CN101707186B - 基板载置台和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在对基板(G)进行等离子体处理时，在与载置台本体的升降销的插通孔对应的位置不易产生处理不均匀的基板载置台(4)。在等离子体处理中载置基板(G)的基板载置台(4)通过由绝缘部件构成的隔板(7)而配置在处理容器(2)内，使得在基板载置台(4)与处理容器(2)的底壁(2a)之间形成空间(31)，使该空间(31)为大气气氛。

Description

基板载置台和基板处理装置
技术领域
本发明涉及在对液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板、半导体晶片等基板进行干蚀刻等处理的基板处理装置中，在处理容器内载置基板的基板载置台和应用该基板载置台的基板处理装置。
背景技术
例如，在FPD或半导体的制造工艺中，对作为被处理基板的玻璃基板或半导体晶片进行干蚀刻、溅射、CVD(化学气相生长)等各种处理。
这样的处理，例如在将基板载置在设置于腔室内的基板载置台上的状态下进行。基板相对于基板载置台的装载和卸载通过使基板载置台具有的多个升降销升降而进行。即，在装载基板时，在使升降销从载置台本体的表面突出的状态下，将载置在搬送臂上的基板转移至销上，并使升降销下降。另外，在卸载基板时，从基板载置在载置台本体上的状态开始，使升降销上升，从而使基板从载置台本体表面上升，在该状态下，将基板转移至搬送臂。这样的技术为惯用技术，例如已在专利文献1中公开。
以LCD为代表的FPD用的玻璃基板趋向大型化，要求一边超过2m的那样的巨大基板，在要利用升降销支撑这样的大型基板的情况下，像以往那样支撑基板的周边部时，玻璃基板会产生弯曲，有可能不能对基板进行准确的装载和卸载，因此不得不在基板的中央部也设置升降销。因此，在玻璃基板的中央部也设置有升降销。
可是，在对FPD用的玻璃基板进行等离子体蚀刻的蚀刻装置的情况下，在腔室内配置有一对平行平板电极(上部和下部电极)，基板载置台作为下部电极起作用。在这样的下部电极中，在如上述那样在玻璃基板的中央部设置升降销的情况下，从提高蚀刻处理的面内均匀性的观点出发，要使用导电性的销作为升降销，并使其与下部电极为相同电位，从而确保蚀刻处理的均匀性。
[专利文献1]特开平11-340208号公报
然而，在对玻璃基板和石英基板等绝缘性基板进行等离子体蚀刻那样的等离子体处理的情况下，在与形成于基板载置台中的升降销的插通孔对应的部分，鞘(sheath)区域的电磁场不均匀，由此判明，升降销的孔的正上方位置的蚀刻速率与其它部分不同。这是结果会产生蚀刻残留等的主要原因。
发明内容
本发明鉴于上述情况而做出，其目的是提供一种在对基板进行等离子体处理时，在与载置台本体的升降销的插通孔对应的位置难以产生处理不均匀的基板载置台和具有这样的基板载置台的等离子体处理装置。
为了解决上述问题，本发明的第一方面提供一种基板载置台，其为在对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置的处理容器内载置基板的基板载置台，其特征在于，包括：载置台本体；和铅垂地插通上述载置台本体，以相对于上述载置台本体的表面突出没入的方式自由升降地设置，用其前端支撑基板以使基板升降的多个升降销，其中，上述升降销的至少前端部为导电性的，并且，上述升降销能够位于在等离子体处理时退避至上述载置台本体内的退避位置、和从上述载置台本体突出以支撑基板的支撑位置，当位于上述退避位置时，进行调整，使得其前端的高度位置为距离基板的背面70～130μm的下方。
在上述第一方面中，优选上述升降销与上述载置台本体为相同电位。
本发明的第二方面提供一种基板载置台，其为在对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置的处理容器内载置基板、并且作为下部电极起作用的基板载置台，其特征在于，包括：载置台本体；和铅垂地插通上述载置台本体，以相对于上述载置台本体的表面突出没入的方式自由升降地设置，用其前端支撑基板以使基板升降的多个升降销，其中，上述升降销能够位于在等离子体处理时退避至上述载置台本体内的退避位置、和从上述载置台本体突出以支撑基板的支撑位置，并且包括支撑基板的周边部的多个第一升降销和支撑基板的中心部的1个以上的第二升降销，上述第二升降销的至少前端部为导电性的，当上述第二升降销位于上述退避位置时，进行调整，使得其前端的高度位置为距离基板的背面70～130μm的下方。
