JP3977994B2 - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3977994B2 JP3977994B2 JP2001043683A JP2001043683A JP3977994B2 JP 3977994 B2 JP3977994 B2 JP 3977994B2 JP 2001043683 A JP2001043683 A JP 2001043683A JP 2001043683 A JP2001043683 A JP 2001043683A JP 3977994 B2 JP3977994 B2 JP 3977994B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- plasma processing
- potential
- impedance matching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶用トランジスタ素子を形成する際のドライエッチング工程やプラズマＣＶＤ工程などの薄膜回路形成工程に適用されるプラズマ処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶素子製造分野において、製造コストの削減や環境保護の観点から、工程の簡略化や環境負荷の少ない製造方法への変更が強く要請されており、特に液晶素子については液晶パネルの価格競争の激化とパネルの大型化傾向に伴い、従来の薬液によるエッチング工法から、積層膜を一括して高速にてドライエッチングする工法が強く望まれている。
【０００３】
また、液晶素子製造分野においては、ガラス基板の耐熱温度以下での成膜が必要であり、従来からプラズマＣＶＤ工法が用いられてきた。
【０００４】
しかしながら、ドライエッチングやプラズマＣＶＤは真空中にプラズマを発生させ、エッチングガスを乖離させ、イオンやラジカルにより物理的、化学的な反応を組み合わせて加工するため、誘電体から成る被処理基板の場合には、基板上に多量な電荷を発生させることになる。
【０００５】
薄膜回路はその構成上、金属膜と金属膜間を絶縁するための絶縁膜が薄膜形成されているので耐電圧には闘値を持つことになり、その闘値を越えるような電荷を被処理基板が帯びた場合には絶縁膜の破壊が発生し、薄膜回路を形成し得なくなる。
【０００６】
以下、図５を参照して代表的なドライエッチング装置を例に説明する。図５において、１は真空容器、２は図示しない排気手段と真空容器１内の圧力を調整する手段に接続された排気口、３はガス導入手段、４はガラス等の誘電体からなる基板、５は基板４を載置する第１の電極、６は第１の電極５に対向配置され、電気的に接地された第２の電極、７は第１の電極５に接続されたインピーダンス整合器、８は高周波電源、９は第１の電極５に対して基板４を上昇及び下降させるための基板上下移動機構、１０は基板上下移動機構９の駆動手段、１２は基板４を真空容器１に対して搬入、搬出するための移載アーム、１３は移載アーム１２を内蔵した移載室である。
【０００７】
以上のように構成されたドライエッチング装置について、以下その動作を説明する。基板４を第１の電極５上に載置し、排気口２より排気しながらガス導入手段３よりエッチングガスを真空容器１内に導入して真空容器１内を所定の圧力に調整し、高周波電源８より一定の高周波電力をインピーダンス整合器７を介して第１の電極５に印加すると、真空容器１内にプラズマが発生し、基板４表面の薄膜がエッチングされる。
【０００８】
所定時間のエッチングが完了した時点で、第１の電極５に対する高周波電力の印加を停止し、エッチングガス導入を停止し、排気口２より残留エッチングガスを排気してプラズマ処理を終了する。
【０００９】
次に、基板上下移動機構９の駆動手段１０を駆動させて基板４を第１の電極５の表面から突き上げて上昇させ、移載室１３の移載アーム１２を真空容器１内の基板４の下に搬入する。その後、基板上下移動機構９を下降させて基板４を移載アーム１２上に載置し、移載アーム１２にて基板４を真空容器１の外部へ搬出させ、次工程に移動させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記動作において、プラズマ処理中に基板４の表面の帯電位が増加しており、高周波電源８の動作を停止させてプラズマを消滅させた後も、基板４の表面への帯電は残留している。そのため、プラズマ処理終了後に基板４を第１の電極５の表面から突き上げ上昇させる瞬間に剥離帯電を起こし、基板４の表面に異常に高い表面電位を示す場合がある。この時の表面電位は、デバイス構造の差、真空容器１の内壁や第１の電極５や第２の電極６へのエッチング堆積物の堆積量の差に大きく依存するため、表面電位が劇的に高くなるという突発性を有していた。
【００１１】
このような場合に基板４の表面において、金属薄膜パターンに上下を挟まれた絶縁膜の耐電圧闘値を越えることがあり、絶縁破壊を起こし、品質不良を発生させる原因となっていた。
【００１２】
