CN100513358C - 载置台结构、载置台结构的制造方法以及热处理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 114
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 73
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 73
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 43
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims description 23
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical group [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 230000008676 import Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/86—Glazes; Cold glazes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5022—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with vitreous materials
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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Abstract
本发明提供一种能够防止陶瓷制的载置台的破裂和该载置台与支撑该载置台的支柱之间的接合部的破裂的载置台结构。该载置台结构包括：用于在处理容器(4)内对被处理体(W)进行规定的热处理而载置上述被处理体的陶瓷制的载置台(32)；和支撑上述载置台的支撑单元(31)，在上述载置台的表面上，以保持有向平面方向的压缩应力的状态形成石英玻璃涂层(54)。由此，防止陶瓷制的载置台的破裂和该载置台与支撑该载置台的支柱之间的接合部的破裂。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶片等被处理体的热处理装置、载置台结构以及载置台结构的制造方法。
背景技术
通常，为了制造半导体集成电路，对半导体晶片等被处理体反复进行成膜处理、蚀刻处理、热处理、改性处理、结晶化处理等各种处理，以形成期望的集成电路。在进行如上所述的各种处理时，与处理的种类对应，分别将需要的处理气体导入处理容器内，例如，在成膜处理时导入成膜气体，在改性处理时导入臭氧气体等，在结晶化处理时导入N2气体等不活泼气体和O2气体等。
例如，以逐片对半导体晶片实施热处理的枚叶式的热处理装置为例，在能够抽真空的处理容器内，设置内置有例如电阻加热器的载置台，当在其上面上载置有半导体晶片的状态下，流过规定的处理气体，在规定的处理条件下，对晶片实施各种热处理。
但是，上述的载置台通常以其表面在处理容器内露出的状态设置。因此，构成该载置台的材料、例如铝合金等金属材料中包含的少量的重金属等由于热而向处理容器内扩散，成为产生金属污染等污染的原因。为了抑制该污染等，最近，已提出利用陶瓷材料形成载置台自身的结构(专利文献1、2、3)。
这样的载置台，通常通过在由陶瓷材料构成的载置台的上面侧埋入电阻加热器而一体成型，将同样由陶瓷材料构成的支柱与该载置台的背面侧连接，以使其在处理容器内立起而设置。
专利文献1：日本特开平6-252055号公报
专利文献2：日本特开2001-250858号公报
专利文献3：日本特开2003-289024号公报
但是，如上所述的由陶瓷材料形成的载置台，与用铝合金形成该载置台的情况相比，能够比较良好地抑制金属污染等污染。
但是，上述的由陶瓷材料构成的载置台，因为陶瓷材料自身是比较脆的材料，所以，当由于反复升降温等而被反复施加热应力时，存在比较容易破裂的问题。
特别地，如上所述，陶瓷制的载置台在其下面与陶瓷制的支柱的上端接合，但是存在以该接合部作为基点而产生多处破裂(裂纹)的问题。
为了防止上述破裂的产生，如上述专利文献2所公开的那样，将支撑载置台的陶瓷制的支撑部件成形为复杂的形状，或者如专利文献3所公开的那样，将载置台与支撑部件的接合部的外周形成为特定的曲率半径，但是并没有能够充分地抑制载置台等的破裂。
发明内容