在上述第二方面中，优选上述第二升降销与上述载置台本体为相同电位。另外，在上述第二方面中，优选还包括独立地控制上述第一升降销与上述第二升降销的升降的控制部。
上述第一方面或第二方面的发明中，被载置的基板为绝缘性基板，所以特别有效。另外，在上述第一方面或第二方面中，优选还包括调整上述升降销的高度位置的高度位置调整机构。另外，可以构成为：上述载置台本体的表面上具有由绝缘体构成的多个凸部，基板被载置在该凸部上。另外，可以构成为：向上述载置台本体供给等离子体生成用的高频电力。另外，可以构成为：上述载置台本体通过由绝缘部件构成的隔板(spacer)而配置在处理容器内，使得在上述载置台本体与上述处理容器的底壁之间形成空间，使上述空间为大气气氛，利用贯通上述空间的螺栓将上述载置台本体固定在上述处理容器的底壁上。
本发明的第三方面提供一种基板处理装置，其为对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置，其包括：收容基板的处理容器；设置在上述处理容器内，载置基板的基板载置台；向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；对上述处理容器内进行排气的排气机构；和在上述处理室内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构，其特征在于，上述基板载置台具有上述第一方面或第二方面的结构。
在上述第三方面中，上述等离子体生成机构可以包括：作为下部电极起作用的上述基板载置台；与基板载置台相对设置的上部电极；和向基板载置台施加高频电力的高频电源。
根据本发明，对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置的基板载置台中具有的多个升降销，至少其前端部为导电性的，当其位于在等离子体处理时退避至上述载置台本体内的退避位置时，进行调整，使得其前端的高度位置为距离基板背面70～130μm的下方，因此，能够消除在与升降销的孔对应的部分的鞘(sheath)区域中电磁场的不均匀，从而能够进行均匀的等离子体处理。
另外，因为在等离子体处理时处理的不均匀成为问题的是基板的中央部，所以，只要如第二方面那样，分成支撑基板的周边部的多个第一升降销、和支撑基板的中心部的1个以上的第二升降销，并对第二升降销进行如上所述的高度调整，就能够进行均匀的等离子体处理，能够减少进行高度调整的升降销的数目，从而减轻调整操作的工作。
附图说明
图1是表示设置有作为本发明的一个实施方式的基板载置台的基座的作为处理装置的一个例子的等离子体蚀刻装置的截面图。
图2是用于说明基座中的升降销的配置的平面图。
图3是将升降销位于退避位置时的基座的上部放大表示的截面图。
图4是将包含基座的升降销的高度位置调整机构的部分放大表示的截面图。
图5是表示用于使周边升降销和中央升降销独立地升降的机构的示意图。
图6是表示以往的蚀刻处理时的升降销的高度位置的示意图。
图7是表示在用于表明本发明的效果的实验中使用的装置的中央升降销的配置的图。
符号说明
1    等离子体蚀刻装置
2    腔室(处理容器)
4    基座(基板载置台)
4a   基座本体(载置台本体)
5    基材
5a   凸部
6    绝缘部件
7    隔板(spacer)部件
11   喷头(气体供给单元)
20    排气装置
25a   高频电源(等离子体生成单元)
30    升降销
30a   周边升降销
30b   中央升降销
35    下部销
40    支撑部件
44    波纹管
50    高度位置调整机构
G     玻璃基板