本発明は、上記従来の問題に鑑み、プラズマ処理終了後、被処理基板を電極表面から脱離移動させる瞬間に被処理基板の表面電位が異常に上昇してデバイス回路が破壊するのを防止できるプラズマ処理方法及び装置を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理方法は、誘電体からなる基板を真空容器内の第１の電極に載置し、真空容器内に反応ガスを導入しつつ、排気手段と圧力調整手段にて第１の電極とこれに対向する第２の電極との間の空間に制御された圧力空間を形成し、第１の電極と第２の電極の少なくとも一方に接続されたインピーダンス整合器と高周波電源により高周波電力を印加してプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法において、プラズマ処理終了後、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時に、インピーダンス整合器に接続された電極の直流電位が一定の闘値以下を保持するように基板の上昇脱離速度を制御することを特徴とする。
【００１４】
上記発明によれば、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時に、インピーダンス整合器に接続された電極の直流電位が一定の闘値以下を保持するように基板の上昇脱離速度を制御しているので、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時の剥離帯電によって基板表面帯電量が増加するのを抑制し、基板表面帯電量を絶縁破壊を発生させる帯電量以下に抑制することができ、デバイス構造の変化や真空容器内壁等の堆積物量にかかわらず基板の品質を確保することができる。
【００１５】
また、本発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、排気手段と、真空容器内の圧力を調整する手段と、ガス導入手段と、基板を載置する第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極の少なくとも一方に接続されたインピーダンス整合器と、高周波電源と、第１の電極表面に対して基板を上昇及び下降させる基板上下移動機構と、インピーダンス整合器に接続された電極の直流電位を測定する直流電位測定手段と、基板が第１の電極表面から上昇脱離するときの直流電位測定手段による測定値の大小に応じて基板上下移動機構の移動速度を変更する速度制御手段を備えたことを特徴とする。
【００１６】
上記発明によれば、基板が第１の電極表面から上昇脱離するときの直流電位測定手段による測定値の大小に応じて基板上下移動機構の移動速度を変更する速度制御手段を備えているので、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時の剥離帯電によって基板表面帯電量が増加するのを抑制し、基板表面帯電量を絶縁破壊を発生させる帯電量以下に抑制することができ、デバイス構造の変化や真空容器内壁等の堆積物量にかかわらず基板の品質を確保することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のプラズマ処理装置を、液晶アモルファスシリコンＴＦＴトランジスタ素子形成用のドライエッチング装置に適用した参考例および実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。
【００１８】
（参考例）
本発明のプラズマ処理装置の参考例について、図１、図２を参照して説明する。
【００１９】
図１において、１は真空容器、２は図示しない排気手段と真空容器１内の圧力を調整する手段に接続された排気口、３はガス導入手段、４はガラス等の誘電体からなる基板、５は基板４を載置する第１の電極、６は第１の電極５に対向配置され、電気的に接地された第２の電極、７は第１の電極５に接続された、ＬＣ回路から成るインピーダンス整合器、８は１３．５６ＭＨｚの周波数の高周波電力を出力する高周波電源、９は第１の電極５に対して基板４を上昇及び下降させるための基板上下移動機構、１０は基板上下移動機構９の駆動手段、１１は第１の電極５に接続された直流電位測定手段、１２は基板４を真空容器１に対して搬入、搬出するための移載アーム、１３は移載アーム１２及びその駆動系を内蔵した移載室である。
【００２０】
１４は基板上下移動機構９の駆動手段１０からの駆動検出信号に同調して、直流電位測定手段１１からの電圧信号を選択する指令を出力する電圧信号選別器、１５は電圧信号選別器１４からの選択指令を受けたときに直流電位測定手段１１からの電圧信号に対して、上限許容値に対する大小を比較して上限許容値を越えたときに異常信号を出力する異常検出手段、１６は異常検出手段１５からの異常信号を受けて装置及び運転者に異常発生を報知する警報機である。
【００２１】
