JPH04305958A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04305958A JPH04305958A JP164991A JP164991A JPH04305958A JP H04305958 A JPH04305958 A JP H04305958A JP 164991 A JP164991 A JP 164991A JP 164991 A JP164991 A JP 164991A JP H04305958 A JPH04305958 A JP H04305958A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関す
る。
る。
【０００３】
【従来の技術】従来から、基板載置台上に半導体ウエハ
等の被処理基板を載置して所定の処理を施す半導体製造
装置では、この基板載置台を貫通する如く基板支持体例
えば３本の基板支持ピンを設け、これらの基板支持ピン
と基板載置台とを相対的に上下動させ、基板載置台上に
基板支持ピンが突出した状態および基板載置台内に基板
支持ピンが格納された状態に設定することができるよう
構成されたものが多い。例えば、半導体ウエハを加熱す
る加熱装置等では、基板載置台内に所定温度に設定可能
に構成された加熱手段、例えば抵抗加熱ヒータが内蔵さ
れている。そして、基板載置台上に基板支持ピンを突出
させた状態で、ロボット搬送された半導体ウエハを基板
支持ピン上に載置してロボットアームは退避し、この後
前記基板支持ピンが相対的に基板載置台にもぐり込むこ
とによりすなわち基板載置台内に基板支持ピンを格納状
態とすることにより基板載置台上に半導体ウエハを受け
渡し、半導体ウエハに処理例えば加熱処理を施す。また
、加熱処理が終了すると、基板載置台表面上方に基板支
持ピンを突出させることにより、基板載置台上から基板
支持ピン上に半導体ウエハを受け渡し、基板支持ピン上
からロボット搬送等によりアンロードする。なお、この
ように、半導体ウエハのロード・アンロードの際に、基
板支持ピン上に半導体ウエハを支持するのは、自動ロー
ディングアンローディングの面から半導体ウエハの下部
に、ウエハピンセット等の半導体ウエハ支持機構を挿入
する空間を設けるためである。また、上記基板支持ピン
としては、耐熱性、ウエハ汚染、機械的強度等の面から
、例えばポリイミド樹脂、セラミックス等の材質のもの
が使用されている。
等の被処理基板を載置して所定の処理を施す半導体製造
装置では、この基板載置台を貫通する如く基板支持体例
えば３本の基板支持ピンを設け、これらの基板支持ピン
と基板載置台とを相対的に上下動させ、基板載置台上に
基板支持ピンが突出した状態および基板載置台内に基板
支持ピンが格納された状態に設定することができるよう
構成されたものが多い。例えば、半導体ウエハを加熱す
る加熱装置等では、基板載置台内に所定温度に設定可能
に構成された加熱手段、例えば抵抗加熱ヒータが内蔵さ
れている。そして、基板載置台上に基板支持ピンを突出
させた状態で、ロボット搬送された半導体ウエハを基板
支持ピン上に載置してロボットアームは退避し、この後
前記基板支持ピンが相対的に基板載置台にもぐり込むこ
とによりすなわち基板載置台内に基板支持ピンを格納状
態とすることにより基板載置台上に半導体ウエハを受け
渡し、半導体ウエハに処理例えば加熱処理を施す。また
、加熱処理が終了すると、基板載置台表面上方に基板支
持ピンを突出させることにより、基板載置台上から基板
支持ピン上に半導体ウエハを受け渡し、基板支持ピン上
からロボット搬送等によりアンロードする。なお、この
ように、半導体ウエハのロード・アンロードの際に、基
板支持ピン上に半導体ウエハを支持するのは、自動ロー
ディングアンローディングの面から半導体ウエハの下部
に、ウエハピンセット等の半導体ウエハ支持機構を挿入
する空間を設けるためである。また、上記基板支持ピン
としては、耐熱性、ウエハ汚染、機械的強度等の面から
、例えばポリイミド樹脂、セラミックス等の材質のもの
が使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記説
明の従来の半導体製造装置では、被処理基板例えば半導
体ウエハが製造工程において帯電してしまい、基板載置
台上に載置した時静電的に基板載置台上に吸着してしま
う。このためアンロードの時に下部から基板支持ピンで
半導体ウエハ裏面を押し上げる際に、半導体ウエハが基
板載置台から剥がれ難くなり、基板支持ピン上で半導体
ウエハが位置ずれを起こしたり、基板支持ピン上から落