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。图1是表示设置有作为本发明的一个实施方式的基板载置台的基座的作为处理装置的一个例子的等离子体蚀刻装置的截面图。该等离子体蚀刻装置1为对FPD用玻璃基板G进行规定处理的装置的截面图，构成为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。在此，作为FPD，可例示液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器、电致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、荧光显示管(Vacuum Fluorescent Display；VFD)、等离子体显示面板(PDP)等。
该等离子体蚀刻装置1具有由例如表面经过氧化铝膜处理(阳极氧化处理)的铝构成的、成形为方筒形状的腔室2。
在该腔室2内的底部设置有作为用于载置作为被处理基板的玻璃基板G的基板载置台的基座4。该基座4包括：基座本体4a；和用于进行玻璃基板G相对于基座本体4a的装载和卸载的多个升降销30。
用于供给高频电力的供电线23与基座本体4a连接。该供电线23从中途分支为供电线23a和23b，匹配器24a和等离子体生成用的高频电源25a与供电线23a连接，匹配器24b和偏压生成用的高频电源25b与供电线23b连接。等离子体生成用的高频电源25a的频率为10～100MHz的范围，例如为13.56MHz。偏压生成用的高频电源25b用于将离子引入基座本体4a，使用频率比等离子体生成用的高频电源25a低的50kHz～10MHz范围的频率，例如为3.2MHz。
在上述基座4的上方，与基座4平行相对地设置有作为上部电极起作用的喷头11。喷头11被支撑在腔室2的上部，在内部具有内部空间12，并且，在与基座4相对的面上形成有喷出处理气体的多个喷出孔13。该喷头11被接地，与基座4一起构成一对平行平板电极。
在喷头11的上面上设置有气体导入口14，处理气体供给管15与该气体导入口14连接，处理气体供给源18通过阀16和质量流量控制器17与该处理气体供给管15连接。从处理气体供给源18供给蚀刻用的处理气体。作为处理气体，可以使用卤素系气体、O2气体、Ar气体等在该领域中通常使用的气体。
在上述腔室2的底部形成有排气管19，排气装置20与该排气管19连接。排气装置20包括涡轮分子泵等真空泵，由此能够将腔室2内抽真空至规定的减压气氛。另外，在腔室2的侧壁上设置有基板搬入搬出口21和对该基板搬入搬出口21进行开闭的闸阀22，在将该闸阀22打开的状态下，在与相邻的负载锁定室(未图示)之间搬送基板G。
接着，除了图1以外，还参照图2～4，对作为本发明的一个实施方式的基板载置台的基座4进行说明。图2为用于说明基座4中的升降销的配置的平面图，图3为将升降销位于退避位置时的基座4的上部放大表示的截面图，图4为将包含基座4的升降销的高度位置调整机构的部分放大表示的截面图。
如上所述，该基座4包括基座本体4a和多个升降销30，基座本体4a包括金属制的基材5和设置在基材5的周边的绝缘部件6。另外，升降销30由导电性材料构成，典型地由金属构成，如图2所示，分成支撑玻璃基板G的周边的周边升降销30a和中央升降销30b，周边升降销30a在基座本体4a的长边上设置有3个，在短边上设置有2个，合计设置有10个，中央升降销30b在中央部设置有3个。但是，升降销的数目并不限定于此，根据被处理基板的大小，适当设置最佳的个数。
如1图所示，在腔室2的底壁2a上，以与基座本体4a的周边部对应的方式设置有由绝缘体构成的隔板部件7，基座本体4a载置在其上。隔板部件7与底壁2a之间、以及隔板部件7与基座本体4a之间气密地密封，在基座本体4a与底壁2a之间形成大气气氛的空间31。利用该空间31实现大气绝缘。在底壁2a中埋设有由陶瓷等绝缘体构成的多个绝缘部件32，利用分别插入在该多个绝缘部件32的中心铅垂地设置的贯通孔中的多个螺栓33，将底壁2a和基座本体4a固定。通过这样利用螺栓33将底壁2a和基座本体4a固定，腔室2内被保持为真空，可防止基座本体4a弯曲。
在基座本体4a的上面、即基材5的表面上，呈突起状地形成有由电介质材料构成的多个凸部5a，这些凸部5a处于周围被绝缘部件6包围的状态。绝缘部件6的上表面与凸部5a的上表面为相同高度，在将玻璃基板G载置在基座本体4a上的情况下，其处于与绝缘部件6的上表面和凸部5a的上表面接触的状态。另外，如图3所示，在凸部5a之下形成有由与凸部5a同样的电介质材料构成的薄的电介质层5b。
