JPH06252055A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JPH06252055A JPH06252055A JP3344593A JP3344593A JPH06252055A JP H06252055 A JPH06252055 A JP H06252055A JP 3344593 A JP3344593 A JP 3344593A JP 3344593 A JP3344593 A JP 3344593A JP H06252055 A JPH06252055 A JP H06252055A
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- Japan
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- shaped
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 緻密質セラミックスからなる盤状基体に抵抗
発熱体を埋設してなる盤状セラミックスヒーターにおい
て、昇温及び降温を繰り返し実施しても、盤状基体が破
損しないようにすることである。 【構成】 円盤状セラミックスヒーター１においては、
緻密質セラミックスからなる例えば円盤状の基体２内
に、抵抗発熱体３Ａ，３Ｂが埋設されている。この加熱
装置は、抵抗発熱体３Ａ，３Ｂに電力を供給するための
電力供給部を備えている。円盤状セラミックスヒーター
１の温度上昇時及び温度下降時において、円盤状セラミ
ックスヒーター１の周縁部の温度よりも中央部の温度の
方が高くなるように、抵抗発熱体３Ａ，３Ｂへの電力供
給量を制御できるように構成されている。
発熱体を埋設してなる盤状セラミックスヒーターにおい
て、昇温及び降温を繰り返し実施しても、盤状基体が破
損しないようにすることである。 【構成】 円盤状セラミックスヒーター１においては、
緻密質セラミックスからなる例えば円盤状の基体２内
に、抵抗発熱体３Ａ，３Ｂが埋設されている。この加熱
装置は、抵抗発熱体３Ａ，３Ｂに電力を供給するための
電力供給部を備えている。円盤状セラミックスヒーター
１の温度上昇時及び温度下降時において、円盤状セラミ
ックスヒーター１の周縁部の温度よりも中央部の温度の
方が高くなるように、抵抗発熱体３Ａ，３Ｂへの電力供
給量を制御できるように構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマＣＶＤ、減圧
ＣＶＤ、プラズマエッチング、光エッチング装置等に使
用される加熱装置に関するものである。
ＣＶＤ、プラズマエッチング、光エッチング装置等に使
用される加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スーパークリーン状態を必要とする半導
体製造用装置では、デポジション用ガス、エッチング用
ガス、クリーニング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガ
ス等の腐食性ガスが使用されている。このため、ウエハ
ーをこれらの腐食性ガスに接触させた状態で加熱するた
めの加熱装置として、抵抗発熱体の表面をステンレスス
チール、インコネル等の金属により被覆した従来のヒー
ターを使用すると、これらのガスの曝露によって、塩化
物、酸化物、弗化物等の粒径数μの、好ましくないパー
ティクルが発生する。
体製造用装置では、デポジション用ガス、エッチング用
ガス、クリーニング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガ
ス等の腐食性ガスが使用されている。このため、ウエハ
ーをこれらの腐食性ガスに接触させた状態で加熱するた
めの加熱装置として、抵抗発熱体の表面をステンレスス
チール、インコネル等の金属により被覆した従来のヒー
ターを使用すると、これらのガスの曝露によって、塩化
物、酸化物、弗化物等の粒径数μの、好ましくないパー
ティクルが発生する。
【０００３】上記の問題を解決するため、本発明者等
は、新たに円盤状の緻密質セラミックス内に抵抗発熱体
を埋設し、このセラミックスヒーターをグラファイトの
ケースに保持した加熱装置について検討した。その結果
この加熱装置は、上述のような問題点を一掃した極めて
優れた装置であることが判明した。
は、新たに円盤状の緻密質セラミックス内に抵抗発熱体
を埋設し、このセラミックスヒーターをグラファイトの
ケースに保持した加熱装置について検討した。その結果
この加熱装置は、上述のような問題点を一掃した極めて
優れた装置であることが判明した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】こうした円盤状セラミ
ックスヒーターは、主として６００℃以上の高温で使用
可能とするため、窒化珪素等の、耐熱性、耐熱衝撃性が
優れた材料で形成した。しかし、ヒーターの昇温と降温
とを繰り返すと、セラミックス基体にクラックが発生す
ることがあった。これは、昇温及び降温時に円盤状セラ
ミックス基体に発生する内部応力によるものである。
ックスヒーターは、主として６００℃以上の高温で使用
可能とするため、窒化珪素等の、耐熱性、耐熱衝撃性が
優れた材料で形成した。しかし、ヒーターの昇温と降温
とを繰り返すと、セラミックス基体にクラックが発生す
ることがあった。これは、昇温及び降温時に円盤状セラ
ミックス基体に発生する内部応力によるものである。
【０００５】本発明の課題は、緻密質セラミックスから
なる盤状基体に抵抗発熱体を埋設してなる盤状セラミッ
クスヒーターにおいて、昇温及び降温を繰り返し実施し
ても、盤状基体が破損しないようにすることである。
なる盤状基体に抵抗発熱体を埋設してなる盤状セラミッ
クスヒーターにおいて、昇温及び降温を繰り返し実施し
ても、盤状基体が破損しないようにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、緻密質セラミ
ックスからなる盤状基体に抵抗発熱体を埋設してなる盤
状セラミックスヒーターと、前記抵抗発熱体に電力を供
給するための電力供給部とを備えた加熱装置であって、
前記盤状セラミックスヒーターの温度上昇時及び温度下
降時において、この盤状セラミックスヒーターの周縁部
の温度よりも中央部の温度の方が高くなるように前記抵
抗発熱体への電力供給量を制御できるように構成され
た、加熱装置に係るものである。
ックスからなる盤状基体に抵抗発熱体を埋設してなる盤
状セラミックスヒーターと、前記抵抗発熱体に電力を供
給するための電力供給部とを備えた加熱装置であって、
前記盤状セラミックスヒーターの温度上昇時及び温度下
降時において、この盤状セラミックスヒーターの周縁部
の温度よりも中央部の温度の方が高くなるように前記抵
抗発熱体への電力供給量を制御できるように構成され
た、加熱装置に係るものである。
【０００７】
【作用】本発明の加熱装置は、盤状セラミックスヒータ
ーの温度上昇時及び温度下降時において、盤状セラミッ
クスヒーターの周縁部の温度よりも中央部の温度の方が
高くなるように抵抗発熱体への電力供給量を制御できる
ように構成されている。従って、温度上昇時及び温度下
降時に、後述する理由から、盤状基体中の引張り応力の
発生が小さくなり、盤状基体が破損しなくなるものであ
る。
ーの温度上昇時及び温度下降時において、盤状セラミッ
クスヒーターの周縁部の温度よりも中央部の温度の方が
高くなるように抵抗発熱体への電力供給量を制御できる
ように構成されている。従って、温度上昇時及び温度下
降時に、後述する理由から、盤状基体中の引張り応力の
発生が小さくなり、盤状基体が破損しなくなるものであ
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の加熱装置の一実施例について
説明する。図１は、円盤状セラミックスヒーター１を示
すものであり、図２は、電力供給部を模式的に示すブロ
ック図である。図１（ｂ）は、セラミックスヒーターの
縦断面図であり、図１（ａ）は、特に抵抗発熱体の埋設
パターンを図示するための破断平面図である。
説明する。図１は、円盤状セラミックスヒーター１を示
すものであり、図２は、電力供給部を模式的に示すブロ
ック図である。図１（ｂ）は、セラミックスヒーターの
縦断面図であり、図１（ａ）は、特に抵抗発熱体の埋設
パターンを図示するための破断平面図である。
【０００９】緻密質セラミックスからなる円盤状基体２
の内部に抵抗発熱体３Ａ，３Ｂが埋設されている。抵抗
発熱体３Ａはほぼ２周しており、抵抗発熱体３Ａの外周
側に端子４Ａが接続されており、内周側に端子４Ｂが接
続されている。抵抗発熱体３Ｂの外周側に端子４Ｂが接
続されており、内周側に端子４Ｃが接続されている。端
子４Ａ，４Ｂ，４Ｃは例えば円柱形状、角柱形状等をし
ており、背面２ａに露出している。加熱面２ｂ側に、半
導体ウエハー等を設置する。
の内部に抵抗発熱体３Ａ，３Ｂが埋設されている。抵抗
発熱体３Ａはほぼ２周しており、抵抗発熱体３Ａの外周
側に端子４Ａが接続されており、内周側に端子４Ｂが接
続されている。抵抗発熱体３Ｂの外周側に端子４Ｂが接
続されており、内周側に端子４Ｃが接続されている。端
子４Ａ，４Ｂ，４Ｃは例えば円柱形状、角柱形状等をし
ており、背面２ａに露出している。加熱面２ｂ側に、半
導体ウエハー等を設置する。
【００１０】本実施例の円盤状セラミックスヒーター１
においては、特に加熱面２ｂにおける均熱性を高めるた
め、円盤状基体２を領域ＤとＥとに区分し、領域Ｄで
は、抵抗発熱体３Ａ，３Ｂを、直径の異なる同心円状パ
ターンに従って配置した。また、領域Ｅにおいては、抵
抗発熱体３Ａ，３Ｂをほぼ直線状とし、直径の異なるパ
ターン同士を接続した。最外周の端子４Ａが、領域Ｅに
位置するようにした。領域Ｄ，Ｅのいずれにおいても、
抵抗発熱体３Ａ，３Ｂの平面的ピッチは一定とした。
においては、特に加熱面２ｂにおける均熱性を高めるた
め、円盤状基体２を領域ＤとＥとに区分し、領域Ｄで
は、抵抗発熱体３Ａ，３Ｂを、直径の異なる同心円状パ
ターンに従って配置した。また、領域Ｅにおいては、抵
抗発熱体３Ａ，３Ｂをほぼ直線状とし、直径の異なるパ
ターン同士を接続した。最外周の端子４Ａが、領域Ｅに
位置するようにした。領域Ｄ，Ｅのいずれにおいても、
抵抗発熱体３Ａ，３Ｂの平面的ピッチは一定とした。
【００１１】円盤状基体２を構成する緻密質セラミック
スには、耐熱性、耐熱衝撃性が求められる。このため、
窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウム等の窒化物セ
ラミックスが特に好ましい。また、緻密体を得るには、
ホットプレス法やホットアイソスタティックプレス法が
特に好適である。
スには、耐熱性、耐熱衝撃性が求められる。このため、
窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウム等の窒化物セ
ラミックスが特に好ましい。また、緻密体を得るには、
ホットプレス法やホットアイソスタティックプレス法が
特に好適である。
【００１２】抵抗発熱体３Ａ，３Ｂの材質としては、高
融点であり、しかも窒化珪素との密着性に優れたタング
ステン、モリブデン、白金等を使用することが適当であ
る。抵抗発熱体としては、線材、薄いシート状等の形態
のものが用いられる。
融点であり、しかも窒化珪素との密着性に優れたタング
ステン、モリブデン、白金等を使用することが適当であ
る。抵抗発熱体としては、線材、薄いシート状等の形態
のものが用いられる。
【００１３】次に、本実施例で用いる電力供給部につい
て説明する。図２に示した電力供給部は、図１の円盤状
セラミックスヒーターを２ゾーン制御するものである。
交流電源６、外周側のプログラム調節計５Ａ、外周側の
交流電力調整器７Ａ、内周側のプログラム調節計５Ｂ、
内周側の交流電力調整器７Ｂが、図２のように結線され
ている。
て説明する。図２に示した電力供給部は、図１の円盤状
セラミックスヒーターを２ゾーン制御するものである。
交流電源６、外周側のプログラム調節計５Ａ、外周側の
交流電力調整器７Ａ、内周側のプログラム調節計５Ｂ、
内周側の交流電力調整器７Ｂが、図２のように結線され
ている。
【００１４】交流電源６の一端が端子１０Ｂに連結さ
れ、交流電力調整器７Ａから端子１０Ａが引き出され、
交流電力調整器７Ｂから端子１０Ｃが引き出されてい
る。端子１０Ａが端子４Ａに接続され、端子１０Ｂが端
子４Ｂに接続され、端子１０Ｃが端子４Ｃに接続されて
いる。
れ、交流電力調整器７Ａから端子１０Ａが引き出され、
交流電力調整器７Ｂから端子１０Ｃが引き出されてい
る。端子１０Ａが端子４Ａに接続され、端子１０Ｂが端
子４Ｂに接続され、端子１０Ｃが端子４Ｃに接続されて
いる。
【００１５】端子９Ａ，９Ｂは、それぞれ、熱電対等の
温度測定器に接続されている。端子９Ａ側の温度測定器
は、円盤状セラミックスヒーター１の外周側、即ち端子
４Ａと４Ｂとの間の領域の温度を測定する。端子９Ｂ側
の温度測定器は、ヒーター１の内周側、即ち端子４Ｂと
４Ｃとの間の領域の温度を測定する。
温度測定器に接続されている。端子９Ａ側の温度測定器
は、円盤状セラミックスヒーター１の外周側、即ち端子
４Ａと４Ｂとの間の領域の温度を測定する。端子９Ｂ側
の温度測定器は、ヒーター１の内周側、即ち端子４Ｂと
４Ｃとの間の領域の温度を測定する。
【００１６】上記の各温度測定器からの各信号は、それ
ぞれプログラム調節計５Ａ，５Ｂ内に入力される。各プ
ログラム調節計５Ａ，５Ｂの内部の演算結果に応じ、信
号電流が交流電力調整器７Ａ，７Ｂにそれぞれ送られ
る。各交流電力調整器７Ａ，７Ｂの内部では、上記の各
信号電流に応じて交流電圧が変調され、出力される。各
調整器７Ａ，７Ｂへと、電流検出器８Ａ，８Ｂからの検
出値を送る。
ぞれプログラム調節計５Ａ，５Ｂ内に入力される。各プ
ログラム調節計５Ａ，５Ｂの内部の演算結果に応じ、信
号電流が交流電力調整器７Ａ，７Ｂにそれぞれ送られ
る。各交流電力調整器７Ａ，７Ｂの内部では、上記の各
信号電流に応じて交流電圧が変調され、出力される。各
調整器７Ａ，７Ｂへと、電流検出器８Ａ，８Ｂからの検
出値を送る。
【００１７】図２に示したような電力供給部により、抵
抗発熱体３Ａ，３Ｂへの電力供給量をそれぞれ制御し、
円盤状セラミックスヒーターの周縁部の温度よりも中央
部の温度が高くなるように制御しながら、温度を上昇、
下降させる。この作用効果について、図３、図４を参照
しつつ説明する。
抗発熱体３Ａ，３Ｂへの電力供給量をそれぞれ制御し、
円盤状セラミックスヒーターの周縁部の温度よりも中央
部の温度が高くなるように制御しながら、温度を上昇、
下降させる。この作用効果について、図３、図４を参照
しつつ説明する。
【００１８】まず、図３（ａ）に示すスケジュール１１
では、外周部及び内周部を温度が等しくなるように制御
し、温度Ｔで一定時間保持する。しかし、本発明者の研
究では、この場合にも、昇温−降温サイクルを繰り返す
と、円盤状基体に破損が生ずることがあった。この原因
は、おそらく、図４に示すような、均熱むらによる部分
的なコールドスポット１６が生ずるからである。即ち、
コールドスポット１６には、矢印Ａのような引張り応力
が発生する。そして、円盤状基体２内には抵抗発熱体３
Ａ，３Ｂが埋設されており、この部分が一種の構造欠陥
となっているので、セラミックス組織が引張り応力に対
して極めて弱くなっている。このために破損が生ずるも
のと考えられる。
では、外周部及び内周部を温度が等しくなるように制御
し、温度Ｔで一定時間保持する。しかし、本発明者の研
究では、この場合にも、昇温−降温サイクルを繰り返す
と、円盤状基体に破損が生ずることがあった。この原因
は、おそらく、図４に示すような、均熱むらによる部分
的なコールドスポット１６が生ずるからである。即ち、
コールドスポット１６には、矢印Ａのような引張り応力
が発生する。そして、円盤状基体２内には抵抗発熱体３
Ａ，３Ｂが埋設されており、この部分が一種の構造欠陥
となっているので、セラミックス組織が引張り応力に対
して極めて弱くなっている。このために破損が生ずるも
のと考えられる。
【００１９】表１は、図５に示す円盤形状の解析モデル
を用いて計算した、ＦＥＭによる応力計算結果である。
ただし、図５に示す形状は、軸対称の断面を示す。
を用いて計算した、ＦＥＭによる応力計算結果である。
ただし、図５に示す形状は、軸対称の断面を示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】図３（ｂ）において、スケジュール１２
は、内周部側の温度変化を示し、スケジュール１３は、
外周部側の温度変化を示す。即ち、温度上昇時及び温度
下降時において、内周部の温度が外周部の温度よりも高
くなるように制御している。このようにすることによ
り、表１に示すように、断面内応力は発生せず、θ方向
応力のみが発生する。したがって、円盤状基体に発生す
る内部合成応力は、θ方向応力となる。
は、内周部側の温度変化を示し、スケジュール１３は、
外周部側の温度変化を示す。即ち、温度上昇時及び温度
下降時において、内周部の温度が外周部の温度よりも高
くなるように制御している。このようにすることによ
り、表１に示すように、断面内応力は発生せず、θ方向
応力のみが発生する。したがって、円盤状基体に発生す
る内部合成応力は、θ方向応力となる。
【００２２】セラミックス材料の場合、引張破壊応力
は、圧線破壊応力の約1/10程度である。このため、セラ
ミックス材料である基体の応力破壊を防止するには、引
張応力の発生を小さくすることが重要である。すなわ
ち、クールスポットの発生をなくすことが重要となる。
は、圧線破壊応力の約1/10程度である。このため、セラ
ミックス材料である基体の応力破壊を防止するには、引
張応力の発生を小さくすることが重要である。すなわ
ち、クールスポットの発生をなくすことが重要となる。
【００２３】しかし、製造工程上、抵抗発熱体３Ａ、３
Ｂを正確に定位置に配置し、ホットプレス等の間、定位
置に固定しておくことは困難であり、どうしても抵抗発
熱体３Ａ，３Ｂの設置位置がズレたり、平面的ピッチが
狂う。この部分が均熱むらの原因となり、コールドスポ
ットが発生する。しかし、図３（ｂ）に示すように制御
すると、中央部のホットスポット部が顕著なため、昇温
時及び降温時にこうしたコールドスポットが存在せず、
従ってその部分に引張り応力が発生することはない。
Ｂを正確に定位置に配置し、ホットプレス等の間、定位
置に固定しておくことは困難であり、どうしても抵抗発
熱体３Ａ，３Ｂの設置位置がズレたり、平面的ピッチが
狂う。この部分が均熱むらの原因となり、コールドスポ
ットが発生する。しかし、図３（ｂ）に示すように制御
すると、中央部のホットスポット部が顕著なため、昇温
時及び降温時にこうしたコールドスポットが存在せず、
従ってその部分に引張り応力が発生することはない。
【００２４】図３（ｃ）において、スケジュール１４は
内周部側の温度変化を示し、スケジュール１５は外周部
側の温度変化を示す。即ち、温度上昇時及び温度下降時
において、内周部の温度が外周部の温度よりも低くなる
ように制御している。こうすると、表１に示すように、
断面内応力とθ方向応力のいずれも発生する。従って、
内部合成応力は大きなものとなる。
内周部側の温度変化を示し、スケジュール１５は外周部
側の温度変化を示す。即ち、温度上昇時及び温度下降時
において、内周部の温度が外周部の温度よりも低くなる
ように制御している。こうすると、表１に示すように、
断面内応力とθ方向応力のいずれも発生する。従って、
内部合成応力は大きなものとなる。
【００２５】そして、円盤状基体２は、前述したように
構造面からも、引張り応力に対して弱くなっている。従
って、図３（ｃ）に示すスケジュールで昇温、降温を繰
り返すと、円盤状基体２が疲労によって破損し易くな
る。
構造面からも、引張り応力に対して弱くなっている。従
って、図３（ｃ）に示すスケジュールで昇温、降温を繰
り返すと、円盤状基体２が疲労によって破損し易くな
る。
【００２６】以下、更に具体的な実験結果について述べ
る。図１、図２に示した加熱装置を製作した。ただし、
円盤状基体２の材質は窒化珪素とし、厚さは１５ｍｍと
し、直径は２００ｍｍとした。抵抗発熱体３Ａ，３Ｂ、
端子４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、タングステンで形成した。抵
抗発熱体３Ａ，３Ｂの直径方向の間隔は１２ｍｍとし
た。円盤状基体２はホットプレス法で製作した。
る。図１、図２に示した加熱装置を製作した。ただし、
円盤状基体２の材質は窒化珪素とし、厚さは１５ｍｍと
し、直径は２００ｍｍとした。抵抗発熱体３Ａ，３Ｂ、
端子４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、タングステンで形成した。抵
抗発熱体３Ａ，３Ｂの直径方向の間隔は１２ｍｍとし
た。円盤状基体２はホットプレス法で製作した。
【００２７】円盤状セラミックスヒーター１をチャンバ
ー内に設置し、１０-5ｔｏｒｒまで減圧し、ヒートサイ
クル試験を実施した。具体的には、図２に示す電力供給
部を操作し、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）の各スケジュ
ールで加熱及び冷却を実施した。温度Ｔは１０００℃と
し、最低温度を室温とした。温度上昇速度は６００℃／
時間とし、温度下降速度は６００℃／時間とした。図３
（ｂ），（ｃ）のスケジュールにおいては、温度上昇時
及び温度下降時に外周部と内周部との温度差を５０℃と
した。
ー内に設置し、１０-5ｔｏｒｒまで減圧し、ヒートサイ
クル試験を実施した。具体的には、図２に示す電力供給
部を操作し、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）の各スケジュ
ールで加熱及び冷却を実施した。温度Ｔは１０００℃と
し、最低温度を室温とした。温度上昇速度は６００℃／
時間とし、温度下降速度は６００℃／時間とした。図３
（ｂ），（ｃ）のスケジュールにおいては、温度上昇時
及び温度下降時に外周部と内周部との温度差を５０℃と
した。
【００２８】この結果、図３（ａ）のスケジュールに従
った場合は、加熱−冷却サイクルをくり返すことによ
り、埋設された抵抗体の抵抗値が上昇し、２３回実施し
たときには、円盤状基体２に破損が見られた。図３