下することがあるという問題があった。これは基板載置
台面が酸化防止を目的としてタフラム等で絶縁処理され
るためで、特に、加熱装置例えばベーキング装置やアド
ヒージョン装置では、高温の乾燥した雰囲気下で半導体
ウエハを取り扱うため、半導体ウエハが帯電し易く、こ
のような問題が大きな問題となっていた。
明の従来の半導体製造装置では、被処理基板例えば半導
体ウエハが製造工程において帯電してしまい、基板載置
台上に載置した時静電的に基板載置台上に吸着してしま
う。このためアンロードの時に下部から基板支持ピンで
半導体ウエハ裏面を押し上げる際に、半導体ウエハが基
板載置台から剥がれ難くなり、基板支持ピン上で半導体
ウエハが位置ずれを起こしたり、基板支持ピン上から落
下することがあるという問題があった。これは基板載置
台面が酸化防止を目的としてタフラム等で絶縁処理され
るためで、特に、加熱装置例えばベーキング装置やアド
ヒージョン装置では、高温の乾燥した雰囲気下で半導体
ウエハを取り扱うため、半導体ウエハが帯電し易く、こ
のような問題が大きな問題となっていた。
【０００５】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、基板載置台からのアンロードの際に、静
電気により被処理基板が基板載置台上に吸着し、位置ず
れを起こしたり落下することを防止することのできる半
導体製造装置を提供しようとするものである。
されたもので、基板載置台からのアンロードの際に、静
電気により被処理基板が基板載置台上に吸着し、位置ず
れを起こしたり落下することを防止することのできる半
導体製造装置を提供しようとするものである。
【０００６】［発明の構成］
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明の半導体
製造装置は、被処理基板を載置して所望の処理を施すた
めの基板載置台と、この基板載置台を貫通する如く設け
られた基板支持体とを相対的に上下動させ、前記基板載
置台および前記基板支持体によって前記被処理基板を支
持可能に構成された半導体製造装置において、前記基板
支持体の少なくとも一部に、前記被処理基板との接触部
から該被処理基板に蓄積した電荷を導出するための機構
を設けたことを特徴とする。
製造装置は、被処理基板を載置して所望の処理を施すた
めの基板載置台と、この基板載置台を貫通する如く設け
られた基板支持体とを相対的に上下動させ、前記基板載
置台および前記基板支持体によって前記被処理基板を支
持可能に構成された半導体製造装置において、前記基板
支持体の少なくとも一部に、前記被処理基板との接触部
から該被処理基板に蓄積した電荷を導出するための機構
を設けたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記構成の本発明の半導体製造装置では、基板
支持体、例えば基板支持ピンの少なくとも一部に、被処
理基板との接触部から該被処理基板に蓄積した電荷を導
出するための機構が設けられている。したがって、被処
理基板が静電気により基板載置台に吸着することを防止
することができ、基板載置台からのアンロードの際に被
処理基板が位置ずれを起こしたり落下することを防止す
ることができる。
支持体、例えば基板支持ピンの少なくとも一部に、被処
理基板との接触部から該被処理基板に蓄積した電荷を導
出するための機構が設けられている。したがって、被処
理基板が静電気により基板載置台に吸着することを防止
することができ、基板載置台からのアンロードの際に被
処理基板が位置ずれを起こしたり落下することを防止す
ることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハのベーキング処
理を行う加熱装置に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。
理を行う加熱装置に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。
【００１０】第１図に示すように、加熱装置１には、加
熱手段例えば抵抗加熱ヒータ（図示せず）を具備し、所
望温度に設定可能に構成された円板状の基板載置台（熱
板）２が設けられている。この基板載置台２には、第２
図にも示すように複数例えば３ つの透孔３ａ、３ｂ、
３ｃが設けられており、これらの透孔３ａ、３ｂ、３ｃ
には、それぞれ基板支持体、例えば基板支持ピン４ａ、
４ｂ、４ｃが設けられている。これらの基板支持ピン４
ａ、４ｂ、４ｃのうち、少なくとも１ 本例えば基板支
持ピン４ａは、導電性材料例えばステンレススチールに