如图3所示，升降销30的前端部插通在基座本体4a的基材5中设置的插通孔5c。利用未图示的驱动机构进行升降，在等离子体蚀刻时，如图3所示，位于没入基座本体4a内的退避位置，在装载和卸载玻璃基板G时，位于以从基座本体4a的表面向上方突出的状态支撑玻璃基板G的支撑位置。
当升降销30位于等离子体蚀刻时的退避位置时，如图3所示，进行高度调整，使得其前端的高度位置为距离玻璃基板G的背面70～130μm的位置。通过这样进行高度调整，能够消除等离子体蚀刻时，插通孔5c的正上方位置的鞘区域的电磁场的不均匀。
另外，如图4所示，升降销30的下端部插入下部销35中，该下部销35由导电性材料构成，典型地由金属材料构成，下部销35的下端通过螺旋夹被支撑在支撑部件40上。下部销35通过设置在腔室2的底壁2a上的插通孔2b，向腔室2的下方延伸，支撑部件40位于腔室2的外侧。支撑部件40包括构成上部的导电性部件41和设置在其下的绝缘部件42。在支撑部件40的导电性部件41与基座本体4a之间，设置有用于遮断真空气氛和大气气氛的导电性的波纹管44。因此，升降销30通过波纹管44和导电性部件41，与基座本体4a电连接，它们被保持为相同电位。
如图4所示，在支撑部件40的下面设置有用于调整升降销30的高度位置的高度位置调整机构50(在图4中，仅图示中心升降销30b的高度位置调整机构50)。该高度位置调整机构50包括：将支撑部件40卡止的卡止部件51；在上下方向上对卡止部件51进行导向的导向部件52；设置在卡止部件51的下方的基底部件53；和从基底部件53的下面插入，其前端与卡止部件51接触而设置的多个调整螺钉54。该高度位置调整机构50能够在大气气氛中进行升降销的高度位置调整。此外，参照符号56为用于使升降销30在退避位置与支撑位置之间移动的金属线(wire)，该金属线56与未图示的驱动机构连接。通过利用驱动机构驱动金属线56，使升降销30、下部销35和支撑部件40一体地升降。高度位置调整机构50的定位，通过在使支撑部件40与卡止部件51卡止的状态下对调整螺钉54进行调整而进行。
在升降销30中，周边升降销30a和中央升降销30b能够独立升降。即，如图5所示，周边升降销30a利用驱动机构60a，一并通过金属线56、支撑部件40和下部销而进行升降，中央升降销30b利用驱动机构60b，一并通过金属线56、支撑部件40和下部销而进行升降。这些驱动机构60a、60b由控制器61控制，例如，能够使周边升降销30a和中央升降销30b的升降定时错开。
接着，说明这样构成的等离子体蚀刻装置1的处理动作。
预先，利用高度位置调整机构50进行退避位置的升降销30的位置调整。具体地说，利用驱动机构使支撑部件40成为与卡止部件51卡止的状态，对调整螺钉54进行调整，以使卡止部件51升降，使用千分表等进行调整，使得升降销30的前端的高度位置为距离基座本体4a的凸部5a的上表面70～130μm。
在这样进行了升降销30的位置调整的状态下，首先，利用未图示的搬送臂，将作为被处理基板的玻璃基板G，从未图示的负载锁定室，通过基板搬入搬出口21，搬入到腔室2内，并载置在基座本体4a上，即载置在形成于基座本体4a的表面上的由电介质材料构成的凸部5a和绝缘部件6上。在该情况下，使升降销30向上方突出以使其位于支撑位置，将搬送臂上的玻璃基板G转移至升降销30上。然后，使升降销30下降，将玻璃基板G载置在基座本体4a上。此时的升降销30的升降顺序为：在上升时，首先使周边升降销30a先上升，稍微延迟，使中央升降销30b上升。另一方面，在下降时，首先使中央升降销30b下降，稍微延迟，使周边升降销30a下降。此时的延迟时间为0.5～2sec左右。这样，通过从周边部将玻璃基板G举起，例如，即使在玻璃基板G与基座本体4a紧贴的情况下，也能够容易地使基板G与基座本体4a分离，从而能够防止玻璃基板G破裂。另外，在下降时，从中央部开始将玻璃基板G载置在基座本体4a上，因此，能够载置玻璃基板G，而不会使基板G具有无用的应力等，不会使玻璃基板G的中央部产生与基座本体4a之间的间隙等。
