KR102654170B1 - 액상 전구체를 이용한 원자층 식각 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예에 의하면, 종래의 극저온을 이용한 원자층 식각에 비하여 상대적으로 높은 온도에서도 거의 동일한 효과를 달성할 수 있는 액상 식각 전구체를 이용하는 원자층 식각 방법이 제공될 수 있다. 또한, 액상 전구체에 의하여 수반될 수 있는 공정 문제를 방지할 수 있는 원자층 식각 방법이 제공될 수 있다.
Description
본 발명은 액상 전구체를 이용한 원자층 식각 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자의 제조 공정은 웨이퍼 등의 기판을 대상으로 박막 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정, 포토 공정 등의 다양한 단위 공정을 반복적으로 수행하도록 이루어진다.
반도체 소자의 미세화 및 집적화에 따라 최근 반도체 집적회로의 설계에서 디자인룰이 더욱 감소되어 나노미터 수준의 임계치수(Critical Dimension)가 요구되기에 이르렀다. 이러한 나노미터급 반도체 소자를 구현하기 위해서는 식각 공정의 정밀한 제어가 필수적이며, 정밀 식각을 위한 식각 방법 중 하나인 원자층 식각(ALE, Atomic Layer Etching)에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
원자층 식각은 흡착, 퍼지, 탈착, 퍼지로 이루어지는 순환 사이클을 포함하며, 이 중 흡착과 탈착 과정에 의하여 피식각체가 식각될 수 있다. 이론적으로, 하나의 사이클에 의하면 하나의 층(layer)이 식각될 수 있고, 원하는 깊이에 도달될 때까지 사이클이 반복될 수 있다. 또한, 원자층 식각은 표면이 포화되면 반응이 자동으로 중지되는 자체 제한(Self-limited) 특성을 가지므로 원하는 만큼의 층이 정확하게 제거되는 장점을 가진다.
도 1은 종래의 원자층 식각의 예를 도시한 도면이다.
도 1(a)는 1세대 원자층 식각 과정을 도시한 도면이다. 1세대 원자층 식각은 플라즈마(plasma)를 이용한 흡착이 이루어지는 것이 특징으로, 플라즈마 내의 이온(Ion), 전자(Electron), 광자(Photon) 등이 기판에 충돌되어 기판에 물리적, 전기적 손상이 발생할 수 있는 문제점이 있다.
도 1(b)는 2세대 원자층 식각 과정을 도시한 도면이다. 2세대 원자층 식각은 기판을 극저온(Cryogenic)으로 냉각시켜 전구체를 흡착시키는 것이 특징으로, 기판에 물리적 손상이 가해지진 않지만, -100℃ 이하로 기판을 냉각시켜야 하는 어려움이 있고, 이에 의한 기판의 열적 손상이 발생할 수 있는 문제점이 있다. 또한, 저온 흡착 원리에 의하여 기판의 오염 문제가 발생할 수도 있다.
나노미터급 반도체 소자에 있어서, 플라즈마에 의한 기판의 물리적 전기적 손상 등은 소자의 신뢰성을 저하시킴으로써 생산성 감소의 요인이 되고, 기판을 극저온으로 냉각시키는 것 또한 비용과 시간 등의 면에서 매우 비효율적이다.
따라서 본 발명은 기판에 손상을 입히지 않으며 실온 수준에서 원자층 식각 공정을 수행할 수 있는 원자층 식각 방법을 제공하고자 한다.
또한, 종래의 원자층 식각에 비하여 정밀도가 높고 기판의 손상이 방지될 수 있는 원자층 식각 방법이 제공될 수 있다.
해결하고자 하는 과제는 이에 제한되지 않고, 언급되지 않은 기타 과제는 통상의 기술자라면 이하의 기재로부터 명확히 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 액상으로 유지되는 식각 전구체를 기화시켜 챔버로 공급하는 단계; 상기 식각 전구체가 기판 표면에 흡착되는 흡착 단계; 상기 흡착 단계 이후 상기 챔버 내부로 비활성 가스를 공급하여 상기 챔버 내부를 퍼지시키는 제1 퍼지 단계; 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판을 식각시키는 탈착 단계; 상기 탈착 단계 이후 상기 챔버 내부로 비활성 가스를 공급하여 상기 챔버 내부를 퍼지시키는 제2 퍼지 단계;를 포함하는 원자층 식각 방법이 제공될 수 있다.
상기 식각 전구체는 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질로서, 탄소와 불소의 화합물인 플루오로카본(Fluorocarbon, CF)계 중 하나일 수 있다.
또는, 상기 식각 전구체는 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질로서, 탄소와 불소 및 수소의 화합물인 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon, HFC) 계 중 하나일 수도 있다.
상기 식각 전구체는 진동자(振動子)에 의하여 버블링 방식으로 기화될 수 있다.
상기 제 1 퍼지 단계는, 상기 기판 표면에 흡착된 전구체를 제외한 나머지 전구체를 챔버 외부로 배출할 수 있다.
또는, 상기 제1 퍼지 단계는, 상기 탈착 단계보다 약한 전력을 공급하여 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 흡착 단계는 상기 기판의 온도 제어 단계를 포함할 수 있다.
상기 원자층 식각 방법은 상기 챔버 벽면의 온도를 상기 식각 전구체의 끓는점보다 높은 온도로 가열하는 챔버 벽 가열 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 챔버 벽 가열 단계는 적어도 상기 흡착 단계가 진행되는 동안 수행될 수 있다.
상기 챔버 벽 가열 단계는 전자기파에 의하여 수행될 수 있다.
