CN102024730A - 载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法及被用于搬送方法的晶片搬送用程序，该搬送方法能在从载置台搬送带划片框架的晶片的初始阶段抑制在载物台和薄片之间发生的剥离带电。本发明的带划片框架的晶片的搬送方法包括：第一工序，通过使用升降驱动机构使载置台(11)以一定的第一速度下降，从而使第一作用体(13)作用于多个支承体(12)，以第一速度顶起划片框架(DF)，使固定有晶片(W)的薄片(F)从载置台分开至第一位置；以及第二工序，通过使用升降驱动机构使载置台以比第一速度快的一定的第二速度下降，从而使第一作用体作用于多个支承体，以第二速度顶起划片框架，使固定了晶片的薄片从载置台分开至第二位置。

Description

载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法
技术领域
本发明涉及载置带划片框架的晶片的载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法及被用于搬送方法的晶片搬送用程序，更为具体地，涉及一种在载置机构载置带划片框架的晶片并进行晶片的电气特性检查后，能抑制在从载置机构剥离带划片框架的晶片时发生的剥离带电的载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法及被用于该方法的晶片搬送用程序。
背景技术
作为在半导体制造工序中制造出的器件的检查方法，例如有将形成了多个器件的晶片提供给检查装置，并以晶片状态直接进行各器件的电气特性检查的方法。这种检查装置例如具有加载器室和探针室，所述加载器室以盒为单位收纳晶片，并搬送晶片以用于检查，所述探针室从加载器室接收晶片，并进行晶片的电气特性检查。
加载器室具有用于搬送晶片的晶片搬送机构和用于使晶片的朝向沿一定方向对齐的预对准机构，晶片搬送机构将晶片向探针室搬送途中，通过预对准机构将晶片对齐到预定朝向后，将晶片交接给探针室。探针室具有能移动地载置晶片的载置台、配置于载置台上方的探针卡和对晶片的电极焊盘和探针卡的探针的位置进行定位的对准机构，载置台和对准机构协作对载置台上的晶片和探针卡的位置进行定位后，使载置台移动，使晶片和探针卡电接触，进行晶片的电气特性检查后，将晶片返送到加载器室。
近年来，伴随器件的微型化及薄型化，有时将带划片框架的晶片提供给检查装置进行晶片的电气特性检查。在此，带划片框架的晶片是指在划片框架的薄片上所粘接固定了的晶片。对带划片框架的晶片，例如使用图3所示的载置机构。
为此，根据图3(a)～(c)，对在带划片框架的晶片的检查中所使用的载置机构进行说明。其中，图3(a)～(c)示出在使用载置机构进行晶片的检查之后，将带划片框架的晶片DFW从载置机构向加载器室搬送的方法的初始阶段。如图3所示，该载置机构具有载置带划片框架的晶片DFW的载置台1、和沿着载置台1的外周面隔开预定间隔安装的多个气缸机构2。气缸机构2具有气缸主体2A、在气缸主体2A的上表面伸缩的杆2B和形成在杆的前端并吸附固定划片框架DF的承受部2C。另外，在晶片W的检查时，晶片W隔着薄片F被吸附固定在载置台1的载置面上，划片框架DF被吸附固定在气缸机构2的杆2A收缩至最短时的承受部2C上。
然而，在检查后，将晶片W从载置台1向加载器室侧搬送时，为了将带划片框架的晶片DFW交接给晶片搬送机构，将晶片W从载置台1的载置面顶起一定的尺寸。此时，气缸机构2进行驱动，从图3(a)所示的状态伸出杆2B，承受部2C的承受面超过了该图(b)所示的载置台1的载置面的高度，当杆2B进一步伸长时带划片框架的晶片DFW的薄片F从载置面被剥离，分开预定的尺寸后停止。晶片搬送机构的臂部进入此时的晶片W和载置面之间产生的间隙里，通过臂部将带划片框架的晶片DFW向加载器室侧搬送。