然后，关闭闸阀22，利用排气装置20将腔室2内抽真空至规定的真空度。然后，打开阀16，一边利用质量流量控制器17调整流量，一边从处理气体供给源18通过处理气体供给管15和气体导入口14将处理气体导入喷头11的内部空间12，再通过喷出孔13均匀地向基板G喷出，一边调节排气量，一边将腔室2内控制为规定压力。
在该状态下，从高频电源25a通过匹配器24a，向基座本体4a施加等离子体生成用的高频电力，在作为下部电极的基座4与作为上部电极的喷头11之间产生高频电场，生成处理气体的等离子体，利用该等离子体对玻璃基板G进行蚀刻处理。另外，从高频电源25b，通过匹配器24b，向基座本体4a施加偏压生成用的高频电力。
当这样进行蚀刻处理时，以往，如图6所示，将升降销30的前端位置调整为与凸部5a的底面大致相同的高度。即，因为凸部5a的高度最大为50μm左右，所以，以往升降销30的前端与玻璃基板G的背面的距离为50μm以下。但是，在该状态下，判明：在玻璃基板G的上方的鞘区域的与插通孔5c对应的部分，产生电磁场不均匀。当产生这样的鞘区域的电磁场不均匀时，该部分的蚀刻速率将与其它部分不同，结果会产生蚀刻残留。特别地，在本实施方式中使用的玻璃基板G等绝缘基板中，该趋势显著。
因此，本发明人对这一点进行了研究，结果判明，通过调整升降销30的高度位置，能够消除这样的鞘区域的电磁场不均匀。即，导电性的升降销30的前端的高度对等离子体的鞘区域有影响，通过使其高度为适当的高度，能够使鞘区域的插通孔5c正上方位置的电磁场大小与其周围为相同程度，从而能够进行均匀的蚀刻。
如果进行调整，使得升降销30的前端的高度位置为距离玻璃基板G的背面70～130μm的下方，或者，当凸部5a的高度为50μm时，使得该高度位置为距离作为凸部5a的底面的基座本体4a的表面20～80μm的下方，则能够抑制由电磁场不均匀引起的蚀刻不均匀。当升降销30的前端的高度位置小于70μm时，升降销30的插通孔5c的正上方部分比其周边部分蚀刻得多，另一方面，当该高度位置超过130μm时，反而难以被蚀刻，升降销30的插通孔5c的正上方部分比其周边部分蚀刻得少，都难以进行均匀的蚀刻。
这样的升降销的高度调整，对于预想玻璃基板G的对应部分实际上将成为制品的中央升降销30b特别重要。与周边升降销30a对应的位置通常不会成为制品，因此，对于周边升降销30a，不一定需要进行上述那样的高度位置调整。因此，可以仅对中央升降销30b进行上述那样严密的高度调整，对于周边升降销30a不进行上述那样的调整，利用目视等简便的方法进行。在这种情况下，能够减少进行高度调整的升降销的数目，从而能够减轻调整操作的工作。
另外，这样的升降销的高度调整的前提是基座本体4a实质上不会产生变形。即，当基座本体4a会产生变形时，即使高精度地进行升降销30的位置调整，玻璃基板G的背面与升降销30的前端的位置也会变化。升降销30的位置调整将会变得没有意义。但是，玻璃基板G大型化，与此相伴，基座本体4a大型化，而且如上所述采用大气绝缘使基座本体4a与腔室2的底壁之间空气绝缘，因此，当将腔室2内抽真空时，基座本体4a容易因弯曲而变形。因此，在本实施方式中，用多个螺栓33将腔室2的底壁与基座本体4a固定，防止抽真空时基座本体4a的弯曲，从而有效地进行升降销30的定位。
在这样进行蚀刻处理后，停止从高频电源25施加高频电力、并停止导入处理气体后，将腔室2内的压力调整为规定的压力，利用升降销30使玻璃基板G上升至支撑位置。此时，如上所述，先使周边升降销30a上升，稍微延迟，使中央升降销30b上升。在该状态下，打开闸阀22，将未图示的搬送臂插入腔室2内，将位于升降销30上的玻璃基板G转移至搬送臂上。然后，使升降销30下降。在该下降时，先使中央升降销30b下降，稍微延迟，使周边升降销下降。另一方面，载置在搬送臂上的玻璃基板G，通过基板搬入搬出口21，从腔室2内向未图示的负载锁定室搬出。
接着，说明确认本发明的升降销的高度位置调整的效果的实验。
在此，配置长方形的非晶硅基板，使得覆盖位于图7所示的平面位置的3根中央升降销30b(No.1、No.2、No.3)，改变销前端的高度位置(测试1～4)，在下述条件下进行蚀刻(非晶硅的蚀刻)，进行销痕迹的确认(目视)和蚀刻台阶差(销插通孔正上方位置与销周边的台阶差)的测定。在图7中，白的圆表示中央升降销，黑的圆表示周边升降销。长方形的周边设置有大部分被氮化硅膜覆盖的玻璃基板。另外，销周边为离开中央升降销的中心点大约30mm的位置。