本发明着眼于以上的问题，为了有效地解决上述问题而发明。本发明的目的在于提供一种能够防止陶瓷制的载置台的破裂和该载置台与支撑该载置台的支柱之间的接合部的破裂的载置台结构、载置台结构的制造方法以及热处理装置。
本发明人对陶瓷制的载置台的破裂进行了专心研究，结果得到如下见解，在形成陶瓷制的载置台的情况下，为了进行面形成等，必须进行表面研磨加工，另外，为了将载置台与支柱的接合部也做成R(曲面)而实施曲面加工，但是，此时，无法避免在微观上对表面造成微小的伤痕，以该伤痕作为起点而产生破裂，特别地，当在与伤痕的方向正交的方向上作用拉伸应力时，易于产生破裂，由此完成了本发明。
即，本发明提供一种载置台结构，其特征在于，包括：用于在处理容器内对被处理体进行规定的热处理而载置上述被处理体的陶瓷制的载置台；和支撑上述载置台的支撑单元，在上述载置台的表面上，以保持有向平面方向的压缩应力的状态形成石英玻璃涂层。
这样，因为在载置台的表面上，以保持有向平面方向的压缩应力的状态形成石英玻璃涂层，所以即使在石英玻璃涂层的表面上产生伤痕等，因为该石英玻璃涂层已被施加了压缩应力，所以也能够防止载置台自身以上述伤痕为起点而产生破裂。
另外，因为石英玻璃涂层自身对于各种气体的耐腐蚀性高，所以载置台的陶瓷部件等不会直接暴露于气体，因此能够延长载置台自身的寿命。
在这种情况下，例如，上述支撑单元由从上述处理容器的底部立起的陶瓷制的支柱构成，在包括上述支柱的上端与上述载置台的接合部、以及至少上述支柱的上端部的部分，形成上述石英玻璃涂层。
这样，因为在包括支柱的上端与载置台的接合部、以及至少支柱的上端部的部分，形成石英玻璃涂层，所以即使在该接合部的石英玻璃涂层的表面上产生伤痕等，因为该石英玻璃涂层已被施加了压缩应力，所以也能够防止载置台自身以上述伤痕为起点而产生破裂。
另外，例如，在上述载置台中埋入有用于加热上述被处理体的加热单元。
另外，例如，上述石英玻璃涂层通过在软化点以上的温度下，使熔融状态的石英玻璃附着在应该形成该石英玻璃涂层的表面部分上，并将上述熔融状态的石英玻璃冷却至应变点以下的温度而形成。
另外，例如，上述陶瓷的线膨胀率大于上述石英玻璃涂层的线膨胀率。
另外，例如，上述陶瓷由选自氮化铝、氧化铝、和碳化硅中的1种材料构成。
另外，本发明提供一种载置台结构的制造方法，其特征在于，用于制造包括用于在处理容器内对被处理体进行规定的热处理而载置上述被处理体的陶瓷制的载置台、和支撑上述载置台的支撑单元的载置台结构，该制造方法包括：在软化温度以上的温度下，使熔融状态的石英玻璃附着在上述载置台的表面上的附着工序；和通过将上述熔融状态的石英玻璃冷却至应变点以下的温度，形成保持有向平面方向的压缩应力的状态的石英玻璃涂层的涂层形成工序。
在这种情况下，例如，可以在上述附着工序之后，进行将上述熔融状态的石英玻璃升温至流动温度以上的温度的升温工序。
另外，例如，上述支撑单元由从上述处理容器的底部立起的陶瓷制的支柱构成，在包括上述支柱的上端与上述载置台的接合部、以及至少上述支柱的上端部的部分，形成上述石英玻璃涂层。
另外，例如，上述陶瓷的线膨胀率大于上述石英玻璃涂层的线膨胀率。
另外，本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：能够进行排气的处理容器；向上述处理容器内供给规定的处理气体的气体供给单元；和上述载置台结构。
根据本发明的载置台结构、载置台结构的制造方法以及热处理装置，能够发挥出如下的优异的作用效果。
根据本发明，因为在载置台的表面上，以保持有向平面方向的压缩应力的状态形成石英玻璃涂层，所以即使在石英玻璃涂层的表面上产生伤痕等，因为该石英玻璃涂层已被施加了压缩应力，所以也能够防止载置台自身以上述伤痕为起点而产生破裂。
另外，因为石英玻璃涂层自身对于各种气体的耐腐蚀性高，所以载置台的陶瓷部件等不会直接暴露于气体，因此能够延长载置台自身的寿命。
另外，因为在包括支柱的上端与载置台的接合部、以及至少支柱的上端部的部分，形成石英玻璃涂层，所以即使在该接合部的石英玻璃涂层的表面上产生伤痕等，因为该石英玻璃涂层已被施加了压缩应力，所以也能够防止载置台自身以上述伤痕为起点而产生破裂。
附图说明
图1是表示本发明的热处理装置的截面结构图。
图2是表示用于在由陶瓷材料构成的部件的表面上、以压缩应力残留的状态形成石英玻璃涂层的原理的步骤的工序图。
图3是表示各种石英玻璃的粘度的温度依存性的图(引用自书籍《石英ガラスの世界》葛生伸著ISBN 4-7693-4100-8)。
图4是表示各种石英玻璃的线膨胀系数的温度依存性的图(引用自书籍《石英ガラスの世界》葛生伸著ISBN 4-7693-4100-8)。
图5是表示本发明的热处理装置的变形例的结构图。
