光光を、開口部２０１を
通過する露光光に対して位相をほぼ＋９０度ずらし、第
２のパターン領域では半透明膜１２を透過する露光光
を、開口部２０２を通過する露光光に対して位相をほぼ
−９０度（２７０度）ずらした。開口部２０１を通過す
る露光光に対して位相をほぼ＋９０度ずらした半透明膜
部の菱形マーク２０１のフォーカス点と、遮光膜部に形
成された菱形マークのフォーカス点のずれ量は、第１の
実施形態に記載した量だけ変化する。
【００５３】これに対して、開口部２０２を通過する露
光光に対して位相をほぼ−９０度ずらした半透明膜部の
菱形マーク２０２のフォーカス点は、遮光膜部に形成さ
れた菱形マークのフォーカス点に対して、第１の実施形
態に記載したずれ量の絶対値は等しく、符号が反対の特
性を示す。その結果、第１の実施形態に対して、２倍の
フォーカスずれ量の検出感度の向上を実現することがで
きる。
光光に対して位相をほぼ−９０度ずらした半透明膜部の
菱形マーク２０２のフォーカス点は、遮光膜部に形成さ
れた菱形マークのフォーカス点に対して、第１の実施形
態に記載したずれ量の絶対値は等しく、符号が反対の特
性を示す。その結果、第１の実施形態に対して、２倍の
フォーカスずれ量の検出感度の向上を実現することがで
きる。
【００５４】次に、上記２種類の菱形マークを用いて、
フォーカス点を検出する手順について説明する。第１の
実施形態と同様に、ウェハー上に塗布型反射防止膜６０
ｎｍをスピンコートし、さらに化学増幅系ポジ型レジス
トを厚さ０．４μｍでスピンコーティングした。このウ
ェハーを、投影光学系の縮小比１／４、露光波長２４８
ｎｍ，ＮＡ０．６、コヒーレンスファクタσ０．７５、
輪帯遮蔽率ε０．６７、設定露光量７．５ｍＪ／ｃｍ2
という露光条件で露光した。
フォーカス点を検出する手順について説明する。第１の
実施形態と同様に、ウェハー上に塗布型反射防止膜６０
ｎｍをスピンコートし、さらに化学増幅系ポジ型レジス
トを厚さ０．４μｍでスピンコーティングした。このウ
ェハーを、投影光学系の縮小比１／４、露光波長２４８
ｎｍ，ＮＡ０．６、コヒーレンスファクタσ０．７５、
輪帯遮蔽率ε０．６７、設定露光量７．５ｍＪ／ｃｍ2
という露光条件で露光した。
【００５５】次いで、露光が終了したウェハーを１００
℃，９０秒でポストエクスポージャーべ一ク（ＰＥＢ）
したあと、０．２１規定のアルカリ現像液にて６０秒現
像を行った。こうして処理したウェハー上の２つの菱形
マークのパターン寸法を光学式の線幅測定器によって測
長し、各々の寸法差を求めた。
℃，９０秒でポストエクスポージャーべ一ク（ＰＥＢ）
したあと、０．２１規定のアルカリ現像液にて６０秒現
像を行った。こうして処理したウェハー上の２つの菱形
マークのパターン寸法を光学式の線幅測定器によって測
長し、各々の寸法差を求めた。
【００５６】図８には、露光によって得られた寸法差
（Ｌ−Ｌ’）とデフォーカスとの関係（較正曲線）を示
した。このグラフの横軸はデフォーカス、縦軸は菱形マ
ーク２０１，２０２のパターン寸法（Ｌ又はＬ’）、及
び寸法差を表している。三つの曲線のうち、実線は開口
部との位相差が＋９０度である半透明膜部に形成された
菱形マーク２０１によりウェハー上に転写されたパター
ン寸法特性を、点線は開口部との位相差が−９０度であ
る半透明膜部に形成された菱形マーク２０２によりウェ
ハー上に転写されたパターン寸法特性を示している。
（Ｌ−Ｌ’）とデフォーカスとの関係（較正曲線）を示
した。このグラフの横軸はデフォーカス、縦軸は菱形マ
ーク２０１，２０２のパターン寸法（Ｌ又はＬ’）、及
び寸法差を表している。三つの曲線のうち、実線は開口
部との位相差が＋９０度である半透明膜部に形成された
菱形マーク２０１によりウェハー上に転写されたパター
ン寸法特性を、点線は開口部との位相差が−９０度であ
る半透明膜部に形成された菱形マーク２０２によりウェ
ハー上に転写されたパターン寸法特性を示している。
【００５７】そして、一点鎖線は、開口部との位相差が
＋９０度である半透明膜部に形成された菱形マーク２０
１によりウェハー上に転写されたパターン長Ｌから、開
口部との位相差が−９０度である半透明膜部に形成され
た菱形マーク２０２によりウェハー上に転写されたパタ
ーン長Ｌ’を差し引いた寸法差（Ｌ−Ｌ’）を示したも
のである。この結果から、フォーカスのずれ量の検出感
度が、第１の実施形態と比べて約２倍になることが分か
った。
＋９０度である半透明膜部に形成された菱形マーク２０
１によりウェハー上に転写されたパターン長Ｌから、開
口部との位相差が−９０度である半透明膜部に形成され
た菱形マーク２０２によりウェハー上に転写されたパタ
ーン長Ｌ’を差し引いた寸法差（Ｌ−Ｌ’）を示したも
のである。この結果から、フォーカスのずれ量の検出感
度が、第１の実施形態と比べて約２倍になることが分か
った。
【００５８】さらに、露光の際に、露光量を変化させ
て、較正曲線の露光量依存性を調べた。第１の実施形態