·蚀刻条件
压力：＜6.7Pa
高频功率
等离子体生成用高频(13.56MHz)＝18kW
偏压生成用高频(3.2MHz)＝7.5kW
蚀刻气体
Cl2/SF6＝6000/427mL/min(sccm)
蚀刻时间：20sec
将结果示于表1。在表1中，利用目视进行的销痕迹评价的评价基准为：A——销痕迹深，能够看出；B——销痕迹浅，但能够看出；C——从表面几乎看不见，从背面稍微能够看出一点，D：没有销痕迹。
Figure G2009102534464D0000121
如表1所示，在中央升降销的前端的高度位置位于比距离玻璃基板G背面130μm的位置低的位置的测试1、2中，销痕迹大多为在表面能够看出的“B”，是升降销正上方部分的蚀刻深度小的趋势，结果不充分。另一方面，在升降销30的前端的高度位置为距离基板背面比70μm小的50μm(与凸部5a的底面大致相同高度)的测度3中，蚀刻的趋势相反，升降销的正上方部分的蚀刻深度大，而且销痕迹存在评价“A”，结果还不充分。与此相对，在中央升降销的前端的高度位置位于距离玻璃基板G的背面为本发明的范围内的100μm的测试4中，销痕迹的评价为“C～D”，为良好，蚀刻台阶差为小至-1.3～0.9nm的值。由此确认了本发明的效果。
本发明并不限定于上述实施方式，能够进行各种变形。
例如，在上述实施方式中，说明了将本发明的基板载置台应用于向下部电极施加高频电力的RIE类型的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置中的作为下部电极的基座的例子，但不限于此，也能够应用于灰化、CVD成膜等其它等离子体处埋装置，也可以是向上部电极供给高频电力的类型，而且不限于电容耦合型，也可以是电感耦合型。
另外，在上述实施方式中，使升降销30通过波纹管44与基座本体4a导通，使它们为相同电位，但升降销30也可以为浮动(floating)状态。
另外，在上述实施方式中，说明了使用绝缘性的FPD用玻璃基板G作为被处理基板的例子，但不限于此，也可以是其它基板。

Claims (6)

1.一种基板载置台，其为在对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置的处理容器内载置基板的基板载置台，其特征在于，
所述基板载置台通过由绝缘部件构成的隔板而配置在处理容器内，使得在所述基板载置台与所述处理容器的底壁之间形成空间，使所述空间为大气气氛，
所述基板载置台由贯通所述空间的螺栓固定在所述处理容器的底壁上。
2.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于，
通过使所述空间为大气气氛，使所述基板载置台与所述处理容器的底壁之间呈大气绝缘，在所述基板载置台上施加高频电力。
3.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于，
所述隔板与所述底壁之间，以及所述隔板与所述基板载置台之间，气密地密封。
4.如权利要求3所述的基板载置台，其特征在于，
所述隔板配置在所述基板载置台的下侧周边部。
5.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于，
在所述底壁中，埋设有多个绝缘部件，所述螺栓插入铅垂地设置在所述多个绝缘部件的中心的贯通孔中。
6.一种基板处理装置，其为对基板进行等离子体处理的基板处理装置，其包括：
收容基板的处理容器；
向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；
对所述处理容器内进行排气的排气机构；和
在所述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构，其特征在于，
所述处理容器具有权利要求1～5中任一项所述的基板载置台。
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