JP2000323556A - エピタキシャルウェーハ製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エピタキシャル層の落ち込み問題を回避す
る。 【解決手段】 リフトピン１０はサセプタ６からウェー
ハＷを押し上げるものであり、このリフトピン１０をサ
セプタ６の熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未
満の熱伝導率を持つ材料によって形成し、かつ、リフト
ピン１０のヘッド部１０ｂを貫通孔８にピッタリと隙間
無く嵌まる形状に形成する。エピタキシャル層形成中
に、ウェーハＷの上面からリフトピン１０のヘッド部１
０ｂと脚部１０ａを順に介してサセプタ６の下面側に向
かう熱の移動を抑制することができる。ウェーハＷの上
面における貫通孔８に対応する領域Ｐの温度が他の領域
に比べて低下してしまうという問題が回避できることと
なり、上記領域Ｐに形成されるエピタキシャル層が他の
領域に比べて薄く形成されてしまうというエピタキシャ
ル層の落ち込みを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハにエピタキ
シャル層を形成するためのエピタキシャルウェーハ製造
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７にはエピタキシャルウェーハ製造装
置の主要構成の一例が模式的な断面図により示されてい
る。この図７に示すエピタキシャルウェーハ製造装置１
はシリコン等の半導体のウェーハＷにエピタキシャル層
を形成するための装置であり、エピタキシャル層形成室
２を有している。このエピタキシャル層形成室２は上側
ドーム３と下側ドーム４とドーム取付体５を有して形成
されている。上記上側ドーム３および下側ドーム４は石
英等の透明な材料から成り、これら上側ドーム３と下側
ドーム４はドーム取付体５に取り付けられており、それ
ら上側ドーム３と下側ドーム４とドーム取付体５によっ
てエピタキシャル層形成室２の壁面が形成されている。

【０００３】上記エピタキシャル層形成室２の内部空間
には図８の斜視図に示すような平板状のサセプタ６が図
７に示すようにサセプタ支持体７によって支持されて配
設されており、このサセプタ６によって、エピタキシャ
ル層形成室２の内部空間は、サセプタ６よりも上側の空
間部２ａとサセプタ６よりも下側の空間部２ｂとに区画
されている。上記サセプタ６は、例えば、カーボンにＳ
ｉＣが被膜形成された材料によって形成されており、熱
伝導率が約１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）というように熱伝導が
良いものである。このサセプタ６の上側にウェーハＷが
載置される。

【０００４】前記ドーム取付体５の内部には図７に示す
ように通路５ｃ，５ｄがそれぞれ形成されている。上記
通路５ｃは、上記エピタキシャル層形成室２の内部空間
と外部のエピタキシャル層形成用メインガスの供給源
（図示せず）とを連通接続するための通路であり、エピ
タキシャル層形成室２の内壁面に形成されたメインガス
供給口５ａが上記通路５ｃの端部開口となっている。ま
た、前記通路５ｄは、エピタキシャル層形成室２の内部
空間と外部のメインガス受け部（図示せず）とを連通接
続するための通路であり、エピタキシャル層形成室２の
内壁面に形成されたメインガス排出口５ｂが上記通路５
ｄの端部開口となっている。

【０００５】上記メインガス供給口５ａと、メインガス
排出口５ｂとはほぼ対角となる位置に形成され、それぞ
れ上記エピタキシャル層形成室２の上側空間部２ａに向
けて開口しており、前記通路５ｃを流れてきたメインガ
スは上記メインガス供給口５ａからエピタキシャル層形
成室２の上側空間部２ａに吐出され、この吐出されたメ
インガスはサセプタ６の上面に沿って前記メインガス排
出口５ｂに向かって流れメインガス排出口５ｂから通路
５ｄを介してエピタキシャル層形成室２の外部に排出さ
れる。

【０００６】また、エピタキシャル層形成室２の壁面に
はパージガス供給口（図示せず）およびパージガス排出
口（図示せず）が形成されている。これらパージガス供
給口とパージガス排出口はほぼ対角となる位置に形成さ
れ、それぞれエピタキシャル層形成室２の下側空間部２
ｂに向けて開口している。上記パージガス供給口からエ
ピタキシャル層形成室２の下側空間部２ｂへ水素ガス等
のパージガスが吐出され、この吐出されたパージガスは
サセプタ６の下面に沿って前記パージガス排出口に向け
て流れ、パージガス排出口からエピタキシャル層形成室
２の外部に排出される。

【０００７】上記サセプタ６には図８に示すように貫通
孔８が１個以上（図示の例では３個）形成され、その貫
通孔８にはリフトピン１０が上下移動自在に挿通されて
いる。このリフトピン１０は、例えば、前記サセプタ６
と同一材料（例えば、カーボンにＳｉＣを被膜形成した
材料）によって形成されており、脚部１０ａと、この脚
部１０ａよりも広径のヘッド部１０ｂとを有して構成さ
れている。上記ヘッド部１０ｂは、図９に示すように、
前記貫通孔８内に収容される形態であり、脚部１０ａは
サセプタ６よりも下側に突き出る形態となっている。

【０００８】図７に示すように、上記エピタキシャル層
形成室２の下側空間部２ｂにはリフトピン移動手段１１
が配設されている。このリフトピン移動手段１１は上記
貫通孔８に挿通されたリフトピン１０を上下移動させる
ものであり、シャフト１１ａとアーム１１ｂと駆動部
（図示せず）とを有して構成されている。上記アーム１
１ｂは前記シャフト１１ａからリフトピン１０の下方側
に向けて伸張形成されたものであり、シャフト１１ａと
一体化している。

【０００９】また、上記駆動部はシャフト１１ａを上下
移動させるものである。この駆動部によってシャフト１
１ａが上側へ移動すると、このシャフト１１ａの移動に
伴ってアーム１１ｂが上側に移動し、この移動によって
アーム１１ｂがリフトピン１０を押し上げて上側へ移動
させる。このように、リフトピン移動手段１１によりリ
フトピン１０が上側に押し上げられることによって、リ
フトピン１０のヘッド部１０ｂがサセプタ６よりも上側
に突き出て、サセプタ６上に載置されているウェーハＷ
を押し上げることができる。また、前記駆動部によって
シャフト１１ａが下側へ移動すると、このシャフト１１
ａの下側への移動に伴ってアーム１１ｂが下側へ移動し
てリフトピン１０を下側へ移動させる。