と同様に、露光量を、７．５ｍＪ／ｃｍ2 を中心に−１
０％から＋１０％まで変化させて露光を行った。図９に
は、モニタパターンの寸法差とデフォーカスとの関係
（較正曲線）のドーズ依存性を示した。グラフは、露光
量７．５ｍＪ／ｃｍ2 を中心として、露光量を−１０
％，−５％，−１％，７．５ｍＪ／ｃｍ2 ，＋１％，＋
５％，＋１０％と変化させた場合の寸法差とデフォーカ
スとの関係を示したものである。
て、較正曲線の露光量依存性を調べた。第１の実施形態
と同様に、露光量を、７．５ｍＪ／ｃｍ2 を中心に−１
０％から＋１０％まで変化させて露光を行った。図９に
は、モニタパターンの寸法差とデフォーカスとの関係
（較正曲線）のドーズ依存性を示した。グラフは、露光
量７．５ｍＪ／ｃｍ2 を中心として、露光量を−１０
％，−５％，−１％，７．５ｍＪ／ｃｍ2 ，＋１％，＋
５％，＋１０％と変化させた場合の寸法差とデフォーカ
スとの関係を示したものである。
【００５９】このグラフから、ドーズを−１０％から＋
１０％まで変化させても、デフォーカス依存性は、殆ど
変化しない（グラフ中の各直線が殆ど重なっている）こ
とが分かる。従って、本実施形態の場合も、露光量が変
動してもフォーカス位置ずれ量を高精度に検出できた。
１０％まで変化させても、デフォーカス依存性は、殆ど
変化しない（グラフ中の各直線が殆ど重なっている）こ
とが分かる。従って、本実施形態の場合も、露光量が変
動してもフォーカス位置ずれ量を高精度に検出できた。
【００６０】上記のマスクを用いて、実際のデバイスパ
ターンと同一の露光、現像条件でロット処理を行った。
次いで、ロット処理されたものから数枚のウェハーを抜
き出し、＋９０度の位相差を持つ半透明膜部の菱形マー
ク２０１のパターン寸法Ｌと−９０度の位相差を持つ半
透明膜部の菱形マーク２０２のパターン寸法Ｌ’との差
を求め、その値より、図８に示した較正曲線を用いてフ
ォーカスのずれ量を符号も含めて求めた。そして、求め
られた数枚のフォーカスずれ量の平均値を、そのロット
におけるフォーカスのずれ量として、次ロットに対して
露光装置のフォーカス設定値にフィードバックをかけて
露光を行った。この結果、フォーカスのずれによる線幅
変動を抑えることができた。
ターンと同一の露光、現像条件でロット処理を行った。
次いで、ロット処理されたものから数枚のウェハーを抜
き出し、＋９０度の位相差を持つ半透明膜部の菱形マー
ク２０１のパターン寸法Ｌと−９０度の位相差を持つ半
透明膜部の菱形マーク２０２のパターン寸法Ｌ’との差
を求め、その値より、図８に示した較正曲線を用いてフ
ォーカスのずれ量を符号も含めて求めた。そして、求め
られた数枚のフォーカスずれ量の平均値を、そのロット
におけるフォーカスのずれ量として、次ロットに対して
露光装置のフォーカス設定値にフィードバックをかけて
露光を行った。この結果、フォーカスのずれによる線幅
変動を抑えることができた。
【００６１】また、今回は、上記フォーカスモニタ用マ
スクにより得られたフォーカスのずれ量を使って、次ロ
ットに対してフィードバックを行ったが、本来のデバイ
スパターンのフォーカス位置と、フォーカスモニタマー
クのフォーカス位置は、露光装置の収差や、デバイスパ
ターンの下地の段差形状等により異なる場合がある。こ
の場合は、フォーカスモニタマークで得られたフォーカ
スのずれ量に対してデバイス固有のオフセット値を加味
した値を、フォーカスのずれ量としてフィードバックす
ればよい。
スクにより得られたフォーカスのずれ量を使って、次ロ
ットに対してフィードバックを行ったが、本来のデバイ
スパターンのフォーカス位置と、フォーカスモニタマー
クのフォーカス位置は、露光装置の収差や、デバイスパ
ターンの下地の段差形状等により異なる場合がある。こ
の場合は、フォーカスモニタマークで得られたフォーカ
スのずれ量に対してデバイス固有のオフセット値を加味
した値を、フォーカスのずれ量としてフィードバックす
ればよい。
【００６２】なお、本実施形態においては、露光装置と
独立した光学式の線幅測定器を用いて、フォーカス検出
マークを測定したが、露光装置自体に内蔵された線幅測
定機能やＳＥＭ等の光学式以外の測定装置を用いること
も可能である。また、モニタパターンは、上記の他に
も、線幅測定装置で測定可能なマークのパターンであれ
ばよく、楔形であってもよい。菱形或いは楔形の形状
は、必ずしも先端を鋭利に形成する必要はなく、中央部
よりも先端部が短く形成されていればフォーカスモニタ
マークとしての機能を発揮する。さらに、フォーカスモ
ニタマークのサイズ，ピッチ，及び半透明膜部分の透過
率は図７に示したものだけに限定されるものではなく、
使用する露光条件によって種々変更することで、よりフ
ォーカス検出性能の向上をはかることができる。
独立した光学式の線幅測定器を用いて、フォーカス検出
マークを測定したが、露光装置自体に内蔵された線幅測
定機能やＳＥＭ等の光学式以外の測定装置を用いること