以上のように構成されたドライエッチング装置について、以下その動作を説明する。基板４は液晶アモルファスシリコンＴＦＴトランジスタ素子を表面に形成するためのガラス基板であり、基板４の表面から上に向かって、金属積層膜からなるゲート電極パターン、次にシリコンナイトライド膜（ＳｉＮx ）からなるゲート絶縁膜、次にトランジスタ回路動作時に電子が移動する層（チャンネル層）となる島状に形成されたアモルファスシリコン膜パターン、次に不純物を含んだシリコン膜層（ドーピング層）パターン、次に金属堆積層膜からなるソース、ドレイ電極パターンと順次形成される。この基板４の、特に金属薄膜からなるソース、ドレイン電極及びチャンネル層のパターンを一括してドライエッチングする工程を例に説明する。
【００２２】
移載アーム１２と基板上下移動機構９により基板４を第１の電極５の表面に載置し、排気口２より排気しながらガス導入手段３より塩素系の混合ガス（Ｃｌ2 ／ＢＣｌ3 ）からなるエッチングガスを真空容器１内に導入する。真空容器１内を所定の圧力に調整し、高周波電源８より０．６Ｗ／ｃｍ2 程度の高周波電力をインピーダンス整合器７を介して第１の電極５に印加する。すると、真空容器１内にプラズマが発生し、基板４の表面の金属薄膜からなるソース、ドレイン電極及びチャンネル層のパターンがエッチングされる。
【００２３】
所定時間のエッチングが完了した時点で、第１の電極５に対する高周波電力の印加を停止し、エッチングガス導入を停止し、排気口２より残留エッチングガスを排気してプラズマ処理を終了する。
【００２４】
次に、基板上下移動機構９の駆動手段１０を駆動させて基板４を第１の電極５の表面から突き上げて上昇させる。その瞬間に、プラズマにより金属薄膜パターンに蓄積された電荷量が剥離帯電により大きく変化する。この帯電量の変化は、空間電位の変化をもたらし、第１の電極５の直流電位を相対的に変化させる。
【００２５】
図２にプラズマによる帯電量が多い基板４を第１の電極５から上昇させた時の基板上昇速度（破線で示す）と第１の電極５の直流電位（実線で示す）の変化の例を示す。
【００２６】
基板４が第１の電極５から上昇する前半は、基板中央は未だ電極表面に接触しており、基板４の外周部は電極表面から分離しているため基板４の帯電量が激増する。これに連動して第１の電極５の直流電位測定手段１１は１０００Ｖ以上の大きな電圧値を示した。この基板４の上昇時に電圧信号選別器１４が駆動手段１０からの駆動検出信号を受け、直流電位測定手段１１にて測定した直流電圧を異常検出手段１５に伝達する。
【００２７】
異常検出手段１５には予め電圧の上限許容値を５０Ｖ以下に設定しており、電圧信号に対して上限許容値に対する大小比較を電気的に行い、５０Ｖ以上の異常電圧の発生時に装置の運転制御系に伝達して装置の稼働を自動的に停止させるとともに、運転者に警報機１６にて報知する。
【００２８】
異常電圧が発生しない時は、第１の電極５から基板４を上昇分離させた状態で、移載室１３中の移載アーム１２を真空容器１内の基板４と電極５の間の空間に挿入する。その後、基板上下移動機構９を下降させ、基板４を移載アーム１２の上に載置し、移載アーム１２を真空容器１から移載室１３へ搬出させ、次の未処理基板と交換する。
【００２９】
以上の装置構成及び動作により、プラズマ処理後に基板４を第１の電極５から上昇させる瞬間に発生する、ソース、ドレイン電極パターンと電極パターンの間の絶縁破壊異常をインラインで発見することが可能となる。
【００３０】
（実施形態）
次に、本発明のプラズマ処理装置の実施形態について、図３、図４を参照して説明する。なお、上記参考例と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して説明を省略し、相違点のみを説明する。
【００３１】
図３において、基板上下移動機構９の駆動手段１０のドライバー１７に対して、直流電位測定手段１１からの直流電圧信号の大小に応じて基板上下移動速度を変更する速度制御手段１８を接続している。
【００３２】
次に、以上のように構成されたドライエッチング装置の動作を説明する。上記第１の実施形態と同様に基板４を第１の電極５の表面に載置してプラズマ処理を行い、基板４に対するプラズマ処理を終了した後、駆動手段１０にて基板上下移動機構９を駆動させて基板４を第１の電極５の表面から剥離して突き上げ、上昇させる。
【００３３】
その瞬間に、電圧信号選別器１４が駆動手段１０からの駆動検出信号を受けて直流電位測定手段１１からの電圧を速度制御手段１８に伝達する。速度制御手段１８は、基板上下移動機構９が駆動を開始した瞬間から常時第１の電極５の電位を取り込み、フィードバック制御により第１の電極５の電位が５０Ｖを越えないように速度指示値をドライバー１７に出力する。
【００３４】
基板４が上昇上限位置に来た段階で、フィードバック系を解除し、上記実施形態と同様に移載アーム１２にて移載室１３に搬出させ、次の未処理基板と交換する。
【００３５】
図４に、以上のように基板４を処理した時の第１の電極５の直流電位の変化の例を示す。図２に比べ基板上昇速度（破線で示す）を第１の電極５の電位の変化に応じて制御することによって基板４の電位（実線で示す）を５０Ｖ以下に抑制することが可能となった。
【００３６】
以上の装置構成及び動作により、プラズマ処理後の基板４の第１の電極５から上昇させる瞬間に発生する、ソース、ドレイン電極パターンとゲート電極パターンの間の絶縁破壊異常を低減することができる。
