JP2001250782A - 半導体製造装置における基板搭載方法および装置 - Google Patents
半導体製造装置における基板搭載方法および装置Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱された処理台とこれに搭載される基板の
温度差が小さくなるようにして基板を処理台上に搭載
し、処理台上に堆積した薄膜の剥離を防止する。 【解決手段】 真空処理容器内に被処理基板１０を搬入
し加熱または冷却された処理台１３上に搭載して所定の
処理を施すコールドウォール型真空処理を行う半導体製
造装置に適用される基板搭載方法であり、被処理基板を
処理台上に搭載する前に例えば一時的に停止させる方法
である。一時停止を行うことで、被処理基板と処理台の
温度差が小さくなるようにする。被処理基板と処理台の
温度が小さくなると、例えば基板が処理台からの熱を受
けて熱膨張しても、その変化の度合いが小さくなり、処
理台の基板搭載面に堆積した膜の剥がれを少なくするこ
とが可能となる。
温度差が小さくなるようにして基板を処理台上に搭載
し、処理台上に堆積した薄膜の剥離を防止する。 【解決手段】 真空処理容器内に被処理基板１０を搬入
し加熱または冷却された処理台１３上に搭載して所定の
処理を施すコールドウォール型真空処理を行う半導体製
造装置に適用される基板搭載方法であり、被処理基板を
処理台上に搭載する前に例えば一時的に停止させる方法
である。一時停止を行うことで、被処理基板と処理台の
温度差が小さくなるようにする。被処理基板と処理台の
温度が小さくなると、例えば基板が処理台からの熱を受
けて熱膨張しても、その変化の度合いが小さくなり、処
理台の基板搭載面に堆積した膜の剥がれを少なくするこ
とが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おける基板搭載方法および装置に関し、特に、真空処理
容器内で処理される基板と基板搭載部との温度差が小さ
くなるようにした基板搭載方法および装置に関する。
おける基板搭載方法および装置に関し、特に、真空処理
容器内で処理される基板と基板搭載部との温度差が小さ
くなるようにした基板搭載方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空処理容器内に被処理基板（以下基板
という）を搬送して所定の処理を施す半導体製造装置と
しては、基板に薄膜を堆積させるスパッタリング装置や
ＣＶＤ（化学気相成長）装置、基板の薄膜をプラズマ等
を用いてエッチングを行うエッチング装置等が従来から
知られている。これらの半導体製造装置では、膜を堆積
させたり、膜をエッチングしたりすることから、本来意
図しない堆積膜や基板からのエッチング生成物が基板を
載置する処理台に付着することが広く知られている。
という）を搬送して所定の処理を施す半導体製造装置と
しては、基板に薄膜を堆積させるスパッタリング装置や
ＣＶＤ（化学気相成長）装置、基板の薄膜をプラズマ等
を用いてエッチングを行うエッチング装置等が従来から
知られている。これらの半導体製造装置では、膜を堆積
させたり、膜をエッチングしたりすることから、本来意
図しない堆積膜や基板からのエッチング生成物が基板を
載置する処理台に付着することが広く知られている。
【０００３】ＣＶＤ装置の例をとって従来技術を概説す
る。図９はＣＶＤ装置の概略縦断面図である。このＣＶ
Ｄ装置は、処理すべき基板のみを加熱するコールドウォ
ール型の真空処理装置である。このＣＶＤ装置では真空
処理容器は水冷容器１１で構成される。なお図で水冷容
器１１は断面で示されているが、水冷構造を有してい
る。真空処理容器内には、熱反射板１２と、後述のごと
く加熱源を内蔵した処理台１３が備えられている。従っ
て、処理されるべき基板のみが加熱される構造となって
いる。処理台１３は、上面が基板搭載面となっている基
板ホルダである。処理台１３には上下動自在の構造で取
りつけられた例えば３本のリフトピン１４が設けられて
いる。かかるリフトピン１４に対しては、リフトピン１
４を昇降させるリフトピン駆動機構１５、およびリフト
ピン駆動機構１５の動作を制御するコントローラ１６が
設けられる。リフトピン駆動機構１５は、複数本のリフ
トピン１４と連結された支柱１５ａと、支柱１５ａを取
付け支持する可動部１５ｂと、可動部１５ｂを昇降させ
る駆動部１５ｃとから構成されている。支柱１５ａは真
空処理容器の底壁を貫通して設けられているので、真空
処理容器の真空密閉性を保持しかつ支柱１５ａの昇降動
作に対応するように支柱１５ａはベローズ１５ｄで被わ
れている。処理される基板１０は搬送ロボット（図示せ
ず）によって搬送用出入り口１７を介して真空処理容器
内に搬入され、最初に上昇状態のリフトピン１４の上に
移載される。その後、リフトピン１４が降下することに
よって、基板１０は処理台１３の基板搭載面に載置され
る。処理台１３は内部にヒータ１８を内蔵しており、例
えば６００℃の一定温度に加熱されている。ヒータ１８
への給電機構、およびヒータ１８の温度を熱電対等を用
いて計測し給電機構による給電量を制御する制御機構の
図示は省略されている。なお上記真空処理容器は、内部
を所要の真空状態にするために側壁と底壁に例えばター
ボ分子ポンプ１９，２０が付設されている。真空処理容
器の内部は処理台１３の上側に位置する上室と、下側に
位置する下室とに分けられる。ターボ分子ポンプ１９，
２０はそれぞれ上室と下室を所要のレベルまで排気す
る。
る。図９はＣＶＤ装置の概略縦断面図である。このＣＶ
Ｄ装置は、処理すべき基板のみを加熱するコールドウォ
ール型の真空処理装置である。このＣＶＤ装置では真空
処理容器は水冷容器１１で構成される。なお図で水冷容
器１１は断面で示されているが、水冷構造を有してい
る。真空処理容器内には、熱反射板１２と、後述のごと
く加熱源を内蔵した処理台１３が備えられている。従っ
て、処理されるべき基板のみが加熱される構造となって
いる。処理台１３は、上面が基板搭載面となっている基
板ホルダである。処理台１３には上下動自在の構造で取
りつけられた例えば３本のリフトピン１４が設けられて
いる。かかるリフトピン１４に対しては、リフトピン１
４を昇降させるリフトピン駆動機構１５、およびリフト
ピン駆動機構１５の動作を制御するコントローラ１６が
設けられる。リフトピン駆動機構１５は、複数本のリフ
トピン１４と連結された支柱１５ａと、支柱１５ａを取
付け支持する可動部１５ｂと、可動部１５ｂを昇降させ