상기 챔버 벽 가열 단계는 IR 램프, UV 램프, 할로겐 램프, LED, 백열등, 형광등 중 어느 하나의 광원에 의하여 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판 처리 공간을 제공하는 챔버; 기판을 지지하기 위한 지지 유닛; 액상으로 유지되는 식각 전구체를 기화시켜 상기 챔버 내부로 공급하는 가스 공급부를 포함하고, 상기 가스 공급부는 상기 액상의 전구체를 보관하기 위한 캐니스터를 포함하는 원자층 식각 장치가 제공될 수 있다.
상기 캐니스터는 상기 액상의 전구체를 진동시키기 위한 진동자를 포함하고, 상기 진동자를 이용하여 버블링 방식으로 상기 액상의 전구체를 기화시킬 수 있다.
상기 식각 전구체는 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질로서, 탄소와 불소의 화합물인 플루오로카본(Fluorocarbon, CF)계 또는 탄소와 불소, 수소의 화합물인 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon, HFC)계 중 하나일 수 있다.
상기 원자층 식각 장치는 상기 챔버 벽을 가열하기 위한 챔버 가열 유닛을 더 포함할 수 있다.
상기 챔버 가열 유닛은 상기 챔버의 벽면을 상기 식각 전구체의 끓는점보다 높은 온도로 가열할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면 흡착이 잘 되는 액상의 프리커서를 사용하여 실온 수준에서 기판에 손상이 가지 않는 원자층 식각이 가능하므로 상대적으로 공정 시간과 비용면에서 효율적이고 기판의 오염 및 손상을 방지할 수 있다.
발명의 효과는 이에 한정되지 않고, 언급되지 않은 기타 효과는 통상의 기술자라면 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 명확히 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 원자층 식각을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 식각 공정을 수행하기 위한 식각 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 가스 공급부를 설명하기 위한 확대도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 식각 처리 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 원자층 식각 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 최적화를 설명하기 위한 표이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 식각 공정을 수행하기 위한 식각 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 가스 공급부를 설명하기 위한 확대도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 식각 처리 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 원자층 식각 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 최적화를 설명하기 위한 표이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람이 쉽게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 다른 형태로 구현될 수 있고 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명의 실시예를 설명하는 데 있어서, 관련된 공지 기능이나 구성에 대한 구체적 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 구체적 설명을 생략하고, 유사 기능 및 작용을 하는 부분은 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용하기로 한다.
명세서에서 사용되는 용어들 중 적어도 일부는 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의한 것이기에 사용자, 운용자 의도, 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 그 용어에 대해서는 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 해석되어야 한다.
또한, 명세서에서, 어떤 구성 요소를 포함한다고 하는 때, 이것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다. 그리고, 어떤 부분이 다른 부분과 연결(또는, 결합)된다고 하는 때, 이것은, 직접적으로 연결(또는, 결합)되는 경우뿐만 아니라, 다른 부분을 사이에 두고 간접적으로 연결(또는, 결합)되는 경우도 포함한다.
한편, 도면에서 구성 요소의 크기나 형상, 선의 두께 등은 이해의 편의상 다소 과장되게 표현되어 있을 수 있다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해를 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해의 형상으로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법 및/또는 허용 오차의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것이 아니라 형상에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 식각 공정을 진행하기 위한 식각 처리 장치는 기판 처리부(1)와 가스 공급부(2)를 포함한다.
기판 처리부(1)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 발생 유닛(400), 챔버 가열 유닛(500)을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 식각 처리 장치는 유도 결합 플라즈마 장치일 수 있다.
챔버(100)는 내부에 기판(W)을 식각 처리하기 위한 처리 공간을 제공한다. 식각 처리 공정은 진공 분위기에서 수행될 수 있다. 챔버(100)는 밀폐 가능하도록 제공되고 측벽에 출입구(미도시)가 형성될 수 있다. 출입구를 통하여 기판(W)이 챔버(100) 내의 처리 공간으로 반입될 수 있고, 기판(W)이 챔버(100) 내의 처리 공간으로부터 외부로 반출될 수 있다. 출입구는 별도의 구동 장치(미도시)에 의하여 개폐 가능하도록 구성될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있고, 하부에는 배기홀(102)이 형성될 수 있다. 상세히 도시하지는 않았지만, 배기홀(102)은 배기 라인(104) 및 배기 펌프(미도시)와 연결될 수 있다. 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버(100) 내부 공간에 머무르는 가스가 배기홀(102)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 또한, 배기 과정에 의하여 챔버(100)의 내부가 소정 압력으로 감압될 수 있다.
챔버(100) 내부에는 기판(W)을 지지하기 위한 기판 지지 유닛(200)이 구비될 수 있다. 기판 지지 유닛(200)은 기판(W)을 흡착하여 고정하기 위한 정전 척(220), 정전 척(220)을 지지하는 베이스 플레이트(210)를 포함하여 구성될 수있다. 정전 척(220)은 알루미나 등의 유전체(Dielectric material) 판으로 이루어질 수 있으며, 내부에 정전기력(Electrostatic Force)을 발생시키기 위한 척 전극(230)이 구비될 수 있다. 전원(232)에 의하여 척 전극(230)에 전압이 인가되면, 정전기력이 발생하여 기판(W)이 정전 척(220)에 흡착 고정될 수 있다.