【００１０】このように、リフトピン移動手段１１はリ
フトピン１０を上下移動させる。

【００１１】さらに、図７に示すように、エピタキシャ
ル層形成室２よりも上側と下側には加熱手段（例えば、
赤外線ランプ）１２が複数個配設されており、これら加
熱手段１２によってサセプタ６上に載置されたウェーハ
Ｗが上下両側から加熱される。また、それら加熱手段１
２によるウェーハＷの加熱状態を監視する加熱状態監視
手段（パイロメーター）１３がエピタキシャル層形成室
２の上側と下側にそれぞれ設けられている。さらに、加
熱手段制御部（図示せず）が設けられている。この加熱
手段制御部は、上記パイロメーター１３の出力信号に基
づいて、サセプタ６に載置されているウェーハＷの上面
と下面がほぼ同様に加熱されるように上記複数の加熱手
段１２の加熱制御を行う構成を備えている。

【００１２】図７に示すエピタキシャルウェーハ製造装
置１は上記のように構成されている。この図７に示すエ
ピタキシャルウェーハ製造装置１では、サセプタ６上に
ウェーハＷを載置し該ウェーハＷの上面にエピタキシャ
ル層を形成しているときには、ウェーハＷは加熱手段１
２によって上下両側から加熱されると共に、そのウェー
ハＷの上面に沿ってメインガスが流れ、また、サセプタ
６の下面に沿ってパージガスが流れており、リフトピン
１０は図９に示すようにヘッド部１０ｂがサセプタ６の
貫通孔８に収容され、脚部１０ａはサセプタ６よりも下
側に突き出た状態となっている。

【００１３】エピタキシャル層の形成が終了した然る後
には、リフトピン移動手段１１によってリフトピン１０
が押し上げられ、このリフトピン１０の上昇によってウ
ェーハＷが押し上げられてサセプタ６から浮き上がり、
サセプタ６とウェーハＷとの間に隙間が生じる。この隙
間に、図示されていないウェーハの搬送手段のブレード
が入り込み、その後、上記リフトピン移動手段１１によ
りリフトピン１０が下げられると共にウェーハＷも下が
り、ウェーハＷが上記ブレード上に乗せられ、該ブレー
ドによってウェーハＷはエピタキシャル層形成室２から
外部に搬送される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来では、
上記図７に示すようなエピタキシャルウェーハ製造装置
１を用いてウェーハＷの上面にエピタキシャル層を形成
すると、ウェーハＷの前記リフトピン１０に対向する領
域、例えば、図９に示す領域Ｐに形成されたエピタキシ
ャル層の厚みが他の領域に比べて薄くなってしまうとい
うエピタキシャル層落ち込み現象が生じていた。

【００１５】本発明者がそのエピタキシャル層落ち込み
現象の発生原因を調べたところ、エピタキシャル層形成
中に、ウェーハＷの前記領域Ｐの温度が他の領域に比べ
て低く、この温度低下によって前記エピタキシャル層落
ち込み現象が発生していることが分かった。

【００１６】エピタキシャル層形成中に、上記ウェーハ
Ｗの領域Ｐの温度が他の領域よりも低下してしまうのは
次のような理由に因ることが分かった。エピタキシャル
形成中には、前述したようにリフトピン１０の脚部１０
ａはサセプタ６よりも下側に突き出ており、サセプタ６
の下面に沿ってパージガスが流れていることから、この
パージガスによって上記脚部１０ａの熱が奪われてしま
う。リフトピン１０は熱伝導率の良い材料によって形成
されていることから、上記のようにパージガスによって
脚部１０ａの熱が放熱されてしまうと、図９の矢印に示
すように、ウェーハＷの上面側からリフトピン１０のヘ
ッド部１０ｂを介して脚部１０ａに向かう方向の熱の流
れ（熱移動）が生じてしまい、このことによって、ウェ
ーハＷの、リフトピン１０に対向する領域Ｐの温度が他
の領域に比べて低下してしまうこととなる。このよう
に、エピタキシャル層形成中に、上記ウェーハＷの領域
Ｐの温度が他の領域よりも低下してしまうので、そのウ
ェーハＷの領域Ｐにおけるエピタキシャル層の厚みが他
の領域よりも薄くなってしまい、前記エピタキシャル層
落ち込み現象が発生していた。

【００１７】この発明は上記課題を解決するために成さ
れたものであり、その目的は、エピタキシャル層形成中
に、サセプタ上に載置されたウェーハの上面側からリフ
トピンを介してサセプタの下側に向かう熱の移動を抑制
し、ウェーハのリフトピンに対向する領域の温度低下を
防止して、その温度低下に起因したエピタキシャル層の
落ち込みを抑制することができるエピタキシャルウェー
ハ製造装置を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明は次に示すような構成をもって前記課題を解
決する手段としている。すなわち、第１の発明は、ウェ
ーハを載置して成るサセプタと、少なくとも一部が上記
サセプタの下部側に配置され前記サセプタに設けた貫通
孔を挿通してエピタキシャル層形成後のウェーハを押し
上げるリフトピンとを有し、前記リフトピンの配置領域
にはリフトピンを介して伝熱するウェーハ上面側とサセ
プタ下面側間のエピタキシャル層形成時における熱移動
を抑制する伝熱抑制手段が設けられている構成をもって
前記課題を解決する手段としている。

【００１９】第２の発明は、上記第１の発明の構成を備
え、リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘ
ッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有し
て構成されており、伝熱抑制手段は、上記リフトピンを
サセプタの熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未
満の熱伝導率の材料によって構成したことを特徴として
構成されている。

【００２０】第３の発明は、上記第２の発明の構成を備
え、サセプタに形成されたリフトピン挿通用の貫通孔に
は上面側から下面側に向けて孔断面積が狭くなるように
少なくとも上面側にテーパが付けられており、リフトピ
ンのヘッド部は上面をほぼサセプタの上面に一致させて
上記貫通孔にピッタリと隙間無く嵌まる皿形状であるこ
とを特徴として構成されている。

【００２１】第４の発明は、上記第１の発明の構成を備
え、リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘ
ッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有し
て構成されており、伝熱抑制手段はリフトピンの脚部の
周りに設けた防風部材であることを特徴として構成され
ている。