も可能である。また、モニタパターンは、上記の他に
も、線幅測定装置で測定可能なマークのパターンであれ
ばよく、楔形であってもよい。菱形或いは楔形の形状
は、必ずしも先端を鋭利に形成する必要はなく、中央部
よりも先端部が短く形成されていればフォーカスモニタ
マークとしての機能を発揮する。さらに、フォーカスモ
ニタマークのサイズ，ピッチ，及び半透明膜部分の透過
率は図７に示したものだけに限定されるものではなく、
使用する露光条件によって種々変更することで、よりフ
ォーカス検出性能の向上をはかることができる。
【００６３】また、第１のパターン領域における半透明
膜部と開口部との関係は、逆にしてもよい。即ち、開口
部で囲まれて菱形若しくは楔形の半透明膜で形成された
モニタパターンを有するようにしてもよい。同様に、第
２のパターン領域における半透明膜部と開口部との関係
も逆にしてもよい。即ち、開口部で囲まれて菱形若しく
は楔形の半透明膜で形成されたモニタパターンを有する
ようにしてもよい。そして、これらの何れの組み合わせ
を用いても、本実施形態と同様の効果が得られる。
膜部と開口部との関係は、逆にしてもよい。即ち、開口
部で囲まれて菱形若しくは楔形の半透明膜で形成された
モニタパターンを有するようにしてもよい。同様に、第
２のパターン領域における半透明膜部と開口部との関係
も逆にしてもよい。即ち、開口部で囲まれて菱形若しく
は楔形の半透明膜で形成されたモニタパターンを有する
ようにしてもよい。そして、これらの何れの組み合わせ
を用いても、本実施形態と同様の効果が得られる。
【００６４】また、本実施形態では第１のパターン領域
と第２のパターン領域で同じ半透明膜を用い、開口部の
透明基板を堀込む量を変えることにより第１のパターン
領域と第２のパターン領域とで異なる位相差を持たせた
が、この代わりに第１と第２のパターン領域で異なる半
透明膜を用いてもよい。
と第２のパターン領域で同じ半透明膜を用い、開口部の
透明基板を堀込む量を変えることにより第１のパターン
領域と第２のパターン領域とで異なる位相差を持たせた
が、この代わりに第１と第２のパターン領域で異なる半
透明膜を用いてもよい。
【００６５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、モ
ニタパターンを有する第１及び第２のパターン領域を２
つ用意し、第１のパターン領域のモニタパターンと第２
のパターン領域のモニタパターンとの最適なフォーカス
位置にずれを生じさせ、相互に異なるデフォーカス特性
を与えることにより、二つのモニタパターンのパターン
寸法を測定することによって、最適なフォーカス状態か
らのずれ量及びずれの方向を求めることが可能となる。
ニタパターンを有する第１及び第２のパターン領域を２
つ用意し、第１のパターン領域のモニタパターンと第２
のパターン領域のモニタパターンとの最適なフォーカス
位置にずれを生じさせ、相互に異なるデフォーカス特性
を与えることにより、二つのモニタパターンのパターン
寸法を測定することによって、最適なフォーカス状態か
らのずれ量及びずれの方向を求めることが可能となる。
【００６６】そしてこの場合、従来のようにデフォーカ
スを振った先行露光は不要で、１回の露光後にモニタパ
ターンの寸法を求めるのみでよく、しかも露光量の変動
による影響が少なく、さらに比較的大きなσ条件や輪帯
照明条件においても十分な感度が得られる。従って、フ
ォーカス状態からのずれ量及びずれ方向を高精度且つ簡
便に検出することができ、露光精度の向上等に寄与する
ことができる。
スを振った先行露光は不要で、１回の露光後にモニタパ
ターンの寸法を求めるのみでよく、しかも露光量の変動
による影響が少なく、さらに比較的大きなσ条件や輪帯
照明条件においても十分な感度が得られる。従って、フ
ォーカス状態からのずれ量及びずれ方向を高精度且つ簡
便に検出することができ、露光精度の向上等に寄与する
ことができる。
【図１】第１の実施形態に係わるフォーカスモニタ用マ
スクの概略構成を示す断面図と平面図。
スクの概略構成を示す断面図と平面図。
【図２】図１のマスクのモニタマーク部分を拡大して示
す平面図。
す平面図。
【図３】露光によって得られた寸法差（Ｌ−Ｌ’）とデ
フォーカスとの関係を示す図。
フォーカスとの関係を示す図。
【図４】寸法差とデフォーカスの関係（較正曲線）のド
ーズ依存性を示す図。
ーズ依存性を示す図。
【図５】図２に示したマークの半透明膜部と透過部分と
の位相差とフォーカスの検出感度の関係を示す図。
の位相差とフォーカスの検出感度の関係を示す図。
【図６】第２の実施形態に係わるフォーカスモニタ用マ
スクの概略構成を示す断面図と平面図。
スクの概略構成を示す断面図と平面図。
【図７】図６のマスクのモニタマーク部分を拡大して示
す平面図。
す平面図。
【図８】露光によって得られた寸法差（Ｌ−Ｌ’）とデ
フォーカスとの関係を示す図。
フォーカスとの関係を示す図。