具体实施方式
以下，根据附图，详细说明本发明的载置台结构、载置台结构的制造方法以及热处理装置的一个实施例。
图1是表示本发明的热处理装置的截面结构图。
如该图所示，该热处理装置2具有例如截面内部形成为大致圆形状的、铝制的处理容器4。在该处理容器4内的顶部，为了导入需要的处理气体、例如成膜气体而设置有作为气体供给单元的喷头部6，从设置在其下面的气体喷射面8上的多个气体喷射孔向处理空间S内喷出处理气体，进行喷射。
在该喷头部6内，形成有被分割成中空状的两个的气体扩散室12A、12B，在将导入其中的处理气体向平面方向扩散后，从分别与各气体扩散室12A、12B连通的各气体喷射孔10A、10B喷出。该喷头部6的整体例如由镍、哈斯特洛伊耐蚀镍基合金(Hastelloy)(注册商标)等镍合金、铝、或者铝合金形成。此外，作为喷头部6，也可以只有一个气体扩散室。在该喷头部6与处理容器4的上端开口部的接合部，设置有例如由O形环等构成的密封部件14，以维持处理容器14内的气密性。
另外，在处理容器4的侧壁上，设置有相对于该处理容器4内搬入搬出作为被处理体的半导体晶片W用的搬入搬出口16，并且在该搬入搬出口16上设置有能够气密地开闭的闸阀18。
在该处理容器4的底部20形成有排气陷入空间22。具体地说，在该容器底部20的中央部形成有大的开口24，向该开口的下方延伸的有底圆筒体状的圆筒分割壁26与该开口24连接，在其内部形成上述的排气陷入空间22。在分割该排气陷入空间22的圆筒分割壁26的底部28上，设置从该底部立起的、作为本发明的特征的载置台结构29。具体地说，该载置台结构29主要包括：作为支撑单元31的、例如由陶瓷制成的圆筒体状的支柱30；以及与其上端部接合并被固定的同样由陶瓷制成的载置台32。该载置台结构29的详细情况将在后面说明。
上述排气陷入空间22的入口开口24设定为比载置台32的直径小，使得从上述载置台32的周边部的外侧流下的处理气体向载置台32的下方蔓延，流入入口开口24。在上述圆筒分割壁26的下部侧壁上，面向该排气陷入空间22形成有排气口34，设置有未图示的真空泵的排气管36与该排气口34连接，能够对处理容器4内和排气陷入空间22的气氛进行例如抽真空从而进行排气。
在该排气管36的中途设置有能够进行开度控制的未图示的压力调整阀，通过自动调整该阀开度，能够将上述处理容器4内的压力维持在一定值、或者使其迅速变化为期望的压力。
另外，上述载置台32具有例如按规定的图案形状埋入在内部的、例如由石墨加热器构成的电阻加热器38，作为加热单元37。在该载置台32的上面上，能够载置作为被处理体的半导体晶片W。另外，上述电阻加热器38与配设在作为支撑单元31的上述筒状的支柱30内的供电线40连接，能够一边控制电力一边进行供给。此外，电阻加热器38例如被分割成位于上述载置台32的中央部的内侧区域和呈同心圆状地包围其外侧的外侧区域，能够对各个区域单独地进行电力控制。在图示的例子中，仅记载有2根供电线40，但是实际上设置有4根。另外，上述支柱30并不限定于一根，也可以设置多根。
在上述载置台32中，在其上下方向上贯通而形成有多个、例如3个销插通孔41(在图1中只表示了2个)，在上述各销插通孔41中配置有能够上下移动地以游嵌状态进行插通的推升销42。在该推升销42的下端配置有圆形环形状的例如氧化铝那样的陶瓷制的推升环44，该推升环44承载上述各推升环42的下端。从该推升环44延伸的臂部45，与贯通容器底部20而设置的出没杆46连接，该出没杆46能够利用驱动器(actuator)48进行升降。由此，在交接晶片W时，使上述各推升销42从各销插通孔41的上端向上方出没。另外，在驱动器48的出没杆46在容器底部的贯通部，设置有能够伸缩的波纹管50，使得上述出没杆46能够一边维持处理容器4内的气密性一边进行升降。
在此，对作为上述本发明的特征的载置台结构29进行具体地说明。如上所述，载置台32和支柱30均由陶瓷材料形成。作为该陶瓷材料，能够使用例如氮化铝(AlN)，将该载置台32的厚度设定为20mm左右。使上述支柱30的上端部与上述圆板状的载置台32的下面的大致中央部接合。该接合部52的表面成形为曲面状，做成“R”，使得不容易产生破裂。
并且，在该载置台32的表面、以及在此还包含载置台32与支柱30的接合部52和至少支柱30的上端部的部分的表面上，以保持有向平面方向的压缩应力的状态形成有石英玻璃涂层54。具体地说，该石英玻璃涂层54形成为覆盖上述载置台32的上面、侧面以及背面的全部表面。另外，在载置台32的销插通孔41的内周面上，也覆盖该内周面而形成有石英玻璃涂层54。