【００２２】第５の発明は、上記第１の発明の構成を備
え、リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘ
ッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有し
て構成されており、伝熱抑制手段は、リフトピンの脚部
を加熱するピン加熱手段と、該ピン加熱手段の加熱制御
を行ってエピタキシャル層形成時におけるリフトピンの
脚部からの放熱分を補償する加熱制御部とを有して構成
されていることを特徴として構成されている。

【００２３】第６の発明は、上記第５の発明の構成を備
え、ピン加熱手段は赤外線ランプにより構成され、リフ
トピンの脚部の周りには防風部材が設けられており、こ
の防風部材は透明な材料により形成されていることを特
徴として構成されている。

【００２４】第７の発明は、上記第１の発明の構成を備
え、リフトピンは、サセプタの貫通孔の内部に嵌合収容
される上側への移動が自在のウェーハリフト補助栓部
と、この補助栓部の下方側に配置されるピン軸部とによ
り構成されており、このピン軸部はエピタキシャル層形
成時には上記ウェーハリフト補助栓部に対して分離して
該ウェーハリフト補助栓部の下方側に空隙を介して配置
され、また、エピタキシャル層形成後のウェーハを上記
ウェーハリフト補助栓部を介して押し上げる構成と成
し、上記ウェーハリフト補助栓部とピン軸部間の隙間空
間は、ウェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピタキシ
ャル層形成時におけるリフトピンを介しての熱移動を抑
制する伝熱抑制手段と成していることを特徴として構成
されている。

【００２５】上記構成の発明において、伝熱抑制手段
は、エピタキシャル層形成中に、ウェーハ上面側からリ
フトピンを介してサセプタの下面側に向かう熱移動を抑
制する。この伝熱抑制手段によって、ウェーハの、リフ
トピンに対向する領域の温度が他の領域よりも低下して
しまうのを防止することができ、このことによって、温
度低下に起因した前記エピタキシャル層落ち込み現象を
抑制することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下に、この発明に係る実施形態
例を図面に基づいて説明する。

【００２７】第１の実施形態例のエピタキシャルウェー
ハ製造装置において特徴的なことは後述する伝熱抑制手
段が設けられていることであり、それ以外の構成は前記
図７に示したエピタキシャルウェーハ製造装置の構成と
同様であり、この第１の実施形態例では、前記図７に示
すエピタキシャルウェーハ製造装置と同一構成部分には
同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。

【００２８】上記伝熱抑制手段は、ウェーハＷにエピタ
キシャル層を形成しているときに、ウェーハＷの上面側
からリフトピン１０を介してサセプタ６の下面側に向か
う熱の流れ（移動）を抑制するものであり、この第１の
実施形態例では、次に示すような構成を備えている。

【００２９】つまり、この第１の実施形態例では、上記
伝熱抑制手段として、リフトピン１０をサセプタ６の熱
伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率
の材料によって形成している。そのリフトピン１０を構
成する材料の例を挙げると、例えば、カーボンにPorous
ＳｉＣとＳｉＣを順に積層被覆した材料（熱伝導率は
約５５（Ｗ／ｍ・Ｋ））、不透明石英（熱伝導率は約
１．３（Ｗ／ｍ・Ｋ））、透明石英（熱伝導率は約２．
６（Ｗ／ｍ・Ｋ））等がある。なお、上記リフトピン１
０は粉塵が発生し難い材料によって形成することが望ま
しい。

【００３０】このように、リフトピン１０をサセプタ６
の熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝
導率の材料によって形成することによって、熱はリフト
ピン１０の内部を移動し難くなり、このことによって、
エピタキシャル層の形成中に、ウェーハＷの上面側から
リフトピン１０を介してサセプタ６の下面側に向かう熱
の流れを抑制することができる。

【００３１】ところで、エピタキシャル層形成中に、貫
通孔８の内部にリフトピン１０のヘッド部１０ｂによっ
て埋まらない図９に示すような大きな隙間１５がある
と、この大きな隙間１５によって、ウェーハＷの前記領
域Ｐの温度低下が促進されてしまうことに本発明者は気
付いた。

【００３２】そこで、この第１の実施形態例では、リフ
トピン１０のヘッド部１０ｂの形状を次に示すような特
有な形状とした。すなわち、図１の（ａ）や（ｂ）に示
すように、リフトピン１０のヘッド部１０ｂは上面をサ
セプタ６の上面にほぼ一致させ、貫通孔８にピッタリと
隙間無く嵌まる形状と成していることである。

【００３３】つまり、図１の（ａ）に示す例では、貫通
孔８はサセプタ６の上面側から下面側に向けて孔断面積
が狭くなる方向にテーパが付けられていることから、リ
フトピン１０のヘッド部１０ｂは上面をサセプタ６の上
面にほぼ一致させ、貫通孔８にピッタリと隙間無く嵌ま
る皿形状と成している。

【００３４】また、図１の（ｂ）に示す例では、貫通孔
８は下方部分の孔断面積が上方部分よりも狭くなってい
る円筒状と成していることから、リフトピン１０のヘッ
ド部１０ｂは上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ、
貫通孔８にピッタリと隙間無く嵌まる略円柱状と成して
いる。

【００３５】このように、リフトピン１０のヘッド部１
０ｂは上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ、貫通孔
８にピッタリと隙間無く嵌まる形状と成していることに
よって、前記したようなウェーハＷの前記領域Ｐにおけ
る温度低下の促進作用を抑制することができる。なお、
もちろん、上記ヘッド部１０ｂが貫通孔８内に収容され
ている状態では、ヘッド部１０ｂは上面がサセプタ６の
上面よりも上側に食み出さないように形成されている。

【００３６】この第１の実施形態例によれば、リフトピ
ン１０をサセプタ６の熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／
ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率を持つ材料によって構成したの
で、リフトピン１０の内部で熱が移動し難くなり、この
ことによって、エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷ
の上面側からリフトピン１０を介してサセプタ６の下面
側に向かう熱の流れを抑制することができ、ウェーハＷ
の上面の前記領域Ｐの温度が他の領域よりも低下してし
まうのを抑制することができ、その領域Ｐの温度低下に
起因した前記領域Ｐのエピタキシャル層の落ち込みを緩
和することができる。

【００３７】上記リフトピン１０をサセプタ６の熱伝導
率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率を持
つ材料によって構成することによる効果は本発明者の実
験によって確認されている。その実験とは、互いに構成
材料が異なる３種のリフトピン１０を用意し、これら３
種の各リフトピン１０について、それぞれ、リフトピン
１０の構成材料以外の条件は全て等しい状態でウェーハ
Ｗ上にエピタキシャル層を形成し、このようにして形成
された３種のエピタキシャル層についてそれぞれ厚み
（膜厚）を測定した。

