JPH0697269A

JPH0697269A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH0697269A
Application number: JP2405093A
Authority: JP
Inventors: Takazo Sato; 尊三佐藤; Hiroshi Nonaka; 宏野仲; Hideyuki Takamori; 秀之高森; Noriyuki Anai; 徳行穴井; Koichi Tagami; 公一田上; Shinji Kitamura; 晋治北村; Takayuki Tomoe; 隆之友枝; Tatsuya Iwasaki; 達也岩崎; Kengo Mizosaki; 健吾溝崎
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1992-02-26
Filing date: 1993-02-12
Publication date: 1994-04-08
Anticipated expiration: 2016-04-09
Also published as: JP3153372B2

Abstract

(57)【要約】【目的】載置台上の被処理基板を基板支持ピンで持ち
上げる際等に、被処理基板およびその表面に形成された
回路パターン等が損傷を受けたり、被処理基板が位置ず
れを起こすことを防止することができるとともに、加熱
工程のフレキシビリティーの向上を図ることのできる基
板処理装置を提供する。【構成】ホットプレート４には、透孔５が設けられて
おり、これらの透孔５には、基板支持ピン６が配置され
ている。基板支持ピン６は、その下部を連結ガイド７に
固定されており、この連結ガイド７は、ベルト８に接続
されている。このベルト８は、ステップモータ９に嵌合
されたプーリー１０とこのプーリー１０の上方に設けら
れたプーリー１１との間に巻回されており、ステップモ
ータ９の回転に応じて、基板支持ピン６が上下動するよ
う構成されている。このステップモータ９は、制御装置
１２によってその起動、停止、回転速度等が制御され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程では、
被処理基板、例えば、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基
板を載置台の上に載置して、所定の処理を施す基板処理
装置が広く用いられている。

【０００３】例えば、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基
板等を加熱する加熱装置では、ホットプレート等と称さ
れる載置台は内部に抵抗加熱ヒータ等を備えており、例
えば200 ℃等の所定温度に設定可能に構成されている。
そして、このホットプレート上に半導体ウエハやＬＣＤ
用ガラス基板を直接あるいはプロキシミティーギャップ
を設けた状態で載置して、加熱処理を行うよう構成され
ている。

【０００４】また、このような基板処理装置では、ホッ
トプレートを貫通する如く、上下動可能に構成された複
数の基板支持ピンが設けられており、これらの基板支持
ピンがホットプレート上に突出するよう上昇させた状態
で、搬送アームとの被処理基板の受け渡しを行い、これ
らの基板支持ピンがホットプレート内に格納されるよう
下降させた状態で加熱処理を実行するよう構成されてい
る。なお、従来の基板処理装置では、このような基板支
持ピンは、通常エアシリンダで駆動されるよう構成され
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記説
明の従来の基板処理装置では、ＬＣＤ用ガラス基板等を
ホットプレート等から持ち上げる際に、ＬＣＤ用ガラス
基板等がホットプレート等に吸着された状態となること
があり、この状態でＬＣＤ用ガラス基板等が急激に基板
支持ピンで押し上げられるため、ＬＣＤ用ガラス基板等
が破損したり、基板支持ピン上で位置ずれを起こす可能
性があるという問題があった。

【０００６】また、ＬＣＤ用ガラス基板等をホットプレ
ート等から持ち上げる際に、ＬＣＤ用ガラス基板等が静
電気を帯び、この静電気によってＬＣＤ用ガラス基板等
の表面に形成された回路パターン等が破壊されてしまう
ことがあるという問題もあった。

【０００７】さらに、大型のＬＣＤ用ガラス基板等を急
激に加熱すると、反りが生じること等があり、例えば徐
々に加熱を行う等の加熱工程のフレキシビリティーの向
上を図ることが望まれている。

【０００８】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、載置台上の被処理基板を基板支持ピンで
持ち上げる際等に、被処理基板およびその表面に形成さ
れた回路パターン等が損傷を受けたり、被処理基板が位
置ずれを起こすことを防止することができるとともに、
加熱工程のフレキシビリティーの向上を図ることのでき
る基板処理装置を提供しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の基板
処理装置は、被処理基板が載置される載置板と、前記載
置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを
相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆
動、停止、回転速度を制御可能に構成された制御手段と
を具備したことを特徴とする。