但是，如图3(b)到(c)所示，通过气缸机构2顶起带划片框架的晶片将晶片W从载置台1的载置面剥离时，在薄片F上发生剥离带电，由于此时的静电，晶片W的器件配线结构有可能受到损伤。虽然为了避免这种问题出现，使用静电消除器如该图中的箭头A所示地照射离子，来降低薄片F的带电量，但是有时不够充分。并且，此时的剥离带电量有时会达到3KV～5KV左右。
降低剥离带电的方法例如记载在专利文献1、2中。专利文献1记载了如下方法：使板状部件从载置部移动时，利用通过激励载置部而产生的声波的放射压，使板状部件从载置部浮起来，从而抑制板状部件的剥离带电。但是，该方法使声波发生放射压的机构复杂。并且，在专利文献2中记载了如下方法：使用除电器的同时使用升降部件使基板的上升在基板的至少一部分从载物台分离的第一停止位置处停止，并至少一次使基板的上升在比第一停止位置高的第二停止位置处停止，由此降低基板的剥离带电。该方法虽然简单，但是在该专利文献2中并未提及将带划片框架的晶片从载置面剥离的方法。并且，与专利文献2一样，在专利文献1中也没有提及带划片框架的晶片。
专利文献1：日本特开2004-067369号公报
专利文献2：日本特开2006-049391号公报
发明内容
本发明是为解决上述课题而做出的，其目的在于，提供一种能在从载置台搬送带划片框架的晶片的初始阶段抑制在载置台和薄片之间发生剥离带电的载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法及被用于该搬送方法的晶片搬送用程序。
本发明人对将带划片框架的晶片从载置台剥离时的剥离带电进行研究的结果发现，在使用现有的载置机构中的气缸机构将带划片框架的晶片从载置台剥离的方法，其带划片框架的晶片的上升速度不稳定，而且不能任意设定上升速度，因此不能充分抑制剥离带电量。
本发明是根据上述发现而作出的，其中技术方案1所记载的载置机构，其特征在于，包括：载置台，其载置固定在划片框架的薄片上的晶片；升降驱动机构，其使所述载置台升降；多个支承体，其配置成沿着所述载置台的外周面隔开预定间隔相对于所述载置台能相对升降，且从下表面支承所述划片框架；以及第一作用体，其在所述载置台下降时，作用于多个所述支承体而顶起所述划片框架，使固定有所述晶片的薄片从所述载置台分开，并且该载置机构在计算机的控制下能对所述升降驱动机构进行驱动控制。
并且，本发明的技术方案2所记载的载置机构，在技术方案1所记载的发明中，其特征在于，所述多个支承体具有与在所述载置台的外周面沿上下方向固定的导引部件卡合的卡合部。
并且，本发明的技术方案3所记载的载置机构，在技术方案1或技术方案2所记载的发明中，其特征在于，包括：多个销，其可升降自如地悬垂在形成于所述载置台的多个贯通孔中，下端从所述载置台的下表面突出；以及第二作用体，其与所述多个销对应地设置，且作用于与所述载置台一起下降的所述多个销，使所述多个销从所述载置台的载置面突出。
并且，本发明的技术方案4所记载的带划片框架的晶片的搬送方法，将固定在技术方案1至技术方案3所述的载置机构的载置台所载置的划片框架的薄片上的晶片从所述载置台进行搬送，其特征在于，包括：第一工序，通过使用升降驱动机构使所述载置台以一定的第一速度下降，从而使第一作用体作用于多个支承体，以所述第一速度顶起所述划片框架，使固定有所述晶片的所述薄片从所述载置台分开至第一位置；以及第二工序，通过使用所述升降驱动机构使所述载置台以比所述第一速度快的一定的第二速度下降，从而使第一作用体作用于多个支承体，以所述第二速度顶起所述划片框架，使固定有所述晶片的所述薄片从所述载置台分开至第二位置。