【図９】モニタパターンの寸法差とデフォーカスとの関
係（較正曲線）のドーズ依存性を示す図。
係（較正曲線）のドーズ依存性を示す図。
【図１０】従来のフォーカスを管理する手法を説明する
ためのもので、菱形マークが入ったＱＣ用マスクとウェ
ハー上に形成される菱形パターンを示す図。
ためのもので、菱形マークが入ったＱＣ用マスクとウェ
ハー上に形成される菱形パターンを示す図。
【図１１】パターン長Ｌとデフォーカスの関係を示す
図。
図。
１１…透明基板 １２…半透明膜 １３…遮光膜 １０１，２０１…菱形マーク（第１の開口部） １０２，２０２…菱形マーク（第２の開口部）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 壮一 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 2H095 BB03 BE02 BE09 5F046 AA25 CB17 DA14 DB05 DC03 DD03
Claims (7)
- 【請求項１】フォトリソグラフィーによりウェハー上に
パターンを転写する際に使用されるマスクであって、 遮光部で囲まれて第１の開口部で形成、又は第１の開口
部で囲まれて遮光部で形成された少なくとも１つのモニ
タパターンを有する第１のパターン領域と、 半透明膜で囲まれて第２の開口部で形成、又は第２の開
口部で囲まれて半透明膜で形成され、第２の開口部を通
過する露光光に対して半透明膜を通過する露光光に所定
の位相差を与える少なくとも１つのモニタパターンを有
する第２のパターン領域とを備え、 前記各モニタパターンは、一方向に沿って中央部に対し
て両端部が細い形状であることを特徴とするフォーカス
モニタ用マスク。 - 【請求項２】第２の開口部を通過する露光光に対する半
透明膜を通過する露光光の位相差は＋４５度から＋１５
０度、又は−４５度から−１５０度に設定されているこ
とを特徴とする請求項１記載のフォーカスモニタ用マス
ク。 - 【請求項３】フォトリソグラフィーによりウェハー上に
パターンを転写する際に使用されるマスクであって、 第１の開口部で囲まれて第１の半透明膜で形成、又は第
１の半透明膜で囲まれて第１の開口部で形成され、第１
の開口部を通過する露光光に対して第１の半透明膜を通
過する露光光に所定の位相差を与える少なくとも１つの
モニタパターンを有する第１のパターン領域と、 第２の開口部で囲まれて第２の半透明膜で形成、又は第
２の半透明膜で囲まれて第２の開口部で形成され、第２
の開口部を通過する露光光に対して第２の半透明膜を通
過する露光光に第１のパターン領域とは異なる位相差を
与える少なくとも１つのモニタパターンを有する第２の
パターン領域とを備え、 前記各モニタパターンは、一方向に沿って中央部に対し
て両端部が細い形状であることを特徴とするフォーカス
モニタ用マスク。 - 【請求項４】第１の開口部を通過する露光光に対する第
１の半透明膜を通過する露光光の位相差は＋４５度から
＋１５０度に設定され、第２の開口部を通過する露光光
に対する第２の半透明膜を通過する露光光の位相差は−
４５度から−１５０度に設定されていることを特徴とす
る請求項３記載のフォーカスモニタ用マスク。 - 【請求項５】前記各モニタパターンは、楔形又は菱形で
あることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のフ
ォーカスモニタ用マスク。 - 【請求項６】フォトリソグラフィーによりウェハー上に
パターンを転写する際の最適なフォーカス状態からのず
れ量をモニタするフォーカスモニタ方法であって、 請求項１〜５の何れかに記載のフォーカスモニタ用マス
クを用いてウェハー上にパターンを転写する工程と、 前記ウェハー上に形成されたパターンのうち、第１及び
第２のパターン領域の各モニタパターンの双方のパター
ンサイズを計測する計測工程と、 前記計測工程の結果から、第１のパターン領域のモニタ
パターンのパターンサイズと第２のパターン領域のモニ
タパターンのパターンサイズとの差、又は比を求める演
算工程と、を含むことを特徴とするフォーカスモニタ方
法。 - 【請求項７】前記各モニタパターンは菱形であり、前記
計測工程では該モニタパターンの長い方の対角線の長さ
を計測することを特徴とする請求項６記載のフォーカス
モニタ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470199A JP2001100392A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | フォーカスモニタ用マスク及びフォーカスモニタ方法 |