【００１０】また、本発明の基板処理装置は、被処理基
板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設
けられた複数の基板支持ピンと、前記基板支持ピンと前
記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記載
置板から前記基板に向かって気体を流出させる機構とを
具備したことを特徴とする。

【００１１】また、本発明の基板処理装置は、被処理基
板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設
けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前
記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる
駆動機構とを具備した基板処理装置において、前記載置
板上に載置された前記被処理基板を前記基板支持ピンで
持ち上げる際に、前記被処理基板の一端を下部から押圧
して斜めに前記被処理基板を持ち上げ、この後、前記被
処理基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴と
する。

【００１２】

【作用】上記構成の本発明の基板処理装置では、基板支
持ピンを載置板に対して上下動させる駆動機構が駆動モ
ータを備えており、制御手段によってこの駆動モータの
回転速度を制御することにより、基板支持ピンの上下動
の速度を高精度で容易に変化させることができる。した
がって、例えば、載置台上の被処理基板を基板支持ピン
によって持ち上げる際に、基板支持ピンの上昇速度を始
め遅く、その後速くするよう制御することにより、持ち
上げ動作に伴って被処理基板が破損あるいは位置ずれを
起こすことを防止できる。また、この駆動モータを所望
位置で停止させることにより、基板支持ピンの高さをあ
る範囲内で任意に設定することができ、例えば被処理基
板を段階的に徐々にホットプレートに近付けて行くこと
等によって、加熱工程を制御することができる。

【００１３】また、本発明の基板処理装置では、載置板
から気体を基板に向かって流出させ、載置板上の被処理
基板を上方に押圧することにより、基板支持ピンによる
被処理基板の持ち上を容易に行えるようにし、この持ち
上げ動作に伴って被処理基板が破損あるいは位置ずれを
起こすことを防止することができる。

【００１４】また、本発明の基板処理装置では、載置台
上の被処理基板の一端を下部から押圧して斜めに持ち上
げ、この後、被処理基板全体を押し上げることによっ
て、被処理基板に静電気が発生しにくくなり、被処理基
板の表面に形成された回路パターン等が静電気によって
損傷を受けることを防止することができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明をＬＣＤ用ガラス基板の加熱処
理を行う加熱装置に適用した実施例を、図面を参照して
説明する。

【００１６】図１に示すように、加熱装置１は、矩形容
器状に形成されたケース２を備えており、このケース２
内には、材質例えばアルミニウム等からなり、その上面
にＬＣＤ用ガラス基板３を載置可能に構成された矩形板
状の載置板ホットプレート４が収容されている。このホ
ットプレート４は図示しない加熱用ヒータおよび温度セ
ンサ等を備えており、例えば200 ℃等の所定の加熱温度
に温度設定可能に構成されている。

【００１７】また、図２にも示すように、上記ホットプ
レート４には、例えば4 つの透孔５が設けられており、
これらの透孔５には、それぞれ基板支持ピン６が配置さ
れている。これらの基板支持ピン６は、その下部を連結
ガイド７に固定されており、この連結ガイド７は、ベル
ト８に接続されている。このベルト８は、駆動モータで
あるステップモータ９に嵌合されたプーリー１０とこの
プーリー１０の上方に設けられたプーリー１１との間に
巻回されており、ステップモータ９の回転に応じて基板
支持ピン６とホットプレート４とを相対的に上下動例え
ば基板支持ピン６が固定されたホットプレート４に対し
て上下動するよう構成されている。このステップモータ
９には、制御装置１２が電気的に接続されており、この
制御装置１２によって、ステップモータ９の起動、停
止、回転速度等が制御される。