よって構成されている。また、この実施例においては他
の基板支持ピン４ｂ、４ｃは、絶縁性材料例えばポリイ
ミド樹脂、セラミックス等から構成されている。
熱手段例えば抵抗加熱ヒータ（図示せず）を具備し、所
望温度に設定可能に構成された円板状の基板載置台（熱
板）２が設けられている。この基板載置台２には、第２
図にも示すように複数例えば３ つの透孔３ａ、３ｂ、
３ｃが設けられており、これらの透孔３ａ、３ｂ、３ｃ
には、それぞれ基板支持体、例えば基板支持ピン４ａ、
４ｂ、４ｃが設けられている。これらの基板支持ピン４
ａ、４ｂ、４ｃのうち、少なくとも１ 本例えば基板支
持ピン４ａは、導電性材料例えばステンレススチールに
よって構成されている。また、この実施例においては他
の基板支持ピン４ｂ、４ｃは、絶縁性材料例えばポリイ
ミド樹脂、セラミックス等から構成されている。
【００１１】これらの基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃの
下端部は、導電製材料例えばステンレススチール等から
なるピン支持部材５に固定されており、このピン支持部
材５は、導電製材料例えばステンレススチール等からな
るフレーム６に固定されている。また、ピン支持部材５
とフレーム６との間には、絶縁性部材例えばテフロン製
シート７ａ、テフロン製ワッシャー７ｂ等が介挿されて
おり、ピン支持部材５とフレーム６が直接電気的に接続
されないよう構成されており、ピン支持部材５とフレー
ム６との間は、所定の電気抵抗値（例えば３ 〜１０Ｍ
Ω）を有する抵抗器８を介して電気的に接続されている
。
下端部は、導電製材料例えばステンレススチール等から
なるピン支持部材５に固定されており、このピン支持部
材５は、導電製材料例えばステンレススチール等からな
るフレーム６に固定されている。また、ピン支持部材５
とフレーム６との間には、絶縁性部材例えばテフロン製
シート７ａ、テフロン製ワッシャー７ｂ等が介挿されて
おり、ピン支持部材５とフレーム６が直接電気的に接続
されないよう構成されており、ピン支持部材５とフレー
ム６との間は、所定の電気抵抗値（例えば３ 〜１０Ｍ
Ω）を有する抵抗器８を介して電気的に接続されている
。
【００１２】また、基板載置台２には、駆動機構９が設
けられており、図示矢印の如く基板載置台２を上下動さ
せることができるよう構成されている。そして、第１図
に示すように基板載置台２を上昇させて上部に位置させ
ると、基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃが基板載置台２内
に収容され、基板載置台２上に半導体ウエハ１０が支持
され、一方、第３図に示すように基板載置台２を下降さ
せて下部に位置させると、基板支持ピン４ａ、４ｂ、４
ｃが基板載置台２上に突出し、基板支持ピン４ａ、４ｂ
、４ｃ上に半導体ウエハ１０が支持されるよう構成され
ている。なお、基板載置台２と基板支持ピン４ａ、４ｂ
、４ｃとは相対的に上下動すればよく、基板載置台２を
固定とし基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃが上下動するよ
う構成してもよい。
けられており、図示矢印の如く基板載置台２を上下動さ
せることができるよう構成されている。そして、第１図
に示すように基板載置台２を上昇させて上部に位置させ
ると、基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃが基板載置台２内
に収容され、基板載置台２上に半導体ウエハ１０が支持
され、一方、第３図に示すように基板載置台２を下降さ
せて下部に位置させると、基板支持ピン４ａ、４ｂ、４
ｃが基板載置台２上に突出し、基板支持ピン４ａ、４ｂ
、４ｃ上に半導体ウエハ１０が支持されるよう構成され
ている。なお、基板載置台２と基板支持ピン４ａ、４ｂ
、４ｃとは相対的に上下動すればよく、基板載置台２を
固定とし基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃが上下動するよ
う構成してもよい。
【００１３】上記構成の本実施例の加熱装置１では、予
め基板載置台２を所定温度に加熱しておき、また、基板
載置台２を下降させて基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃが
基板載置台２上に突出した状態に設定しておく。そして
、例えば図示しない自動搬送装置等により、半導体ウエ
ハ１０を搬送して基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃ上に載