る駆動部１５ｃとから構成されている。支柱１５ａは真
空処理容器の底壁を貫通して設けられているので、真空
処理容器の真空密閉性を保持しかつ支柱１５ａの昇降動
作に対応するように支柱１５ａはベローズ１５ｄで被わ
れている。処理される基板１０は搬送ロボット（図示せ
ず）によって搬送用出入り口１７を介して真空処理容器
内に搬入され、最初に上昇状態のリフトピン１４の上に
移載される。その後、リフトピン１４が降下することに
よって、基板１０は処理台１３の基板搭載面に載置され
る。処理台１３は内部にヒータ１８を内蔵しており、例
えば６００℃の一定温度に加熱されている。ヒータ１８
への給電機構、およびヒータ１８の温度を熱電対等を用
いて計測し給電機構による給電量を制御する制御機構の
図示は省略されている。なお上記真空処理容器は、内部
を所要の真空状態にするために側壁と底壁に例えばター
ボ分子ポンプ１９，２０が付設されている。真空処理容
器の内部は処理台１３の上側に位置する上室と、下側に
位置する下室とに分けられる。ターボ分子ポンプ１９，
２０はそれぞれ上室と下室を所要のレベルまで排気す
る。
【０００４】基板１０が処理台１３の基板搭載面に搭載
された後、基板１０の温度が処理台１３の温度に近づき
安定するための加熱安定時間１８０秒を経た後に、ガス
ノズル２１から熱分解性ガスであるＳｉ2 Ｈ6 ガスを例
えば１２sccm導入する。これにより、加熱された基板１
０上にＳｉ膜が堆積する。真空処理容器の内壁は水冷容
器１１内を循環する水によって水温程度になるように温
度調節されているから、この部分でＳｉ2 Ｈ6 ガスが熱
分解を起こすことはなく、よってＳｉ膜も堆積すること
はない。他方、処理台１３はヒータ１８により６００℃
に加熱されているから、この部分にはＳｉ膜が堆積され
ることになる。処理台１３に堆積するＳｉ膜は基板１０
の処理枚数を重ねるに従ってその膜厚が増大する。
された後、基板１０の温度が処理台１３の温度に近づき
安定するための加熱安定時間１８０秒を経た後に、ガス
ノズル２１から熱分解性ガスであるＳｉ2 Ｈ6 ガスを例
えば１２sccm導入する。これにより、加熱された基板１
０上にＳｉ膜が堆積する。真空処理容器の内壁は水冷容
器１１内を循環する水によって水温程度になるように温
度調節されているから、この部分でＳｉ2 Ｈ6 ガスが熱
分解を起こすことはなく、よってＳｉ膜も堆積すること
はない。他方、処理台１３はヒータ１８により６００℃
に加熱されているから、この部分にはＳｉ膜が堆積され
ることになる。処理台１３に堆積するＳｉ膜は基板１０
の処理枚数を重ねるに従ってその膜厚が増大する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来のＣＶＤ装
置において基板の処理枚数を重ねるに従って膜厚が増し
たＳｉ膜は、基板の熱膨張によって発生する熱応力を受
け、堆積した表面から容易に剥離することが経験的に知
られている。
置において基板の処理枚数を重ねるに従って膜厚が増し
たＳｉ膜は、基板の熱膨張によって発生する熱応力を受
け、堆積した表面から容易に剥離することが経験的に知
られている。
【０００６】基板の熱膨脹によってＳｉ膜が剥離するメ
カニズムを図１０を参照して説明する。前述のごとく処
理台１３はヒータ１８によって６００℃に加熱されてい
る。これに対して、真空処理容器に搬送ロボットで搬入
され、処理台１３に搭載された基板１０は、処理台１３
に比較して非常に低い温度で処理台の基板搭載面に載置
される。また処理台１３の上でかつ基板１０の外周部分
にはＳｉ膜２２が堆積している。上記の状態の基板１０
は、処理台１３からの熱量を受けることによって加熱さ
れ、処理台１３の温度付近まで温度上昇する。ここで基
板１０が真空処理容器内に搬入された時点で室温である
場合について述べる。処理台１３上に載置された基板１
０は、処理台１３から熱量を受けることによって急激に
加熱されることになる。被処理基板が例えばシリコン基
板である場合、基板の直径を２００ｍｍ、線膨脹係数を
４．１×１０-6／℃とすると、基板が室温２５℃から６
００℃まで加熱される間に、当該基板は２００［ｍｍ］
×４．１×１０-6［１／℃］×（６００−２５）［℃］
＝０．４７［ｍｍ］だけ膨脹することとなる。このと
き、基板１０が処理台１３の基板搭載面上を摺動するた
め、処理台１３の上に堆積したＳｉ膜２２に力を加え、
剥離を促すと考えられる。
カニズムを図１０を参照して説明する。前述のごとく処
理台１３はヒータ１８によって６００℃に加熱されてい
る。これに対して、真空処理容器に搬送ロボットで搬入
され、処理台１３に搭載された基板１０は、処理台１３
に比較して非常に低い温度で処理台の基板搭載面に載置
される。また処理台１３の上でかつ基板１０の外周部分
にはＳｉ膜２２が堆積している。上記の状態の基板１０
は、処理台１３からの熱量を受けることによって加熱さ
れ、処理台１３の温度付近まで温度上昇する。ここで基
板１０が真空処理容器内に搬入された時点で室温である
場合について述べる。処理台１３上に載置された基板１
０は、処理台１３から熱量を受けることによって急激に
加熱されることになる。被処理基板が例えばシリコン基
板である場合、基板の直径を２００ｍｍ、線膨脹係数を
４．１×１０-6／℃とすると、基板が室温２５℃から６
００℃まで加熱される間に、当該基板は２００［ｍｍ］
×４．１×１０-6［１／℃］×（６００−２５）［℃］
＝０．４７［ｍｍ］だけ膨脹することとなる。このと
き、基板１０が処理台１３の基板搭載面上を摺動するた
め、処理台１３の上に堆積したＳｉ膜２２に力を加え、
剥離を促すと考えられる。
【０００７】上記のごとく剥離したＳｉ膜は、基板上に
異物として飛散することとなり、基板に本来目的としな
い欠陥を引き起こす。そこで、この剥離を抑制するため
に、従来、例えば処理台１３の温度を十分に下げてお
き、基板１０を載置した後に十分に時間をかけて所定の
温度まで加熱することによって剥離を抑制することがな
されてきた。しかし、この方法では基板１０を所定温度
にするまでに多大な時間を要し、生産性を著しく低下さ
せるという欠点があった。以上の問題は、処理台が冷却
された状態（または低い温度状態）にあり、この処理台
に対して基板の温度が相対的に高い場合にも同様に起こ
り得る問題である。
異物として飛散することとなり、基板に本来目的としな
い欠陥を引き起こす。そこで、この剥離を抑制するため
に、従来、例えば処理台１３の温度を十分に下げてお
き、基板１０を載置した後に十分に時間をかけて所定の