【００１８】また、図２に示すように、上記ホットプレ
ート４の上面には、断面寸法が幅例えば1 mm、深さ例え
ば1 mmの矩形状の真空チャック用溝１３が、同心状に本
実施例では4 つ（図２には3 つのみ示す。）設けられて
いる。これらの真空チャック用溝１３は大きさの異なる
複数種のＬＣＤ用ガラス基板３を吸着可能にするための
ものであり、本実施例の場合、最外側の真空チャック用
溝１３が450 mm×370mmのＬＣＤ用ガラス基板３に対応
したものである。

【００１９】さらに、ホットプレート４の上面には、Ｌ
ＣＤ用ガラス基板３の周縁部を係止するためのガイドピ
ン１４およびＬＣＤ用ガラス基板３とホットプレート４
上面との間に0.5mm 程度の所定のプロキシミティーギャ
ップを形成するためのプロキシミティーピン１５が配置
されている。これらのガイドピン１４およびプロキシミ
ティーピン１５は、ホットプレート４上面に設けられた
図示しない挿入孔に着脱自在に固定されており、各ＬＣ
Ｄ用ガラス基板３の大きさに応じてこれらのガイドピン
１４およびプロキシミティーピン１５の位置を変更する
ことにより、大きさの異なるＬＣＤ用ガラス基板３に対
応できるようになっている。なお、プロキシミティーピ
ン１５は、使用しない場合もある。また、使用しない挿
入孔にはダミーのピン（蓋）が配置される。

【００２０】また、ケース２の側部には、開閉自在なシ
ャッタを備えた搬入・搬出口１６が設けられており、こ
の搬入・搬出口１６から図示しない搬送アーム等によ
り、ＬＣＤ用ガラス基板３の搬入および搬出を行う。

【００２１】このような加熱装置では、予めホットプレ
ート４を例えば200 ℃程度の所定温度に設定しておき、
搬入・搬出口１６から搬送アーム等によりホットプレー
ト４上にＬＣＤ用ガラス基板３を位置させる。この後、
この状態で基板支持ピン６を上昇（あるいは搬送アーム
を下降）させて基板支持ピン６上にＬＣＤ用ガラス基板
３を支持し、搬送アームを後退させる。

【００２２】そして、基板支持ピン６を下降させてＬＣ
Ｄ用ガラス基板３をホットプレート４上に載置し、真空
チャック用溝１３を真空排気することによりＬＣＤ用ガ
ラス基板３を吸着保持して所定時間加熱処理を行う。な
お、この時、プロキシミティーギャップを設けて加熱処
理を行う場合は、予めホットプレート４上の所定位置に
プロキシミティーピン１５を配置しておき、真空チャッ
クによる吸着は行わない。また、サイズの小さなＬＣＤ
用ガラス基板３の加熱を行う場合は、外側の真空チャッ
ク用溝１３の真空排気は行わない。

【００２３】このようにして、所定時間の加熱処理が終
了すると、次に基板支持ピン６を上昇させてホットプレ
ート４上からＬＣＤ用ガラス基板３を持ち上げる。この
時、制御装置１２は、ステップモータ９の回転を制御し
て、次のように基板支持ピン６を上昇させる。

【００２４】すなわち、図３（ａ）に示すように、基板
支持ピン６が下降した状態から、基板支持ピン６の上端
部がＬＣＤ用ガラス基板３の裏面に接触し、図３（ｂ）
に示すように、ＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート
４上から僅かに持ち上がった状態となるまで基板支持ピ
ン６を非常にゆっくりと上昇させ、この後、図３（ｃ）
に示すように、所定高さまで基板支持ピン６を速い速度
で上昇させる。このように、ゆっくりとした相対速度で
上昇させることにより、例えば、ＬＣＤ用ガラス基板３
がホットプレート４上に吸着された状態となっていて
も、ＬＣＤ用ガラス基板３に徐々に力が加わり、ＬＣＤ
用ガラス基板３が破損したり、基板支持ピン６上で位置
ずれを起こしたりすることを防止することができる。な
お、ＬＣＤ用ガラス基板３が基板支持ピン６上で位置ず
れを起こすと、ＬＣＤ用ガラス基板３を搬送アームで受
け取ることができなかったり、搬送中にＬＣＤ用ガラス
基板３がケース２等と接触して破損する可能性がある。