베이스 플레이트(210)는 정전 척(220)의 하부에 위치하며, 알루미늄 등의 금속 물질로 이루어질 수 있다. 베이스 플레이트(210)는 내부에 냉각 유닛(212)을 포함할 수 있다. 냉각 유닛(212)은 냉각 유체가 흐르는 냉매 유로를 포함하여, 정전 척(220)을 냉각시키는 냉각 수단의 기능을 수행할 수 있다. 냉매 유로는 베이스 플레이트(210) 내부에 형성되어 냉각 유체가 순환하는 순환 통로로서 제공될 수 있다. 냉각 유체의 순환을 통해서 정전 척(220)을 냉각시킬 수 있고, 이에 따라 정전 척(220)에 지지되는 기판(W)을 원하는 온도로 냉각시킬 수 있다. 도시하지는 않았지만, 베이스 플레이트(210) 및 정전척(220)에 열전달 기체 공급 통로를 형성하고 기판(W) 배면으로 열전달 기체를 공급함으로써, 열전달 기체를 매개로 냉각 유닛(212)과 기판(W) 사이에 열전달이 이루어져 기판(W)이 냉각되도록 할 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 식각 처리를 위한 공정 가스를 챔버(100) 내부로 공급하는 구성으로, 가스 공급부(2)와 연결된 공급 노즐(302)을 포함할 수 있다. 공급 노즐(302)은 챔버(100)의 측벽에 형성될 수 있다. 도 2에서는 가스 공급 유닛이 공급 노즐 형태로 제공된 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 챔버(100)의 상부에 기판과 대향하도록 형성되고 복수의 분사 홀을 포함한 샤워 헤드가 구비되어 가스가 챔버(100) 내로 분사될 수도 있다.
플라즈마 발생 유닛(400)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 플라즈마를 발생시키기 위한 구성이다. 플라즈마 발생 유닛(400)은 챔버(100) 내부로 공급된 가스에 전력을 가하여 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다.
플라즈마는 다양한 방식으로 발생될 수 있다. 예를 들어, 유도 결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 방식, 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 방식 또는 리모트 플라즈마(Remote Plasma) 방식 등이 사용될 수 있다. 도 2의 유도 결합형 플라즈마(ICP) 장치를 예로 들면, 플라즈마 발생 유닛(400)은 챔버(100)의 상부에 코일 형태로 설치된 플라즈마 소스(410)와 플라즈마 소스(410)에 전력을 인가하는 하나 이상의 RF 전원(420)을 포함할 수 있다. 플라즈마 소스(410)와 RF 전원(420)은 전기적으로 연결될 수 있고, 플라즈마 소스(410)와 RF 전원(420) 사이에는 정합 유닛(matching unit)(430)이 구비될 수 있다.
플라즈마 소스(410)는 RF 전원(420)으로부터 RF 전력을 인가받아 챔버에 시변 자기장을 유도할 수 있으며, 그에 따라 챔버(100)에 공급된 공정 가스가 플라즈마로 여기될 수 있다. 즉, 플라즈마 소스(410)는 RF 전력을 인가받아 챔버(100) 내에 전자기장을 유도할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 플라즈마 발생 유닛(400)은 플라즈마 소스(410)에 의하여 유도되는 전자기장을 조절하기 위한 전자기장 조절부를 더 포함할 수 있다.
일 예로, 플라즈마 소스(410)는 적어도 하나 이상의 권선을 갖는 평면형 코일을 포함할 수 있다. 즉, 플라즈마 소스(410)는 서로 다른 전원으로부터 RF 전력을 인가받는 복수의 코일로 구성될 수 있다.
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 플라즈마 소스(410)는 챔버(100) 상부 안쪽에 위치하는 제1 코일(412)과 제1 코일(412)을 둘러싸도록 챔버(100) 상부 바깥쪽에 위치하는 제2 코일(414)을 포함할 수 있다. RF 전원(420)은 제1 코일(412)과 연결된 제1 RF 전원(421)과 제2 코일(414)과 연결된 제2 RF 전원(422)을 포함할 수있다. 제1 RF 전원(421)은 제1 코일(412)에 RF 전력을 인가하고, 제2 RF 전원(422)은 제2 코일(414)에 RF 전력을 인가할 수 있다.
제1 RF 전원(421) 및 제2 RF 전원(422)은 서로 다른 주파수의 RF 전력을 출력할 수 있다. 정합 유닛(430)은 RF 전원(421, 422) 측의 임피던스와 부하 측 임피던스를 일치시키기 위한 장치로, 제1 RF 전원(421) 및 제2 RF 전원(422)에 각각 대응할 수 있도록 복수의 정합 회로를 포함할 수 있다. 제1 RF 전원(421) 및 제2 RF 전원(422) 외에 또 다른 주파수의 제3 RF 전원이 구비될 수 있다. 또는 베이스 플레이트(210)에 별도의 바이어스 전원이 연결될 수 있다. 또는 제 1 및 제 2 코일(412, 414)은 모두 하나의 RF 전원으로부터 전력을 인가받을 수도 있다.
한편, 플라즈마 소스(410)의 구조는 상술한 실시예에 제한되지 않는다. 예를 들어, 플라즈마 소스(410)는 적어도 하나의 권선을 갖는 단일 코일로 구성될 수도 있다.