温度まで加熱することによって剥離を抑制することがな
されてきた。しかし、この方法では基板１０を所定温度
にするまでに多大な時間を要し、生産性を著しく低下さ
せるという欠点があった。以上の問題は、処理台が冷却
された状態（または低い温度状態）にあり、この処理台
に対して基板の温度が相対的に高い場合にも同様に起こ
り得る問題である。
【０００８】本発明の目的は、上記の問題を解決するこ
とにあり、加熱または冷却された処理台と、処理台に搭
載される基板の温度差が小さくなるようにして当該基板
を処理台上に搭載し、処理台上に堆積した薄膜の剥離を
防止することを企図した半導体製造装置における基板搭
載方法および装置を提供することにある。
とにあり、加熱または冷却された処理台と、処理台に搭
載される基板の温度差が小さくなるようにして当該基板
を処理台上に搭載し、処理台上に堆積した薄膜の剥離を
防止することを企図した半導体製造装置における基板搭
載方法および装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】本発明に係る
半導体製造装置における基板搭載方法および装置は、上
記目的を達成するために、次のように構成される。
半導体製造装置における基板搭載方法および装置は、上
記目的を達成するために、次のように構成される。
【００１０】第１の基板搭載方法（請求項１に対応）
は、真空処理容器内に被処理基板を搬入し加熱または冷
却された処理台上に搭載して所定の処理を施すコールド
ウォール型真空処理を行う半導体製造装置に適用される
基板搭載方法であり、被処理基板を処理台上に搭載する
前に、被処理基板の下降で、被処理基板の搭載時におけ
る処理台と被処理基板の温度差が所定温度以内になるよ
うに十分な時間を経過させるようにした方法である。十
分な時間を経過させる方法しては、例えば被処理基板を
一時的に停止させることがある。このように例えば一時
停止を行うことで、被処理基板と処理台の温度差が小さ
くなるようにする。被処理基板と処理台の温度が小さく
なり、所定温度以内（加熱の場合には好ましくは１５０
℃以内）になると、例えば基板が処理台からの熱を受け
て熱膨張しても、その変化の度合いが小さくなり、処理
台の基板搭載面に堆積した膜の剥がれを少なくすること
ができる。
は、真空処理容器内に被処理基板を搬入し加熱または冷
却された処理台上に搭載して所定の処理を施すコールド
ウォール型真空処理を行う半導体製造装置に適用される
基板搭載方法であり、被処理基板を処理台上に搭載する
前に、被処理基板の下降で、被処理基板の搭載時におけ
る処理台と被処理基板の温度差が所定温度以内になるよ
うに十分な時間を経過させるようにした方法である。十
分な時間を経過させる方法しては、例えば被処理基板を
一時的に停止させることがある。このように例えば一時
停止を行うことで、被処理基板と処理台の温度差が小さ
くなるようにする。被処理基板と処理台の温度が小さく
なり、所定温度以内（加熱の場合には好ましくは１５０
℃以内）になると、例えば基板が処理台からの熱を受け
て熱膨張しても、その変化の度合いが小さくなり、処理
台の基板搭載面に堆積した膜の剥がれを少なくすること
ができる。
【００１１】第２の基板搭載方法は（請求項２に対応）
は、上記の基本的な前提構成を有する半導体製造装置に
おいて、さらにより具体的な構成を提供するもので、上
記処理台に対して処理基板の搭載を行うためのリフトピ
ンと、当該リフトピンを昇降させる駆動装置が設けられ
ており、真空処理容器内に搬入された基板はリフトピン
に移載され、このリフトピンが下降することにより処理
台に搭載される方法である。搬送ロボットにより真空処
理容器内に搬入された被処理基板は、上方位置に移動し
たリフトピンの上に移載され、リフトピンを下降させる
ときに、被処理基板の搭載時における処理台と被処理基
板の温度差が所定温度以内になるように十分な時間を経
過させ、その後に処理台上に被処理基板を搭載するよう
にした。例えば、下降の途中で、被処理基板を位置的に
停止させることにより、基板と処理台の温度差を所定レ
ベル以下に小さくする。
は、上記の基本的な前提構成を有する半導体製造装置に
おいて、さらにより具体的な構成を提供するもので、上
記処理台に対して処理基板の搭載を行うためのリフトピ
ンと、当該リフトピンを昇降させる駆動装置が設けられ
ており、真空処理容器内に搬入された基板はリフトピン
に移載され、このリフトピンが下降することにより処理
台に搭載される方法である。搬送ロボットにより真空処
理容器内に搬入された被処理基板は、上方位置に移動し
たリフトピンの上に移載され、リフトピンを下降させる
ときに、被処理基板の搭載時における処理台と被処理基
板の温度差が所定温度以内になるように十分な時間を経
過させ、その後に処理台上に被処理基板を搭載するよう
にした。例えば、下降の途中で、被処理基板を位置的に
停止させることにより、基板と処理台の温度差を所定レ
ベル以下に小さくする。
【００１２】上記の各基板搭載方法において、好ましく
は、下降の途中で被処理基板を一時的に停止させること
を特徴とする（請求項３に対応）。またリフトピンを下
降させ、処理台の上方で一時的に停止するときには、そ
の位置は処理台の上方１〜５０ｍｍの範囲に含まれるこ
とが好ましい（請求項４に対応）。さらに上記の基板搭
載方法において、好ましくは、被処理基板を一定の下降
速度で下降させ、その下降時間は１〜３６０秒の範囲に
含まれることを特徴とする（請求項５に対応）。さらに
上記の基板搭載方法において、好ましくは、被処理基板
が未処理シリコン基板である場合にはその下降時間は５
〜１８０秒の範囲に含まれるようにすることを特徴と
し、また被処理基板が実デバイス基板である場合にはそ
の下降時間は１〜１８０秒の範囲に含まれることを特徴
とする（請求項６に対応）。またリフトピンの下降動作
は２回以上に分けて行われることが好ましい（請求項７
に対応）。本発明に係る半導体製造装置における基板搭
載方法は、被処理基板を処理台上に搭載する時において
両者の温度差が所定温度以内に含まれるごとく小さくな
るように搭載の仕方を制御することに特徴があるが、例
えば処理台が加熱されているときには、その温度差とし
ては基板搭載面に堆積したシリコン膜の剥離を有効に防
止する観点から１５０℃以内であることが好ましい（請
求項８に対応）。
は、下降の途中で被処理基板を一時的に停止させること
を特徴とする（請求項３に対応）。またリフトピンを下