【００２５】また、上述した加熱工程において、ＬＣＤ
用ガラス基板３を急激に加熱することが好ましくないよ
うな場合は、基板支持ピン６を下降させてＬＣＤ用ガラ
ス基板３をホットプレート４上に載置する際に、所望高
さ位置（例えば数ミリ程度上方）で一旦基板支持ピン６
を停止させ、予備加熱した後、ＬＣＤ用ガラス基板３を
ホットプレート４上に載置するように制御装置１２から
制御を行う。これにより、例えば冷えた状態のＬＣＤ用
ガラス基板３を急激に加熱してＬＣＤ用ガラス基板３が
反ってしまうこと等を防止することができる。

【００２６】図４は、上記構成の加熱装置１が配置され
た基板処理システムの構成を示すものである。この基板
処理システムでは、一方の端部にＬＣＤ用ガラス基板３
を収容する複数のカセットを載置可能に構成されたカセ
ットステーション３０が設けられており、このカセット
ステーション３０の側方には、中央にＬＣＤ用ガラス基
板３を搬送するためのメインアーム３１、このメインア
ーム３１の両側に各基板処理装置が位置するよう配列さ
れている。

【００２７】基板処理装置としては、カセットステーシ
ョン３０側方に位置するように、ＬＣＤ用ガラス基板３
をブラシ洗浄するためのブラシスクラバー３２およびこ
のブラシ洗浄の後に高圧ジェット水により洗浄を施すた
めの高圧ジェット洗浄機３３が一体的に構成された洗浄
機構がメインアーム３１を挟むように2 組設けられてお
り、このうち一方の高圧ジェット洗浄機３３の側方に、
2 台の加熱装置１が積み重ねるようにして配置されてい
る。

【００２８】さらに、これらの機器の側方には、接続用
ユニット３４を介して、ＬＣＤ用ガラス基板３にフォト
レジストを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒー
ジョン処理装置３５、このアドヒージョン処理装置３５
の下方に配置されたクーリング装置３６、ＬＣＤ用ガラ
ス基板３にフォトレジストを塗布するレジスト塗布装置
３７、現像を行う現像装置３８、それぞれ2 台ずつ積み
重ねるようにして配置された合計4 台の加熱装置１が配
列されている。

【００２９】次に、以上のように構成された基板処理シ
ステムの動作について説明する。

【００３０】まず、前工程で処理されたＬＣＤ用ガラス
基板３は、カセットステーション３０からメインアーム
３１により保持されてブラシスクラバー３２内に搬送さ
れ、この中でブラシ洗浄が行われる。更に、このＬＣＤ
用ガラス基板３は、高圧ジェット洗浄機３３にて高圧ジ
ェット水により洗浄され、加熱装置１によって乾燥され
る。

【００３１】この後、ＬＣＤ用ガラス基板３は、アドヒ
ージョン処理装置３５にて疎水化処理が施され、クーリ
ング装置３６で冷却された後、フォトレジスト塗布装置
３７でフォトレジストを塗布される。そして、加熱装置
１で加熱され、ベーキング処理が施された後、図示しな
い露光装置で露光され、この後、現像装置３８による現
像、加熱装置１による乾燥が施される。

【００３２】図５は、本発明の他の実施例の加熱装置１
ａの要部構成を示すもので、この実施例の加熱装置１ａ
では、ホットプレート４の上面に設けられた真空チャッ
ク用溝１３から真空排気を行う真空排気配管５０に切替
弁５１が介挿されており、制御装置１２によってこの切
替弁５１の動作を切り替え、真空ポンプ５２による真空
排気（真空チャック）と気体例えば窒素ガスの窒素ガス
供給源５３からの窒素ガス供給とを切り替えて実施する
ことができるよう構成されている。

【００３３】また、図５において、５４は開閉バルブで
あり、ＬＣＤ用ガラス基板３のサイズによってこれらの
開閉バルブ５４を選択的に開き、所定の真空チャック用
溝１３のみを使用して真空排気および窒素ガス供給を行
うよう構成されている。なお、他の部分については、前
述した実施例と同様に構成されているので、同一部分に
は同一符号を付して重複した説明は省略する。また、本
実施例においても、前述した実施例と同様に真空チャッ
ク用溝１３は4 つ設けられているが、図５には真空チャ
ック用溝１３および開閉バルブ５４等を3 系統のみ示
す。