가스 공급부(2)는 가스 공급 유닛(300)에 가스를 공급하기 위한 구성으로, 식각 전구체(5)를 포함할 수 있다. 일 예로, 가스 공급부(2)는 식각 전구체(5)를 보관하는 캐니스터(310, canister)를 포함할 수 있다. 본 발명에 의한 식각 전구체(5)는 상온에서 액상으로 존재할 수 있다. 즉, 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질일 수 있다. 식각 전구체(5)는 기판(W)의 피식각층과 반응하여 기판(W)을 식각하기 위한 물질일 수 있다. 일 예로, 피식각층은 실리콘 산화막일 수 있다. 이때 피식각층은 홀(hole)이나 트랜치(trench) 등 특정 패턴으로 식각될 수 있다. 이를 위해, 피식각층 상부에는 마스크층이 패턴 형성되어 있을 수 있다. 마스크층은 실리콘 질화막(Si3N4) 또는 비정질 탄소막(ACL: Amorphous Carbon Layer)일 수 있다. 식각 선택비 확보를 위해 식각 전구체(5)에 의한 식각률은 피식각층은 크고 마스크층은 작을 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 식각 전구체(5)는 끓는 점이 높고, 탄소와 불소 원자의 화합물인 액상 플루오로카본(Fluorocarbon, CF) 계열 중 하나일 수 있다. 또는, 본 발명의 실시예에 따른 식각 전구체(5)는 탄소와 불소 및 수소 원자의 화합물인 하이드로 플루오로카본(Hydrofluorocarbon, HFC) 계열 중 하나일 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 실시예에 따른 식각 전구체(5)는 C6F6, C5F10, C5F12, C6F10, C6F12, C6F14, C7F14, C7F16, C8F16 중 하나일 수 있다. 또는, C3H2F6, C4H2F6, C4H2F8, C4H4F6, C5HF9, C5H2F8, C5HF7, C5H3F7, C6HF13, C6H2F12, C6H5F9, C6H7F7, C6H8F6, C6H3F9, C6H4F8, C6H5F7 중 하나일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 식각 전구체(5)는 상온에서 액상으로 존재하기 때문에 기판에 흡착이 잘 될 수 있다.
공정 진행 시 식각 전구체(5)는 액상으로 유지될 수 있으며, 식각 처리를 위하여 기화시켜 가스의 형태로 챔버(100) 내부로 공급해야 한다. 액상의 식각 전구체(5)를 기화하기 위하여 가열 방식을 사용할 수 있지만, 액상의 식각 전구체(5)는 매우 안정한 물질이므로 분산이 잘 되지 않아 가열에 의한 기화를 사용할 경우 전구체의 안정적인 공급이 매우 어려울 수 있다. 불안정한 공급에 의하면, 원자층 식각에 적합하지 않게 과도한 양의 전구체(5)가 기판에 불균일하게 흡착되어 자체 제한 반응(Self-limited reaction)이 제한될 수 있다. 이에 따라, 공정이 완료된 기판의 거칠기가 공정 전의 기판에 비해 나빠지는 현상이 발생할 수 있다.
따라서, 액상의 식각 전구체(5)를 기화시켜 챔버(100)로 공급하기 위하여 캐리어 가스(51)와 가습기 등에 적용되는 진동자(振動子)가 사용될 수 있다. 캐리어 가스(51)로는 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 등과 같이 비활성 기체가 사용될 수 있다. 캐리어 가스(51)는 가스 유로(52)를 통해 식각 전구체(5)가 보관된 캐니스터(310)로 유입될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 캐니스터(310)는 액상의 식각 전구체(5)를 기화시켜 챔버(100)로 공급하기 위한 진동자(318)를 포함할 수 있다. 캐니스터(310)는 캐리어 가스(51)가 캐니스터(310)로 유입되면 진동자(318)를 구동시켜 액상의 식각 전구체(5)를 버블링(Bubbling) 방식으로 기화시킬 수 있다. 캐리어 가스(51)와 진동자(318)에 의하여 기화된 액상의 식각 전구체(5)는 가스 유로(312)를 통해 가스 공급 유닛(300)으로 전달될 수 있다. 가스 유로(312)에는 가스 유량을 조절하기 위한 MFC(Mass flow controller)(314)와 밸브(316)가 설치될 수 있다. 또한, 캐니스터(310)에는 식각 전구체(5)가 일정한 온도로 유지될 수 있도록 온도 유지 부재(미도시)가 구비될 수 있다. 온도 유지부재는 히터 또는 쿨러일 수 있다. 한편, 액상의 식각 전구체(5)를 기화시키는 방법으로는 캐리어 가스를 이용한 버블링 방식 외에도 히팅 시스템을 이용한 가열 방식으로 기화시켜 챔버(100)로 공급하는 방식이 사용될 수 있다.
도 3에서는 진동자(318)가 캐니스터(310) 내부에 제공된 것을 예로 설명하였지만, 진동자(318)는 캐니스터(310) 외부에 제공되어 식각 전구체(5)를 진동시킬 수도 있다.
한편, 가스 공급 유닛(300)에는 식각 전구체(5) 외에 하나 이상의 다른 처리 가스(6)가 공급될 수 있다. 처리 가스(6)는 식각률 또는 식각 선택비 조절을 위해 공급될 수 있다. 일 예로, 처리 가스(6)는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 크립톤(Kr), 제논(Xe) 등과 같은 불활성 기체일 수 있다. 또는, 처리 가스(6)는 산소(O2) 또는 수소(H2)일 수 있다. 처리 가스(6)는 가스 유로(62)를 통해 가스 공급 유닛(300)에 연결될 수 있다. 가스 유로(62)에는 가스 유량을 조절하기 위한 MFC(63)와 밸브(64)가 설치될 수 있다.
