JP2001189264A - フォーカスモニタマスク及びフォーカスモニタ方法 - Google Patents
フォーカスモニタマスク及びフォーカスモニタ方法Info
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- JP2001189264A JP2001189264A JP37547299A JP37547299A JP2001189264A JP 2001189264 A JP2001189264 A JP 2001189264A JP 37547299 A JP37547299 A JP 37547299A JP 37547299 A JP37547299 A JP 37547299A JP 2001189264 A JP2001189264 A JP 2001189264A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
る。 【解決手段】フォーカスモニタマークは、周辺部分の半
透明膜部801、中央部分の遮光膜部802、そして開
口部である第1のモニタマーク101及び第2のモニタ
マーク102から構成されている。第1のモニタマーク
101及び第2のモニタマーク102には、長方形パタ
ーン110(110a,110b)と、この長方形パタ
ーン110の片側に形成された微細な凸型の先細りパタ
ーン111(111a,111b)とから構成されてい
る。なお、第2のモニタマーク102では、半透明膜2
を通過する露光光と開口部を通過する露光光とに90度
の位相差を付けるために、基板1が例えば124nm堀
込まれている。
Description
晶表示素子等の製造に関し投影露光装置におけるフォー
カス条件を設定するのに適したフォーカス測定方法に関
する。
い、露光量裕度や焦点深度などのプロセスマージンを十
分に得ることが難しくなっている。そのため、少ないプ
ロセスマージンを有効に使用し、歩留まりの低下を防ぐ
ために、より高精度に露光量及びフォーカスをモニタす
る技術が必要となっている。フォーカスを管理する手法
として従来は、図24(a)に示したようなマークが入
ったQC用マスクを用いていた(特開平11−1020
61)。このマークは、周辺遮光部分10の内側に中央
遮光部分20を配置している。中央遮光部分20の各辺
には楔型の微細な突起状パターン22、24が複数個形
成され、左右(上下)非対称になっている。このマスク
に対してデフォーカスを変化させて露光を行い、ウェハ
上に転写されたパターン(図24(b))の位置ずれ量
L=S2−S1が最小となるフォーカス点をベストフォ
ーカス値としていた。
関係を示した。位置ずれ量Lは、デフォーカスに対して
ほぼ対称に変化する。しかし、デバイスマスクのダイシ
ング領域に上記パターンを配置して、ロットリンクでフ
ォーカスをモニタしようとした場合、ロット処理時には
フォーカス設定値を変化させることなく、一定値で露光
するため、上記マークの位置ずれ量Lからフォーカス値
を換算することになる。この場合には、フォーカスの符
号がわからないという問題があった。
おいて、渡辺らは、マークを転写する基板に図26に示
すような改善を加えた。すなわち、基板を図26に示す
ような領域に分けて、30と40の領域に高低差を形成
した。こうすることによって、マスクの転写パターン
の、X方向の位置ずれ量(ΔSx)と、Y方向の位置ず
れ量(ΔSy)との間に図27に示すような差を設け、
二つの位置ずれ量の差をデフォーカスに対してプロット
することによって(図28)、フォーカスのずれ量を符
号も含めてモニタした。この方法は、フォーカスずれ量
を符号を含めてモニタすることができるため、ロットリ
ンクでのフォーカス制御が可能である。しかしながら、
CMPプロセスが多用されている今日においては、基板
に段差を持たせる方法は実用的でない。
を含めたフォーカスずれ量を測定するためには、基板に
高低差を設けなければならず、工程が増大し簡易にフォ
ーカスずれを測定することができないという問題があっ
た。
ずれ量を簡易に測定し得るフォーカスモニタマスク及び
フォーカスモニタ方法を提供することにある。
目的を達成するために以下のように構成されている。
ニタマスクは、第1の開口部で囲まれた第1の膜で形
成、又は第1の膜で囲まれた第1の開口部で形成され、
先細りパターンからなる少なくとも1つの第1のモニタ
マークを含む第1のパターン領域と、第2の膜で囲まれ
て第2の開口部で形成、または第2の開口部で囲まれて