降させ、処理台の上方で一時的に停止するときには、そ
の位置は処理台の上方１〜５０ｍｍの範囲に含まれるこ
とが好ましい（請求項４に対応）。さらに上記の基板搭
載方法において、好ましくは、被処理基板を一定の下降
速度で下降させ、その下降時間は１〜３６０秒の範囲に
含まれることを特徴とする（請求項５に対応）。さらに
上記の基板搭載方法において、好ましくは、被処理基板
が未処理シリコン基板である場合にはその下降時間は５
〜１８０秒の範囲に含まれるようにすることを特徴と
し、また被処理基板が実デバイス基板である場合にはそ
の下降時間は１〜１８０秒の範囲に含まれることを特徴
とする（請求項６に対応）。またリフトピンの下降動作
は２回以上に分けて行われることが好ましい（請求項７
に対応）。本発明に係る半導体製造装置における基板搭
載方法は、被処理基板を処理台上に搭載する時において
両者の温度差が所定温度以内に含まれるごとく小さくな
るように搭載の仕方を制御することに特徴があるが、例
えば処理台が加熱されているときには、その温度差とし
ては基板搭載面に堆積したシリコン膜の剥離を有効に防
止する観点から１５０℃以内であることが好ましい（請
求項８に対応）。
【００１３】本発明に係る半導体製造装置における基板
搬送装置（請求項９に対応）は、真空処理容器内に被処
理基板を搬入し、真空処理容器内に設置される加熱また
は冷却された処理台上に被処理基板を搭載して所定の処
理を施し、処理台に対して被処理基板の搭載のためのリ
フトピンとこのリフトピンを昇降させる駆動装置が設け
られる半導体製造装置に適用され、被処理基板の温度を
計測する第１温度計と、処理台の温度を計測する第２温
度計と、第１温度計と第２温度計が出力する各信号を入
力し、被処理基板と処理台の温度情報に基づいて、リフ
トピンを下降させるときに、被処理基板の搭載時におけ
る処理台と被処理基板の温度差が所定温度以内になるよ
うに十分な時間を経過させ、その後に処理台上に被処理
基板を搭載するように駆動装置の動作を制御する制御装
置とを備えて構成される。上記の所定温度は、処理台が
加熱されている場合には、１５０℃であることを特徴と
する（請求項１０に対応）。
搬送装置（請求項９に対応）は、真空処理容器内に被処
理基板を搬入し、真空処理容器内に設置される加熱また
は冷却された処理台上に被処理基板を搭載して所定の処
理を施し、処理台に対して被処理基板の搭載のためのリ
フトピンとこのリフトピンを昇降させる駆動装置が設け
られる半導体製造装置に適用され、被処理基板の温度を
計測する第１温度計と、処理台の温度を計測する第２温
度計と、第１温度計と第２温度計が出力する各信号を入
力し、被処理基板と処理台の温度情報に基づいて、リフ
トピンを下降させるときに、被処理基板の搭載時におけ
る処理台と被処理基板の温度差が所定温度以内になるよ
うに十分な時間を経過させ、その後に処理台上に被処理
基板を搭載するように駆動装置の動作を制御する制御装
置とを備えて構成される。上記の所定温度は、処理台が
加熱されている場合には、１５０℃であることを特徴と
する（請求項１０に対応）。
【００１４】次に、上記の本発明に係る基板搭載方法お
よび装置の考えに至った過程を説明する。図５に基板の
処理を繰り返した場合の異物数の測定結果を示す。図５
において横軸は被処理基板の処理枚数、縦軸は異物数で
ある。従来の基板搭載方法の場合（グラフＡ）には、基
板の処理枚数が２０００枚を越えるあたりから異物数は
１０個を越えていることが判る。そこで本発明者らは、
従来方法による上記現象を分析するために、真空処理容
器内に搬送された基板の温度変化と処理台へ載置するま
での時間を変化させた場合の異物数を測定した。
よび装置の考えに至った過程を説明する。図５に基板の
処理を繰り返した場合の異物数の測定結果を示す。図５
において横軸は被処理基板の処理枚数、縦軸は異物数で
ある。従来の基板搭載方法の場合（グラフＡ）には、基
板の処理枚数が２０００枚を越えるあたりから異物数は
１０個を越えていることが判る。そこで本発明者らは、
従来方法による上記現象を分析するために、真空処理容
器内に搬送された基板の温度変化と処理台へ載置するま
での時間を変化させた場合の異物数を測定した。
【００１５】図６は真空処理容器内に搬送した後の基板
（シリコンベア基板）の温度変化について放射温度計を
利用して測定した結果を示す。図６において横軸は基板
をリフトピンに移載してからの経過時間、縦軸は放射温
度計を用いて測定した基板の温度を示す。ここで図中Ｃ
は基板が処理台に載置された時の時刻を示す。図６にお
いて、グラフＤはシリコンベア基板（処理前シリコン基
板）の場合の温度変化を示し、グラフＥは実デバイス基
板（シリコン以外の処理前基板または処理済シリコン基
板）の場合の温度変化を示す。図６から基板が処理台に
載置された時の時刻Ｃにおいては、被処理基板１の温度
は４００℃以下であることが判る。グラフＤではおよそ
１２０秒ぐらいで温度が４００℃を超えかつ１８０秒程
度で安定し、グラフＥでは載置した後５秒程度で温度が
立ちあがっている。ここで用いた放射温度計（光学パイ
ロメータ等）の測定範囲は４００℃から７００℃の間で
あり、４００℃以下の温度は測定することができなかっ
た。なお図６のグラフＤで示した特性は基板の厚みに応
じて変化し、例えば基板が厚くなると、安定した状態に
なるまでに３６０秒程度を要する場合もある。
（シリコンベア基板）の温度変化について放射温度計を
利用して測定した結果を示す。図６において横軸は基板
をリフトピンに移載してからの経過時間、縦軸は放射温
度計を用いて測定した基板の温度を示す。ここで図中Ｃ
は基板が処理台に載置された時の時刻を示す。図６にお
いて、グラフＤはシリコンベア基板（処理前シリコン基
板）の場合の温度変化を示し、グラフＥは実デバイス基
板（シリコン以外の処理前基板または処理済シリコン基
板）の場合の温度変化を示す。図６から基板が処理台に
載置された時の時刻Ｃにおいては、被処理基板１の温度
は４００℃以下であることが判る。グラフＤではおよそ
１２０秒ぐらいで温度が４００℃を超えかつ１８０秒程
度で安定し、グラフＥでは載置した後５秒程度で温度が
立ちあがっている。ここで用いた放射温度計（光学パイ
ロメータ等）の測定範囲は４００℃から７００℃の間で
あり、４００℃以下の温度は測定することができなかっ
た。なお図６のグラフＤで示した特性は基板の厚みに応
じて変化し、例えば基板が厚くなると、安定した状態に
なるまでに３６０秒程度を要する場合もある。
【００１６】図７は、基板の処理を繰返し処理台上に十