【００３４】上記構成のこの実施例の加熱装置１ａで
は、制御装置１２によって切替弁５１を真空ポンプ５２
側に連通するように設定しておき、真空ポンプ５２を作
動させて真空排気を行うことにより、ホットプレート４
上に載置されたＬＣＤ用ガラス基板３を吸着保持する。
なお、この後、載置中は吸着保持を解除させてもよい。
そして、この状態で所定時間加熱処理を行い、加熱処理
が終了すると、制御装置１２によって切替弁５１を窒素
ガス供給源５３側に切り替え、窒素ガス供給源５３から
窒素ガスを供給して真空チャック用溝１３からＬＣＤ用
ガラス基板３の裏面に向かって流出させるようにして、
この気体圧によってホットプレート４上に載置されたＬ
ＣＤ用ガラス基板３を、上方に向かって押圧する。これ
とともに、前述の実施例と同様にして基板支持ピン６を
最初遅く、しかる後速くなるよう上昇させることによ
り、ホットプレート４上からＬＣＤ用ガラス基板３を持
ち上げる。

【００３５】したがって、基板支持ピン６が上昇開始時
に、例えば、ＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート４
上に吸着されたような状態となっていても、真空チャッ
ク用溝１３からの窒素ガスの気体圧によってＬＣＤ用ガ
ラス基板３が全体的に上方に押圧され、ＬＣＤ用ガラス
基板３とホットプレート４との間に窒素ガスが入り込む
ので、速やかにＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート
４上から剥がれ、基板支持ピン６による持ち上げ動作時
にＬＣＤ用ガラス基板３が破損したり、基板支持ピン６
上で位置ずれを起こしたりすることを防止できる。ま
た、スムーズに剥がれるため、静電気の発生を抑制する
効果もある。特に、静電気を打ち消す（中和、除電）よ
うに窒素ガスをイオン化させておくと、この効果は著し
い。

【００３６】なお、この実施例では、真空チャック用溝
１３から窒素ガスを送出する場合について説明したが、
窒素ガス送出用の専用の送出孔を設けたり、基板支持ピ
ン６の先端等から窒素ガスを送出するようにしてもよ
い。

【００３７】図６は、さらに他の実施例の基板処理装置
の構成を示すもので、この実施例の基板処理装置１ｂで
は、前述した基板支持ピン６とは別に、ベルト６０、ス
テップモータ６１、プリー６２、６３等から構成された
駆動機構により上下動自在に構成された基板突上げピン
６４が、ホットプレート４の端部に設けられた透孔６５
を貫通するように設けられている。

【００３８】このように構成されたこの実施例の基板処
理装置１ｂでは、加熱処理が終了したＬＣＤ用ガラス基
板３を、ホットプレート４上から持ち上げる際、まず、
ステップモータ６１を駆動して基板突上げピン６４を上
昇させ、ＬＣＤ用ガラス基板３の一端を押し上げ、図６
に示すようにＬＣＤ用ガラス基板３を斜めに僅か持ち上
げる。そして、この後、基板支持ピン６を上昇させて前
述した実施例と同様にホットプレート４上からＬＣＤ用
ガラス基板３を持ち上げる。

【００３９】このように、本実施例の基板処理装置１ｂ
では、ホットプレート４上に載置されたＬＣＤ用ガラス
基板３を持ち上げる際、基板突上げピン６４で下部から
ＬＣＤ用ガラス基板３の一端を押圧し、一旦斜めに持ち
上げ剥離した後、基板支持ピン６で所定高さまで水平に
持ち上げるので、ＬＣＤ用ガラス基板３が徐々に持ち上
げられ帯電量を減少させることが可能となり、ＬＣＤ用
ガラス基板３が静電気によって強く帯電してその表面に
形成された回路パターン等が静電気によって損傷を受け
ることを防止することができる。