第2の膜で形成され、第1のパターン領域の先細りパタ
ーンの先端部とは反対方向を向く先細りパターンからな
り、通過する露光光の位相が第1のモニタマークを通過
する露光光の位相とは異なる少なくとも1つの第2のモ
ニタマークを含む第2のパターン領域とを含むフォーカ
スモニタマークを具備してなることを特徴とする。
モニタ方法は、フォトリソグラフィによりウェハ上にパ
ターンを転写する際の最適なフォーカス状態からのずれ
量をモニタするフォーカスモニタ方法であって、第1の
開口部で囲まれた第1の膜で形成、又は第1の膜で囲ま
れた第1の開口部で形成され、先細りパターンからなる
少なくとも1つの第1のモニタマークを含む第1のパタ
ーン領域と、第2の膜で囲まれて第2の開口部で形成、
または第2の開口部で囲まれて第2の膜で形成され、第
1のパターン領域の先細りパターンの先端部とは反対方
向を向く先細りパターンからなり、通過する露光光の位
相が第1のモニタマークを通過する露光光の位相異なる
少なくとも1つの第2のモニタマークを含む第2のパタ
ーン領域とを含むフォーカスモニタマークを具備してな
ることを特徴とするフォーカスモニタマスクを用いてウ
ェハ上にパターンを転写するステップと、前記ウェハ上
に形成されたパターンのうち、第1及び第2のパターン
領域のモニタパターンの相対位置を計測する計測ステッ
プと、計測された相対位置から、フォーカスの相対位置
ずれ求める演算ステップとを含むことを特徴とする。
モニタ方法は、第1の開口部で囲まれた第1の膜で形
成、又は第1の膜で囲まれた第1の開口部で形成され、
先細りパターンからなる少なくとも1つの第1のモニタ
マークを含む第1のパターン領域と、第2の膜で囲まれ
て第2の開口部で形成、または第2の開口部で囲まれて
第2の膜で形成され、第1のパターン領域の先細りパタ
ーンの先端部とは反対方向を向く先細りパターンからな
り、通過する露光光の位相が第1のモニタマークを通過
する露光光の位相とは異なる少なくとも1つの第2のモ
ニタマークを含む第2のパターン領域とを含むフォーカ
スモニタマークが、前記先細りパターンの先端方向が0
度、±45度、90度の方向を向くように4組形成され
たフォーカスモニタマスクを用いてウェハ上にパターン
を転写するステップと、前記ウェハ上に形成されたパタ
ーンのうち、それぞれのフォーカスモニタマークについ
て、第1及び第2のパターン領域のモニタパターンの相
対位置を計測する計測ステップと、それぞれの計測され
た相対位置から、照明光学レンズの収差によるフォーカ
スのずれを修正するステップとを含むことを特徴とする
[作用]本発明は、上記構成によって以下の作用・効果
を有する。
第一及び第二のパターン領域を二つ用意し、第一のパタ
ーン領域のモニタパターンと第二のパターン領域のモニ
タパターンとの最適なフォーカス位置にずれを生じさ
せ、相互に異なるデフォーカス特性を与えることによ
り、二つのモニタパターンのパターン寸法を測定するこ
とによって、最適なフォーカス状態からのずれ量及びず
れの方向を求めることが可能となる。
を参照して説明する。
施形態で用いたシステムの全体の概略構成を示す図であ
る。図29において、2901は光源、2902はフォ
トマスク、2903は投影光学系、2904はウェハで
ある。
が設けられたの概略構成を示す図である。図1(a)は
マスクの断面図、図1(b)はマスクの平面図、図1
(c)はフォーカスモニタマークの平面図、図1(d)
はフォーカスモニタマークを拡大した平面図である。
にSiO2 等の半透明膜2を介して遮光膜3が形成され
ている。半透明膜2は、露光光の位相をほぼ180度ず
らす効果を有し、透過率が6%である。そして、デバイ
スパターンの周囲のダイシングラインにフォーカスモニ
タマークが形成されている。
タマークは、周辺部分の半透明膜部801、中央部分の
遮光膜部802、そして開口部である第1のモニタマー
ク101及び第2のモニタマーク102から構成されて
いる。第1のモニタマーク101及び第2のモニタマー
ク102には、長方形パターン110(110a,11
0b)と、この長方形パターン110の片側に形成され
た微細な凸型の先細りパターン111(111a,11
1b)とから構成されている。なお、第2のモニタマー
ク102では、半透明膜2を通過する露光光と開口部を
通過する露光光とに90度の位相差を付けるために、基
板1が例えば124nm堀込まれている。
一例として楔型を示した。この先細りパターン111は
X軸方向6μm、Y軸方向0.18μmで、ピッチが
0.36μmで複数配置されている。さらにパターンの