置する。
め基板載置台２を所定温度に加熱しておき、また、基板
載置台２を下降させて基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃが
基板載置台２上に突出した状態に設定しておく。そして
、例えば図示しない自動搬送装置等により、半導体ウエ
ハ１０を搬送して基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃ上に載
置する。
【００１４】この後、基板載置台２を上昇させて半導体
ウエハ１０を基板載置台２上に載置し、例えば所定時間
加熱処理を実施する。なお、この時各基板支持ピン４ａ
、４ｂ、４ｃは、基板載置台２内に収容されており、半
導体ウエハ１０と各基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃとは
非接触状態とされている。
ウエハ１０を基板載置台２上に載置し、例えば所定時間
加熱処理を実施する。なお、この時各基板支持ピン４ａ
、４ｂ、４ｃは、基板載置台２内に収容されており、半
導体ウエハ１０と各基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃとは
非接触状態とされている。
【００１５】加熱処理が終了すると、基板載置台２を下
降させて基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃを基板載置台２
上面から突出させ、基板載置台２上の半導体ウエハ１０
を基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃで形成される面上に受
け渡す。そして、基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃ上の半
導体ウエハ１０下面と基板載置台２との間に図示しない
自動搬送装置のウエハピンセット等を挿入し、このウエ
ハピンセットによって半導体ウエハ１０の下面を支持し
てアンロードする。
降させて基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃを基板載置台２
上面から突出させ、基板載置台２上の半導体ウエハ１０
を基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃで形成される面上に受
け渡す。そして、基板支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃ上の半
導体ウエハ１０下面と基板載置台２との間に図示しない
自動搬送装置のウエハピンセット等を挿入し、このウエ
ハピンセットによって半導体ウエハ１０の下面を支持し
てアンロードする。
【００１６】この時、加熱処理中に基板載置台２上の半
導体ウエハ１０に電荷が蓄積し、半導体ウエハ１０が基
板載置台２に静電気により吸着することがある。ところ
が、半導体ウエハ１０をアンロードするため基板載置台
２を下降させて基板支持ピン４ａの先端と半導体ウエハ
１０とが接触すると、半導体ウエハ１０に蓄積した電荷
はステンレススチール製の基板支持ピン４ａおよび保護
抵抗器８を介して接地されているフレーム６に流れ、半
導体ウエハ１０の静電気が導出、放電除去されるので、
半導体ウエハ１０を基板載置台２上から容易に離し持ち
上げることが可能となり、位置ずれが生じたり落下させ
ることなく半導体ウエハ１０を基板載置台２上から基板
支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃ上に受け渡すことができる。
導体ウエハ１０に電荷が蓄積し、半導体ウエハ１０が基
板載置台２に静電気により吸着することがある。ところ
が、半導体ウエハ１０をアンロードするため基板載置台
２を下降させて基板支持ピン４ａの先端と半導体ウエハ
１０とが接触すると、半導体ウエハ１０に蓄積した電荷
はステンレススチール製の基板支持ピン４ａおよび保護
抵抗器８を介して接地されているフレーム６に流れ、半
導体ウエハ１０の静電気が導出、放電除去されるので、
半導体ウエハ１０を基板載置台２上から容易に離し持ち
上げることが可能となり、位置ずれが生じたり落下させ
ることなく半導体ウエハ１０を基板載置台２上から基板
支持ピン４ａ、４ｂ、４ｃ上に受け渡すことができる。
【００１７】なお、基板支持ピン４ａとフレーム６とを
直接電気的に接続すると、半導体ウエハ１０と基板支持
ピン４ａが接触した際に過大な電流が流れスパークが生