【００３８】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理方法及び装置によれば、プラズマ処理終了後、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時に、インピーダンス整合器に接続された電極の直流電位が一定の闘値以下を保持するように基板の上昇脱離速度を制御するようにしているので、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時の剥離帯電によって基板表面帯電量が増加するのを抑制し、基板表面帯電量を絶縁破壊を発生させる帯電量以下に抑制することができ、デバイス構造の変化や真空容器内壁等の堆積物量にかかわらず基板の品質を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のプラズマ処理装置の参考例の概略構成図である。
【図２】 同参考例のプラズマ処理中及び基板上昇時の電極電位の変化を示す説明図である。
【図３】 本発明のプラズマ処理装置の実施形態の概略構成図である。
【図４】 同実施形態のプラズマ処理中及び基板上昇時の電極電位の変化を示す説明図である。
【図５】 従来例のプラズマ処理装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１ 真空容器
２ 排気口
３ ガス導入手段
４ 基板
５ 第１の電極
６ 第２の電極
７ インピーダンス整合器
８ 高周波電源
９ 基板上下移動機構
１０ 駆動手段
１１ 直流電位測定手段
１５ 異常検出手段
１７ ドライバー
１８ 速度制御手段
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶用トランジスタ素子を形成する際のドライエッチング工程やプラズマＣＶＤ工程などの薄膜回路形成工程に適用されるプラズマ処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶素子製造分野において、製造コストの削減や環境保護の観点から、工程の簡略化や環境負荷の少ない製造方法への変更が強く要請されており、特に液晶素子については液晶パネルの価格競争の激化とパネルの大型化傾向に伴い、従来の薬液によるエッチング工法から、積層膜を一括して高速にてドライエッチングする工法が強く望まれている。
【０００３】
また、液晶素子製造分野においては、ガラス基板の耐熱温度以下での成膜が必要であり、従来からプラズマＣＶＤ工法が用いられてきた。
【０００４】
しかしながら、ドライエッチングやプラズマＣＶＤは真空中にプラズマを発生させ、エッチングガスを乖離させ、イオンやラジカルにより物理的、化学的な反応を組み合わせて加工するため、誘電体から成る被処理基板の場合には、基板上に多量な電荷を発生させることになる。
【０００５】
薄膜回路はその構成上、金属膜と金属膜間を絶縁するための絶縁膜が薄膜形成されているので耐電圧には闘値を持つことになり、その闘値を越えるような電荷を被処理基板が帯びた場合には絶縁膜の破壊が発生し、薄膜回路を形成し得なくなる。
【０００６】
以下、図５を参照して代表的なドライエッチング装置を例に説明する。図５において、１は真空容器、２は図示しない排気手段と真空容器１内の圧力を調整する手段に接続された排気口、３はガス導入手段、４はガラス等の誘電体からなる基板、５は基板４を載置する第１の電極、６は第１の電極５に対向配置され、電気的に接地された第２の電極、７は第１の電極５に接続されたインピーダンス整合器、８は高周波電源、９は第１の電極５に対して基板４を上昇及び下降させるための基板上下移動機構、１０は基板上下移動機構９の駆動手段、１２は基板４を真空容器１に対して搬入、搬出するための移載アーム、１３は移載アーム１２を内蔵した移載室である。
【０００７】
以上のように構成されたドライエッチング装置について、以下その動作を説明する。基板４を第１の電極５上に載置し、排気口２より排気しながらガス導入手段３よりエッチングガスを真空容器１内に導入して真空容器１内を所定の圧力に調整し、高周波電源８より一定の高周波電力をインピーダンス整合器７を介して第１の電極５に印加すると、真空容器１内にプラズマが発生し、基板４表面の薄膜がエッチングされる。
【０００８】
所定時間のエッチングが完了した時点で、第１の電極５に対する高周波電力の印加を停止し、エッチングガス導入を停止し、排気口２より残留エッチングガスを排気してプラズマ処理を終了する。
【０００９】
次に、基板上下移動機構９の駆動手段１０を駆動させて基板４を第１の電極５の表面から突き上げて上昇させ、移載室１３の移載アーム１２を真空容器１内の基板４の下に搬入する。その後、基板上下移動機構９を下降させて基板４を移載アーム１２上に載置し、移載アーム１２にて基板４を真空容器１の外部へ搬出させ、次工程に移動させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記動作において、プラズマ処理中に基板４の表面の帯電位が増加しており、高周波電源８の動作を停止させてプラズマを消滅させた後も、基板４の表面への帯電は残留している。そのため、プラズマ処理終了後に基板４を第１の電極５の表面から突き上げ上昇させる瞬間に剥離帯電を起こし、基板４の表面に異常に高い表面電位を示す場合がある。この時の表面電位は、デバイス構造の差、真空容器１の内壁や第１の電極５や第２の電極６へのエッチング堆積物の堆積量の差に大きく依存するため、表面電位が劇的に高くなるという突発性を有していた。