先端方向を、遮光膜部802(半透明膜部801)では
同じ方向を、遮光膜部802と半透明膜部801とでは
反対(対称)の方向になるようにマスクに配置した。
通過する露光光と、マーク102を通過する露光光との
位相差をほぼ90度ずらすことによって、半透明膜部8
01に形成された先細りパターン111aと、遮光膜部
802に形成された先細りパターン111bとのフォー
カス点にずれが生じ、デフォーカスに対して異なる位置
ずれを示すことに注目した。つまり、ベストフォーカス
に近づくほど、先細りパターン111の微細な部分まで
解像され、レジストのエッジ位置はフォーカスのずれ量
により変化する。
ニタマークが転写されたウェハ上のパターンを示してい
る。遮光膜部802の第2のモニタマーク102が転写
されたパターンDはベストフォーカスでの中心位置を0
になるように設計した。これに対して半透明膜部801
の第1のモニタマーク101が転写されたパターンC
は、第2のモニタマーク102に対して位相を90度ず
らすことにより、ベストフォーカスの中心位置を0以外
になるように設計した。
102の露光・現像後の中心位置の差(位置ずれ量)を
モニタすると、デフォーカスに対して単調増加または単
調減少することを利用し、デフォーカスに対する位置ず
れ量の関係を較正曲線として求めておき、露光・現像後
のデフォーカスに対するパターンの位置ずれ量を測定す
ることで、フォーカスのずれ量を方向も含めてモニタす
ることを試みた。
たサンプルで、フォーカス点を検出する手順について説
明する。
スクを転写するウェハは、デバイスパターンと同一の露
光条件にて露光を行った。ウェハ上に、塗布型反射防止
膜60nmをスピンコートし、さらに、化学増幅系ポジ
型レジストを厚さ0.4μmでスピンコーティングし
た。このウェハを、上記マスクを用いて、投影光学系の
縮小比1/4、露光波長248nm、NA=0.6、コ
ヒーレンスファクタσ=0.75、輪帯遮蔽率ε0.6
7、露光装置の設定露光量7.5mJ/cm2という露
光条件で露光した。次に、露光が終了したウェハを、1
00℃・90秒でポストエクスポージャーベーク(PE
B)したあと、0.21規定のアルカリ現像液にて60
秒現像を行った。
ンC,Dの中心位置の差、すなわち位置ずれ量=S1−
S2を、合わせずれ検査装置を用いて測定した。
タマーク101及び遮光膜部802の第2のモニタマー
ク102とが転写された二つのマークC,Dの中心位置
とデフォーカスとの関係を示した。このグラフの横軸は
デフォーカス、縦軸は相対距離を示す。
部802の第2のモニタマーク102によりウェハ上に
転写されたパターンDの中心位置特性を、点線は開口部
との位相差が+90度である半透明膜部801に形成さ
れた第1のモニタマーク101によりウェハ上に転写さ
れたパターンCの中心位置特性を示している。
0度である半透明膜部801に形成された第1のモニタ
マーク101によりウェハ上に転写されたパターンC
と、遮光膜部に形成された第2のモニタマーク102に
よりウェハ上に転写されたパターンDとの位置ずれ量と
デフォーカスとの関係を表している。この位置ずれ量
が、デフォーカスに対して単調増加していることから、
フォーカスの位置ずれ量を、符号を含めて求めることが
できた。このデフォーカスと位置ズレ量の関係を較正曲
線とする。
て、較正曲線の露光量依存性を調べた。具体的には、露
光量を、7.5mJ/cm2を中心に、−10%から+
10%まで変化させて露光を行った。図4には、位置ず
れ量とデフォーカスの関係(較正曲線)のドーズ依存性
も示した。グラフは、露光量7.5mJ/cm2を中心
として、露光量を−10%、−5%、−1%、7.5m
J/cm2、+1%、+5%、+10%と変化させた場
合の、位置ずれ量とデフォーカスとの関係を示したもの
である。グラフから、ドーズ量を、−10%から+10
%の間で変化させても、デフォーカス依存性は、ほとん
ど変化しない(グラフ中の各直線がほとんど重なってい
る)ことがわかる。従って、露光量が変動した場合にお
いても、本発明のフォーカスモニタはフォーカスずれ量
を高精度に検出できた。
ターンと同一の露光、現像条件でロット処理を行った。
次に、ロット処理されたものから数枚のウェハを抜き出
し、半透明膜部と、遮光膜部のマークの相対距離より、
図4に示した較正曲線を用いてフォーカスのずれ量を符
号を含めて求めた。そして、求められた数枚のフォーカ
スずれ量の平均値を、そのロットにおけるフォーカスの
ずれ量として、次ロットに対して露光装置のフォーカス