| US09/671,501 US6440616B1 (en) | 1999-09-28 | 2000-09-27 | Mask and method for focus monitoring |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470199A JP2001100392A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | フォーカスモニタ用マスク及びフォーカスモニタ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001100392A true JP2001100392A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17545364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27470199A Pending JP2001100392A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | フォーカスモニタ用マスク及びフォーカスモニタ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001100392A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1312981A2 (en) * | 2001-09-06 | 2003-05-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Transparent substrate having character/symbol section and processing method of character/symbol section |
| US7094504B2 (en) | 2002-09-25 | 2006-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask, manufacturing method for mask, and manufacturing method for semiconductor device |
| US7175943B2 (en) | 2002-12-04 | 2007-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle set, method for designing a reticle set, exposure monitoring method, inspection method for reticle set and manufacturing method for a semiconductor device |
| JP2007078802A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びその歪み検出装置及び半導体集積回路の製造方法 |
| US7250235B2 (en) | 2003-02-24 | 2007-07-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Focus monitor method and mask |
| US7371483B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing mask for focus monitoring, and method for manufacturing semiconductor device |
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| US7432021B2 (en) | 2003-07-18 | 2008-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle, apparatus for monitoring optical system, method for monitoring optical system, and method for manufacturing reticle |
| US7482102B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask having a monitoring pattern with an asymmetrical diffraction grating that includes semi-transparent probing-phase shifters |