【００１１】
このような場合に基板４の表面において、金属薄膜パターンに上下を挟まれた絶縁膜の耐電圧闘値を越えることがあり、絶縁破壊を起こし、品質不良を発生させる原因となっていた。
【００１２】
本発明は、上記従来の問題に鑑み、プラズマ処理終了後、被処理基板を電極表面から脱離移動させる瞬間に被処理基板の表面電位が異常に上昇してデバイス回路が破壊するのを防止できるプラズマ処理方法及び装置を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理方法は、誘電体からなる基板を真空容器内の第１の電極に載置し、真空容器内に反応ガスを導入しつつ、排気手段と圧力調整手段にて第１の電極とこれに対向する第２の電極との間の空間に制御された圧力空間を形成し、第１の電極と第２の電極の少なくとも一方に接続されたインピーダンス整合器と高周波電源により高周波電力を印加してプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法において、プラズマ処理終了後、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時に、インピーダンス整合器に接続された電極の直流電位が一定の闘値以下を保持するように基板の上昇脱離速度を制御することを特徴とする。
【００１４】
上記発明によれば、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時に、インピーダンス整合器に接続された電極の直流電位が一定の闘値以下を保持するように基板の上昇脱離速度を制御しているので、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時の剥離帯電によって基板表面帯電量が増加するのを抑制し、基板表面帯電量を絶縁破壊を発生させる帯電量以下に抑制することができ、デバイス構造の変化や真空容器内壁等の堆積物量にかかわらず基板の品質を確保することができる。
【００１５】
また、本発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、排気手段と、真空容器内の圧力を調整する手段と、ガス導入手段と、基板を載置する第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極の少なくとも一方に接続されたインピーダンス整合器と、高周波電源と、第１の電極表面に対して基板を上昇及び下降させる基板上下移動機構と、インピーダンス整合器に接続された電極の直流電位を測定する直流電位測定手段と、基板が第１の電極表面から上昇脱離するときの直流電位測定手段による測定値の大小に応じて基板上下移動機構の移動速度を変更する速度制御手段を備えたことを特徴とする。
【００１６】
上記発明によれば、基板が第１の電極表面から上昇脱離するときの直流電位測定手段による測定値の大小に応じて基板上下移動機構の移動速度を変更する速度制御手段を備えているので、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時の剥離帯電によって基板表面帯電量が増加するのを抑制し、基板表面帯電量を絶縁破壊を発生させる帯電量以下に抑制することができ、デバイス構造の変化や真空容器内壁等の堆積物量にかかわらず基板の品質を確保することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のプラズマ処理装置を、液晶アモルファスシリコンＴＦＴトランジスタ素子形成用のドライエッチング装置に適用した参考例および実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。
【００１８】
（参考例）
本発明のプラズマ処理装置の参考例について、図１、図２を参照して説明する。
【００１９】
図１において、１は真空容器、２は図示しない排気手段と真空容器１内の圧力を調整する手段に接続された排気口、３はガス導入手段、４はガラス等の誘電体からなる基板、５は基板４を載置する第１の電極、６は第１の電極５に対向配置され、電気的に接地された第２の電極、７は第１の電極５に接続された、ＬＣ回路から成るインピーダンス整合器、８は１３．５６ＭＨｚの周波数の高周波電力を出力する高周波電源、９は第１の電極５に対して基板４を上昇及び下降させるための基板上下移動機構、１０は基板上下移動機構９の駆動手段、１１は第１の電極５に接続された直流電位測定手段、１２は基板４を真空容器１に対して搬入、搬出するための移載アーム、１３は移載アーム１２及びその駆動系を内蔵した移載室である。
【００２０】
