JPH09289203A - 膜の形成方法 - Google Patents
膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH09289203A JPH09289203A JP12218296A JP12218296A JPH09289203A JP H09289203 A JPH09289203 A JP H09289203A JP 12218296 A JP12218296 A JP 12218296A JP 12218296 A JP12218296 A JP 12218296A JP H09289203 A JPH09289203 A JP H09289203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mounting table
- reaction chamber
- temperature
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 クラックのない膜を効率的に形成することが
できる方法を提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2 膜１５を形成した後または形成
済のＳｉＯ2 膜１５上に更に別の膜を形成する際に、リ
フトピン１３でＳｉウェハ１４をウェハステージ１１か
ら離間させ且つウェハステージ１１に対向させた状態で
保持する。このため、Ｓｉウェハ１４をウェハステージ
１１から離間させるのみでウェハステージ１１に対向さ
せた状態で保持しない場合よりは緩やかであるが、ウェ
ハステージ１１自体の温度を変更する場合よりは速やか
に、ＳｉＯ2 膜１５が形成された後のＳｉウェハ１４を
徐々に冷却または加熱することができる。
できる方法を提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2 膜１５を形成した後または形成
済のＳｉＯ2 膜１５上に更に別の膜を形成する際に、リ
フトピン１３でＳｉウェハ１４をウェハステージ１１か
ら離間させ且つウェハステージ１１に対向させた状態で
保持する。このため、Ｓｉウェハ１４をウェハステージ
１１から離間させるのみでウェハステージ１１に対向さ
せた状態で保持しない場合よりは緩やかであるが、ウェ
ハステージ１１自体の温度を変更する場合よりは速やか
に、ＳｉＯ2 膜１５が形成された後のＳｉウェハ１４を
徐々に冷却または加熱することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、半導体装置の
製造に際して、載置台上に基板を載置した状態でこの基
板上に膜を形成するための方法に関するものである。
製造に際して、載置台上に基板を載置した状態でこの基
板上に膜を形成するための方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ等の基板上への膜の形成
は、載置台上に基板を載置し、載置台に内蔵されている
加熱器または冷却器で載置台を加熱または冷却すること
よって基板を加熱または冷却した状態で行うのが一般的
である。従って、膜を形成した後の基板を直ちに載置台
から他の半導体製造装置等へ搬送すると、基板の温度が
急激に変化して、基板上に形成した膜にクラックが生じ
易い。特に、層間絶縁膜等の様に厚い膜厚で形成された
膜ではクラックが生じ易い。
は、載置台上に基板を載置し、載置台に内蔵されている
加熱器または冷却器で載置台を加熱または冷却すること
よって基板を加熱または冷却した状態で行うのが一般的
である。従って、膜を形成した後の基板を直ちに載置台
から他の半導体製造装置等へ搬送すると、基板の温度が
急激に変化して、基板上に形成した膜にクラックが生じ
易い。特に、層間絶縁膜等の様に厚い膜厚で形成された
膜ではクラックが生じ易い。
【０００３】このため、従来は、載置台に内蔵されてい
る加熱器または冷却器の温度を下降または上昇させ、載
置台の温度を下降または上昇させることによって基板を
ある程度の温度まで冷却または加熱してから、基板をそ
の載置台から他の半導体製造装置等へ搬送していた。
る加熱器または冷却器の温度を下降または上昇させ、載
置台の温度を下降または上昇させることによって基板を
ある程度の温度まで冷却または加熱してから、基板をそ
の載置台から他の半導体製造装置等へ搬送していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、載置台に内蔵
されている加熱器または冷却器の温度は短時間では変更
することができないので、膜が形成された後の基板もク
ラックを生じない範囲内で速やかに冷却または加熱する
ことができない。このため、従来は、クラックのない膜
を効率的に形成することができなかった。
されている加熱器または冷却器の温度は短時間では変更
することができないので、膜が形成された後の基板もク
ラックを生じない範囲内で速やかに冷却または加熱する
ことができない。このため、従来は、クラックのない膜
を効率的に形成することができなかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の膜の形成方法
は、載置台上に基板を載置した状態でこの基板上に膜を
形成する膜の形成方法において、前記形成の後に前記基