【００４０】この実施例では、基板突上げピン６４によ
って、ＬＣＤ用ガラス基板３を斜めに持ち上げるよう構
成したが、このような基板突上げピン６４を用いず、例
えば、図７に示す基板処理装置１ｃのように、基板支持
ピン６の長さ（高さ）を例えば１ｍｍ程度変え、長さの
長い基板支持ピン６ａによってＬＣＤ用ガラス基板３の
一端を押圧し斜めに持ち上げるようにしてもよい。

【００４１】また、基板支持ピン６の駆動系を分割し、
独立に上下動できるようにして、まず、１本の基板支持
ピン６を他の基板支持ピン６に先行させて上昇し、ＬＣ
Ｄ用ガラス基板３を斜めに持ち上げ、この後、他の基板
支持ピン６を同時に上昇させるようにしても、同様な効
果を得ることができる。

【００４２】さらに、図８に示すように、基板支持ピン
６の外側に、上下動可能とされた円筒状の基板突上げ機
構７０を設けたり、図９に示すように、基板支持ピン６
の内側に、上下動可能とされた棒状の基板突上げ機構７
１を設け、基板支持ピン６を２重構造として、これらの
基板突上げ機構７０、７１によってＬＣＤ用ガラス基板
３の一端を押圧し斜めに持ち上げるようにしてもよい。

【００４３】なお、上記各実施例では、本発明を加熱装
置１、１ａに適用した場合について説明したが、例えば
図４に示した基板処理システムのアドヒージョン処理装
置３５、クーリング装置３６等についても同様にして適
用することができる。また、基板の載置台を有する他の
装置、例えば、プローバー、アッシング装置、露光装置
等にも適用できる。さらに、基板支持ピン６を固定にし
てホットプレート４を上下動させるようにしてもよい
し、両方とも上下動させてもよい。また、気体としては
空気、他の不活性ガスでもよい。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、載置台上の被処理基板を基板支持ピンで
持ち上げる際等に、被処理基板およびその表面に形成さ
れた回路パターン等が損傷を受けたり、被処理基板が位
置ずれを起こすことを防止することができるとともに、
加熱工程のフレキシビリティーの向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の加熱装置の構成を示す図。

【図２】図１の加熱装置のホットプレートの構成を示す
図。

【図３】図１の加熱装置の動作を説明するための図。

【図４】図１の加熱装置が配置された基板処理システム
の構成を示す図。

【図５】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。

【図６】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。

【図７】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。

【図８】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。

【図９】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。

【符号の説明】

１加熱装置２ケース３ＬＣＤ用ガラス基板４ホットプレート５透孔６基板支持ピン７連結ガイド８ベルト９ステップモータ１０，１１プーリー１２制御装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高森秀之熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者穴井徳行熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者田上公一熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者北村晋治熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者友枝隆之熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者岩崎達也熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者溝崎健吾熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピ
ンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを
相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御可能に構
成された制御手段とを具備したことを特徴とする基板処
理装置。
【請求項２】前記制御手段は、前記載置台上の前記被
処理基板を前記基板支持ピンによって持ち上げる際に、
前記基板支持ピンの相対速度を始め遅く、その後速くす
るよう制御することを特徴とする請求項１記載の基板処
理装置。
【請求項３】被処理基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピ
ンと、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させ
る駆動機構と、前記載置板から前記基板に向かって気体を流出させる機
構とを具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】前記載置板に設けられた前記被処理基板
を吸着保持するための真空チャック用開口から気体を流
出させることを特徴とする請求項３記載の基板処理装
置。
【請求項５】前記気体は、イオン化した気体であるこ
とを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項６】前記気体は、イオン化した気体であるこ
とを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項７】被処理基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピ
ンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを
相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装
置において、前記載置板上に載置された前記被処理基板を前記基板支
持ピンで持ち上げる際に、前記被処理基板の一端を下部
から押圧して斜めに前記被処理基板を持ち上げ、この
後、前記被処理基板全体を押し上げるよう構成されたこ
とを特徴とする基板処理装置。