【００３８】その実験結果が図２のグラフに示されてい
る。図２のグラフにおいて、横軸はウェーハＷの中心か
らの距離を示し、ここでは、前記領域Ｐおよびその近傍
領域が抜き出されて示されている。また、縦軸はエピタ
キシャル層の相対厚み（膜厚）を示している。

【００３９】図２に示す実線Ａは、従来と同様にサセプ
タ６と同一材料のリフトピン１０を用いてエピタキシャ
ル層を形成した場合のエピタキシャル層の膜厚測定結果
であり、鎖線Ｂは、前記カーボンにPorous ＳｉＣとＳ
ｉＣを順に積層被覆した材料（熱伝導率は約５５（Ｗ／
ｍ・Ｋ））のリフトピン１０を用いてエピタキシャル層
を形成した場合のエピタキシャル層の膜厚測定結果であ
り、点線Ｃは、不透明石英（熱伝導率は約１．３（Ｗ／
ｍ・Ｋ））のリフトピン１０を用いてエピタキシャル層
を形成した場合のエピタキシャル層の膜厚測定結果であ
る。

【００４０】図２のグラフに示す上記実線Ａと、鎖線Ｂ
および点線Ｃとの比較から明らかなように、従来のリフ
トピン１０を用いてエピタキシャル層をウェーハＷ上に
形成した場合（実線Ａ）に比べて、この第１の実施形態
例に示すように、熱伝導率が１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満
の材料によって構成されたリフトピン１０を用いてエピ
タキシャル層をウェーハＷに形成した場合（鎖線Ｂ、点
線Ｃ）には、エピタキシャル層の落ち込みがかなり緩和
されている。

【００４１】また、熱伝導率が約５５（Ｗ／ｍ・Ｋ）で
ある材料のリフトピン１０を用いた場合（鎖線Ｂ）に比
べて、熱伝導率が約１．３（Ｗ／ｍ・Ｋ）である材料の
リフトピン１０を用いた場合（点線Ｃ）の方が、前記領
域Ｐにおけるエピタキシャル層の落ち込みがより緩和さ
れていることから、エピタキシャル層の落ち込み抑制効
果は、熱伝導率が低くなるに従って大きくなることが分
かる。なお、上記３種のリフトピン１０を用いた場合に
おけるエピタキシャル層の形成前後のＳＥＭＩ規格によ
るＳＦＱＤ（Site Flatness front least-squares Devi
ation）に基づく測定・評価を行った。この結果から
も、上記した効果を確認できた。

【００４２】上記実験結果にも示されるように、リフト
ピン１０を熱伝導率が１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材料
で形成することによって、ウェーハＷの前記領域Ｐにお
けるエピタキシャル層の落ち込みを緩和することが可能
である。

【００４３】また、この第１の実施形態例では、リフト
ピン１０のヘッド部１０ｂは上面がサセプタ６の上面に
ほぼ一致し、貫通孔８にピッタリと隙間無く嵌まる形状
と成しているので、前述したような貫通孔８の内部の大
きな隙間１５に起因してウェーハＷの領域Ｐの温度低下
が促進されてしまうという事態発生を抑制することがで
き、前記領域Ｐにおけるエピタキシャル層の落ち込みを
緩和することができる。この効果も、本発明者の実験に
よって確認されている。

【００４４】その実験とは、図９に示す形状のリフトピ
ン１０と、図１の（ａ）に示す皿形状のリフトピン１０
とを用意し、各リフトピン１０について、それぞれ、リ
フトピン１０の形状以外の条件が全て等しい状態でウェ
ーハＷ上にエピタキシャル層を形成し、そのエピタキシ
ャル層の膜厚を測定した。図２に示す実線Ａが、従来と
同様の図９に示す形状のリフトピン１０を用いてウェー
ハＷ上にエピタキシャル層を形成した場合のエピタキシ
ャル層の膜厚の測定結果であり、鎖線ａが、この第１の
実施形態例に示した図１の（ａ）に示す皿形状のリフト
ピン１０を用いてウェーハＷ上にエピタキシャル層を形
成した場合のエピタキシャル層の膜厚の測定結果であ
る。

【００４５】図２の実線Ａと鎖線ａに示されるように、
上記従来例のように貫通孔８内に大きな隙間１５がある
場合（実線Ａ）に比べて、この第１の実施形態例に示す
ように貫通孔８内に隙間を殆ど無くした場合（鎖線ａ）
では、前記領域Ｐにおけるエピタキシャル層の落ち込み
を緩和することができる。

【００４６】この第１の実施形態例では、前述したよう
に、リフトピン１０を熱伝導率が１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）
未満の材料で形成し、ウェーハＷの上面側からリフトピ
ン１０を介してサセプタ６の下面側に向かう熱移動を抑
制することができる上に、リフトピン１０のヘッド部１
０ｂはその上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ、貫
通孔８に隙間無くピッタリと嵌まる形状と成しており、
貫通孔８内の隙間に起因したウェーハＷの領域Ｐの温度
低下促進作用も抑制することができるので、上記熱移動
抑制作用と相俟って、ウェーハＷにおける領域Ｐの温度
低下をほぼ抑制することができ、温度低下に起因した領
域Ｐのエピタキシャル層落ち込み現象発生をほぼ回避す
ることができる。

【００４７】以下に、第２の実施形態例を説明する。こ
の第２の実施形態例では、前記第１の実施形態例とは異
なる形態の伝熱抑制手段の一例を示す。図３の（ａ）に
はこの第２の実施形態例において特徴的な伝熱抑制手段
が実線により示され、図３の（ｂ）には図３の（ａ）に
示すα部分の断面図が示されている。なお、この第２の
実施形態例の説明において、前記従来例と同一構成部分
には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略す
る。

【００４８】この第２の実施形態例では、伝熱抑制手段
は防風部材１６によって構成されている。この防風部材
１６は、エピタキシャル層形成中にサセプタ６よりも下
側に突き出るリフトピン１０の脚部１０ａの上部部分を
覆い、サセプタ６の下面に沿って流れるパージガス等に
よって脚部１０ａの熱が放熱されてしまうのを抑制する
ことができるものである。

【００４９】この第２の実施形態例では、図３の
（ａ）、（ｂ）に示されるように、上記防風部材１６は
サセプタ支持体７のアーム７ａに取り付けられており、
防風部材１６の頂部から上記アーム７ａの底部に掛けて
貫通する貫通孔１４が形成されており、上記脚部１０ａ
はその貫通孔１４に上下移動自在に挿通される。

【００５０】この第２の実施形態例によれば、伝熱抑制
手段である防風部材１６が設けられているので、この防
風部材１６によって、エピタキシャル層形成中にリフト
ピン１０の脚部１０ａにパージガスが吹き付けるのを防
止することができ、パージガスの吹き付けに起因した脚
部１０ａからの放熱を回避することができる。この結
果、ウェーハＷの上面からリフトピン１０を介してサセ
プタ６の下面側に向かう熱の流れを抑制することがで
き、エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷの前記領域
Ｐの温度が他の領域に比べて低下してしまうのを防止す
ることができ、このことによって、前記領域Ｐのエピタ
キシャル層の落ち込みを抑制することができる。

【００５１】以下に、第３の実施形態例を説明する。こ
の第３の実施形態例では、前記第１と第２の各実施形態
例とは異なる形態の伝熱抑制手段の一例を示す。この第
３の実施形態例では、伝熱抑制手段は、図４の実線に示
すように、ピン加熱手段１７と、加熱制御部１８とを有
して構成されている。

【００５２】上記ピン加熱手段１７はリフトピン１０の
脚部１０ａを加熱するリフトピン専用の加熱手段であ
り、前記加熱手段１２とは別個独立したものであり、例
えば、赤外線ランプや、ヒーター等がある。

【００５３】上記加熱制御部１８は上記ピン加熱手段１
７の加熱制御を行う制御部であり、パージガスによる脚
部１０ａからの放熱分を補償するようにピン加熱手段１
７の加熱制御を行う。そのピン加熱手段１７の加熱制御
の手法には様々な手法があり、ここでは、その複数の手
法のうちの何れの手法を採用してもよいが、例えば、そ
の一例として、次に示すようにピン加熱手段１７の加熱
制御を行う。

【００５４】例えば、パージガスによる脚部１０ａから
の放熱量がほぼ一定であり、その放熱量を予め求めるこ
とが可能である場合には、その放熱量を補償するための
ピン加熱手段１７へ供給する制御量（例えば、通電電流
量や電圧量）を求め、その求めた制御量のデータを図４
の点線に示すデータ格納部に格納しておき、加熱制御部
１８はそのデータ格納部に格納されている制御量がピン
加熱手段１７に供給されるようにピン加熱手段１７への
供給制御量を制御してピン加熱手段１７の加熱制御を行
う。

【００５５】また、より精度良く脚部１０ａからの放熱
量の補償を行う場合には、例えば、図４の鎖線に示すよ
うなピン加熱監視部１９を設け、このピン加熱監視部１
９によってピン加熱手段１７による脚部１０ａの加熱状
態を監視し、ピン加熱監視部１９からの監視情報に基づ
いて、加熱制御部１８は、脚部１０ａからの放熱量を補
償する方向にピン加熱手段１７への供給制御量を制御す
る。換言すれば、脚部１０ａの温度がサセプタ６の温度
にほぼ一致するようにピン加熱手段１７への供給制御量
を制御してピン加熱手段１７の加熱制御を行う。

【００５６】この第３の実施形態例では、上記のよう
に、ピン加熱手段１７と加熱制御部１８を設け、これら
ピン加熱手段１７と加熱制御部１８によって、パージガ
ス等による脚部１０ａからの放熱分を補償する構成とし
たので、見かけ上、リフトピン１０の脚部１０ａからの
放熱は無くなり、このことによって、ウェーハＷの上面
からリフトピン１０を介してサセプタ６の下面に向かう
熱の流れを抑制することができ、前記各実施形態例と同
様に、エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷの領域Ｐ
の温度が他の領域の温度よりも低下するのを防止するこ
とができ、このことによって、前記領域Ｐにおけるエピ
タキシャル層の落ち込みをほぼ回避することができる。

【００５７】以下に、第４の実施形態例を説明する。こ
の第４の実施形態例では、さらに、上記各実施形態例と
は異なる形態の伝熱抑制手段の一例を示す。なお、この
第４の実施形態例の説明において、前記従来例と同一構
成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は
省略する。

【００５８】この第４の実施形態例では、図５の（ａ）
に示すように、リフトピンは、ウェーハリフト補助栓部
２０とピン軸部２１により構成されている。上記ウェー
ハリフト補助栓部２０は貫通孔８の内部に上側への移動
が自在に嵌合収容されている。つまり、このウェーハリ
フト補助栓部２０の形状は上面をサセプタ６の上面にほ
ぼ一致させ、かつ、サセプタ６の底面側よりも下側に突
き出さず、貫通孔８に隙間無くピッタリと嵌まる形状と
成している。このウェーハリフト補助栓部２０はサセプ
タ６と同様の材料によって形成される。

【００５９】ピン軸部２１は、エピタキシャル層形成中
には、図５の（ａ）に示すように、上記ウェーハリフト
補助栓部２０の下方側に間隙２２を介して配置され、ウ
ェーハＷを上方へ移動させる際には、前記リフトピン移
動手段１１によって上側へ押し上げられ、図５の（ｂ）
に示すように、上記ウェーハリフト補助栓部２０を押し
上げ該ウェーハリフト補助栓部２０を介してウェーハＷ
を押し上げる構成と成している。

【００６０】この第４の実施形態例では、エピタキシャ
ル層形成中におけるウェーハリフト補助栓部２０とピン
軸部２１の間の隙間空間２２が伝熱抑制手段と成してい
る。つまり、エピタキシャル層形成中に、ウェーハリフ
ト補助栓部２０とピン軸部２１の間に隙間空間２２が形
成されているので、この隙間空間２２によって、ウェー
ハＷの上面からウェーハリフト補助栓部２０を介してピ
ン軸部２１に向かう方向の熱の流れは無く、このことに
よって、エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷのリフ
トピンに対向する領域Ｐの温度が他の領域よりも低下し
てしまうのを確実に防止することができる。このことに
より、前記温度低下に起因した領域Ｐのエピタキシャル
層の落ち込みを確実に抑制することができる。