（ｂ）のスケジュールに従った場合は、加熱−冷却サイ
クルを１００回繰り返しても、抵抗発熱体の抵抗値の上
昇はほとんどなく、円盤状基体２も破損しなかった。図
３（ｃ）のスケジュールに従った場合は、図３（ａ）の
場合と同様に、加熱−冷却サイクルにより埋設抵抗体の
抵抗値は上昇し、４回の昇降温を実施したときに、円盤
状基体２に破損が見られた。
った場合は、加熱−冷却サイクルをくり返すことによ
り、埋設された抵抗体の抵抗値が上昇し、２３回実施し
たときには、円盤状基体２に破損が見られた。図３
（ｂ）のスケジュールに従った場合は、加熱−冷却サイ
クルを１００回繰り返しても、抵抗発熱体の抵抗値の上
昇はほとんどなく、円盤状基体２も破損しなかった。図
３（ｃ）のスケジュールに従った場合は、図３（ａ）の
場合と同様に、加熱−冷却サイクルにより埋設抵抗体の
抵抗値は上昇し、４回の昇降温を実施したときに、円盤
状基体２に破損が見られた。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、緻
密質セラミックスからなる盤状基体に抵抗発熱体を埋設
してなる盤状セラミックスヒーターにおいて、昇温及び
降温を繰り返し実施しても、盤状基体が破損しない。
密質セラミックスからなる盤状基体に抵抗発熱体を埋設
してなる盤状セラミックスヒーターにおいて、昇温及び
降温を繰り返し実施しても、盤状基体が破損しない。
【図１】（ａ）は、円盤状セラミックスヒーター１内の
抵抗発熱体３Ａ，３Ｂの平面的パターンを示すための平
面図、（ｂ）は、ヒーター１の縦断面図である。
抵抗発熱体３Ａ，３Ｂの平面的パターンを示すための平
面図、（ｂ）は、ヒーター１の縦断面図である。
【図２】電力供給部の一例を模式的に示すブロック図で
ある。
ある。
【図３】(ａ), (ｂ), (ｃ) はそれぞれ、温度変化スケ
ジュールを示すグラフである。
ジュールを示すグラフである。
【図４】円盤状基体内における応力のパターンを模式的
に示す平面図である。
に示す平面図である。
【図５】ＦＥＭによる応力計算に用いたモデルの形状を
示す断面図である（軸対称断面を示す）。
示す断面図である（軸対称断面を示す）。
１ 円盤状セラミックスヒーター ２ 円盤状基体 ３Ａ，３Ｂ 抵抗発熱体 ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ 端子 １２，１４ 内周部の温度変化スケジュール １３，１５ 外周部の温度変化スケジュール １６ コールドスポット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｂ 3/74 7913−3Ｋ
Claims (1)
- 【請求項１】 緻密質セラミックスからなる盤状基体に
抵抗発熱体を埋設してなる盤状セラミックスヒーター
と、前記抵抗発熱体に電力を供給するための電力供給部
とを備えた加熱装置であって、前記盤状セラミックスヒ
ーターの温度上昇時及び温度下降時において、この盤状
セラミックスヒーターの周縁部の温度よりも中央部の温
度の方が高くなるように前記抵抗発熱体への電力供給量
を制御できるように構成された、加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344593A JP2898838B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344593A JP2898838B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252055A true JPH06252055A (ja) | 1994-09-09 |
| JP2898838B2 JP2898838B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=12386739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3344593A Expired - Lifetime JP2898838B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2898838B2 (ja) |
Cited By (3)
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1993
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