設定値にフィードバックをかけて露光を行い、フォーカ
スのずれによる線幅変動を抑えることができた。また、
今回は、上記フォーカスモニタマークにより得られたフ
ォーカスのずれ量を使って、次ロットに対してフィード
バックを行ったが、本来のデバイスパターンのフォーカ
ス位置と、フォーカスモニタマークのフォーカス位置
は、露光装置の収差や、デバイスパターンの下地の段差
形状等により異なる場合がある。この場合は、フォーカ
スモニタマークで得られたフォーカスのずれ量に対して
デバイス固有のオフセット値を加味した値を、フォーカ
スのずれ量としてフィードバックすればよい。
した合わせずれ検査装置を用いて、フォーカス検出マー
クを測定したが、露光装置自体に内蔵された、合わせず
れ検査機能を用いることも可能である。またフォーカス
モニタマークは、上記の他にも、光学式の合わせずれ検
査装置で測定可能なマークのパターンであればよく、さ
らに突起状部分の形状は、図1(d)に示すものほど先
端が鋭利である必要はなく、中央部よりも先端部が細か
く形成されていればフォーカスモニタマークとしての機
能を発揮する。
ズ、ピッチ、及び半透明膜部分の透過率は図1に示した
ものだけに限定されるものではなく、使用する露光条件
によって種々変更することで、よりフォーカス検出性能
の向上をはかることができる。
分は必ずしも必要ではなく、図5に示すように先細りパ
ターン111部分だけでもフォーカスモニタとしての機
能を発揮する。この場合は、長方形部分がないため、デ
フォーカスに対する感度が鋭敏で、合わせずれ検査装置
以外の測定装置でフォーカスずれ量が検出可能である。
また、パターンの小型化が可能で、今後ダイシングライ
ンが更に狭くなった場合にも対応することができる。
と開口部との関係は、逆にしてもよい。すなわち、図6
に示したように、開口部601で囲まれ、遮光膜603
で形成されたモニタパターンを有するようにしてもよ
い。同様に、第2のパターン領域における半透明膜部と
開口部との関係を逆にしてもよい。すなわち、開口部6
01で囲まれて半透明膜602で形成されたパターンを
有するようにしてもよい。そして、これらのいずれの組
み合せを用いても、本実施形態と同様の効果が得られ
る。
ークが二組形成されたマスクを用いたが、図7に示すよ
うに、本実施例のマークが配置された方向と垂直な方向
にマークを配置しても、図8に示すように二組のマーク
811,812を配置しても、フォーカスモニタとして
の機能を発揮する。また、さらに図9に示すように図8
に示すマークが配置された方向に対して、45度傾いた
方向にマークが配置されていても、フォーカスモニタと
しての機能を発揮する。
分は、図10(a),(b)に示したようにBOX型の
マーク1001,1002であってもよい。このBOX
型マーク1001とBOX型マーク1002とで対向す
る各辺の先細りパターンの先端方向は、反対の(対称)
方向を向いている。さらに、周辺部分のマーク101,
701,602,612の突起状部分ののびる方向は中
央部分のマークの突起状部分ののびる方向に対して、反
対(対称)になっている。
ークを、マスクのダイシングラインに形成したが、マー
クを入れ込む場所は、ダイシングラインに限ったもので
はない。すなわち、マスク上のいずれかの場所にマーク
が形成されている場合は、QCマスクとして使用するこ
とができる。
部を通過する露光光に対してその周辺を透過する露光光
に90度の位相差を持たせるために、180度の位相差
を持った半透明膜2を使用し、基板1の一部を掘り込む
ようにしたが、90度の位相差を持った半透明膜を使用
すれば基板の掘り込みは不要となる。開口部を透過する
露光光とその周辺を通過する露光光との位相差は90度
に限定されたものではなく、遮光膜部の第2のモニタマ
ーク102と、半透明膜部801の第1のモニタマーク
101とのベストフォーカス位置変化を生じさせるもの
であればよい。
に、酸窒化モリブデンシリサイド(MoSiON)、窒
化モリブデンシリサイド(MoSiON)、弗化クロム
(CrF)、ジルコニウムシリサイド(GrSiO)な
どを用いることができる。さらに、半透明膜の透過率は
6%に限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更
可能である。本発明者らの実験によれば、半透明膜の透
過率として3%から15%の間でよい感度を得ている。
口部との位相差と、検出感度との関係を示した。この図
から、必要とされるフォーカスずれ量の検出精度を0.