【００６１】ところで、この第４の実施形態例では、ピ
ン軸部２１がウェーハリフト補助栓部２０を押し上げて
該ウェーハリフト補助栓部２０がサセプタ６の上面より
も上側となったときに、ウェーハリフト補助栓部２０が
ピン軸部２１から落下しないように、次に示すような構
成を備えている。例えば、図６の（ａ）、（ｂ）に示す
ように、ピン軸部２１の頂部に凸部２４を形成し、ウェ
ーハリフト補助栓部２０の底部には上記ピン軸部２１の
凸部２４が隙間無く挿入嵌合することができる凹部２５
を形成する。

【００６２】このように、ピン軸部２１の頂部に凸部２
４を、また、ウェーハリフト補助栓部２０の底部に凹部
２５をそれぞれ形成することによって、ピン軸部２１が
リフトピン移動手段１１により押し上げられた際には、
ピン軸部２１の凸部２４がウェーハリフト補助栓部２０
の凹部２５に挿入嵌合して、ピン軸部２１はウェーハリ
フト補助栓部２０をがたつき無く押し上げることがで
き、かつ、ピン軸部２１の頂部からウェーハリフト補助
栓部２０が落下するのを防止することができる。

【００６３】なお、もちろん、上記ウェーハリフト補助
栓部２０の底部に形成される凹部２５の形態およびピン
軸部２１の頂部に形成される凸部２４の形態は図６の
（ａ）、（ｂ）の形態に限定されるものではなく、様々
な形態を採り得る。また、ウェーハリフト補助栓部２０
の底部に凹部を、ピン軸部２１の頂部に凸部をそれぞれ
設けるのではなく、図示はされていないが、ピン軸部２
１の頂部には凹部を設け、ウェーハリフト補助栓部２０
の底部には上記ピン軸部２１の凹部に隙間無く挿入嵌合
できる凸部を設けてもよい。

【００６４】さらに、ピン軸部２１の頂部をウェーハリ
フト補助栓部２０の底部に真空吸着させる構成を備え、
ピン軸部２１がウェーハリフト補助栓部２０を介してウ
ェーハＷを押し上げる際には、ピン軸部２１がウェーハ
リフト補助栓部２０に真空吸着し、ピン軸部２１はウェ
ーハリフト補助栓部２０をがたつき無く押し上げ、か
つ、ウェーハリフト補助栓部２０の落下を防止すること
ができる構成としてもよい。

【００６５】この第４の実施形態例によれば、リフトピ
ンはウェーハリフト補助栓部２０とピン軸部２１により
構成されており、エピタキシャル層形成中には、貫通孔
８内に収容されているウェーハリフト補助栓部２０と、
ピン軸部２１との間には隙間空間２２があることから、
この隙間空間２２によって、ウェーハＷの上面からウェ
ーハリフト補助栓部２０を介してサセプタ６の下面側に
向かう熱の流れを確実に抑制することができ、その熱の
流れに起因したウェーハＷの上面の領域Ｐの温度が他の
領域よりも低下するのを防止することができる。このこ
とによって、ウェーハＷの領域Ｐにおけるエピタキシャ
ル層の落ち込みを確実に防止することができる。

【００６６】以下に、第５の実施形態例を説明する。こ
の第５の実施形態例において特徴的なことは、前記第２
の実施形態例に示した伝熱抑制手段と、前記第３の実施
形態例に示した伝熱抑制手段とが組み合わせられている
ことである。それ以外の構成は、従来例の構成と同様で
あり、ここでは、従来例と同一構成部分には同一符号を
付し、その共通部分の重複説明は省略する。

【００６７】この第５の実施形態例では、前記第２の実
施形態例に示した防風部材１６と同様の防風部材が設け
られている。つまり、上記防風部材１６は、エピタキシ
ャル層形成中にサセプタ６よりも下側に突き出るリフト
ピン１０の脚部１０ａの上部の周りを覆い、パージガス
等による脚部１０ａの放熱を防止するものである。

【００６８】上記防風部材１６を設けても、エピタキシ
ャル層形成中に、パージガスによって脚部１０ａから僅
かに熱が放熱されてしまうことがある。そこで、この第
５の実施形態例では、前記第３の実施形態例に示したよ
うなピン加熱手段１７および加熱制御部１８が設けられ
ている。つまり、前記した如く、ピン加熱手段１７はリ
フトピン１０の脚部１０ａを加熱する専用の加熱手段で
あり、加熱制御部１８はパージガスによる脚部１０ａの
放熱分を補償するようにピン加熱手段１７の加熱制御を
行う。

【００６９】なお、前記ピン加熱手段１７として採用す
ることが可能な加熱手段には様々な種類があり、それら
複数種のうちの何れの加熱手段をピン加熱手段１７とし
て採用してもよいが、ピン加熱手段１７として赤外線ラ
ンプを採用する際には、防風部材１６を透明な材料（例
えば、石英）によって形成し、ピン加熱手段１７による
脚部１０ａの加熱が防風部材１６によって邪魔されてし
まうのを防止する。

【００７０】この第５の実施形態例によれば、防風部材
１６を設け、この防風部材１６によって、エピタキシャ
ル層形成中に、パージガスによる脚部１０ａの放熱がほ
ぼ防止される上に、さらに、ピン加熱手段１７と加熱制
御部１８が設けられ、これらピン加熱手段１７と加熱制
御部１８によって、脚部１０ａの放熱分が補償される構
成であることから、エピタキシャル層形成中に、ウェー
ハＷの上面からリフトピン１０を介してサセプタ６の下
面に向かう熱の流れを確実に回避することができ、ウェ
ーハＷの上面の領域Ｐの温度が他の領域よりも低下して
しまうという問題発生をより一層確実に防止することが
できるので、上記温度低下に起因した領域Ｐのエピタキ
シャル層の落ち込みをより確実に回避することができ
る。

【００７１】なお、この発明は上記各実施形態例に限定
されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例
えば、上記第２、第５の各実施形態例では、防風部材１
６は筒状の形状であり、脚部１０ａの上部の全周を囲む
ように設けられていたが、この防風部材１６はパージガ
スによる脚部１０ａの放熱を防止することができるもの
であればよく、例えば、脚部１０ａよりもパージガスの
風上に板状や半筒状の防風部材１６を設けて脚部１０ａ
にパージガスが吹き付けるのを防止するようにしてもよ
い。