１４は基板上下移動機構９の駆動手段１０からの駆動検出信号に同調して、直流電位測定手段１１からの電圧信号を選択する指令を出力する電圧信号選別器、１５は電圧信号選別器１４からの選択指令を受けたときに直流電位測定手段１１からの電圧信号に対して、上限許容値に対する大小を比較して上限許容値を越えたときに異常信号を出力する異常検出手段、１６は異常検出手段１５からの異常信号を受けて装置及び運転者に異常発生を報知する警報機である。
【００２１】
以上のように構成されたドライエッチング装置について、以下その動作を説明する。基板４は液晶アモルファスシリコンＴＦＴトランジスタ素子を表面に形成するためのガラス基板であり、基板４の表面から上に向かって、金属積層膜からなるゲート電極パターン、次にシリコンナイトライド膜（ＳｉＮx ）からなるゲート絶縁膜、次にトランジスタ回路動作時に電子が移動する層（チャンネル層）となる島状に形成されたアモルファスシリコン膜パターン、次に不純物を含んだシリコン膜層（ドーピング層）パターン、次に金属堆積層膜からなるソース、ドレイ電極パターンと順次形成される。この基板４の、特に金属薄膜からなるソース、ドレイン電極及びチャンネル層のパターンを一括してドライエッチングする工程を例に説明する。
【００２２】
移載アーム１２と基板上下移動機構９により基板４を第１の電極５の表面に載置し、排気口２より排気しながらガス導入手段３より塩素系の混合ガス（Ｃｌ2 ／ＢＣｌ3 ）からなるエッチングガスを真空容器１内に導入する。真空容器１内を所定の圧力に調整し、高周波電源８より０．６Ｗ／ｃｍ2 程度の高周波電力をインピーダンス整合器７を介して第１の電極５に印加する。すると、真空容器１内にプラズマが発生し、基板４の表面の金属薄膜からなるソース、ドレイン電極及びチャンネル層のパターンがエッチングされる。
【００２３】
所定時間のエッチングが完了した時点で、第１の電極５に対する高周波電力の印加を停止し、エッチングガス導入を停止し、排気口２より残留エッチングガスを排気してプラズマ処理を終了する。
【００２４】
次に、基板上下移動機構９の駆動手段１０を駆動させて基板４を第１の電極５の表面から突き上げて上昇させる。その瞬間に、プラズマにより金属薄膜パターンに蓄積された電荷量が剥離帯電により大きく変化する。この帯電量の変化は、空間電位の変化をもたらし、第１の電極５の直流電位を相対的に変化させる。
【００２５】
図２にプラズマによる帯電量が多い基板４を第１の電極５から上昇させた時の基板上昇速度（破線で示す）と第１の電極５の直流電位（実線で示す）の変化の例を示す。
【００２６】
基板４が第１の電極５から上昇する前半は、基板中央は未だ電極表面に接触しており、基板４の外周部は電極表面から分離しているため基板４の帯電量が激増する。これに連動して第１の電極５の直流電位測定手段１１は１０００Ｖ以上の大きな電圧値を示した。この基板４の上昇時に電圧信号選別器１４が駆動手段１０からの駆動検出信号を受け、直流電位測定手段１１にて測定した直流電圧を異常検出手段１５に伝達する。
【００２７】
異常検出手段１５には予め電圧の上限許容値を５０Ｖ以下に設定しており、電圧信号に対して上限許容値に対する大小比較を電気的に行い、５０Ｖ以上の異常電圧の発生時に装置の運転制御系に伝達して装置の稼働を自動的に停止させるとともに、運転者に警報機１６にて報知する。
【００２８】
異常電圧が発生しない時は、第１の電極５から基板４を上昇分離させた状態で、移載室１３中の移載アーム１２を真空容器１内の基板４と電極５の間の空間に挿入する。その後、基板上下移動機構９を下降させ、基板４を移載アーム１２の上に載置し、移載アーム１２を真空容器１から移載室１３へ搬出させ、次の未処理基板と交換する。
【００２９】
以上の装置構成及び動作により、プラズマ処理後に基板４を第１の電極５から上昇させる瞬間に発生する、ソース、ドレイン電極パターンと電極パターンの間の絶縁破壊異常をインラインで発見することが可能となる。
【００３０】
（実施形態）
次に、本発明のプラズマ処理装置の実施形態について、図３、図４を参照して説明する。なお、上記参考例と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して説明を省略し、相違点のみを説明する。
【００３１】
図３において、基板上下移動機構９の駆動手段１０のドライバー１７に対して、直流電位測定手段１１からの直流電圧信号の大小に応じて基板上下移動速度を変更する速度制御手段１８を接続している。
【００３２】
次に、以上のように構成されたドライエッチング装置の動作を説明する。上記第１の実施形態と同様に基板４を第１の電極５の表面に載置してプラズマ処理を行い、基板４に対するプラズマ処理を終了した後、駆動手段１０にて基板上下移動機構９を駆動させて基板４を第１の電極５の表面から剥離して突き上げ、上昇させる。
【００３３】
その瞬間に、電圧信号選別器１４が駆動手段１０からの駆動検出信号を受けて直流電位測定手段１１からの電圧を速度制御手段１８に伝達する。速度制御手段１８は、基板上下移動機構９が駆動を開始した瞬間から常時第１の電極５の電位を取り込み、フィードバック制御により第１の電極５の電位が５０Ｖを越えないように速度指示値をドライバー１７に出力する。