并且，本发明的技术方案5所记载的带划片框架的晶片的搬送方法，在技术方案4所记载的发明中，使第二作用体作用于多个销，使所述多个销从所述载置台的载置面突出，从而使所述晶片从所述载置台分开。
并且，本发明的技术方案6所记载的带划片框架的晶片的搬送方法，在技术方案5所记载的发明中，在所述第一作用体作用于所述多个支承体后，所述第二作用体作用于所述多个销。
并且，本发明的技术方案7所记载的晶片搬送用程序，其特征在于，使计算机驱动，执行技术方案4至技术方案6中任一方式所述的带划片框架的晶片的搬送方法。
按照本发明，能够提供能够抑制从载置台搬送带划片框架的晶片时发生的剥离带电的载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法及使用于该搬送方法的晶片搬送用程序。
附图说明
图1(a)～(c)分别为表示使用了本发明的载置机构的带划片框架的晶片的搬送方法的一实施方式的工序图。
图2为将图1所示的带划片框架的晶片的一部分放大表示的剖视图。图3(a)～(c)分别为表示使用了现有的载置机构的带划片框架的晶片的搬送方法的一个例子的工序图。
标号的说明
10…载置机构、11…载置台、12…支承体、13…第一作用体、14…导轨、15…销、16…第二作用体、DFW…带划片框架的晶片、DF…划片框架、W…晶片。
具体实施方式
以下，根据图1(a)～(c)所示的实施方式，对本发明进行说明。
首先，根据图1(a)，对本实施方式的载置机构进行说明。如图1(a)所示，本实施方式的载置机构10包括：载置台11、其载置带划片框架的晶片DFW；使载置台11升降的升降驱动机构(未图示)；多个支承体12，其沿着载置台11的外周面隔开预定间隔相对于载置台11能相对升降地被配置，且自下表面支承划片框架DF；以及第一作用体13，其在载置台11通过升降驱动机构下降时，作用于多个支承体12，顶起划片框架DF，而使带划片框架的晶片DFW的薄片F离开载置台，并构成为在计算机(未图示)的控制下对升降驱动机构进行驱动控制。如图2所示，带划片框架的晶片DFW的晶片W的上表面形成有切割的槽T。
升降驱动机构例如具有电动机、滚珠丝杠和固定在载置台11上的螺母部件，能使载置台11以一定的速度升降。载置台11的升降速度可通过电动机设定成所希望的速度。
并且，载置机构10在计算机的控制下通过XY载物台(未图示)向X、Y方向移动地构成。在载置机构10的上方配置有探针卡(未图示)，载置机构11和对准机构(未图示)协同动作对晶片W的电极焊盘和探针卡的探针进行对准。
在载置台11的周面沿上下方向安装有与支承体12对应的导轨14。支承体12的处于其侧面的卡合部(未图示)与导轨14卡合，顺着导轨14进行升降。在支承体12的下方配置有作用体13，该作用体13例如由能调整上端位置的高度的杆形成，载置台11位于上升端时，作用体13的上端面与支承体12的下表面接触。因此，升降驱动机构进行驱动以便载置台11下降时，支承体12顺着导轨14相对载置台11相对地上升。
支承体12具有从下表面承受划片框架DF的承受部12A。在该承受部12A上形成有对划片框架DF进行真空吸附的吸附部，该吸附部与真空泵(未图示)连接。因此，在进行晶片W的电气特性检查时，晶片W隔着薄片F被真空吸附在载置台11的载置面，并且划片框架DF被真空吸附在支承体12的承受部12A，从而将带划片框架的晶片DFW牢固地固定在载置机构10中。
