JP4301403B2 - 半導体製造装置用ライナー - Google Patents
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Description
ライナーが、サセプターを包囲するリング状をなしており、サセプターに対向する対向面を有する本体部と、本体部とチャンバー側の背面との間の平均肉厚10mm以下の肉薄部とを備えており、本体部と肉薄部とによって、チャンバーの内壁面に面するリング状の空隙が形成されており、対向面と背面との間にガス排出孔およびウエハー装入孔が設けられていることを特徴とする。
(1) ヒーター基体からチャンバー内の雰囲気への熱伝達
(2) ヒーター基体からシャフト(ヒーター支持部材)端冷却部への熱伝導
(3) ヒーター基体から、チャンバー内の部品(例えばガス供給板、ライナー)への輻射伝熱
例えば、光ケーブルの先端に積分球を搭載した接触子規放射率測定器(ADVACED ENERGY社製 「MODEL 2100M」を使用すれば、センサー部を被測定物に当てるだけで、外乱なく容易に放射率を知ることができる。
放射率測定で求めるのは室温での放射率である。本発明で示すε値は、室温での値であるが、400〜800℃でも大きく変化しないため、使用温度での熱放射率によって代用しても差し支えない。
(1)対向面の中心線平均表面粗さを小さくすると(平滑化すると)、対向面の熱放射率が低下する。
(2)対向面の明度を大きくする。この場合には、対向面の明度をN6.0以上とすることが好ましい。
Z 8721」に規定されている。明度Vは、無彩色を基準としており、理想的な黒の明度を0とし、理想的な白の明度を10とする。理想的な黒と理想的な白との間で、その色の明るさの知覚が等歩度となるように各色を10分割し、N0〜N10の記号で表示する。実際の対向面の明度を測定する際には、N0〜N10に対応する各標準色票と、対向面の表面色とを比較し、対向面の明度を決定する。この際、原則として小数点一位まで明度を決定し、かつ小数点一位の値は0または5とする。
また図4(b)に示すように、ライナー4の底面側に略円形の小さい突起を例えば3個設け、各突起の端面31を支持面とすることができる。この場合には、SBは、各突起の支持面31の面積の合計値である。
窒化アルミニウム焼結体中にモリブデン製のコイルスプリング状発熱線7を埋設してヒーター5を得る。ヒーター5をセラミックス製の支持部材30によってチャンバー2に取り付ける。また、ガス供給板、ライナーおよび昇降ピンリフターをチャンバー2内に装入し、固定する。ガス供給板、ライナーの形状はそれぞれ略直方体形状であり、図2〜図4に示したような空隙や肉薄部は設けられていない。ガス供給板、ライナー、昇降ピンリフターの材質は炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ケイ素とする。各対向面3c、4c、10cは平滑化加工していない。各対向面の中心線平均表面粗さRaおよび熱放射率εを表1に示す。
比較例1と同様にして実験を行った。ガス供給板、ライナー、昇降ピンリフターの形状は略直方体形状であり、図2〜図4に示したような空隙や肉薄部は設けられていない。ガス供給板、ライナー、昇降ピンリフターの材質はそれぞれアルミニウム合金、アルミナ、アルミナとする。各対向面3c、4c、10cは平滑化加工していない。ライナーの対向面、支持面の面積SO、SBは約63000mm2である。ライナーの肉厚は35mmである。本例では背面4dとチャンバー内壁面との間には若干の隙間がある。
比較例2と同様にしてウエハーの温度差を測定する。ただし、ガス供給板、昇降ピンリフターは比較例のものと同じである。ライナー4としては、図3、図4に示すものを使用する。ライナーの対向面4cの面積SOは約63000mm2であり、ライナー4の支持面4gの面積SBは約3000mm2である。ライナー4の肉薄部4eの肉厚は5mmである。
チャンバー 2a
チャンバー2の内壁面 3
ガス供給板 3a
ガス孔 3b
ガス供給板3のチャンバーへの設置面(背面) 3c
ガス供給板3のサセプター5への対向面 3e 肉薄部 4
ライナー 4a
排出孔 4b
半導体装入孔 4c
ライナー4のサセプター5への対向面 4d ライナー4の背面 4e ライナー4の肉薄部 4g ライナー4の支持面 5
サセプター(ヒーター) 6
サセプター5の基体 6a
サセプター5の加熱面 6b サセプター5の側面 6c
サセプター5の背面 10
昇降ピンリフター 10a
リフト部 10b 支持部 10c 昇降ピンリフターのサセプター5への対向面 SB ライナー支持面の面積 SO ライナーの対向面の面積 W
半導体 t ライナーの肉薄部の肉厚
Claims (2)
- 半導体製造装置用チャンバー内において、半導体を載置するためのサセプターの周囲に設置されるライナーであって、
前記ライナーが、前記サセプターを包囲するリング状をなしており、前記サセプターに対向する対向面を有する本体部と、この本体部と前記チャンバー側の背面との間の平均肉厚10mm以下の肉薄部を備えており、前記本体部と前記肉薄部とによって、前記チャンバーの内壁面に面するリング状の空隙が形成されており、前記対向面と前記背面との間にガス排出孔およびウエハー装入孔が設けられていることを特徴とする、ライナー。 - チャンバー、半導体を載置するためのサセプター、およびこのサセプターを包囲するライナーを備えており、前記ライナーが、請求項1記載のライナーであることを特徴とする、半導体製造装置。
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