【００７２】また、上記第２、第５の各実施形態例で
は、防風部材１６はサセプタ支持体７のアーム７ａより
も上側に配設され、脚部１０ａの上部を覆う構成であっ
たが、図３の（ａ）の点線に示すように、上記アーム７
ａよりも下側にも防風部材１６を配設し、脚部１０ａの
ほぼ全長に亙り防風部材１６によって覆われる構成とし
てもよい。このように防風部材１６を形成することによ
って、より確実にパージガスが脚部１０ａに吹き付ける
のを抑制することができ、前記第２、第５の各実施形態
例に示したような効果を奏することができる。もちろ
ん、パージガスはサセプタ６の下面に沿って流れること
から、上記第２、第５の各実施形態例に示したように脚
部１０ａの上部のみを防風部材１６によって覆うだけで
も、パージガスが脚部１０ａに吹き付けるのをほぼ回避
することができ、十分に、前記領域Ｐのエピタキシャル
層の落ち込みを回避することができるという効果を得る
ことができる。

【００７３】また、上記第１の実施形態例では、リフト
ピン１０はサセプタ６よりも熱伝導率が低い１２８（Ｗ
／ｍ・Ｋ）未満の材料によって形成され、かつ、リフト
ピン１０のヘッド部１０ｂはその上面をサセプタ６の上
面にほぼ一致させ貫通孔８に隙間無くピッタリと嵌まる
形状と成していたが、リフトピン１０を構成している材
料の熱伝導率がかなり低く、エピタキシャル層形成中
に、リフトピン１０のヘッド部１０ｂから脚部１０ａに
向かう熱の流れがほぼ抑制できる場合には、脚部１０ａ
の形状を貫通孔８にピッタリと嵌まる形状としなくと
も、前記エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷの領域
Ｐの温度低下を防止することができるので、脚部１０ａ
の形状を貫通孔８にピッタリと嵌まる形状としなくとも
よい。

【００７４】さらに、上記第１の実施形態例に示したよ
うな伝熱抑制手段（つまり、リフトピン１０をサセプタ
６の熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材
料による形成し、かつ、リフトピン１０のヘッド部１０
ｂは上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ貫通孔８に
隙間無くピッタリと嵌まる形状と成している構成）と、
第２の実施形態例に示した伝熱抑制手段（つまり、リフ
トピン１０の脚部１０ａの周りに設けた防風部材１６）
と、第３の実施形態例に示した伝熱抑制手段（つまり、
パージガスによる脚部１０ａの放熱分を補償するための
ピン加熱手段１７と加熱制御部１８を設ける構成）と、
第４の実施形態例に示した伝熱抑制手段（つまり、サセ
プタ６の貫通孔８に収容嵌合されるウェーハリフト補助
栓部２０と、その下方側に隙間空間２２を介して配設さ
れるピン軸部２１とを設ける構成）とのうちの２つ以上
の構成を組み合わせた伝熱抑制手段を設けてもよい。

【００７５】さらに、脚部１０ａに吹き付けるパージガ
スを加熱するパージガス加熱手段を設けてパージガスに
よる脚部１０ａの放熱を防止する構成を備えてもよい。

【００７６】

【発明の効果】この発明によれば、伝熱抑制手段が設け
られ、この伝熱抑制手段によって、リフトピンを介して
のウェーハ上面側からサセプタ下面側間のエピタキシャ
ル層形成時における熱移動が抑制されるので、エピタキ
シャル層の形成中に、ウェーハの上面の、リフトピンに
対向する領域の温度が他の領域よりも低下するのを防止
することができ、このことによって、上記温度低下に起
因したエピタキシャル層の、リフトピンに対向する領域
の落ち込みをほぼ回避することができる。

【００７７】リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容
されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部
とを有して構成され、このリフトピンをサセプタの熱伝
導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材料によっ
て形成したものにあっては、リフトピンの熱伝導率がサ
セプタよりも悪く、リフトピンの上部側から下部側に向
って熱が伝熱し難くなり、このことによって、エピタキ
シャル層形成中に、ウェーハの上面からリフトピンを介
してサセプタの下面側に向かう熱の流れを抑制すること
ができ、上記の如く、リフトピンに対向する領域のエピ
タキシャル層の落ち込みを回避することができる。

【００７８】また、上記のように、リフトピンをサセプ
タの熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材
料によって形成し、かつ、リフトピンはその上面をサセ
プタの上面に一致させてサセプタの貫通孔にピッタリと
隙間無く嵌まる形状と成しているものにあっては、上記
のように、エピタキシャル層形成中に、ウェーハの上面
からリフトピンを介してサセプタの下面側に向かう熱の
流れを抑制することができる上に、貫通孔の内部の隙間
によってウェーハの貫通孔に対向する領域の温度低下が
促進されてしまうという問題をも回避することができる
ので、より確実に、エピタキシャル層形成中に、ウェー
ハの上面におけるリフトピンに対向する領域の温度が他
の領域よりも低下してしまうのを回避することができ、
上記温度低下に起因したリフトピンに対向する領域のエ
ピタキシャル層の落ち込みを防止することができる。

【００７９】伝熱抑制手段はリフトピンの脚部の周りに
設けた防風部材によって構成されているものにあって
は、サセプタの下面に沿って流れるパージガスの風がリ
フトピンの脚部に吹き付けるのを防止することができ、
このことによって、上記風によってリフトピンの脚部の
熱が放熱されてしまうのを回避することができる。この
ことから、上記脚部の放熱に起因したウェーハの上面か
らリフトピンを介してサセプタの下面側に向かう熱の移
動を抑制することができ、ウェーハの上面におけるリフ
トピンに対向する領域の温度が他の領域よりも低下して
しまうのを防止することができ、この温度低下に起因し
たリフトピンに対向する領域のエピタキシャル層の落ち
込みを回避することができる。

【００８０】伝熱抑制手段はピン加熱手段と加熱制御部
を有して構成されており、これらピン加熱手段と加熱制
御部によって、リフトピンの脚部の放熱分を補償する構
成を備えているものにあっては、エピタキシャル層形成
中にはリフトピンの脚部から熱が放熱されてしまうけれ
ども、その放熱分がピン加熱手段による脚部の加熱によ
って補償されるので、見かけ上、脚部と外部との熱の移
動は無くなり、このことにより、ウェーハ上面側からリ
フトピンを介してサセプタの下面側に向かう熱の移動を
抑制することができ、その熱移動に起因した前記エピタ
キシャル層の落ち込みを回避することができる。

【００８１】ピン加熱手段は赤外線ランプにより形成さ
れ、リフトピンの脚部の周りには防風部材が設けられて
おり、その防風部材は透明な材料によって形成されてい
るものにあっては、防風部材によってサセプタの下部側
を流れるパージガスの風がリフトピンの脚部に吹き付け
るのをほぼ防止することができる。その上、防風部材は
透明な材料によって形成されているので、赤外線ランプ
によるリフトピンの脚部の加熱を妨害することはなく、
リフトピンの脚部から僅かに放熱する放熱分がピン加熱
手段の加熱によって確実に補償されることとなり、エピ
タキシャル層形成中に、ウェーハ上面からリフトピンを
介してサセプタの下面側に向かう熱の移動を確実に抑制
することができ、その熱移動に起因したエピタキシャル
層の落ち込みをほぼ確実に回避することができる。

【００８２】リフトピンは、サセプタの貫通孔の内部に
嵌合収容されるウェーハリフト補助栓部と、該ウェーハ
リフト補助栓部の下方側に配置されるピン軸部とにより
構成されており、上記ピン軸部はエピタキシャル層形成
中にはウェーハリフト補助栓部に対して分離して該ウェ
ーハリフト補助栓部の下方側に空隙を介して配置され、
そのピン軸部とウェーハリフト補助栓部間の隙間空間が
伝熱抑制手段と成しているものにあっては、エピタキシ
ャル層形成中には、ウェーハリフト補助栓部とピン軸部
は接続していないので、ウェーハリフト補助栓部からピ
ン軸部への熱移動は無く、ウェーハ上面側からピン軸部
を介してサセプタの下面側に向かう熱移動を完璧に防止
することができる。このことによって、上記熱移動に起
因したエピタキシャル層の落ち込みを確実に回避するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態例において特徴的なリフトピン
の構成を示す説明図である。

【図２】第１の実施形態例において特徴的なリフトピン
の構成から得られる効果を示す実験結果を表すグラフで
ある。

【図３】第２の実施形態例において特徴的な伝熱抑制手
段である防風部材を示す説明図である。

【図４】第３の実施形態例において特徴的な伝熱抑制手
段であるピン加熱手段および加熱制御部を示す説明図で
ある。

【図５】第４の実施形態例において特徴的な伝熱抑制手
段を示す説明図である。

【図６】第４の実施形態例に示したピン軸部がウェーハ
リフト補助栓部を押し上げた際に、ピン軸部の頂部から
ウェーハリフト補助栓部が落下してしまうのを防止する
ための手段の構成例を示す説明図である。

【図７】エピタキシャルウェーハ製造装置の主要な構成
部を模式的な断面により示す説明図である。

【図８】サセプタの一例を示す斜視図である。

【図９】従来の課題を示す説明図である。

【符号の説明】

１ エピタキシャルウェーハ製造装置 ６ サセプタ ８ 貫通孔 １０ リフトピン １０ａ 脚部 １０ｂ ヘッド部 １６ 防風部材 １７ ピン加熱手段 １８ 加熱制御部 ２０ ウェーハリフト補助栓部 ２１ ピン軸部 ２２ 隙間空間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA13 HA08 HA09 HA33 MA28 5F045 BB02 EB02 EB03 EK11 EK21 EK24 EM02 EM09 EM10

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェーハを載置して成るサセプタと、少
   なくとも一部が上記サセプタの下部側に配置され前記サ
   セプタに設けた貫通孔を挿通してエピタキシャル層形成
   後のウェーハを押し上げるリフトピンとを有し、前記リ
   フトピンの配置領域にはリフトピンを介して伝熱するウ
   ェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピタキシャル層形
   成時における熱移動を抑制する伝熱抑制手段が設けられ
   ていることを特徴とするエピタキシャルウェーハ製造装
   置。
2. 【請求項２】 リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収
   容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚
   部とを有して構成されており、伝熱抑制手段は、上記リ
   フトピンをサセプタの熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／
   ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率の材料によって構成したもので
   あることを特徴とする請求項１記載のエピタキシャルウ
   ェーハ製造装置。
3. 【請求項３】 サセプタに形成されたリフトピン挿通用
   の貫通孔には上面側から下面側に向けて孔断面積が狭く
   なるように少なくとも上面側にテーパが付けられてお
   り、リフトピンのヘッド部は上面をほぼサセプタの上面
   に一致させて上記貫通孔にピッタリと隙間無く嵌まる皿
   形状であることを特徴とする請求項２記載のエピタキシ
   ャルウェーハ製造装置。
4. 【請求項４】 リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収
   容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚
   部とを有して構成されており、伝熱抑制手段はリフトピ
   ンの脚部の周りに設けた防風部材であることを特徴とす
   る請求項１記載のエピタキシャルウェーハ製造装置。
5. 【請求項５】 リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収
   容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚
   部とを有して構成されており、伝熱抑制手段は、リフト
   ピンの脚部を加熱するピン加熱手段と、該ピン加熱手段
   の加熱制御を行ってエピタキシャル層形成時におけるリ
   フトピンの脚部からの放熱分を補償する加熱制御部とを
   有して構成されていることを特徴とする請求項１記載の
   エピタキシャルウェーハ製造装置。
6. 【請求項６】 ピン加熱手段は赤外線ランプにより構成
   され、リフトピンの脚部の周りには防風部材が設けられ
   ており、この防風部材は透明な材料により形成されてい
   ることを特徴とした請求項５記載のエピタキシャルウェ
   ーハ製造装置。
7. 【請求項７】 リフトピンは、サセプタの貫通孔の内部
   に嵌合収容される上側への移動が自在のウェーハリフト
   補助栓部と、この補助栓部の下方側に配置されるピン軸
   部とにより構成されており、このピン軸部はエピタキシ
   ャル層形成時には上記ウェーハリフト補助栓部に対して
   分離して該ウェーハリフト補助栓部の下方側に空隙を介
   して配置され、また、エピタキシャル層形成後のウェー
   ハを上記ウェーハリフト補助栓部を介して押し上げる構
   成と成し、上記ウェーハリフト補助栓部とピン軸部間の
   隙間空間は、ウェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピ
   タキシャル層形成時におけるリフトピンを介しての熱移
   動を抑制する伝熱抑制手段と成していることを特徴とす
   る請求項１記載のエピタキシャルウェーハ製造装置。