챔버 가열 유닛(500)은 챔버(100) 벽을 가열하기 위한 구성으로 열원을 포함하여 챔버(100) 벽을 가열할 수 있다. 챔버 가열 유닛(500)은 챔버(100) 벽을 가열하기 위하여 전자기파(electromagnetic wave)를 사용할 수 있다. 일 예로, 열원으로서 IR 램프, UV 램프, 할로겐 램프, LED, 백열등, 형광등 등과 같은 광원이 사용될 수 있다. 전구체에 의한 챔버 내부 오염을 방지할 수 있다. 챔버 가열 유닛(500)은 챔버(100)의 외벽과 접촉되도록 제공되어 챔버(100) 벽을 직접 가열하도록 제공될 수 있다. 또는, 챔버(100)로부터 일정 거리 이격되어 제공된 별도의 지지 부재에 의하여 지지되어 챔버(100)의 외벽에 복사열을 전달하도록 제공될 수 있다.
액상 플루오로카본 전구체는 상온에서 액상으로 존재하기 때문에 기판(W)뿐만 아니라 챔버(100) 내벽, 정전 척(220), 공급 노즐(300), 가스 유로(312) 등 챔버(100) 내부 부품에도 흡착될 수 있다. 챔버(100) 내부 부품에 흡착된 액상 전구체는 챔버 오염의 원인이 되고, 플라즈마에 의하여 폴리머(polymer)화 될 수 있다. 챔버의 오염은 공정의 신뢰성에 영향을 줄 수 있다. 또한, 유전체로 이루어진 정전 척(220)에 전구체가 흡착되어 폴리머화 될 경우, 폴리머에 의하여 정전 척(220)으로의 안정적인 전력 전달이 어려워질 수 있다. 또한, 폴리머의 두께 및 오염 정도에 따라 기판에 유도되는 직류 전압이 변화하게 되어 이온 에너지 분포가 달라지고, 챔버의 임피던스가 달라짐에 따라 공정 상의 불확정성이 증가될 수 있다. 즉, 공정의 신뢰성에 큰 영향을 미칠 수 있다.
따라서 액상 전구체가 기판 외의 영역에 흡착되는 것을 방지하기 위하여 챔버 가열 유닛(500)을 구비하여 챔버(100) 벽을 가열할 수 있다. 이때, 챔버(100) 벽의 온도는 액상 전구체의 끓는점보다 높은 온도로 가열되는 것이 바람직하다. 일 예로, 챔버(100) 벽은 30℃ 내지 150℃ 중 하나의 온도로 가열될 수 있다.
이하, 도 4 및 도 5를 이용하여 본 발명의 실시예에 의한 원자층 식각 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 원자층 식각 방법을 설명하기 위한 흐름도이고 도 5는 원자층 식각 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 식각 방법은, 기판에 공정 가스를 흡착시키는 흡착(absororption) 공정과, 플라즈마를 발생시켜 원자 층(Atomic layer)을 탈착하는 탈착(Desorption) 공정을 포함하며, 흡착 공정과 탈착 공정 사이와 탈착 공정이 종료된 후 챔버(100) 내부에 퍼지 가스를 주입하여 챔버 내부의 물질을 배출하는 퍼지 공정을 포함할 수 있다. 흡착 공정 → 퍼지 공정 → 탈착 공정 → 퍼지 공정으로 구성된 하나의 사이클(cycle)이 수행될 때마다, 기판으로부터 층(layer) 단위의 원자들을 제거할 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 식각 방법은 기판 준비 단계(S10), 흡착 단계(S20), 제1 퍼지 단계(S30), 탈착 단계(S40), 제2 퍼지 단계(S50), 공정 종료 및 기판 반출 단계(S60)를 포함할 수 있다.
기판 준비 단계(S10)는 챔버(100) 내부로 기판(W)을 반입시키고, 반입된 기판(W)을 기판 지지 유닛(200)에 안착하는 단계를 포함할 수 있다. 기판(W)이 안착되면 전원(232)에 의하여 척 전극(230)에 전압이 인가되어 기판(W)이 정전 척(220)에 정전 흡착될 수 있다. 기판이 흡착되면 챔버(100) 내부 압력이 소정의 진공 압력으로 조절될 수 있다. 챔버(100) 내부의 압력은 공정 단계에 따라 상이하게 제어될 수 있다.
흡착 단계(S20)는 챔버(100) 내부로 식각 가스를 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 식각 가스는 진동자(318)를 포함한 캐니스터(310) 및 캐리어 가스(51)에 의하여 버블링 방식으로 기화되어 운반된 식각 전구체(5)일 수 있다. 본 발명의 실시예에 사용되는 식각 전구체(5)는 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질로서, 탄소와 불소의 화합물인 플루오로카본(Fluorocarbon, CF) 계 또는 탄소와 불소 및 수소의 화합물인 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon, HFC) 계 중 하나일 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 가스 공급 유닛(200)에 의하여 기판(W)으로 공급된 가스 형태의 액상의 식각 전구체(5)는 기판(W)의 표면 원자층에 흡착될 수 있다.
이때, 냉각 유닛(212)을 제어하여 기판의 온도가 챔버(100) 내부의 온도와 차이를 갖도록 제어함으로써 식각 전구체(5)가 기판으로 흡착되도록 유도할 수 있다. 또한, 식각 전구체(5)의 특성에 따라 기판의 온도를 제어하여 기판 표면에 흡착되는 전구체의 양과 균일도를 제어할 수 있다. 또는, 도시하지는 않았지만, 기판에 전자기파를 공급할 수 있는 전자기파 공급원을 구비하여 기판에 전자기파를 공급함으로써 전구체를 활성화시켜 기판 표면에 흡착되는 전구체의 양을 제어할 수도 있다.