【００３４】
基板４が上昇上限位置に来た段階で、フィードバック系を解除し、上記実施形態と同様に移載アーム１２にて移載室１３に搬出させ、次の未処理基板と交換する。
【００３５】
図４に、以上のように基板４を処理した時の第１の電極５の直流電位の変化の例を示す。図２に比べ基板上昇速度（破線で示す）を第１の電極５の電位の変化に応じて制御することによって基板４の電位（実線で示す）を５０Ｖ以下に抑制することが可能となった。
【００３６】
以上の装置構成及び動作により、プラズマ処理後の基板４の第１の電極５から上昇させる瞬間に発生する、ソース、ドレイン電極パターンとゲート電極パターンの間の絶縁破壊異常を低減することができる。
【００３８】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理方法及び装置によれば、プラズマ処理終了後、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時に、インピーダンス整合器に接続された電極の直流電位が一定の闘値以下を保持するように基板の上昇脱離速度を制御するようにしているので、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時の剥離帯電によって基板表面帯電量が増加するのを抑制し、基板表面帯電量を絶縁破壊を発生させる帯電量以下に抑制することができ、デバイス構造の変化や真空容器内壁等の堆積物量にかかわらず基板の品質を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のプラズマ処理装置の参考例の概略構成図である。
【図２】 同参考例のプラズマ処理中及び基板上昇時の電極電位の変化を示す説明図である。
【図３】 本発明のプラズマ処理装置の実施形態の概略構成図である。
【図４】 同実施形態のプラズマ処理中及び基板上昇時の電極電位の変化を示す説明図である。
【図５】 従来例のプラズマ処理装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１ 真空容器
２ 排気口
３ ガス導入手段
４ 基板
５ 第１の電極
６ 第２の電極
７ インピーダンス整合器
８ 高周波電源
９ 基板上下移動機構
１０ 駆動手段
１１ 直流電位測定手段
１５ 異常検出手段
１７ ドライバー
１８ 速度制御手段
Claims (2)
- 誘電体からなる基板を真空容器内の第１の電極に載置し、真空容器内に反応ガスを導入しつつ、排気手段と圧力調整手段にて第１の電極とこれに対向する第２の電極との間の空間に制御された圧力空間を形成し、第１の電極と第２の電極の少なくとも一方に接続されたインピーダンス整合器と高周波電源により高周波電力を印加してプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法において、プラズマ処理終了後、第１の電極表面から基板を上昇脱離させる時に、インピーダンス整合器に接続された電極の直流電位が一定の闘値以下を保持するように基板の上昇脱離速度を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
- 真空容器と、排気手段と、真空容器内の圧力を調整する手段と、ガス導入手段と、基板を載置する第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極の少なくとも一方に接続されたインピーダンス整合器と、高周波電源と、第１の電極表面に対して基板を上昇及び下降させる基板上下移動機構と、インピーダンス整合器に接続された電極の直流電位を測定する直流電位測定手段と、基板が第１の電極表面から上昇脱離するときの直流電位測定手段による測定値の大小に応じて基板上下移動機構の移動速度を変更する速度制御手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001043683A JP3977994B2 (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001043683A JP3977994B2 (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246373A JP2002246373A (ja) | 2002-08-30 |
| JP3977994B2 true JP3977994B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=18905806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001043683A Expired - Fee Related JP3977994B2 (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3977994B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090230089A1 (en) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | Kallol Bera | Electrical control of plasma uniformity using external circuit |