分にＳｉ膜を堆積させた後に、基板をリフトピンに移載
してから処理台に載置するまでの時間を変化させて異物
数を測定した結果を示す。処理台に載置するまでの時間
は、リフトピンの下降を処理台に近い位置で停止させる
ことによって変化させた。図７において横軸は載置する
までの時間を表す保持時間、縦軸は異物数を示す。図７
から保持時間が１２０秒以上であると、異物数が１０個
以下になることが判る。
分にＳｉ膜を堆積させた後に、基板をリフトピンに移載
してから処理台に載置するまでの時間を変化させて異物
数を測定した結果を示す。処理台に載置するまでの時間
は、リフトピンの下降を処理台に近い位置で停止させる
ことによって変化させた。図７において横軸は載置する
までの時間を表す保持時間、縦軸は異物数を示す。図７
から保持時間が１２０秒以上であると、異物数が１０個
以下になることが判る。
【００１７】以上の測定結果から、被処理基板を処理台
に載置するとき、基板と処理台の温度の差が大きい場合
において異物数が多いことが判明した。このような測定
結果を踏まえて、本発明によれば、前述した通り、真空
処理容器内に搬送する被処理基板とそれを搭載する処理
台との間の温度が著しく異なる場合において、基板の温
度を処理台の温度に十分近づけた後に処理台に基板を搭
載する制御の仕方および当該搭載方法を実施する装置を
提案している。
に載置するとき、基板と処理台の温度の差が大きい場合
において異物数が多いことが判明した。このような測定
結果を踏まえて、本発明によれば、前述した通り、真空
処理容器内に搬送する被処理基板とそれを搭載する処理
台との間の温度が著しく異なる場合において、基板の温
度を処理台の温度に十分近づけた後に処理台に基板を搭
載する制御の仕方および当該搭載方法を実施する装置を
提案している。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。
を添付図面に基づいて説明する。
【００１９】図１に本発明に係る基板搭載装置の構成が
示される。この基板搭載装置について、基本的な構成部
分は、従来技術の箇所で図９を参照して説明された半導
体製造装置と同じものである。従って図１において、図
９で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号
を付している。本発明の装置の特徴は、真空処理容器内
に搬入した基板１０を、リフトピン１４で、加熱された
処理台１３に搭載するとき、リフトピン１４の動かし方
（特に下降の仕方）を後述する所定制御の下で行うよう
にした点である。当該制御はコントローラ１１６の指令
に基づいて行われる。コントローラ１１６は、例えばコ
ンピュータであり、リフトピン１４の昇降動作を、リフ
トピン駆動機構１５を介して後述するように制御するた
めのプログラムが組み込まれる。またリフトピンの昇降
動作が簡単なものであれば、通常のシーケンス制御機構
やプログラマブルコントローラ等を用いて構成すること
もできる。
示される。この基板搭載装置について、基本的な構成部
分は、従来技術の箇所で図９を参照して説明された半導
体製造装置と同じものである。従って図１において、図
９で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号
を付している。本発明の装置の特徴は、真空処理容器内
に搬入した基板１０を、リフトピン１４で、加熱された
処理台１３に搭載するとき、リフトピン１４の動かし方
（特に下降の仕方）を後述する所定制御の下で行うよう
にした点である。当該制御はコントローラ１１６の指令
に基づいて行われる。コントローラ１１６は、例えばコ
ンピュータであり、リフトピン１４の昇降動作を、リフ
トピン駆動機構１５を介して後述するように制御するた
めのプログラムが組み込まれる。またリフトピンの昇降
動作が簡単なものであれば、通常のシーケンス制御機構
やプログラマブルコントローラ等を用いて構成すること
もできる。
【００２０】コントローラ１１６が、所定制御を行うた
めには、真空処理容器の内部における基板１０の温度状
態、および処理台１３の温度状態の情報を取り込むこと
が必要である。そのため、真空処理容器の天井部に窓１
１１を設け、その外側に放射型温度計（光学パイロメー
タ等）１１２を配置する。放射型温度計１１２は窓１１
１を通して基板１０に臨んでいる。なお放射型温度計１
１２が基板１０の温度を正確に検出できるように、熱反
射板１２にも孔１２ａが形成されている。他方、処理台
１３の内部には熱電対１１３が設けられ、熱電対１１３
での検出内容は検出部１１４で温度情報として取り出さ
れる。熱電対１１３と検出部１１４で他の温度計が構成
される。上記の放射型温度計１１２から出力される基板
温度に係る信号と検出部１１４から出力される処理台１
３の温度に係る信号はコントローラ１１６に入力され
る。コントローラ１１６は、入力された基板１２の温度
信号と処理台１３の温度信号の大小関係を比較すること
により、リフトピン駆動機構１５のモータ１１５と駆動
部１５ｃの動作を制御し、例えばボールネジ機構によっ
て可動部１５ｂを昇降させ、以下に説明する基板搭載方
法を実施する。
めには、真空処理容器の内部における基板１０の温度状
態、および処理台１３の温度状態の情報を取り込むこと
が必要である。そのため、真空処理容器の天井部に窓１
１１を設け、その外側に放射型温度計（光学パイロメー
タ等）１１２を配置する。放射型温度計１１２は窓１１
１を通して基板１０に臨んでいる。なお放射型温度計１
１２が基板１０の温度を正確に検出できるように、熱反
射板１２にも孔１２ａが形成されている。他方、処理台
１３の内部には熱電対１１３が設けられ、熱電対１１３
での検出内容は検出部１１４で温度情報として取り出さ
れる。熱電対１１３と検出部１１４で他の温度計が構成
される。上記の放射型温度計１１２から出力される基板
温度に係る信号と検出部１１４から出力される処理台１
３の温度に係る信号はコントローラ１１６に入力され
る。コントローラ１１６は、入力された基板１２の温度
信号と処理台１３の温度信号の大小関係を比較すること
により、リフトピン駆動機構１５のモータ１１５と駆動
部１５ｃの動作を制御し、例えばボールネジ機構によっ
て可動部１５ｂを昇降させ、以下に説明する基板搭載方
法を実施する。
【００２１】本発明が従来技術と異なる点はリフトピン
１４の上下動作の仕方である。図２に本発明に係る基板
搭載方法の第１実施形態を示す。この第１実施形態で
は、搬送ロボットによってリフトピン１４に移載された
基板１０は、リフトピン１４が下降することによって処
理台１３の基板搭載面に載置されるが、このとき、図１
に示されるようにリフトピン１４は下降途中において基
板１０が処理台１３の直上にきた位置で下降動作を一時
的に停止させられる。ここで処理台１３は内部にヒータ
１８を有しており、処理台１３の温度は例えば６００℃
になるように加熱・制御されている。ヒータ１８の温度
を制御する構成はよく知られたものであるので、その図
示は省略されている。
１４の上下動作の仕方である。図２に本発明に係る基板
搭載方法の第１実施形態を示す。この第１実施形態で
は、搬送ロボットによってリフトピン１４に移載された
基板１０は、リフトピン１４が下降することによって処
理台１３の基板搭載面に載置されるが、このとき、図１
に示されるようにリフトピン１４は下降途中において基
板１０が処理台１３の直上にきた位置で下降動作を一時
的に停止させられる。ここで処理台１３は内部にヒータ
１８を有しており、処理台１３の温度は例えば６００℃
になるように加熱・制御されている。ヒータ１８の温度
を制御する構成はよく知られたものであるので、その図
示は省略されている。
【００２２】上記のごとく、基板１０は処理台１３の上
側近傍で一時的に停止され、処理台１３の温度に十分に
近づいた後にリフトピン１４が下降し、これにより基板
１０は処理台１３の上に載置される。すなわち、基板１
０は、処理台１３に載置される時点において、上記一時
停止により４５０℃まで加熱されることになる。従って
基板１０と処理台１３の温度差は１５０℃またはこれよ
りも小さくなる。このとき、基板１０の温度の面内ばら
つきは２℃以内であり、所定の処理を行うに必要な温度
条件を十分に満足している。
側近傍で一時的に停止され、処理台１３の温度に十分に
近づいた後にリフトピン１４が下降し、これにより基板
１０は処理台１３の上に載置される。すなわち、基板１
０は、処理台１３に載置される時点において、上記一時
停止により４５０℃まで加熱されることになる。従って
基板１０と処理台１３の温度差は１５０℃またはこれよ
りも小さくなる。このとき、基板１０の温度の面内ばら
つきは２℃以内であり、所定の処理を行うに必要な温度
条件を十分に満足している。
【００２３】上記の第１実施形態の場合、基板１０を処
理台１３の上方３ｍｍの位置に１２０秒の間停止させた
後に処理台１３の上に載置することが好ましい。なお一
般的に、基板１０を一時的に停止させる位置は処理台１
３の上方１〜５０ｍｍの範囲に含まれることが好まし
く、リフトピン１４の一時停止時間に要する時間は基板
１０がシリコンベア基板（処理前シリコン基板）である
場合には、６０〜１８０秒の範囲に含まれることが好ま
しい。また基板１０が実デバイス基板（シリコン以外の
基板または処理済みシリコン基板）の場合には一時停止
時間に要する時間は１〜１８０秒の範囲に含まれること
が好ましい。
理台１３の上方３ｍｍの位置に１２０秒の間停止させた
後に処理台１３の上に載置することが好ましい。なお一
般的に、基板１０を一時的に停止させる位置は処理台１
３の上方１〜５０ｍｍの範囲に含まれることが好まし
く、リフトピン１４の一時停止時間に要する時間は基板
１０がシリコンベア基板（処理前シリコン基板）である
場合には、６０〜１８０秒の範囲に含まれることが好ま
しい。また基板１０が実デバイス基板（シリコン以外の
基板または処理済みシリコン基板）の場合には一時停止
時間に要する時間は１〜１８０秒の範囲に含まれること
が好ましい。
【００２４】次に図３に従って本発明に係る基板搭載方
法の第２実施形態を説明する。第２実施形態によれば、
リフトピン１４に移載された基板１０はリフトピン１４
が一定速度で下降することで一定速度で処理台１３に近
づくが、移載位置から載置位置まで５〜１８０秒（シリ
コンベア基板の場合）、好ましくは１２０秒の時間で近
づくように構成している。他方、従来の基板搭載方法の
下降速度は、図８に示されるごとく、一定速度で、かつ
移載位置から載置位置まで５秒ほどの時間で移動してい
た。第２実施形態による下降方法でも、第１実施形態の
場合と同様に、基板１０の温度は処理台１３に載置され
る時点で４５０℃まで上昇する。また基板１０の温度の
面内ばらつきは２℃以内であり、所定の処理に要する温
度条件を充分に満足している。さらに、充分に時間をか
けて下降動作を行うことから基板１０の温度変化を緩や
かにすることができ、熱膨張変化を緩やかにできる。
法の第２実施形態を説明する。第２実施形態によれば、
リフトピン１４に移載された基板１０はリフトピン１４
が一定速度で下降することで一定速度で処理台１３に近
づくが、移載位置から載置位置まで５〜１８０秒（シリ
コンベア基板の場合）、好ましくは１２０秒の時間で近
づくように構成している。他方、従来の基板搭載方法の
下降速度は、図８に示されるごとく、一定速度で、かつ
移載位置から載置位置まで５秒ほどの時間で移動してい
た。第２実施形態による下降方法でも、第１実施形態の
場合と同様に、基板１０の温度は処理台１３に載置され
る時点で４５０℃まで上昇する。また基板１０の温度の
面内ばらつきは２℃以内であり、所定の処理に要する温
度条件を充分に満足している。さらに、充分に時間をか
けて下降動作を行うことから基板１０の温度変化を緩や
かにすることができ、熱膨張変化を緩やかにできる。
【００２５】図４は本発明に係る基板搭載方法の第３実
施形態を示している。第３実施形態では、リフトピン１
４の下降動作を例えば３回に分けて行うように構成され
ている。このように段階的に基板１０を処理台１３に近
づけることによって、基板１０の温度を次第に高め、基
板１０が処理台１３の基板搭載面に載置されるときに
は、４５０℃まで加熱され、温度が上昇していることに
なる。この実施形態の場合にも面内ばらつきは２℃以内
であり、所定の処理を行うに必要な温度条件は充分に満
足している。さらには基板１０の下降動作を２回以上に
分けて行うことから、基板１０の温度変化を緩やかにす
ることができ、熱膨張変化を緩やかにできる。この実施
形態でも、移載位置から載置位置まで５〜１８０秒（例
えばシリコンベア基板の場合）、好ましくは、１２０秒
の時間で近づくように構成している。
施形態を示している。第３実施形態では、リフトピン１
４の下降動作を例えば３回に分けて行うように構成され
ている。このように段階的に基板１０を処理台１３に近
づけることによって、基板１０の温度を次第に高め、基
板１０が処理台１３の基板搭載面に載置されるときに
は、４５０℃まで加熱され、温度が上昇していることに
なる。この実施形態の場合にも面内ばらつきは２℃以内
であり、所定の処理を行うに必要な温度条件は充分に満
足している。さらには基板１０の下降動作を２回以上に
分けて行うことから、基板１０の温度変化を緩やかにす
ることができ、熱膨張変化を緩やかにできる。この実施
形態でも、移載位置から載置位置まで５〜１８０秒（例
えばシリコンベア基板の場合）、好ましくは、１２０秒
の時間で近づくように構成している。
【００２６】以上の各実施形態において、基板１０が処
理台１３の基板搭載面に載置される時点には、基板１０
と処理台１３の温度差が１５０℃以内になるように基板
の下降方法が設定されている。すなわち、基板１０を処
理台１３上に搭載する前の段階で、基板１０を下降する
際に、基板１０の搭載時における処理台１３と基板１０
の温度差が１５０℃以内になるように十分な時間を経過
させるように降下動作が制御される。これによれば、処
理台１３の上における基板１０の膨張を２００［ｍｍ］
×４．１×１０-6［１／℃］×１５０［℃］＝０．１２
［ｍｍ］に留めることができる。従って基板１０の熱膨
張による摺動を大きく低減することができる。
理台１３の基板搭載面に載置される時点には、基板１０
と処理台１３の温度差が１５０℃以内になるように基板
の下降方法が設定されている。すなわち、基板１０を処
理台１３上に搭載する前の段階で、基板１０を下降する
際に、基板１０の搭載時における処理台１３と基板１０
の温度差が１５０℃以内になるように十分な時間を経過
させるように降下動作が制御される。これによれば、処
理台１３の上における基板１０の膨張を２００［ｍｍ］
×４．１×１０-6［１／℃］×１５０［℃］＝０．１２
［ｍｍ］に留めることができる。従って基板１０の熱膨
張による摺動を大きく低減することができる。
【００２７】図５には本発明による基板搭載方法を実施
した場合の測定結果（Ｂ）を示している。この測定結果
Ｂによれば、例えば８０００枚を処理を完了した時点で
も異物数は１０個以下に維持することができる。このこ
とは、従来の基板搭載方法によれば搭載時に基板１０が
２５℃から６００℃へ急激に温度変化して０．４７ｍｍ
だけ膨張するのに対して、本発明の各実施形態による場
合には搭載時に基板１０は４５０℃から６００℃の温度
変化で済むので、０．１２ｍｍの熱膨張に留まり、前述
の通り処理台１３の基板搭載面における基板１０の熱膨
張による摺動を大きく低減することができるからであ
る。
した場合の測定結果（Ｂ）を示している。この測定結果
Ｂによれば、例えば８０００枚を処理を完了した時点で
も異物数は１０個以下に維持することができる。このこ
とは、従来の基板搭載方法によれば搭載時に基板１０が
２５℃から６００℃へ急激に温度変化して０．４７ｍｍ
だけ膨張するのに対して、本発明の各実施形態による場
合には搭載時に基板１０は４５０℃から６００℃の温度
変化で済むので、０．１２ｍｍの熱膨張に留まり、前述
の通り処理台１３の基板搭載面における基板１０の熱膨
張による摺動を大きく低減することができるからであ
る。
【００２８】前述の実施形態ではシリコンベア基板に関
しての説明が行われた。実際に半導体デバイスを作製す
る場合には、予め多重の材料が堆積されたシリコン基板
が用いられる。このため、基板の温度上昇特性が異なる
ことが予測される。よって前述した温度差（ΔＴ）を求
めることが有効である。このΔＴを求め、ΔＴが１５０
℃以下になる時点で、基板を処理台に載置することが重
要であり、前述した実施形態の時間に必ずしも限定され
ない。本発明による基板搭載の方法および装置は、基板
がシリコン以外の、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリ
ウム砒素（ＧａＡｓ）、石英ガラスであっても、また堆
積される膜がシリコン（Ｓｉ）以外の、ＳｉＧｅ合金、
Ｇｅ、ＧａＡｓ等の化合物半導体、金属、絶縁物であっ
ても有効であることは自明である。さらに本発明では、
基板を冷却させる冷却機構を備えた基板処理装置におい
ても同様な効果を与えることは自明である。
しての説明が行われた。実際に半導体デバイスを作製す
る場合には、予め多重の材料が堆積されたシリコン基板
が用いられる。このため、基板の温度上昇特性が異なる
ことが予測される。よって前述した温度差（ΔＴ）を求
めることが有効である。このΔＴを求め、ΔＴが１５０
℃以下になる時点で、基板を処理台に載置することが重
要であり、前述した実施形態の時間に必ずしも限定され
ない。本発明による基板搭載の方法および装置は、基板
がシリコン以外の、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリ
ウム砒素（ＧａＡｓ）、石英ガラスであっても、また堆
積される膜がシリコン（Ｓｉ）以外の、ＳｉＧｅ合金、
Ｇｅ、ＧａＡｓ等の化合物半導体、金属、絶縁物であっ
ても有効であることは自明である。さらに本発明では、
基板を冷却させる冷却機構を備えた基板処理装置におい
ても同様な効果を与えることは自明である。
【００２９】前述の実施形態では、処理台が加熱されて
おり、被処理基板が相対的に低温である例について説明
したが、本発明の基板搭載方法は、処理台が冷却されて
おり（低温である状態）、被処理基板が相対的に温度が
高い場合にも適用することができるのは勿論である。こ
のような例としては、処理台の温度が０℃、被処理基板
の温度が２００℃の例がある。
おり、被処理基板が相対的に低温である例について説明
したが、本発明の基板搭載方法は、処理台が冷却されて
おり（低温である状態）、被処理基板が相対的に温度が
高い場合にも適用することができるのは勿論である。こ
のような例としては、処理台の温度が０℃、被処理基板
の温度が２００℃の例がある。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、加熱または冷却された処理台を備えた半導体製造
装置における当該処理台上への基板を搭載する方法にお
いて、基板の温度を処理台の温度に充分に近づけた後に
基板を処理台に搭載するようにしたため、処理台の基板
搭載面に堆積膜や生成物が付着している場合にも、これ
らを剥離させることなく、従来と同様な時間で基板に処
理を行うことができる。被処理基板に欠陥をもたらす異
物の付着の低減と、生産性の向上を両立させることがで
きる。また被処理基板の欠陥の原因となる異物付着を低