| JPWO2007029315A1 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-03-26 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | パターン転写マスク、焦点変動測定方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2012084793A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Nikon Corp | 露光方法、サーバ装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| JP2015060036A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 富士通セミコンダクター株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクの監視方法およびハーフトーン型位相シフトマスク |
-
1999
- 1999-09-28 JP JP27470199A patent/JP2001100392A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1312981A3 (en) * | 2001-09-06 | 2004-10-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Transparent substrate having character/symbol section and processing method of character/symbol section |
| US7070907B2 (en) | 2001-09-06 | 2006-07-04 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Substrate having character/symbol section and processing method of character/symbol section |
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| US7175943B2 (en) | 2002-12-04 | 2007-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle set, method for designing a reticle set, exposure monitoring method, inspection method for reticle set and manufacturing method for a semiconductor device |
| US7855047B2 (en) | 2002-12-04 | 2010-12-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle set, method for designing a reticle set, exposure monitoring method, inspection method for reticle set and manufacturing method for a semiconductor device |
| US7655369B2 (en) | 2002-12-04 | 2010-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle set, method for designing a reticle set, exposure monitoring method, inspection method for reticle set and manufacturing method for a semiconductor device |
| US7250235B2 (en) | 2003-02-24 | 2007-07-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Focus monitor method and mask |
| US7371483B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing mask for focus monitoring, and method for manufacturing semiconductor device |
| US7812972B2 (en) | 2003-07-18 | 2010-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle, apparatus for monitoring optical system, method for monitoring optical system, and method for manufacturing reticle |
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