板を前記載置台から離間させ且つこの載置台に対向させ
た状態で保持することを特徴としている。
は、載置台上に基板を載置した状態でこの基板上に膜を
形成する膜の形成方法において、前記形成の後に前記基
板を前記載置台から離間させ且つこの載置台に対向させ
た状態で保持することを特徴としている。
【０００６】請求項２の膜の形成方法は、請求項１の膜
の形成方法において、前記載置台に付属している機構に
よって前記離間及び前記保持を行うことを特徴としてい
る。
の形成方法において、前記載置台に付属している機構に
よって前記離間及び前記保持を行うことを特徴としてい
る。
【０００７】請求項３の膜の形成方法は、請求項１の膜
の形成方法において、前記膜を形成した反応室とは別の
反応室で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際し
て、前記基板を前記別の反応室における前記載置台から
離間させ且つこの載置台に対向させた状態で保持するこ
とを特徴としている。
の形成方法において、前記膜を形成した反応室とは別の
反応室で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際し
て、前記基板を前記別の反応室における前記載置台から
離間させ且つこの載置台に対向させた状態で保持するこ
とを特徴としている。
【０００８】請求項４の膜の形成方法は、請求項１の膜
の形成方法において、前記膜を形成した反応室とは別の
反応室で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際し
て、前記反応室における前記載置台の温度よりも前記別
の反応室における前記載置台の温度に近い温度のガス
を、前記保持が行われている前記反応室内に供給するこ
とを特徴としている。
の形成方法において、前記膜を形成した反応室とは別の
反応室で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際し
て、前記反応室における前記載置台の温度よりも前記別
の反応室における前記載置台の温度に近い温度のガス
を、前記保持が行われている前記反応室内に供給するこ
とを特徴としている。
【０００９】請求項５の膜の形成方法は、請求項１の膜
の形成方法において、前記膜を形成した反応室とは別の
反応室で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際し
て、前記保持が行われている前記反応室内でプラズマを
発生させることによって、この反応室内の温度を、この
反応室における前記載置台の温度よりも前記別の反応室
における前記載置台の温度に近い温度にすることを特徴
としている。
の形成方法において、前記膜を形成した反応室とは別の
反応室で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際し
て、前記保持が行われている前記反応室内でプラズマを
発生させることによって、この反応室内の温度を、この
反応室における前記載置台の温度よりも前記別の反応室
における前記載置台の温度に近い温度にすることを特徴
としている。
【００１０】請求項６の膜の形成方法は、請求項１の膜
の形成方法において、前記膜を形成した反応室とは別の
反応室で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際し
て、前記反応室と前記別の反応室との間における前記基
板の搬送経路を、前記反応室における前記載置台の温度
よりも前記別の反応室における前記載置台の温度に近い
温度に制御することを特徴としている。
の形成方法において、前記膜を形成した反応室とは別の
反応室で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際し
て、前記反応室と前記別の反応室との間における前記基
板の搬送経路を、前記反応室における前記載置台の温度
よりも前記別の反応室における前記載置台の温度に近い
温度に制御することを特徴としている。
【００１１】請求項７の膜の形成方法は、請求項６の膜
の形成方法において、前記制御が昇温であって、ランプ
による加熱によって前記昇温を行うことを特徴としてい
る。
の形成方法において、前記制御が昇温であって、ランプ
による加熱によって前記昇温を行うことを特徴としてい
る。
【００１２】請求項１の膜の形成方法では、載置台上に
基板を載置した状態で基板上に膜を形成した後に、基板
を載置台から離間させ且つ載置台に対向させた状態で保
持するので、膜を形成するために載置台を加熱または冷
却している場合に、膜が形成された後の基板と載置台と
の間で放射によって熱が伝搬する。
基板を載置した状態で基板上に膜を形成した後に、基板
を載置台から離間させ且つ載置台に対向させた状態で保
持するので、膜を形成するために載置台を加熱または冷
却している場合に、膜が形成された後の基板と載置台と
の間で放射によって熱が伝搬する。
【００１３】このため、基板を載置台から離間させるの
みで載置台に対向させた状態で保持しない場合よりは緩
やかであるが、載置台自体の温度を変更する場合よりは
速やかに、膜が形成された後の基板を徐々に冷却または
加熱することができる。
みで載置台に対向させた状態で保持しない場合よりは緩
やかであるが、載置台自体の温度を変更する場合よりは
速やかに、膜が形成された後の基板を徐々に冷却または
加熱することができる。
【００１４】請求項２の膜の形成方法では、載置台に対
する基板の離間及び保持を載置台に付属している機構に
よって行うので、追加の機構を設けることなく、膜が形
成された後の基板を徐々に冷却または加熱することがで
きる。
する基板の離間及び保持を載置台に付属している機構に
よって行うので、追加の機構を設けることなく、膜が形
成された後の基板を徐々に冷却または加熱することがで
きる。
【００１５】請求項３の膜の形成方法では、基板上に形
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、別
の膜を形成するための反応室において基板を載置台から
離間させ且つ載置台に対向させた状態で保持するので、
別の膜を形成するために載置台を加熱または冷却してい
る場合に、膜が既に形成されている基板と載置台との間
で放射によって熱が伝搬する。
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、別
の膜を形成するための反応室において基板を載置台から
離間させ且つ載置台に対向させた状態で保持するので、
別の膜を形成するために載置台を加熱または冷却してい
る場合に、膜が既に形成されている基板と載置台との間
で放射によって熱が伝搬する。
【００１６】このため、基板を載置台に直ちに載置する
場合よりは緩やかであるが、載置台自体の温度を変更す
る場合よりは速やかに、膜が既に形成されている基板を
徐々に加熱または冷却することができる。
場合よりは緩やかであるが、載置台自体の温度を変更す
る場合よりは速やかに、膜が既に形成されている基板を
徐々に加熱または冷却することができる。
【００１７】請求項４の膜の形成方法では、基板上に形
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、既
に膜を形成した反応室における載置台の温度よりもこれ
から膜を形成する反応室における載置台の温度に近い温
度のガスを、既に膜が形成されて基板が載置台から離間
及び保持されている反応室内に供給するので、載置台自
体の温度を変更する場合よりも更に速やかに、膜が既に
形成されている基板を徐々に冷却または加熱することが
できる。
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、既
に膜を形成した反応室における載置台の温度よりもこれ
から膜を形成する反応室における載置台の温度に近い温
度のガスを、既に膜が形成されて基板が載置台から離間
及び保持されている反応室内に供給するので、載置台自
体の温度を変更する場合よりも更に速やかに、膜が既に
形成されている基板を徐々に冷却または加熱することが
できる。
【００１８】請求項５の膜の形成方法では、基板上に形
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、既
に形成されている膜中の水分や溶媒をプラズマで除去す
ることができ、イオンによる衝撃効果の分だけガスより
もプラズマの方が昇温効果も高いので、既に形成されて
いる膜の膜質を改善しつつ、載置台自体の温度を変更す
る場合よりも更に速やかに、膜が既に形成されている基
板を徐々に加熱することができる。
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、既
に形成されている膜中の水分や溶媒をプラズマで除去す
ることができ、イオンによる衝撃効果の分だけガスより
もプラズマの方が昇温効果も高いので、既に形成されて
いる膜の膜質を改善しつつ、載置台自体の温度を変更す
る場合よりも更に速やかに、膜が既に形成されている基
板を徐々に加熱することができる。
【００１９】請求項６の膜の形成方法では、基板上に形
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、反
応室間の搬送経路上でも基板の温度を制御することがで
きるので、反応室内でのみ基板を冷却または加熱する場
合よりも更に速やかに、膜が既に形成されている基板を
徐々に冷却または加熱することができる。
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、反
応室間の搬送経路上でも基板の温度を制御することがで
きるので、反応室内でのみ基板を冷却または加熱する場
合よりも更に速やかに、膜が既に形成されている基板を
徐々に冷却または加熱することができる。
【００２０】請求項７の膜の形成方法では、ランプによ
る加熱で基板を昇温させており、ランプでは非接触で基
板を加熱することができるので、反応室間の搬送経路上
を移動させつつ基板を加熱することができる。
る加熱で基板を昇温させており、ランプでは非接触で基
板を加熱することができるので、反応室間の搬送経路上
を移動させつつ基板を加熱することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、膜の流動性を高めて平坦度
の高い層間絶縁膜を形成するために２層のＳｉＯ2 膜を
異なる温度で連続的に形成する場合に適用した本願の発
明の第１及び第２実施形態を、図１、２を参照しながら
説明する。
の高い層間絶縁膜を形成するために２層のＳｉＯ2 膜を
異なる温度で連続的に形成する場合に適用した本願の発
明の第１及び第２実施形態を、図１、２を参照しながら
説明する。
【００２２】図１が、第１実施形態で使用する膜形成装
置の一部を示している。この膜形成装置のチャンバ（図
示せず）内におけるウェハステージ１１には、ヒータ１
２が内蔵されており、また、搬送機構を有する他の一般
の膜形成装置におけるウェハステージと同様に、ウェハ
を持ち上げてすくい取り易くするために、プッシャーピ
ンとも称されるリフトピン１３が付属している。
置の一部を示している。この膜形成装置のチャンバ（図
示せず）内におけるウェハステージ１１には、ヒータ１
２が内蔵されており、また、搬送機構を有する他の一般
の膜形成装置におけるウェハステージと同様に、ウェハ
を持ち上げてすくい取り易くするために、プッシャーピ
ンとも称されるリフトピン１３が付属している。
【００２３】この第１実施形態では、高さが０．８５μ
ｍのＡｌ配線（図示せず）が０．３０〜２０μｍの間隔
で形成されているＳｉウェハ１４上に、図示されていな
い別のチャンバ内で、ＳｉＨ4 とＨ2 Ｏ2 とを反応ガス
として用いて０℃の温度で、Ａｌ配線間を埋め込む様に
０．８μｍの膜厚のＳｉＯ2 膜１５を形成する。
ｍのＡｌ配線（図示せず）が０．３０〜２０μｍの間隔
で形成されているＳｉウェハ１４上に、図示されていな
い別のチャンバ内で、ＳｉＨ4 とＨ2 Ｏ2 とを反応ガス
として用いて０℃の温度で、Ａｌ配線間を埋め込む様に
０．８μｍの膜厚のＳｉＯ2 膜１５を形成する。
【００２４】ＳｉＯ2 膜１５を形成した後のＳｉウェハ
１４は、図１のウェハステージ１１を有するチャンバ
（図示せず）内へ真空搬送で移送する。しかし、移送し
てきたＳｉウェハ１４は、ウェハステージ１１上に直接
には載置せず、ウェハステージ１１から２ｍｍだけ上昇
させた状態のリフトピン１３上に載置する。
１４は、図１のウェハステージ１１を有するチャンバ
（図示せず）内へ真空搬送で移送する。しかし、移送し
てきたＳｉウェハ１４は、ウェハステージ１１上に直接
には載置せず、ウェハステージ１１から２ｍｍだけ上昇
させた状態のリフトピン１３上に載置する。
【００２５】ウェハステージ１１を有するチャンバ内へ
真空搬送されてきた時のＳｉウェハ１４は９℃であった
が、ウェハステージ１１をヒータ１２で３５０℃に加熱
してあるので、リフトピン１３上で４分間保持すること
によってＳｉウェハ１４が約２００℃まで昇温した。
真空搬送されてきた時のＳｉウェハ１４は９℃であった
が、ウェハステージ１１をヒータ１２で３５０℃に加熱
してあるので、リフトピン１３上で４分間保持すること
によってＳｉウェハ１４が約２００℃まで昇温した。
【００２６】その後、リフトピン１３を下降させてＳｉ
ウェハ１４をウェハステージ１１に接触させた状態で、
ＳｉＨ4 とＮ2 Ｏとを反応ガスとして用いる３５０℃の
温度のプラズマＣＶＤ法で、０．５μｍの膜厚のＳｉＯ
2 膜（図示せず）をＳｉＯ2膜１５上に形成した。
ウェハ１４をウェハステージ１１に接触させた状態で、
ＳｉＨ4 とＮ2 Ｏとを反応ガスとして用いる３５０℃の
温度のプラズマＣＶＤ法で、０．５μｍの膜厚のＳｉＯ
2 膜（図示せず）をＳｉＯ2膜１５上に形成した。
【００２７】ところで、０℃の温度で形成したＳｉＯ2
膜１５は、ＳｉＨ4 とＨ2 Ｏ2 との反応を利用している
ので、膜中に大量のＨ2 Ｏを含んでいる。このため、Ｓ
ｉＯ2 膜１５を１０℃前後の温度に保持した状態でＳｉ
ウェハ１４をウェハステージ１１上に直接に載置する
と、ＳｉＯ2 膜１５の温度が急激に変化し、ＳｉＯ2 膜
１５中のＨ2 Ｏが大量に離脱して、ＳｉＯ2 膜１５にク
ラックが生じる。
膜１５は、ＳｉＨ4 とＨ2 Ｏ2 との反応を利用している
ので、膜中に大量のＨ2 Ｏを含んでいる。このため、Ｓ
ｉＯ2 膜１５を１０℃前後の温度に保持した状態でＳｉ
ウェハ１４をウェハステージ１１上に直接に載置する
と、ＳｉＯ2 膜１５の温度が急激に変化し、ＳｉＯ2 膜
１５中のＨ2 Ｏが大量に離脱して、ＳｉＯ2 膜１５にク
ラックが生じる。
【００２８】しかも、Ａｌ配線には０．３０μｍという
狭い間隔が存在しているので、ＳｉＯ2 膜１５には特に
クラックが生じ易い。しかし、以上の第１実施形態で
は、リフトピン１３で保持してＳｉウェハ１４を予め加
熱しているので、Ａｌ配線間の０．３０μｍという狭い
間隔にも、クラックを生じさせることなくＳｉＯ2 膜を
埋め込むことができた。
狭い間隔が存在しているので、ＳｉＯ2 膜１５には特に
クラックが生じ易い。しかし、以上の第１実施形態で
は、リフトピン１３で保持してＳｉウェハ１４を予め加
熱しているので、Ａｌ配線間の０．３０μｍという狭い
間隔にも、クラックを生じさせることなくＳｉＯ2 膜を
埋め込むことができた。
【００２９】図２が、第２実施形態で使用する膜形成装
置の一部を示している。この膜形成装置のチャンバ２１
の天面にはガス導入口２２とこのガス導入口２２を囲む
シャワーヘッド２３とが設けられており、チャンバ２１
の側面にはゲートバルブ２４が設けられている。また、
チャンバ２１内におけるウェハステージ２５にとはリフ
トピン２６が付属している。
置の一部を示している。この膜形成装置のチャンバ２１
の天面にはガス導入口２２とこのガス導入口２２を囲む
シャワーヘッド２３とが設けられており、チャンバ２１
の側面にはゲートバルブ２４が設けられている。また、
チャンバ２１内におけるウェハステージ２５にとはリフ
トピン２６が付属している。
【００３０】この第２実施形態では、高さが０．８５μ
ｍのＡｌ配線（図示せず）が０．３０〜２０μｍの間隔
で形成されているＳｉウェハ２７をウェハステージ２５
上に載置し、このウェハステージ２５を０℃に維持し、
ＳｉＨ4 とＨ2 Ｏ2 とを反応ガスとして用いて、０．９
μｍの膜厚のＳｉＯ2 膜（図示せず）を形成する。
ｍのＡｌ配線（図示せず）が０．３０〜２０μｍの間隔
で形成されているＳｉウェハ２７をウェハステージ２５
上に載置し、このウェハステージ２５を０℃に維持し、
ＳｉＨ4 とＨ2 Ｏ2 とを反応ガスとして用いて、０．９
μｍの膜厚のＳｉＯ2 膜（図示せず）を形成する。
【００３１】その後、ウェハステージ２５から１ｍｍだ
けリフトピン２６を上昇させ、Ｓｉウェハ２７をウェハ
ステージ２５から離間させる。そして、この状態で、ガ
ス導入口２２からＮ2 ガスを１５００ｓｃｃｍで導入
し、１５０℃に加熱されているシャワーヘッド２３から
このＮ2 ガスをＳｉウェハ２７に向かって噴出させて、
チャンバ２１内の圧力を２Ｔｏｒｒに保持した。
けリフトピン２６を上昇させ、Ｓｉウェハ２７をウェハ
ステージ２５から離間させる。そして、この状態で、ガ
ス導入口２２からＮ2 ガスを１５００ｓｃｃｍで導入
し、１５０℃に加熱されているシャワーヘッド２３から
このＮ2 ガスをＳｉウェハ２７に向かって噴出させて、
チャンバ２１内の圧力を２Ｔｏｒｒに保持した。
【００３２】この結果、Ｓｉウェハ２７が３分間で０℃
から１２０℃まで昇温した。その後、ゲートバルブ２４
を開き、図示されていない別のチャンバへＳｉウェハ２
７を移送し、ＳｉＨ4 とＮ2 Ｏとを反応ガスとして用い
る３５０℃の温度のプラズマＣＶＤ法で、０．３μｍの
膜厚のＳｉＯ2 膜（図示せず）を更に形成した。
から１２０℃まで昇温した。その後、ゲートバルブ２４
を開き、図示されていない別のチャンバへＳｉウェハ２
７を移送し、ＳｉＨ4 とＮ2 Ｏとを反応ガスとして用い
る３５０℃の温度のプラズマＣＶＤ法で、０．３μｍの
膜厚のＳｉＯ2 膜（図示せず）を更に形成した。
【００３３】以上の第２実施形態でも、０℃の温度で形
成したＳｉＯ2 膜は膜中に大量のＨ2 Ｏを含んでおり、
しかも、Ａｌ配線には０．３０μｍという狭い間隔が存
在しているので、このＳｉＯ2 膜を形成した直後に、３
５０℃の温度のプラズマＣＶＤを行う別のチャンバまで
真空搬送してそのチャンバ内のウェハステージ上にＳｉ
ウェハ２７を直接に載置すると、０℃の温度で形成した
ＳｉＯ2 膜にクラックが生じる。
成したＳｉＯ2 膜は膜中に大量のＨ2 Ｏを含んでおり、
しかも、Ａｌ配線には０．３０μｍという狭い間隔が存
在しているので、このＳｉＯ2 膜を形成した直後に、３
５０℃の温度のプラズマＣＶＤを行う別のチャンバまで
真空搬送してそのチャンバ内のウェハステージ上にＳｉ
ウェハ２７を直接に載置すると、０℃の温度で形成した
ＳｉＯ2 膜にクラックが生じる。
【００３４】しかし、以上の第２実施形態では、ガス導
入口２２及びシャワーヘッド２３からのガスでＳｉウェ
ハ２７を予め加熱しているので、Ａｌ配線間の０．３０
μｍという狭い間隔にも、クラックを生じさせることな
くＳｉＯ2 膜を埋め込むことができた。
入口２２及びシャワーヘッド２３からのガスでＳｉウェ
ハ２７を予め加熱しているので、Ａｌ配線間の０．３０
μｍという狭い間隔にも、クラックを生じさせることな
くＳｉＯ2 膜を埋め込むことができた。
【００３５】なお、上述の第１実施形態では、リフトピ
ン１３上でＳｉウェハ１４を４分間保持したが、５秒以
上保持すれば効果がある。また、上述の第１及び第２実
施形態では、低温で膜を形成した後に高温で膜を形成す
る前にＳｉウェハ１４、２７を予め加熱したが、逆に、
高温で膜を形成した後に低温で膜を形成する前にＳｉウ
ェハ１４、２７を予め冷却してもよい。
ン１３上でＳｉウェハ１４を４分間保持したが、５秒以
上保持すれば効果がある。また、上述の第１及び第２実
施形態では、低温で膜を形成した後に高温で膜を形成す
る前にＳｉウェハ１４、２７を予め加熱したが、逆に、
高温で膜を形成した後に低温で膜を形成する前にＳｉウ
ェハ１４、２７を予め冷却してもよい。
【００３６】また、上述の第１及び第２実施形態では、
リフトピン１３、２６でＳｉウェハ１４、２７を持ち上
げたが、リフトピン１３、２６以外の手段でＳｉウェハ
１４、２７を持ち上げてもよい。また、上述の第１及び
第２実施形態では、膜中に水分が含まれている場合につ
いて説明したが、水分以外の溶媒が膜中に含まれている
場合にも、予め加熱または冷却を行うことによって、膜
のクラックを防止することができる。
リフトピン１３、２６でＳｉウェハ１４、２７を持ち上
げたが、リフトピン１３、２６以外の手段でＳｉウェハ
１４、２７を持ち上げてもよい。また、上述の第１及び
第２実施形態では、膜中に水分が含まれている場合につ
いて説明したが、水分以外の溶媒が膜中に含まれている
場合にも、予め加熱または冷却を行うことによって、膜
のクラックを防止することができる。
【００３７】また、上述の第２実施形態では、チャンバ
２１内にガスを導入してＳｉウェハ２７を加熱したが、
チャンバ２１内でプラズマを発生させれば、既に形成さ
れているＳｉＯ2 膜中の水分や溶媒をプラズマで除去す
ることができ、イオンによる衝撃効果の分だけガスより
もプラズマの方が昇温効果も高いので、既に形成されて
いるＳｉＯ2 膜の膜質を改善しつつ、ＳｉＯ2 膜のクラ
ックを防止することができる。
２１内にガスを導入してＳｉウェハ２７を加熱したが、
チャンバ２１内でプラズマを発生させれば、既に形成さ
れているＳｉＯ2 膜中の水分や溶媒をプラズマで除去す
ることができ、イオンによる衝撃効果の分だけガスより
もプラズマの方が昇温効果も高いので、既に形成されて
いるＳｉＯ2 膜の膜質を改善しつつ、ＳｉＯ2 膜のクラ
ックを防止することができる。
【００３８】また、上述の第１及び第２実施形態では、
チャンバ２１内でＳｉウェハ１４、２７を予め加熱して
いるが、チャンバ２１間の搬送経路上でＳｉウェハ１
４、２７を予め加熱または冷却してもよく、特にランプ
による非接触の加熱を行えば、搬送経路上を移動させつ
つＳｉウェハ１４、２７を加熱することができる。
チャンバ２１内でＳｉウェハ１４、２７を予め加熱して
いるが、チャンバ２１間の搬送経路上でＳｉウェハ１
４、２７を予め加熱または冷却してもよく、特にランプ
による非接触の加熱を行えば、搬送経路上を移動させつ
つＳｉウェハ１４、２７を加熱することができる。
【００３９】また、上述の第１及び第２実施形態は２層
のＳｉＯ2 膜の形成に本願の発明を適用したものである
が、２層以外のＳｉＯ2 膜やＳｉＯ2 膜以外の膜の形成
にも本願の発明を適用することができる。更に、膜を形
成するために上述の第１及び第２実施形態で用いた温度
以外の温度を用いることもできる。
のＳｉＯ2 膜の形成に本願の発明を適用したものである
が、２層以外のＳｉＯ2 膜やＳｉＯ2 膜以外の膜の形成
にも本願の発明を適用することができる。更に、膜を形
成するために上述の第１及び第２実施形態で用いた温度
以外の温度を用いることもできる。
【００４０】
【発明の効果】請求項１の膜の形成方法では、基板を載
置台から離間させるのみで載置台に対向させた状態で保
持しない場合よりは緩やかであるが、載置台自体の温度
を変更する場合よりは速やかに、膜が形成された後の基
板を徐々に冷却または加熱することができるので、クラ
ックのない膜を効率的に形成することができる。
置台から離間させるのみで載置台に対向させた状態で保
持しない場合よりは緩やかであるが、載置台自体の温度
を変更する場合よりは速やかに、膜が形成された後の基
板を徐々に冷却または加熱することができるので、クラ
ックのない膜を効率的に形成することができる。
【００４１】請求項２の膜の形成方法では、追加の機構
を設けることなく、膜が形成された後の基板を徐々に冷
却または加熱することができるので、コストを増大させ
ることなくクラックのない膜を効率的に形成することが
できる。
を設けることなく、膜が形成された後の基板を徐々に冷
却または加熱することができるので、コストを増大させ
ることなくクラックのない膜を効率的に形成することが
できる。
【００４２】請求項３の膜の形成方法では、基板上に形
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、基
板を載置台に直ちに載置する場合よりは緩やかである
が、載置台自体の温度を変更する場合よりは速やかに、
膜が既に形成されている基板を徐々に加熱または冷却す
ることができるので、クラックのない複数層の膜を効率
的に形成することができる。
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、基
板を載置台に直ちに載置する場合よりは緩やかである
が、載置台自体の温度を変更する場合よりは速やかに、
膜が既に形成されている基板を徐々に加熱または冷却す
ることができるので、クラックのない複数層の膜を効率
的に形成することができる。
【００４３】請求項４の膜の形成方法では、基板上に形
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、載
置台自体の温度を変更する場合よりは更に速やかに、膜
が既に形成されている基板を徐々に冷却または加熱する
ことができるので、クラックのない複数層の膜を更に効
率的に形成することができる。
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、載
置台自体の温度を変更する場合よりは更に速やかに、膜
が既に形成されている基板を徐々に冷却または加熱する
ことができるので、クラックのない複数層の膜を更に効
率的に形成することができる。
【００４４】請求項５の膜の形成方法では、基板上に形
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、既
に形成されている膜の膜質を改善しつつ、載置台自体の
温度を変更する場合よりも更に速やかに、膜が既に形成
されている基板を徐々に加熱することができるので、ク
ラックのない複数層の膜を更に効率的に形成することが
できる。
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、既
に形成されている膜の膜質を改善しつつ、載置台自体の
温度を変更する場合よりも更に速やかに、膜が既に形成
されている基板を徐々に加熱することができるので、ク
ラックのない複数層の膜を更に効率的に形成することが
できる。
【００４５】請求項６の膜の形成方法では、基板上に形
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、反
応室内でのみ基板を冷却または加熱する場合よりも更に
速やかに、膜が既に形成されている基板を徐々に冷却ま
たは加熱することができるので、クラックのない複数層
の膜を更に効率的に形成することができる。
成されている膜上に更に別の膜を形成するに際して、反
応室内でのみ基板を冷却または加熱する場合よりも更に
速やかに、膜が既に形成されている基板を徐々に冷却ま
たは加熱することができるので、クラックのない複数層
の膜を更に効率的に形成することができる。
【００４６】請求項７の膜の形成方法では、反応室間の
搬送経路上を移動させつつ基板を加熱することができる
ので、クラックのない複数層の膜を更に効率的に形成す
ることができる。
搬送経路上を移動させつつ基板を加熱することができる
ので、クラックのない複数層の膜を更に効率的に形成す
ることができる。
【図１】本願の発明の第１実施形態で使用する膜形成装
置の一部を示す概念図である。
置の一部を示す概念図である。
【図２】本願の発明の第２実施形態で使用する膜形成装
置の一部を示す概念図である。
置の一部を示す概念図である。
１１ ウェハステージ（載置台） １３ リフトピン（載置台に付属している機構） １４ Ｓｉウェハ（基板） １５ ＳｉＯ2 膜（膜） ２１ チャンバ（反応室） ２５ ウェハステージ（載置台） ２６ リフトピン（載置台に付属している機構） ２７ Ｓｉウェハ（基板）
Claims (7)
- 【請求項１】 載置台上に基板を載置した状態でこの基
板上に膜を形成する膜の形成方法において、 前記形成の後に前記基板を前記載置台から離間させ且つ
この載置台に対向させた状態で保持することを特徴とす
る膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記載置台に付属している機構によって
前記離間及び前記保持を行うことを特徴とする請求項１
記載の膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記膜を形成した反応室とは別の反応室
で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際して、前
記基板を前記別の反応室における前記載置台から離間さ
せ且つこの載置台に対向させた状態で保持することを特
徴とする請求項１記載の膜の形成方法。 - 【請求項４】 前記膜を形成した反応室とは別の反応室
で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際して、前
記反応室における前記載置台の温度よりも前記別の反応
室における前記載置台の温度に近い温度のガスを、前記
保持が行われている前記反応室内に供給することを特徴
とする請求項１記載の膜の形成方法。 - 【請求項５】 前記膜を形成した反応室とは別の反応室
で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際して、前
記保持が行われている前記反応室内でプラズマを発生さ
せることによって、この反応室内の温度を、この反応室
における前記載置台の温度よりも前記別の反応室におけ
る前記載置台の温度に近い温度にすることを特徴とする
請求項１記載の膜の形成方法。 - 【請求項６】 前記膜を形成した反応室とは別の反応室
で前記膜とは別の膜を前記膜上に形成するに際して、前
記反応室と前記別の反応室との間における前記基板の搬
送経路を、前記反応室における前記載置台の温度よりも
前記別の反応室における前記載置台の温度に近い温度に
制御することを特徴とする請求項１記載の膜の形成方
法。 - 【請求項７】 前記制御が昇温であって、ランプによる
加熱によって前記昇温を行うことを特徴とする請求項６
記載の膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12218296A JPH09289203A (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12218296A JPH09289203A (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289203A true JPH09289203A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14829613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12218296A Pending JPH09289203A (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09289203A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001203209A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-07-27 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | エピタキシャル層を有する半導体ウェハの製造方法 |
| JP2001250782A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Anelva Corp | 半導体製造装置における基板搭載方法および装置 |
| JP2003077863A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ成膜方法 |
| JP2010147503A (ja) * | 2010-03-15 | 2010-07-01 | Canon Anelva Corp | 基板搭載装置 |
-
1996
- 1996-04-19 JP JP12218296A patent/JPH09289203A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001203209A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-07-27 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | エピタキシャル層を有する半導体ウェハの製造方法 |
| JP2001250782A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Anelva Corp | 半導体製造装置における基板搭載方法および装置 |
| JP2003077863A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ成膜方法 |
| JP2010147503A (ja) * | 2010-03-15 | 2010-07-01 | Canon Anelva Corp | 基板搭載装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8196619B2 (en) | Load lock apparatus, processing system and substrate processing method | |
| US7700376B2 (en) | Edge temperature compensation in thermal processing particularly useful for SOI wafers | |
| KR0139793B1 (ko) | 막형성 방법 | |
| US7910862B2 (en) | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device with a sapphire substrate | |
| KR102118268B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
| JP2000323556A (ja) | エピタキシャルウェーハ製造装置 | |
| JP4815724B2 (ja) | シャワーヘッド構造及び成膜装置 | |
| JPH04257227A (ja) | 配線形成方法 | |
| JP3667038B2 (ja) | Ｃｖｄ成膜方法 | |
| US6054371A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device by detachably mounting substrates to a holder board | |
| US6642128B1 (en) | Method for high temperature oxidations to prevent oxide edge peeling | |
| JPH09289203A (ja) | 膜の形成方法 | |
| KR20030096732A (ko) | 반도체소자 제조용 화학기상증착장치의 쿨링 스테이지 | |
| US20120000423A1 (en) | Hdp-cvd system | |
| TWI598982B (zh) | 半導體製造裝置及製造方法 | |
| KR20230125560A (ko) | 가열 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
| JPS63119525A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP4503713B2 (ja) | 真空成膜法の基板冷却方法 | |
| KR100751627B1 (ko) | 가열 챔버의 단열 방법 및 장치 | |
| KR20060110582A (ko) | 기판 지지대 및 그 제조방법과 이를 이용하여 비정질실리콘의 증착과 탈수소 공정을 동일 챔버에서 진행하는기판의 가공방법 | |
| WO2021100107A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH02247384A (ja) | Ｃｖｄ方法 | |
| JP4157508B2 (ja) | Ｃｖｄ成膜方法 | |
| JP2006083406A (ja) | 基板処理装置、基板載置台および基板処理方法 | |
| JP2013187449A (ja) | エッチング装置 |