另外，以覆盖支柱30与上述载置台32的接合部52的形成为曲面状的表面以及支柱30的上端部的表面整体的方式，一体地形成石英玻璃涂层54。在形成有上述石英玻璃涂层54的部分的陶瓷材料上，相反地残留有拉伸方向的应力(拉伸应力)。此外，不仅可以在支柱30的上端部，而且也可以在支柱30的整体的表面上形成石英玻璃涂层54。
该石英玻璃涂层54，例如厚度被设定为0.01mm以上、例如0.5mm左右，如上所述，通过在被赋予或保持有向平面方向的压缩应力的状态下形成，能够防止载置台32自身或其与支柱30的接合部52产生破裂。在此，当使上述石英玻璃涂层54的厚度比0.01mm薄的情况下，不能充分地产生设置石英玻璃涂层54的效果。在该情况下，在此使用的载置台32或支柱30的线膨胀率，采用比上述石英玻璃涂层54的线膨胀率大的线膨胀率，如后所述，由此能够成为在石英玻璃涂层54中保持(残留)有压缩应力的状态。
接着，对上述石英玻璃涂层54的形成方法进行说明。图2是表示用于在由陶瓷材料构成的部件的表面上、以压缩应力残留的状态形成石英玻璃涂层54的原理的步骤的工序图，图3是表示各种石英玻璃的粘度的温度依存性的图，图4是表示各种石英玻璃的线膨胀系数(线膨胀率)的温度依存性的图。在此，如上所述，在由作为陶瓷材料的氮化铝构成的载置台32的背面中央部，接合同样由氮化铝构成的支柱30之后，将各部件的表面研磨至平坦，并且，对接合部52的表面进行研磨使其成为曲面形状之后，形成上述石英玻璃涂层54。图2表示用于如上所述在压缩应力残留的状态下，形成石英玻璃涂层54的原理，在此，以仅在载置台32的上面上形成石英玻璃涂层54的情况为例进行说明。
这样的石英玻璃涂层54利用作为涂敷对象的陶瓷与石英玻璃涂层54之间的线膨胀率的差而形成，具体地说，陶瓷的线膨胀率采用比石英玻璃涂层54的线膨胀率大的线膨胀率，在此，作为一个例子，如上所述，例如采用氮化铝(AlN)。
从破坏力学上的观点出发，如果对相同长度的裂缝存在于表面的试验片和存在于内部的试验片的破坏强度进行比较，则裂缝存在于表面的试验片的破坏强度小，下降至裂缝存在于内部的试验片的破坏强度的约六成左右。该现象被称为表面效应。例如，强化玻璃利用表面效应，通过热处理使表面残留有压缩方向的应力(压缩应力)，使内部残留有拉伸方向的应力(拉伸应力)，可以得到通常的玻璃的数倍的强度，在本发明中，通过利用该表面效应形成石英玻璃涂层，可以实现载置台32等的强化。
该图2所示的处理，例如在真空中进行。首先，如图2(A)所示，具有在室温状态下规定长度的氮化铝制的载置台32。该氮化铝的烧结温度为1900℃左右。然后，如图2(B)所示，使该载置台32升温，在该载置台32的表面上设置石英玻璃54A。然后，再如图2(C)所示，使该载置台32升温，将其加热至石英玻璃54A的软化点以上的温度、例如1720℃以上的温度。在这种情况下，优选加热至石英玻璃54A的流动温度、例如1800℃以上。于是，载置台32上的石英玻璃54A成为熔融状态，粘性降低(例如105P以下)，因此，向平面方向流动，成为在载置台32的表面上均匀地展开并附着的状态、即被涂敷的状态。
图3表示各种熔融石英玻璃(电熔融石英玻璃、氢氧熔融石英玻璃以及直接法合成石英玻璃)的粘度的温度依存性，可判明：温度越高，所有的玻璃的粘度越下降。
此外，在此，也可以在将载置台32加热至石英玻璃54A的软化点以上之后，在载置台32的表面上设置石英玻璃54A。在这种情况下，石英玻璃54A立即熔融，向平面方向均匀地展开。
这样，将载置台32在如图2(C)所示加热至软化点以上的状态下保持一定的时间、例如15分钟左右之后，如图2(D)～图2(F)所示，一边控制降温速度一边将其冷却至室温，由此，均匀地流动的石英玻璃54A被冷却，成为石英玻璃涂层54。该降温速度设定为陶瓷制的载置台32和表面的石英玻璃涂层54不会破裂的速度。
在上述载置台32的冷却时，直至熔融状态的石英玻璃54A的应变点、例如1120℃(参照图2(D))，随着降温，陶瓷制的载置台32和熔融状态的石英玻璃54A都不会产生内部应力，根据各自的线膨胀率进行热收缩。
然后，当进一步冷却、载置台32的温度成为应变点以下时，两部件进一步收缩，石英玻璃54A的粘性率变得极大，因此，事实上内部应力并没有被缓和。
图2(E)表示冷却至750℃的状态。在此，在应变点以下，石英玻璃54A的线膨胀率为大约5.5×10-7/℃左右。图4表示各种熔融石英玻璃(直接法合成石英玻璃以及不透明石英玻璃)的线膨胀系数(线膨胀率)的温度依存性，温度350～700℃左右的范围内的所有石英玻璃的平均线膨胀系数为大约5.5×10-7/℃左右。与此相对，氮化铝的线膨胀系数为大约5.5×10-6/℃左右，与上述石英玻璃54A相比，大一个数量级。即，与石英玻璃54A相比，陶瓷制的载置台32热收缩得更多。因此，在此，与载置台32和石英玻璃54A之间的线膨胀率差相应的应力，作为应变量而残留，结果，石英玻璃54A被施加箭头F1所示的压缩应力，与此同时，陶瓷制的载置台32被施加箭头F2所示的拉伸应力。