并且，在载置台11上形成有从其上表面向下表面贯通的多个(例如，三个)贯通孔，这些贯通孔沿载置台11的周向隔开相等间隔地配置，在这些贯通孔中可升降自如地分别插入有销15。销15的上端具有倒圆锥台状的承受部15A，该承受部15A与形成在贯通孔的上端的圆锥槽11A嵌合。销15的下端贯通载置台11的贯通孔从下表面突出。因此，销15在通过承受部15A与圆锥槽11A嵌合的状态下被悬垂。销15在被圆锥槽11A悬垂的状态下，承受部15A的承受面与载置台11的载置面为同一表面。因此，晶片W被划片而形成的器件由承受部15A进行支承，因此即使在该器件上电性接触探针卡的探针而被赋予较强的按压力，也不会落入圆锥槽11A内。
在销15的下方配置由与第一作用体13相同结构的第二作用体16，在载置台11通过升降驱动机构下降而支承体12的承受部12A到达载置台11的载置面的时刻，第二作用体16的上端与销15的下端接触。当载置台11进一步下降时，销15被第二作用体16相对地顶起，销15的承受部15A从载置面突出，从而使晶片W从载置面剥离。在晶片W从载置面剥离时，发生剥离带电，由于此时的带电量，有可能给器件的配线结构带来损伤。
因此，为了抑制由剥离带电引起的薄片F的带电量，在本实施方式的带划片框架的晶片的搬送方法中，将带划片框架的晶片DFW的上升速度在上升中途进行切换。本实施方式的带划片框架的晶片的搬送方法，通过登记在计算机中的晶片搬送用程序来执行。因此，对通过本实施方式的晶片搬送用程序来执行的带划片框架的晶片的搬送方法进行说明。
本实施方式的带划片框架的晶片的搬送方法，是一种在结束晶片W的电气特性检查之后，如图1(a)所示，从带划片框架的晶片DFW被固定在载置机构10的状态向加载器室侧搬送的方法，同时使用静电消除器。
首先，若在从静电消除器如图1的箭头A所示的那样地向晶片W照射离子的状态下，升降驱动机构进行驱动而使载置台11以一定速度(例如，1mm/秒)下降，则第一作用体13作用于多个支承体12，支承体12顺着导轨14相对于载置台11以一定的较快的速度上升，从而顶起划片框架DF。在划片框架DF被顶起的中途，当支承体12的承受部12A的上表面超过载置面的上表面时，第二作用体16作用于多个销15，从而承受部15A从载置面突出，如该图(b)所示，多个销15以一定的较慢的速度从载置面剥离晶片W(薄片F)，在分开一定距离的第一位置(例如，距载置面5mm的位置)停止。如此，通过从载置面以一定的较慢的速度剥离晶片W(薄片F)，从而将晶片W(薄片F)自载置面剥离的剥离速度稳定，因此能够抑制剥离带电量。
在将晶片W(薄片F)从载置台11的载置面分开至第一位置来抑制剥离带电后，用静电消除器抑制晶片W带的静电，同时通过升降驱动机构使载置台11以比第一速度快的第二速度快速地立刻下降，通过多个支承体12及多个销15使晶片W(薄片F)从载置面分开，并使其停止在图1(c)所示的第二位置(例如，距载置面11mm的位置)。晶片W(薄片F)从第一位置到第二位置为止，很难发生剥离带电，能够抑制晶片W(薄片F)带电。晶片W(薄片F)到达第二位置时，晶片搬送机构的臂部进入载置面和晶片W(薄片F)的间隙里，从而通过晶片搬送机构能够搬送带划片框架的晶片DFW。
如以上所进行的说明地，按照本实施方式，载置机构10包括：载置台11，其载置带划片框架的晶片DFW；使载置台11升降的升降驱动机构(未图示)；多个支承体12，其配置成沿着载置台11的外周面隔开预定间隔相对于载置台11能相对升降，并且从下表面支承划片框架DF；第一作用体13，其在载置台下降时作用于多个支承体12以顶起划片框架DF，从而使固定有晶片W的薄片F从载置台11离开，并且由于在计算机的控制下对升降驱动机构进行驱动控制，因此在计算机的控制下，执行第一工序和第二工序，能够抑制从载置台11搬送带划片框架的晶片时发生的剥离带电，进而能够防止器件的由静电引起的损伤，其中所述第一工序，通过使用升降驱动机构使载置台11以一定的第一速度下降，从而使第一作用体13作用于多个支承体12，以第一速度顶起划片框架DF，使固定有晶片W的薄片F从载置台11分开至第一位置；所述第二工序通过使用升降驱动机构使载置台11以比第一速度快的一定的第二速度下降，从而使第一作用体13作用于多个支承体12，以第二速度顶起划片框架DF，使固定有晶片的薄片F从载置台分开至第二位置。