일 예로, 흡착 단계(S20)에서는 진공압이 3mTorr인 챔버(100)의 내부로 C5F8 가스가 5초 동안 공급될 수 있다.
제1 퍼지 단계(S30)는 흡착 단계(S20)에서 기판(W)의 표면에 흡착되지 않고 챔버(100) 내부에 남아있는 공정 가스를 포함한 물질들을 배기홀(102)을 통해 챔버(100) 외부로 배출시켜 제거할 수 있다. 제1 퍼지 단계(S30)는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 크립톤(Kr), 제논(Xe) 등과 같은 불활성 기체에 의하여 수행될 수 있다.
특히나, 흡착 단계(S20)에서 전구체(5)가 과도하게 공급되었을 경우, 제1 퍼지 단계(S30)의 수행 시간을 증가시켜 챔버(100) 내부로 공급된 식각 전구체(5) 중 기판 표면에 흡착된 하나의 층 또는 원하는 만큼의 N층의 전구체(5)를 제외한 나머지 전구체 등의 물질을 챔버(100) 외부로 배출시킬 수 있다.
예를 들어, 기판 표면에 흡착된 N층의 전구체(5)를 제외한 나머지 전구체가 모두 챔버(100) 외부로 배출될 만큼 충분한 시간동안 제1 퍼지 단계(S30)를 수행할 수 있다. 또는, 제1 퍼지 단계(S30)는 공급되는 불활성 기체에 의한 약한 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 단계를 포함할 수도 있다. 약한 플라즈마를 형성함으로써 반응성을 높여 상대적으로 짧은 시간에 챔버(100) 내부로 공급된 식각 전구체(5) 중 기판 표면에 흡착된 N층의 전구체(5)를 제외한 나머지 전구체 등의 물질을 챔버(100) 외부로 배출시킬 수 있다. 즉, 제1 퍼지 단계(S30)에 의하면 챔버(100) 내부로 공급된 식각 전구체(5) 중 기판 표면에 흡착된 전구체(5)를 제외한 나머지 전구체 등의 물질을 모두 챔버(100) 외부로 배출시킬 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 퍼지 단계(S30)에 의하면 기판 표면에 흡착된 전구체의 두께가 균일하게 조절될 수 있으므로 식각 처리가 완료된 기판 표면 거칠기가 개선될 수 있다.
일 예로, 제1 퍼지 단계(S30)에서는 진공압이 10mTorr인 챔버(100)의 내부로 아르곤(Ar) 기체가 1분 동안 공급될 수 있다. 또는, 진공압이 5mTorr인 챔버(100)의 내부로 아르곤(Ar) 기체를 공급하여 5초 동안 약한 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
탈착 단계(S40)는 챔버(100) 내부로 처리 가스(6)가 공급되는 단계와 플라즈마 발생 유닛(400)에 의하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 단계를 포함할 수 있다. 처리 가스(6)는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 크립톤(Kr), 제논(Xe) 등과 같은 불활성 기체 중 하나일 수 있다. 플라즈마 생성을 위해 플라즈마 소스(410)에 연결된 RF 전원(420)에 의해 RF 전력이 제공될 수 있다. RF 전원(420)은 2 이상의 RF 전원(421, 422)이 구비될 수 있다. 또한, 베이스 플레이트(210)를 통해 기판에 바이어스 전압이 인가될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 탈착 단계(S40)에서는 처리 가스(6)가 플라즈마에 의하여 이온화되고 기판(W) 방향으로 입사되어 식각 전구체(5)와 결합된 기판(W)의 원자층이 기판(W)으로부터 분리되어 떨어져 나갈 수 있다. 탈착 단계(S40)에 의하면 기판이 소정의 패턴으로 식각될 수 있다. 이를 위해 기판의 상부에 패턴이 형성된 마스크가 제공될 수 있다.
일 예로, 탈착 단계(S40)에서 플라즈마 소스(410)에는 200W의 전력이 인가되고, 베이스 플레이트(410)에는 -7V의 전압이 인가될 수 있고, 진공압이 5mTorr인 챔버(100)의 내부로 아르곤(Ar) 기체가 공급되어 20초 동안 아르곤 플라즈마가 발생될 수 있다.
이어서, 제2 퍼지 단계(S50)에 의하여 분리된 원자층의 물질들을 배기홀(102)을 통해 챔버(100) 외부로 배출시킬 수 있다. 일 예로, 제2 퍼지 단계(S50)에서는 진공압이 5mTorr인 챔버(100)의 내부로 아르곤(Ar) 기체가 10초 동안 공급될 수 있다.
흡착 단계(S20)에서 탈착 단계(S40)까지의 공정을 1회 수행할 때마다 한 층의 원자층이 식각될 수 있다. 따라서, 흡착 단계(S20)에서 탈착 단계(S40)까지의 공정을 반복 횟수를 제어하여 원하는 만큼의 원자층을 식각할 수 있다.
원하는 만큼의 원자층이 식각되면 공정을 종료하고 기판을 반출하는 단계(S60)가 수행될 수 있다. 기판의 반출은 챔버(100)와 연통 가능하도록 배치된 반송 모듈로부터 진입한 기판 반송 로봇이 기판(W)을 파지하여 반출하는 단계일 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 원자층 식각 처리 장치는 끓는 점이 높은 액상 플루오로카본 또는 액상 하이드로플루오로카본을 전구체로 사용한다. 상기 액상 전구체는 식각 가스로 적용되는 동시에 실리콘 웨이퍼와 반응하여 피식각층(예: 트랜치) 측벽에 보호막(passivation)을 형성할 수 있다. 따라서 극저온을 이용한 2세대 원자층 식각으로 얻을 수 있었던 높은 종횡비, 높은 선택비, 높은 방향성을 상대적으로 높은 온도에서 얻을 수 있게 한다.