于是，当载置台32降低至室温时，两部件进一步热收缩，结果，与上述两部件的线膨胀率差相应的压缩应力F1和拉伸应力F2，分别作为残留应力而残留在石英玻璃涂层54和载置台32中。这样，能够成为在石英玻璃涂层54中保持有向平面方向的压缩应力的状态。
在此，石英玻璃涂层54的厚度与陶瓷制的载置台32的厚度相比较，足够小，因此，与残留在石英玻璃涂层54中的压缩应力F1相比较，残留在载置台32中的拉伸应力F2相对较小，对载置台32没有不良影响。
这样，在载置台32的表面上，以保持有向平面方向的压缩应力的状态形成石英玻璃涂层54，因此，即使在石英玻璃涂层54的表面上产生伤痕等，因为该石英玻璃涂层54已被施加了压缩应力，所以能够防止载置台自身以上述伤痕为起点而产生破裂。另外，因为石英玻璃涂层自身对于各种气体的耐腐蚀性高，所以陶瓷制的载置台自身不会直接暴露于气体，因此能够延长载置台自身的寿命。
另外，因为在包含支柱30的上端与载置台32的接合部52、以及至少支柱30的上端部的部分，形成石英玻璃涂层54，所以即使在该接合部52的石英玻璃涂层54的表面上产生伤痕等，因为该石英玻璃涂层54已被施加了压缩应力，所以也能够防止载置台自身以上述伤痕为起点而产生破裂。
另外，因为该载置台32在通常的处理时在石英玻璃54A的应变点以下的温度下使用，所以，作为上述残留应力的压缩应力F1和拉伸应力F2不会被缓和而消失。
再者，作为次要的效果，载置台32和支柱30的上端部的周围由石英玻璃涂层54包围，因此，能够将由氮化铝构成的载置台本体和支柱本体与处理气体隔断，因此不要求氮化铝自身对于处理气体的耐腐蚀性，能够扩大其材料选定的范围。例如，能够选择耐腐蚀性低、但热传导率高的氮化铝作为载置台32的材料。
另外，虽然也有构成石英玻璃涂层54的石英玻璃自身逐渐被处理气体腐蚀的情况，但是，在这种情况下，因为石英玻璃涂层54自身是透明材料，所以能够通过观察外观而判定载置台32自身的剩余寿命。
此外，在上述热处理装置的实施例中，以使用埋入在载置台32中的电阻加热器38作为加热单元37的情况为例进行了说明，但是并不限定于此，也可以使用加热灯作为加热单元37。
图5是表示上述的本发明的热处理装置的变形例的结构图。此外，在图5中，与图1所示的结构部分相同的结构部分，标注相同的符号，省略其说明。如图5所示，在该变形例中，作为加热单元37，设置有多个加热灯60，代替电阻加热器38(参照图1)。具体地说，在处理容器4的底部20形成大口径的开口62，在该开口62上，经由O形环等密封部件64设置有由透明的石英板构成的透过板66。
并且，在该透过板66的下方设置有灯室68，在该灯室68内，以安装在兼作反射板的旋转台70上的状态，设置上述多个加热灯60。该旋转台70能够利用旋转电动机72进行旋转。由此，来自上述加热灯60的热线透过上述透过板66，照射位于上方的载置台76的背面，从其背面对载置台76进行加热。
在此，载置台结构29成为如下结构：作为支撑单元31，在容器底部配置有大口径的圆筒状的反射镜74，利用从内面作为反射面的反射镜74的上端向水平方向延伸的多根、例如3根(在图示的例子中只表示了2根)支撑杆78，支撑上述陶瓷制的载置台76。在此，在上述载置台76的表面整体上、即上面、侧面和下面整体上，与前面的实施例同样地附着设置有石英玻璃涂层54。在本实施例中，作为构成上述载置台76的陶瓷，能够使用不透过光的黑色的氮化铝，另外，厚度自身成形得非常薄，例如设定为3～4mm左右。
在该变形例的情况下，也能够发挥与前面的实施例同样的作用效果，因为在载置台76的表面上，以保持有向平面方向的压缩应力的状态形成有石英玻璃涂层54，所以，即使在石英玻璃涂层54的表面上产生伤痕等，因为该石英玻璃涂层54已被施加了压缩应力，所以能够防止载置台自身以上述伤痕为起点而产生破裂。另外，因为石英玻璃涂层自身对于各种气体的耐腐蚀性高，所以陶瓷制的载置台自身不会直接暴露于气体，因此能够延长载置台自身的寿命。
此外，在上述实施例中，以使用氮化铝作为陶瓷材料的情况为例进行了说明，但是并不限定于此，也能够使用氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)等。
另外，作为可应用本发明的热处理，包括成膜处理、蚀刻处理、改性处理、灰化处理等对晶片W进行加热处理的所有热处理。
再者，作为被处理体，并不限定于半导体晶片，也能够将本发明应用于LCD基板、玻璃基板、陶瓷基板等。