| JP5356962B2 (ja) * | 2009-09-21 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置機構、ダイシングフレーム付きウエハの搬送方法及びこの搬送方法に用いられるウエハ搬送用プログラム |
| JPWO2021059989A1 (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 |
-
2001
- 2001-02-20 JP JP2001043683A patent/JP3977994B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002246373A (ja) | 2002-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6194037B1 (en) | Method of plasma processing a substrate placed on a substrate table | |
| CN101707186B (zh) | 基板载置台和基板处理装置 | |
| US20040072426A1 (en) | Process chamber for manufacturing a smiconductor device | |
| EP0776032A2 (en) | Plasma etching method | |
| US20070178698A1 (en) | Substrate processing apparatus and fabrication process of a semiconductor device | |
| JP2001093884A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| US8394230B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP2010161350A (ja) | 基板処理方法 | |
| US5552955A (en) | Substrate removal method and mechanism for effecting the method | |
| JP3977994B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP3629705B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2007042744A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2000195851A (ja) | プラズマ処理装置ならびにプラズマ処理方法 | |
| JP2002261084A (ja) | ドライエッチング方法及び装置 | |
| KR102030470B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP3754157B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
| JPH06168914A (ja) | エッチング処理方法 | |
| JP2001298013A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001085411A (ja) | 真空処理方法 | |
| JP2002184760A (ja) | ガラス基板対応プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH07201829A (ja) | プラズマ処理装置の洗浄方法 | |
| JP2007234991A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| KR19990048958A (ko) | 식각 챔버용 유리기판 흡착 장치 | |
| JP2000114239A (ja) | ドライエッチング方法及び装置 | |
| JP3261877B2 (ja) | プラズマ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050307 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070529 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070622 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |