JP2004228564A - 半導体製造装置用部品および半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体製造装置用チャンバー内において、半導体を載置するためのサセプターの周囲に設置されるべき半導体製造装置用部品3、4、10を提供する。この部品がサセプターに対向する対向面3c、4c、10cを有しており、この対向面の中心線平均表面粗さが0.5μm以下である。あるいは対向面の熱放射率εが0.5以下である。あるいは、部品がライナー4であり、ライナー支持面4gの面積が対向面4cの面積の20%以下である。
【選択図】 図1
Description
(1) ヒーター基体からチャンバー内の雰囲気への熱伝達
(2) ヒーター基体からシャフト(ヒーター支持部材)端冷却部への熱伝導
(3) ヒーター基体から、チャンバー内の部品(例えばガス供給板、ライナー)への輻射伝熱
例えば、光ケーブルの先端に積分球を搭載した接触子規放射率測定器(ADVACED ENERGY社製 「MODEL 2100M」を使用すれば、センサー部を被測定物に当てるだけで、外乱なく容易に放射率を知ることができる。
放射率測定で求めるのは室温での放射率である。本発明で示すε値は、室温での値であるが、400〜800℃でも大きく変化しないため、使用温度での熱放射率によって代用しても差し支えない。
(1)対向面の中心線平均表面粗さを小さくすると(平滑化すると)、対向面の熱放射率が低下する。
(2)対向面の明度を大きくする。この場合には、対向面の明度をN6.0以上とすることが好ましい。
また図4(b)に示すように、ライナー4の底面側に略円形の小さい突起を例えば3個設け、各突起の端面31を支持面とすることができる。この場合には、SBは、各突起の支持面31の面積の合計値である。
窒化アルミニウム焼結体中にモリブデン製のコイルスプリング状発熱線7を埋設してヒーター5を得る。ヒーター5をセラミックス製の支持部材30によってチャンバー2に取り付ける。また、ガス供給板、ライナーおよび昇降ピンリフターをチャンバー2内に装入し、固定する。ガス供給板、ライナーの形状はそれぞれ略直方体形状であり、図2〜図4に示したような空隙や肉薄部は設けられていない。ガス供給板、ライナー、昇降ピンリフターの材質は炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ケイ素とする。各対向面3c、4c、10cは平滑化加工していない。各対向面の中心線平均表面粗さRaおよび熱放射率εを表1に示す。
比較例1と同様にしてウエハーの温度差を測定する。ただし、実施例1においては、ガス供給板、ライナーの形状はそれぞれ略直方体形状であり、図2〜図4に示したような空隙や肉薄部は設けられていない。ガス供給板、ライナー、昇降ピンリフターの材質はアルミニウム合金、アルミナ、アルミナとする。各対向面3c、4c、10cを平滑化加工する。各対向面の中心線平均表面粗さRaおよび熱放射率εを表1に示す。
比較例1と同様にして実験を行った。ガス供給板、ライナー、昇降ピンリフターの形状は略直方体形状であり、図2〜図4に示したような空隙や肉薄部は設けられていない。ガス供給板、ライナー、昇降ピンリフターの材質はそれぞれアルミニウム合金、アルミナ、アルミナとする。各対向面3c、4c、10cは平滑化加工していない。ライナーの対向面、支持面の面積SO、SBは約63000mm2である。ライナーの肉厚は35mmである。本例では背面4dとチャンバー内壁面との間には若干の隙間がある。
比較例2と同様にしてウエハーの温度差を測定する。ただし、比較例2においては、ガス供給板、昇降ピンリフターは比較例のものと同じである。ライナー4としては、図3、図4に示すものを使用する。ライナーの対向面4cの面積SOは約63000mm2であり、ライナー4の支持面4gの面積SBは約3000mm2である。ライナー4の肉薄部4eの肉厚は5mmである。
Claims (11)
- 半導体製造装置用チャンバー内において、半導体を載置するためのサセプターの周囲に設置されるべき半導体製造装置用部品であって、
前記部品が前記サセプターに対向する対向面を有しており、この対向面の中心線平均表面粗さが0.5μm以下であることを特徴とする、半導体製造装置用部品。 - ガス供給板またはライナーであることを特徴とする、請求項1記載の部品。
- 昇降ピンリフターであることを特徴とする、請求項1記載の部品。
- 半導体製造装置用チャンバー内において、半導体を載置するためのサセプターの周囲に設置されるべき半導体製造装置用部品であって、
前記部品が前記サセプターに対向する対向面を有しており、この対向面の熱放射率εが0.5以下であることを特徴とする、半導体製造装置用部品。 - ガス供給板またはライナーであることを特徴とする、請求項4記載の部品。
- 昇降ピンリフターであることを特徴とする、請求項4記載の部品。
- 半導体製造装置用チャンバー内において、半導体を載置するためのサセプターの周囲に設置されるべき半導体製造装置用部品であって、
前記部品がライナーであり、前記部品が、前記サセプターに対向する対向面と、前記ライナーを支持する支持面とを備えており、前記支持面の面積が前記対向面の面積の20%以下であることを特徴とする、半導体製造装置用部品。 - 半導体製造装置用チャンバー内において、半導体を載置するためのサセプターの周囲に設置されるべき半導体製造装置用部品であって、
前記部品がライナーであり、前記部品が、前記サセプターに対向する対向面と、前記チャンバー側の背面とを備えており、前記対向面と前記背面との間に平均肉厚10mm以下の肉薄部が設けられていることを特徴とする、半導体製造装置用部品。 - 前記部品に空隙が設けられていることを特徴とする、請求項7または8記載の部品。
- 前記空隙が前記チャンバーの内壁面に面することを特徴とする、請求項9記載の部品。
- チャンバー、半導体を載置するためのサセプター、およびこのサセプターの周囲に設置されるべき半導体製造装置用部品を備えており、前記部品が、請求項1〜10のいずれか一つの請求項に記載の部品を含むことを特徴とする、半導体製造装置。
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