Claims (10)
1.一种载置台结构，其特征在于，包括：
用于在处理容器内对被处理体进行规定的热处理而载置所述被处理体的陶瓷制的载置台；和
支撑所述载置台的支撑单元，
通过在软化温度以上的温度下，使熔融状态的石英玻璃附着在所述载置台的表面上之后，将所述熔融状态的石英玻璃冷却至应变点以下的温度，在所述载置台的表面上以保持有向平面方向的压缩应力的状态形成石英玻璃涂层。
2.根据权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
所述支撑单元由从所述处理容器的底部立起的陶瓷制的支柱构成，在包括所述支柱的上端与所述载置台的接合部、以及至少所述支柱的上端部的部分，形成所述石英玻璃涂层。
3.根据权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
在所述载置台中埋入有用于加热所述被处理体的加热单元。
4.根据权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
所述陶瓷的线膨胀率大于所述石英玻璃涂层的线膨胀率。
5.根据权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
所述陶瓷由选自氮化铝、氧化铝、和碳化硅中的1种材料构成。
6.一种载置台结构的制造方法，其特征在于：
用于制造包括用于在处理容器内对被处理体进行规定的热处理而载置所述被处理体的陶瓷制的载置台、和支撑所述载置台的支撑单元的载置台结构，该制造方法包括：
在软化温度以上的温度下，使熔融状态的石英玻璃附着在所述载置台的表面上的附着工序；和
通过将所述熔融状态的石英玻璃冷却至应变点以下的温度，形成保持有向平面方向的压缩应力的状态的石英玻璃涂层的涂层形成工序。
7.根据权利要求6所述的载置台结构的制造方法，其特征在于：
在所述附着工序之后，进行将所述熔融状态的石英玻璃升温至流动温度以上的温度的升温工序。
8.根据权利要求6所述的载置台结构的制造方法，其特征在于：
所述支撑单元由从所述处理容器的底部立起的陶瓷制的支柱构成，在包括所述支柱的上端与所述载置台的接合部、以及至少所述支柱的上端部的部分，形成所述石英玻璃涂层。
9.根据权利要求6所述的载置台结构的制造方法，其特征在于：
所述陶瓷的线膨胀率大于所述石英玻璃涂层的线膨胀率。
10.一种热处理装置，其特征在于，包括：
能够进行排气的处理容器；
向所述处理容器内供给规定的处理气体的气体供给单元；和
权利要求1～5中任一项所述的载置台结构。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP239207/2005 | 2005-08-19 | ||
| JP2005239207 | 2005-08-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101052602A CN101052602A (zh) | 2007-10-10 |
| CN100513358C true CN100513358C (zh) | 2009-07-15 |
Family
ID=37757534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006800011175A Expired - Fee Related CN100513358C (zh) | 2005-08-19 | 2006-08-10 | 载置台结构、载置台结构的制造方法以及热处理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090139979A1 (zh) |
| KR (1) | KR100974102B1 (zh) |
| CN (1) | CN100513358C (zh) |
| TW (1) | TW200709282A (zh) |
| WO (1) | WO2007020872A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT11604U1 (de) * | 2009-08-20 | 2011-01-15 | Aichholzer Johann Ing | Träger für wafer |
| JP6886128B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2021-06-16 | 住友電気工業株式会社 | ウエハ保持体 |