한편, 본 발명의 실시예에 사용되는 식각 전구체(5)는 상온에서 액상으로 존재하는 플루오로카본 또는 하이드로플루오로카본 전구체이므로 기판에 쉽게 흡착될 수 있다. 그러나, 같은 이유로 기판(W)뿐만 아니라 챔버(100) 내벽, 정전 척(220), 공급 노즐(300), 가스 유로(312) 등 챔버(100) 내부 부품에도 흡착될 수 있다. 챔버(100) 내부 부품에 흡착된 액상 전구체는 챔버 오염의 원인이 되고, 플라즈마에 의하여 폴리머(polymer)화 될 수 있다. 챔버의 오염은 공정의 신뢰성에 영향을 줄 수 있다. 또한, 유전체로 이루어진 정전 척(220)에 전구체가 흡착되어 폴리머화 될 경우, 정전 척(220)으로의 안정적인 전력 전달이 어려워질 수 있다.
이를 방지하기 위하여, 본 발명의 실시예에 의한 식각 처리 방법은 챔버 가열 단계를 포함할 수 있다. 챔버 가열 단계는 챔버 벽의 온도를 식각 전구체(5)의 끓는 점보다 높은 온도로 가열할 수 있다. 챔버 가열 단계는 챔버 가열 유닛(500)에 의하여 수행될 수 있고, 챔버 벽 가열에 의하여 챔버 내부 부품에 대한 전구체(5)의 흡착이 방지될 수 있다. 챔버 가열 단계는 식각 처리 공정의 전체 구간동안 지속적으로 수행될 수 있다.
도 6은 일반적인 원자층 식각과 본 발명의 실시예에 의한 액상 전구체를 이용한 원자층 식각을 비교하기 위한 도면이다.
도 6(a)는 종래의 일반적인 원자층 식각 과정을 나타낸 것이고, 도 6(b)는 액상 전구체를 이용한 원자층 식각 과정을 나타낸 것이며, 도 6(c)는 본 발명의 실시예에 의하여 최적화시킨 액상 플루오르카본 전구체를 이용한 원자층 식각 과정을 나타낸 것이다.
도 6(a)에 도시된 바와 같이, 일반적인 원자층 식각 과정은 전술한 바와 같이, 기판에 공정 가스를 흡착시키는 흡착(absorption) 공정과, 플라즈마를 발생시켜 원자 층(Atomic layer)을 탈착함으로써 기판을 식각(Etching)하는 탈착(Desorption) 공정을 포함하며, 흡착 공정과 탈착 공정 사이와 탈착 공정이 종료된 후 챔버(100) 내부에 퍼지 가스를 주입하여 챔버 내부의 물질을 배출하는 퍼지(Purge) 공정을 포함할 수 있다. 흡착 공정은 피식각체의 표면층이 탈착 공정에서 쉽게 제거될 수 있게 하는 단계로 수정(modification) 단계로 불리기도 한다. 원자층 식각은 흡착 공정 → 퍼지 공정 → 탈착 공정 → 퍼지 공정으로 구성된 하나의 사이클(cycle)이 수행될 때마다, 기판으로부터 한 층(layer)의 원자층을 제거할 수 있고, 원하는 깊이에 도달될 때까지 사이틀을 반복할 수 있다. 또한, 원자층 식각은 표면이 포화되면 반응이 자동으로 중지되는 자체 제한(Self-limited) 특성을 가지므로 원하는 만큼의 층이 정확하게 제거되는 장점을 가진다.
그러나, 일반적인 원자층 식각은 앞서 설명한 바와 같이, 기판의 오염 및 손상 문제가 발생할 수 있고, 비용과 시간적인 면에서 효율적이지 못한 문제가 있다. 이를 해결하기 위하여 본 발명은 상온에서 액상으로 존재하는 액상 전구체를 이용한 원자층 식각을 제안하였다. 액상 전구체에 의하면 2세대 원자층 식각에 의한 극저온 특성을 실온에 가까운 온도에서 구현할 수 있는 장점이 있다.