05μmとし、線幅測定器の測定精度を0.02μm程
度とすると、フォーカスモニタに必要とされる検出感度
の限界は、感度(相対距離/デフォーカス)=|L|/
|Δfocus|=0.4となり、0.4以上が必要とな
る。このことから、位相差は45度から150度の間の
範囲に設定する必要がある。
測定するためのマークとして、2種類の半透明膜で形成
されたモニタマークを配置した。第1の実施形態と異な
るところは、第1及び第2のパターン領域のいずれにも
半透明膜部を設けたことである。
クが設けられたの概略構成を示す図である。図12
(a)はマスクの断面図、図12(b)はマスクの平面
図、図12(c)はフォーカスモニタマークの平面図、
図12(d)はフォーカスモニタマークを拡大した平面
図である。
ンがないダイシングラインの遮光部に形成されている。
図中1は透明基板、2は半透明膜、3は遮光膜を示す。
図12(c)に示した、半透明膜2は、露光光に対して
透過率が6%であり、位相を180度ずらす作用を持っ
ている。
領域1211では、開口部に露出する基板1を一部掘り
込む(例えば124nm)ことにより、開口部であるマ
ーク1201を通過する光に対し、その周辺の半透明膜
を通過する光は+90度の位相差を持つことになる。ま
た、第2のマーク1202を形成した第2のパターン領
域1212では、開口部に露出する基板1を一部掘り込
む(例えば372nm)ことにより、開口部である先細
りパターンを通過する光に対しその周辺の半透明膜2を
通過する光は−90度の位相差を持つようにしている。
な凸型の先細りパターンが形成されている。図12
(d)では、先細りパターンの一例として楔形を示し
た。この先細りパターンは楔形がX軸方向6μm、Y軸
方向0.18μmで、ピッチが0.36μmで複数配置
されている。さらにパターンの先端方向を、第1のパタ
ーン領域1211(第2のパターン領域1212)では
同じ方向を、第1のパターン領域1211と第2のパタ
ーン領域1212とでは反対(対称)の方向になるよう
にマスクに配置した。
遮光膜部と半透明膜部にパターンを形成したマスクを用
いてウェハ上にパターンニングし、形成されたマークの
中心位置の差(位置ずれ量)がデフォーカスに対して単
調減少または単調増加することが示された。
出感度を更に向上させるために、第1のパターン領域1
211では半透明膜2を透過する露光光を、マーク12
01を通過する露光光に対して位相をほぼ+90度ずら
し、第2のパターン領域1212では半透明膜2を透過
する露光光をマーク1202を通過する露光光に対して
位相をほぼ−90度(270度)ずらした。開口部を通
過する露光光に対して位相をほぼ+90度ずらした半透
明膜部のマーク1201のフォーカス点と、遮光膜部に
形成されたマークのフォーカス点のずれは、第1の実施
形態に記載した量だけ変化する。
過する露光光に対して位相をほぼ−90度ずらした半透
明膜部2のマーク1202のフォーカス点は、遮光膜に
形成されたマークのフォーカス点に対して、第1の実施
形態に記載したずれ量の絶対値は等しく、符号が反対の
特性を示す。その結果、第1の実施形態に対して、2倍
のフォーカスずれ量の検出感度の向上を実現することが
できる。
ルで、フォーカス点を検出する手順について説明する。
上記マークを配置したマスクを転写するウェハは、デバ
イスパターンと同一の露光条件にて露光を行った。ウェ
ハ上に、塗布型反射防止膜60nmをスピンコートし、
さらに、化学増幅系ポジ型レジストを厚さ0.4μmで
スピンコーティングした。このウェハを、上記マスクを
用いて、投影光学系の縮小比1/4、露光波長248n
m、NA0.6、コヒーレンスファクタσ0.75、輪
帯遮蔽率ε0.67、露光装置の設定露光量7.5mJ
/cm2という露光条件で露光した。次に、露光が終了
したウェハを、100℃・90秒でポストエクスポージ
ャーベーク(PEB)したあと、0.21規定のアルカ
リ現像液にて60秒現像を行った。
ンの中心位置の差、すなわち位置ずれ量を、光学式の合
わせずれ検査装置を用いて測定した。
中心位置とデフォーカスとの関係を示した。このグラフ
の横軸はデフォーカス、縦軸は中心位置を示す。グラフ
の2つの曲線のうち、実線は開口部との位相差が+90
度である半透明膜部に形成されたマーク(マークC)に
よりウェハ上に転写されたパターン寸法特性を、点線は
開口部との位相差が−90度である半透明膜部に形成さ
れたマーク(マークD)によりウェハ上に転写されたパ
ターン寸法特性を示している。
90度である半透明膜部に形成されたマーク1201に
よりウェハ上に転写されたパターンと、開口部との位相
差が−90度である半透明膜部に形成された第2のマー
ク1202によりウェハ上に転写されたパターンとの位
置ずれ量(較正曲線)を表している。この結果から、フ
ォーカスずれ量の検出感度が、第1の実施形態と比べて
約2倍になることがわかった。
て、較正曲線の露光量依存性を調べた。具体的には、露
光量を、7.5mJ/cm2を中心に、−10%から+
10%まで変化させて露光を行った。図14には、位置
ずれ量とデフォーカスの関係(較正曲線)のドーズ依存
性を示した。グラフは、露光量7.5mJ/cm2を中
心として、露光量を−10%、−5%、−1%、7.5
mJ/cm2、+1%、+5%、+10%と変化させた
場合の、位置ずれ量とデフォーカスとの関係を示したも
のである。グラフから、ドーズを−10%から+10%
の間で変化させても、デフォーカス依存性は、ほとんど
変化しない(グラフ中の各直線がほとんど重なってい
る)ことがわかる。従って、露光量が変動した場合にお
いても、本発明のフォーカスモニタはフォーカスずれ量
を高精度に検出できた。
ーンと同一の露光、現像条件でロット処理を行った。次
に、ロット処理されたものから数枚のウェハを抜き出
し、半透明膜部と、遮光膜部のマークの相対距離より、
図14に示した較正曲線を用いてフォーカスのずれ量を
符号を含めて求めた。そして、求められた数枚のフォー
カスずれ量の平均値を、そのロットにおけるフォーカス
のずれ量として、次ロットに対して露光装置のフォーカ
ス設定値にフィードバックをかけて露光を行い、フォー
カスのずれによる線幅変動を抑えることができた。ま
た、今回は、上記フォーカスモニタマークにより得られ
たフォーカスのずれ量を使って、次ロットに対してフィ
ードバックを行ったが、本来のデバイスパターンのフォ
ーカス位置と、フォーカスモニタマークのフォーカス位
置は、露光装置の収差や、デバイスパターンの下地の段
差形状等により異なる場合がある。この場合は、フォー
カスモニタマークで得られたフォーカスのずれ量に対し
てデバイス固有のオフセット値を加味した値を、フォー
カスのずれ量としてフィードバックすればよい。
した光学式の合わせずれ検査装置を用いて、フォーカス
検出マークを測定したが、露光装置自体に内蔵された、
合わせずれ機能や光学式以外の合わせずれ測定装置を用
いることも可能である。またフォーカスモニタマーク
は、上記の他にも、光学式の合わせずれ測定装置で測定
可能なマークのパターンであればよく、さらに突起状部
分の形状は、図12(d)に示すものほど先端が鋭利で
ある必要はなく、中央部よりも先端部が細かく形成され
ていればフォーカスモニタマークとしての機能を発揮す
る。
ズ、ピッチ、及び半透明膜部分の透過率は図12に示し
たものだけに限定されるものではなく、使用する露光条
件によって種々変更することで、フォーカス検出性能の
向上をはかることができる。
と開口部との関係は、逆にしてもよい。すなわち、図1
5に示すように、開口部1501で囲まれ、半透明膜1
511で形成されたモニタパターンを有するようにして
もよい。同様に、第2のパターン領域における半透明膜
部と開口部との関係を逆にしてもよい。すなわち、開口
部1501で囲まれて半透明膜1512で形成されたパ
ターンを有するようにしてもよい。そして、これらのい
ずれの組み合せを用いても、本実施形態と同様の効果が
得られる。
要ではなく、図16に示すように突起状部分だけでもフ
ォーカスモニタとしての機能を発揮する。
ークが二組形成されたマスクを用いたが、図17に示す
ように、本実施例のマークが配置された方向と垂直な方
向にマーク1203,1204を配置しても、さらに図
18に示すように二組のマーク1201,1202,1
203,1204を配置しても、フォーカスモニタとし
ての機能を発揮する。
ように図12に示すマークが配置された方向に対して、
45度傾いた方向にマーク1901,1902,190
3,1904が配置されていてもよい。
分は、図20(a),(b)に示したようにBOX型の
マーク2001,2013であってもよい。このBOX
型マーク2001,2013では、各辺の突起状部分の
伸びる方向は、対辺で反対の(対称)方向を向いてい
る。さらに、周辺部分のマーク1201,2002,2
011,2014の先細りパターン部分の先端方向は中
央部分のマーク2001,2013の先細りパターン部
分の先端方向に対して、反対(対称)になっている。こ
のマークは、中央のボックス部分の面積が広いためマス
クの加工の手間という観点で考えると、微細なマークを
複数回加工する労力が軽減される。
ークを、マスクのダイシングラインに形成したが、マー
クを入れ込む場所は、ダイシングラインに限ったもので
はない。すなわち、マスク上のいずれかの場所にマーク
が形成されている場合は、QCマスクとして使用するこ
とができる。
ば、モニタパターンを有する第1及び第2のパターン領
域を二つ用意し、第1のパターン領域のモニタパターン
と第2のパターン領域のモニタパターンとの最適なフォ
ーカス位置にずれを生じさせ、相互に異なるデフォーカ
ス特性を与えることにより、二つのモニタパターンのパ
ターン寸法を測定することによって、最適なフォーカス
状態からのずれ量及びずれの方向を求めることが可能と
なる。
2のパターン領域で同じ半透明膜を用い、開口部の透明
基板を掘り込む量を変えることにより第1のパターン領
域と第2のパターン領域とで異なる位相差を持たせた
が、この代わりに第1と第2のパターン領域で異なる半
透明膜を用いてもよい。
の収差によるフォーカスの方向依存性を調べるために、
二種類のモニタマークで構成されたマスクを使用した。
図21,22には、一組のマーク2101,2201
と、そのマークの先細りパターンの先端方向に対して配
列方向を±45度回転させたマーク2102,2202
とから構成されている。
が存在すると、デバイスパターンのフォーカス点に方向
性が生じる。即ち、X方向に平行であるデバイスパター
ンか、Y方向に平行なデバイスパターンかによってフォ
ーカス点が異なる。そこで、低次の収差に関する角度、
即ち0度、90度、±45度の方向にベストフォーカス
点を調べて、そのベストフォーカス位置の差を予めオフ
セットとして露光装置にフィードバックすることによっ
て収差によるフォーカス点の方向依存性を無くすことが
できる。
±45度のデフォーカス寸法カーブは、図23に示すよ
うになる。図23で、2301は0度の向きのマークの
デフォーカス−寸法特性、2302は±45度の向きの
マークのデフォーカス−寸法特性、2303は90度の
マークのデフォーカス−寸法特性を示す。この結果から
各角度におけるベストフォーカス点を求めて、その差を
フォーカスオフセットとすることによって、収差による
フォーカスずれを除去することができた。
るものではない。例えば、その他、本発明は、その要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能
である。
以上詳述したように本発明によれば、モニタパターンを
有する第一及び第二のパターン領域を二つ用意し、第一
のパターン領域のモニタパターンと第二のパターン領域
のモニタパターンとの最適なフォーカス位置にずれを生
じさせ、相互に異なるデフォーカス特性を与えることに
より、二つのモニタパターンのパターン寸法を測定する
ことによって、最適なフォーカス状態からのずれ量及び
ずれの方向を簡易に求めることが可能となる。
ク及びフォーカスモニタマークの概略構成を示す図。
ェハ上に転写して得られるパターンを示す平面図。
図。
写してパターンと、遮光膜部に形成されたマークにより
ウェハ上に転写されたパターンとの位置ずれ量とデフォ
ーカスとの関係を示す図。
クの変形例を示す平面図。
クの変形例を示す平面図。
クの変形例を示す平面図。
クの変形例を示す平面図。
クの変形例を示す平面図。
ークの変形例を示す平面図。
部との位相差と、検出感度との関係を示す図。
スク及びフォーカスモニタマークの概略構成を示す図。
ォーカスとの関係を示す図。
部に形成されたマーク1702によりウェハ上に転写さ
れたパターンと、開口部との位相差が−90度である半
透明膜部に形成されたマーク1703によりウェハ上に
転写されたパターンとの位置ずれ量とデフォーカスとの
関係を示す図。
ークの変形例を示す平面図。
ークの変形例を示す平面図。
ークの変形例を示す平面図。
ークの変形例を示す平面図。
ークの変形例を示す平面図。
ークの変形例を示す平面図。
ークの構成を示す平面図。
ークの構成を示す平面図。
カーブを示す図。
が転写されたパターンを示す平面図。
とデフォーカスとの関係を示す特性図。
行われた改善の概要を示す平面図。
のオフセットとデフォーカスとの間の関係を示す図。
を示す図。
略構成を示す図。
Claims (14)
- 【請求項1】第1の開口部で囲まれた第1の膜で形成、
又は第1の膜で囲まれた第1の開口部で形成され、先細
りパターンからなる少なくとも1つの第1のモニタマー
クを含む第1のパターン領域と、 第2の膜で囲まれて第2の開口部で形成、または第2の
開口部で囲まれて第2の膜で形成され、第1のパターン
領域の先細りパターンの先端部とは反対方向を向く先細
りパターンからなり、通過する露光光の位相が第1のモ
ニタマークを通過する露光光の位相とは異なる少なくと
も1つの第2のモニタマークを含む第2のパターン領域
とを含むフォーカスモニタマークを具備してなることを
特徴とするフォーカスモニタマスク。 - 【請求項2】第1の膜は遮光膜であり、第2の膜は、通
過する露光光の位相が第2の開口部を通過する露光光の
位相と異ならせる半透明膜であることを特徴とする請求
項1に記載のフォーカスモニタマスク。 - 【請求項3】第2の開口部を通過する露光光に対する第
2の膜を通過する露光光の位相差は+40度から+16
5度、または−40度から−165度に設定されている
ことを特徴とする請求項2に記載のフォーカスモニタマ
スク。 - 【請求項4】第1の膜と第2の膜とは同じ位相の露光光
が通過する同一の半透明膜であり、且つ第1の開口部と
第2の開口部を通過する露光光の位相差はそれぞれ異な
ることを特徴とする請求項1に記載のフォーカスモニタ
マスク。 - 【請求項5】第1の開口部及び第2の開口部を通過する
露光光に対する第1及び第2の膜を構成する前記半透明
膜を通過する露光光の位相差は、+40度から+165
度、または−40度から−165度に設定されているこ
とを特徴とする請求項4に記載のフォーカスモニタマス
ク。 - 【請求項6】第1の開口部及び第2の開口部を通過する
露光光の位相が同じ、且つ第2の膜を通過する露光光の
位相が第2の開口部を通過する通過する位相と異なるこ
とを特徴とする請求項1に記載のフォーカスモニタマス
ク。 - 【請求項7】前記フォーカスモニタマークは、一方向に
配列された第1及び第2のモニタマークと、前記一方向
に対して垂直な方向に配列された第1及び第2のモニタ
マークとから構成されていることを特徴とする請求項1
に記載のフォーカスモニタマスク。 - 【請求項8】前記フォーカスモニタマークは、前記一方
向に対して±45度方向に配列された第1のモニタマー
クと第2のモニタマークとがさらに形成されていること
を特徴とする請求項7に記載のフォーカスモニタマス
ク。 - 【請求項9】第1のパターン領域は第2のパターン領域
を囲うように形成され、 第2のモニタマークは、各辺に先細りパターンが形成さ
れた長方形状の第2の開口部或いは第2の膜から構成さ
れ、 第2のモニタマークの先細りパターンの先端方向は、第
1のモニタマークの先細りパターンの先端方向に対して
反対方向を向いていることを特徴とする請求項1に記載
のフォーカスモニタマスク。 - 【請求項10】前記フォーカスモニタマークは、デバイ
スパターンが配置されていないダイシング領域に形成さ
れていることを特徴とする請求項1に記載のフォーカス
モニタ用マスク。 - 【請求項11】前記フォーカスモニタマークは、ダイシ
ング領域以外に形成されていることを特徴とする請求項
1に記載のフォーカスモニタマスク。 - 【請求項12】各モニタパターンの先細りパターンは、
菱形または楔形であることを特徴とする請求項1に記載
のフォーカスモニタ用マスク。 - 【請求項13】フォトリソグラフィによりウェハ上にパ
ターンを転写する際の最適なフォーカス状態からのずれ
量をモニタするフォーカスモニタ方法であって、 第1の開口部で囲まれた第1の膜で形成、又は第1の膜
で囲まれた第1の開口部で形成され、先細りパターンか
らなる少なくとも1つの第1のモニタマークを含む第1
のパターン領域と、第2の膜で囲まれて第2の開口部で
形成、または第2の開口部で囲まれて第2の膜で形成さ
れ、第1のパターン領域の先細りパターンの先端部とは
反対方向を向く先細りパターンからなり、通過する露光
光の位相が第1のモニタマークを通過する露光光の位相
とは異なる少なくとも1つの第2のモニタマークを含む
第2のパターン領域とを含むフォーカスモニタマークを
具備してなることを特徴とするフォーカスモニタマスク
を用いてウェハ上にパターンを転写するステップと、 前記ウェハ上に形成されたパターンのうち、第1及び第
2のパターン領域のモニタパターンの相対位置を計測す
る計測ステップと、 計測された相対位置から、フォーカスの相対位置ずれ求
める演算ステップとを含むことを特徴とするフォーカス
モニタ方法。 - 【請求項14】フォトリソグラフィによりウェハ上にパ
ターンを転写する際の最適なフォーカス状態からのずれ
量をモニタするフォーカスモニタ方法であって、 第1の開口部で囲まれた第1の膜で形成、又は第1の膜
で囲まれた第1の開口部で形成され、先細りパターンか
らなる少なくとも1つの第1のモニタマークを含む第1
のパターン領域と、第2の膜で囲まれて第2の開口部で
形成、または第2の開口部で囲まれて第2の膜で形成さ
れ、第1のパターン領域の先細りパターンの先端部とは
反対方向を向く先細りパターンからなり、通過する露光
光の位相が第1のモニタマークを通過する露光光の位相
異なる少なくとも1つの第2のモニタマークを含む第2
のパターン領域とを含むフォーカスモニタマークが、前
記先細りパターンの先端方向が0度、±45度、90度
の方向を向くように4組形成されたフォーカスモニタマ
スクを用いてウェハ上にパターンを転写するステップ
と、 前記ウェハ上に形成されたパターンのうち、それぞれの
フォーカスモニタマークについて、第1及び第2のパタ
ーン領域のモニタパターンの相対位置を計測する計測ス
テップと、 それぞれの計測された相対位置から、照明光学レンズの
収差によるフォーカスのずれを修正するステップとを含
むことを特徴とするフォーカスモニタ方法。
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