| US10388558B2 (en) | 2016-12-05 | 2019-08-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3953646A (en) * | 1974-06-24 | 1976-04-27 | Nasa | Two-component ceramic coating for silica insulation |
| US5591269A (en) * | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| FR2717472B1 (fr) * | 1994-03-16 | 1996-05-24 | Aerospatiale | Revêtement haute température, en deux couches, sur substrat céramique, son obtention et ses applications . |
| JPH07304133A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | セラミックス基板およびその製造方法 |
| US5620560A (en) * | 1994-10-05 | 1997-04-15 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for heat-treating substrate |
| JP3259227B2 (ja) * | 1994-10-05 | 2002-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| JPH11354260A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒータ |
| JP2001270788A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-02 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JP3520074B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2004-04-19 | 日本碍子株式会社 | セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプターの支持部材 |
| JP4301403B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2009-07-22 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用ライナー |
-
2006
- 2006-08-10 US US12/064,160 patent/US20090139979A1/en not_active Abandoned
- 2006-08-10 KR KR1020087003876A patent/KR100974102B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-08-10 WO PCT/JP2006/315841 patent/WO2007020872A1/ja active Application Filing
- 2006-08-10 CN CNB2006800011175A patent/CN100513358C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-18 TW TW095130591A patent/TW200709282A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100974102B1 (ko) | 2010-08-04 |
| US20090139979A1 (en) | 2009-06-04 |
| CN101052602A (zh) | 2007-10-10 |
| KR20080035639A (ko) | 2008-04-23 |
| WO2007020872A1 (ja) | 2007-02-22 |
| TW200709282A (en) | 2007-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090715 Termination date: 20120810 |