하지만, 액상 전구체는 매우 안정한 물질이므로 분산이 잘 되지 않아 가열에 의한 기화를 사용할 경우 전구체의 안정적인 공급에 문제가 발생할 수 있다. 또한, 원자층 식각에 적합하지 않게 도 6(b)의 퍼지 단계에 도시된 바와 같이 과도한 양의 전구체(5)가 기판에 불균일하게 흡착되어 자체 제한 반응(Self-limited reaction)이 제한되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 도 6(b)의 탈착 단계에 도시된 바와 같이, 기판의 일부 표면이 목표하는 수의 층보다 더 많이 제거될 수 있다. 결론적으로, 공정이 완료된 기판의 거칠기가 공정 전의 기판에 비해 나빠지는 현상이 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명은, 액상 전구체를 진동자를 이용하여 버블링 방식으로 기화시켜 공급하고, 흡착 단계에서 기판의 온도를 제어하고, 제1 퍼지 단계의 수행 시간 또는 가스 공급 방법을 제어함으로써 액상 전구체를 이용한 원자층 식각 방법을 최적화하는 방안까지 제시하였다. 구체적으로, 흡착 단계에서 안정적인 상태인 액상 전구체를 안정적으로 공급하기 위하여 진동자를 이용한 버블링 방식으로 기화시켜 공급하고, 전구체가 기판의 표면으로 흡착될 수 있도록 냉각 유닛을 이용하여 기판의 온도를 제어하고, 제1 퍼지 단계에서 액상 전구체가 기판 표면에 흡착된 N층을 제외하고 모두 제거될 때까지 공정 시간을 늘려 수행하거나 약한 플라즈마를 생성하여 불활성 기체(예: Ar, Xe, Kr 등)를 공급하는 등의 방법을 적용하여 기판에 흡착된 전구체의 두께를 균일하게 조절하였다. 결과적으로 도 6(c) 마지막 단계에 도시된 바와 같이, 최적화된 액상 전구체 원자층 식각에 의하면 균일하고 매끄러운 기판 표면을 구현할 수 있다. 또한, 챔버 외벽을 전체 공정동안 가열하여 액상의 전구체를 사용함으로써 발생할 수 있는 전구체의 기판 외 영역의 흡착 문제를 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 식각 방법에 의하면 실온에 가까운 온도에서도 극저온 식각의 장점인 균일하고 정밀한 원자층 식각이 구현될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 챔버
200: 기판 지지 유닛
300: 기체 공급 유닛
400: 플라즈마 발생 유닛
500: 챔버 가열 유닛
200: 기판 지지 유닛
300: 기체 공급 유닛
400: 플라즈마 발생 유닛
500: 챔버 가열 유닛
Claims (16)
- 액상으로 유지되고 식각 가스로 적용되는 동시에 기판과 반응하여 피식각층의 측벽에 보호막을 형성하는 식각 전구체를 기화시켜 챔버로 공급하는 단계;
상기 식각 전구체가 기판 표면에 흡착되는 흡착 단계;
상기 흡착 단계 이후 상기 챔버 내부로 비활성 가스를 공급하여 상기 챔버 내부를 퍼지시키는 제1 퍼지 단계;
상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판을 식각시키는 탈착 단계;
상기 탈착 단계 이후 상기 챔버 내부로 비활성 가스를 공급하여 상기 챔버 내부를 퍼지시키는 제2 퍼지 단계; 및
상기 액상으로 유지되는 식각 전구체의 기판 외 영역 흡착 문제를 방지하기 위해 상기 챔버 벽면을 가열하는 챔버 벽 가열 단계를 포함하고,
상기 흡착 단계는 상기 식각 전구체가 기판으로 흡착되도록 유도하기 위해 상기 기판을 지지하는 정전 척을 냉각시켜 상기 기판의 온도가 상기 챔버 내부의 온도와 차이를 갖도록 제어하는 온도 제어 단계를 포함하는 원자층 식각 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 식각 전구체는 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질로서, 탄소와 불소의 화합물인 플루오로카본(Fluorocarbon, CF)계 중 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 식각 전구체는 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질로서, 탄소와 불소 및 수소의 화합물인 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon, HFC)계 중 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 식각 전구체는 진동자(振動子)에 의하여 버블링 방식으로 기화되는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제 1 퍼지 단계는,
상기 기판 표면에 흡착된 전구체를 제외한 나머지 전구체를 챔버 외부로 배출하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 퍼지 단계는,
상기 탈착 단계보다 약한 전력을 공급하여 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 챔버 벽 가열 단계는,
상기 챔버 벽면의 온도를 상기 식각 전구체의 끓는점보다 높은 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 챔버 벽 가열 단계는 적어도 상기 흡착 단계가 진행되는 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법.
- 제9항에 있어서,
상기 챔버 벽 가열 단계는 전자기파에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법.
- 제10항에 있어서,
상기 챔버 벽 가열 단계는 IR 램프, UV 램프, 할로겐 램프, LED, 백열등, 형광등 중 어느 하나의 광원에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 방법.
- 기판 처리 공간을 제공하는 챔버;
기판을 지지하기 위한 지지 유닛;
상기 지지 유닛을 냉각시켜 상기 기판을 원하는 온도로 냉각시키는 냉각 유닛;
액상으로 유지되고 식각 가스로 적용되는 동시에 기판과 반응하여 피식각층의 측벽에 보호막을 형성하는 식각 전구체를 기화시켜 상기 챔버 내부로 공급하는 가스 공급부; 및
상기 액상으로 유지되는 식각 전구체의 기판 외 영역 흡착 문제를 방지하기 위해 상기 챔버 벽을 가열하는 챔버 가열 유닛을 포함하고,
상기 가스 공급부는 상기 액상의 전구체를 보관하기 위한 캐니스터를 포함하고,
상기 냉각 유닛은 상기 기판의 온도가 상기 챔버 내부의 온도와 차이를 갖도록 제어하여 상기 식각 전구체가 기판 표면에 흡착되도록 유도하는 원자층 식각 장치.
- 제12항에 있어서,
상기 캐니스터는 상기 액상의 전구체를 진동시키기 위한 진동자를 포함하고, 상기 진동자를 이용하여 버블링 방식으로 상기 액상의 전구체를 기화시키는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치
- 제12항에 있어서,
상기 식각 전구체는 대기압에서 끓는점이 0℃ 이상인 물질로서, 탄소와 불소의 화합물인 플루오로카본(Fluorocarbon, CF)계 또는 탄소와 불소 및 수소의 화합물인 하이드로플루오로카본(Hydrofluorocarbon, HFC) 계 중 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치.
- 삭제
- 제12항에 있어서,
상기 챔버 가열 유닛은 상기 챔버의 벽면을 상기 식각 전구체의 끓는점보다 높은 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치.
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