并且，按照本实施方式，由于载置机构11还具有多个销15和第二作用体16，因此能够以稳定的姿势从载置台11的载置面剥离带划片框架的晶片DFW的晶片W(薄片F)，并且进一步抑制剥离带电，其中所述多个销15，可旋转自如地悬垂在形成于载置台11的多个贯通孔中，其下端从载置台11的下表面突出；所述第二作用体16与多个销15对应地设置，且作用于与载置台一起下降的多个销15，使多个销15从载置台11的载置面突出。
另外，在上述实施方式中，第一、第二作用体13、16设置有与多个支承体12及多个销15分别对应的数目，但是还可以以能一体方式升降的方式连结多个支承体及多个销，并通过连结部件用一个第一、第二作用体使多个支承体及多个销升降。还可以是与其相反的情形。总之，在不脱离本发明的主旨的前提下，只要是对各构成要素做了适当的设计变更的情形，均包含于本发明中。并且，本发明的载置机构不限于带划片框架的晶片，还能应用到通常的晶片单体的检查中。
工业实用性
本发明能够优选利用在进行晶片检查的检查装置中。

Claims (7)

1.一种载置机构，其特征在于，包括：载置台，其载置固定在划片框架的薄片上的晶片；升降驱动机构，其使所述载置台升降；多个支承体，其配置成沿着所述载置台的外周面隔开预定间隔相对于所述载置台能相对升降，且从下表面支承所述划片框架；以及第一作用体，其在所述载置台下降时，作用于多个所述支承体而顶起所述划片框架，使固定有所述晶片的薄片从所述载置台分开，并且该载置机构在计算机的控制下对所述升降驱动机构进行驱动控制。
2.如权利要求1所述的载置机构，其特征在于，所述多个支承体具有与沿上下方向固定在所述载置台的外周面的导引部件卡合的卡合部。
3.如权利要求1或2所述的载置机构，其特征在于，包括：多个销，其可升降自如地悬垂在形成于所述载置台上的多个贯通孔中，下端从所述载置台的下表面突出；以及第二作用体，其与所述多个销对应地设置，且作用于与所述载置台一起下降的所述多个销，使所述多个销从所述载置台的载置面突出。
4.一种带划片框架的晶片的搬送方法，将固定在权利要求1至3所述的载置机构的载置台所载置的划片框架的薄片上的晶片从所述载置台进行搬送，其特征在于，包括：第一工序，通过使用升降驱动机构使所述载置台以一定的第一速度下降，从而使第一作用体作用于多个支承体，以所述第一速度顶起所述划片框架，使固定有所述晶片的所述薄片从所述载置台分开至第一位置；以及第二工序，通过使用所述升降驱动机构使所述载置台以比所述第一速度快的一定的第二速度下降，从而使第一作用体作用于多个支承体，以所述第二速度顶起所述划片框架，使固定有所述晶片的所述薄片从所述载置台分开至第二位置。
5.如权利要求4所述的带划片框架的晶片的搬送方法，其特征在于，使第二作用体作用于多个销，使所述多个销从所述载置台的载置面突出，从而使所述晶片从所述载置台分开。
6.如权利要求5所述的带划片框架的晶片的搬送方法，其特征在于，在所述第一作用体作用于所述多个支承体后，所述第二作用体作用于所述多个销。
7.一种晶片搬送用程序，其特征在于，使计算机驱动，执行权利要求4至6中任一项所述的带划片框架的晶片的搬送方法。
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