減できるので、処理容器の清掃周期を大きく延ばすこと
ができる。清掃周期の延長は、装置稼動率の向上、高価
な部品代と人件費の削減による生産コストの低減を達成
し、生産性を高めることができる。
れば、加熱または冷却された処理台を備えた半導体製造
装置における当該処理台上への基板を搭載する方法にお
いて、基板の温度を処理台の温度に充分に近づけた後に
基板を処理台に搭載するようにしたため、処理台の基板
搭載面に堆積膜や生成物が付着している場合にも、これ
らを剥離させることなく、従来と同様な時間で基板に処
理を行うことができる。被処理基板に欠陥をもたらす異
物の付着の低減と、生産性の向上を両立させることがで
きる。また被処理基板の欠陥の原因となる異物付着を低
減できるので、処理容器の清掃周期を大きく延ばすこと
ができる。清掃周期の延長は、装置稼動率の向上、高価
な部品代と人件費の削減による生産コストの低減を達成
し、生産性を高めることができる。
【図１】本発明に係る基板搭載装置の代表的実施形態を
説明する構成図である。
説明する構成図である。
【図２】本発明に係る基板搭載方法の第１実施形態を示
す下降動作図である。
す下降動作図である。
【図３】本発明に係る基板搭載方法の第２実施形態を示
す下降動作図である。
す下降動作図である。
【図４】本発明に係る基板搭載方法の第３実施形態を示
す下降動作図である。
す下降動作図である。
【図５】本発明に係る基板搭載方法と従来の基板搭載方
法による基板処理枚数に応じた異物数の発生の変化を示
す特性図である。
法による基板処理枚数に応じた異物数の発生の変化を示
す特性図である。
【図６】被処理基板が処理台に搭載するときの基板温度
の変化状態を示す図である。
の変化状態を示す図である。
【図７】保持時間と発生する異物数の関係を示す特性図
である。
である。
【図８】従来の基板搭載方法の基板の下降動作を示す図
である。
である。
【図９】従来の基板搭載方法が適用される半導体製造装
置を示す縦断面図である。
置を示す縦断面図である。
【図１０】処理台の基板搭載面での基板と堆積膜の関係
を説明する縦断面図である。
を説明する縦断面図である。
１０ 被処理基板 １３ 処理台 １４ リフトピン １５ リフトピン駆動機構 １６，１１６ コントローラ １８ ヒータ １１１ 窓 １１２ 放射型温度計 １１３ 熱電対 １１４ 検出部 １１５ モータ
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Claims (10)
- 【請求項１】 真空処理容器内に被処理基板を搬入し加
熱または冷却された処理台上に搭載して所定の処理を施
す半導体製造装置において、 前記被処理基板を前記処理台上に搭載する前に、前記被
処理基板の下降で、前記被処理基板の搭載時における前
記処理台と前記被処理基板の温度差が所定温度以内にな
るように十分な時間を経過させることを特徴とする半導
体製造装置における基板搭載方法。 - 【請求項２】 真空処理容器内に被処理基板を搬入し、
前記真空処理容器内に設置される加熱または冷却された
処理台上に前記被処理基板を搭載して所定の処理を施
し、前記処理台に対して前記被処理基板の搭載のための
リフトピンとこのリフトピンを昇降させる駆動装置が設
けられる半導体製造装置において、 搬送ロボットにより前記真空処理容器に搬入された前記
被処理基板は、上方位置に移動した前記リフトピンの上
に移載され、 前記リフトピンを下降させるときに、前記被処理基板の
搭載時における前記処理台と前記被処理基板の温度差が
所定温度以内になるように十分な時間を経過させ、その
後に前記処理台上に前記被処理基板を搭載することを特
徴とする半導体製造装置における基板搭載方法。 - 【請求項３】 下降の途中で前記被処理基板を一時的に
停止させることを特徴とする請求項１または２記載の半
導体製造装置における基板搭載方法。 - 【請求項４】 前記被処理基板を一時的に停止させる位
置は前記処理台の上方１〜５０ｍｍの範囲に含まれるこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体製造装置の基板搭
載方法。 - 【請求項５】 前記被処理基板を一定の下降速度で下降
させ、その下降時間は１〜３６０秒の範囲に含まれるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の半導体製造装置
における基板搭載方法。 - 【請求項６】 前記被処理基板が処理前シリコン基板で
あるとき前記下降時は５〜１８０秒の範囲に含まれ、前
記被処理基板は実デバイス基板であるときには前記下降
時間は１〜１８０秒の範囲に含まれることを特徴とする
請求項５記載の半導体製造装置における基板搭載方法。 - 【請求項７】 前記リフトピンの下降動作は２回以上に
分けて行われることを特徴とする請求項３記載の半導体
製造装置における基板搭載方法。 - 【請求項８】 前記処理台が加熱されているときに、前
記被処理基板を前記処理台上に搭載する時、前記被処理
基板と前記処理台の温度差が１５０℃以内であることを
特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体
製造装置における基板搭載方法。 - 【請求項９】 真空処理容器内に被処理基板を搬入し、
前記真空処理容器内に設置される加熱または冷却された
処理台上に前記被処理基板を搭載して所定の処理を施
し、前記処理台に対して前記被処理基板の搭載のための
リフトピンとこのリフトピンを昇降させる駆動装置が設
けられる半導体製造装置において、 前記被処理基板の温度を計測する第１温度計と、 前記処理台の温度を計測する第２温度計と、 前記第１温度計と前記第２温度計が出力する各信号を入
力し、前記被処理基板と前記処理台の温度情報に基づい
て、前記リフトピンを下降させるときに、前記被処理基
板の搭載時における前記処理台と前記被処理基板の温度
差が所定温度以内になるように十分な時間を経過させ、
その後に前記処理台上に前記被処理基板を搭載するよう
に前記駆動装置の動作を制御する制御装置と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置における基板
搭載装置。 - 【請求項１０】 前記処理台が加熱されているときに、
前記所定温度は１５０℃であることを特徴とする請求項
９記載の半導体製造装置における基板搭載装置。
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