じることがある。抵抗器８は、このようなスパークを防
止するためのものであり、その抵抗値は小さすぎるとス
パークを発生し、大きすぎると放電時間を多大に要する
ため例えば１ ＭΩ〜３０ＭΩの範囲が好ましく、適宜
選択する必要がある。また、例えば基板支持ピン４ａを
、適当な電気抵抗を有する材料から構成すれば、抵抗器
８を省略することも可能である。さらに、本実施例では
、１ 本の基板支持ピン４ａのみを導電性部材によって
構成したが、複数例えば２ 本あるいは３ 本の基板支
持ピンを導電性部材によって構成してもよい。上記実施
例では加熱装置に適用した例について説明したが、ウエ
ハステージとウエハ間のロード・アンロードであれば、
半導体製造ラインのウエハプローバ、ウエハ搬送系に適
用してもよい。さらに、上記実施例では半導体ウエハの
搬送について説明したが、ＴＦＴトランジスタにより構
成されるＬＣＤ駆動回路基板の製造装置に適用してもよ
い。
直接電気的に接続すると、半導体ウエハ１０と基板支持
ピン４ａが接触した際に過大な電流が流れスパークが生
じることがある。抵抗器８は、このようなスパークを防
止するためのものであり、その抵抗値は小さすぎるとス
パークを発生し、大きすぎると放電時間を多大に要する
ため例えば１ ＭΩ〜３０ＭΩの範囲が好ましく、適宜
選択する必要がある。また、例えば基板支持ピン４ａを
、適当な電気抵抗を有する材料から構成すれば、抵抗器
８を省略することも可能である。さらに、本実施例では
、１ 本の基板支持ピン４ａのみを導電性部材によって
構成したが、複数例えば２ 本あるいは３ 本の基板支
持ピンを導電性部材によって構成してもよい。上記実施
例では加熱装置に適用した例について説明したが、ウエ
ハステージとウエハ間のロード・アンロードであれば、
半導体製造ラインのウエハプローバ、ウエハ搬送系に適
用してもよい。さらに、上記実施例では半導体ウエハの
搬送について説明したが、ＴＦＴトランジスタにより構
成されるＬＣＤ駆動回路基板の製造装置に適用してもよ
い。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体製造
装置によれば、基板載置台からのアンロードの際に、静
電気により被処理基板が基板載置台上に吸着し、位置ず
れを起こしたり落下することを防止することができる。
装置によれば、基板載置台からのアンロードの際に、静
電気により被処理基板が基板載置台上に吸着し、位置ず
れを起こしたり落下することを防止することができる。
【図１】 本発明の一実施例の加熱装置の構成を示す
図である。
図である。
【図２】 図１の基板載置台の構成を示す図である。
【図３】 図１の加熱装置の基板載置台を下降させた
状態を示す図である。
状態を示す図である。
１ 加熱装置
２ 基板載置台（熱板）
３ａ、３ｂ、３ｃ 透孔
４ａ、４ｂ、４ｃ 基板支持ピン
５ ピン支持部材
６ フレーム
７ａ テフロン製シート
７ｂ テフロン製ワッシャー
８ 抵抗器
９ 駆動機構
１０ 半導体ウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理基板を載置して所望の処理を施
すための基板載置台と、この基板載置台を貫通する如く
設けられた基板支持体とを相対的に上下動させ、前記基
板載置台および前記基板支持体によって前記被処理基板
を支持可能に構成された半導体製造装置において、前記
基板支持体の少なくとも一部に、前記被処理基板との接
触部から該被処理基板に蓄積した電荷を導出するための
機構を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP164991A JP2963210B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP164991A JP2963210B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305958A true JPH04305958A (ja) | 1992-10-28 |
| JP2963210B2 JP2963210B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=11507369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP164991A Expired - Lifetime JP2963210B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2963210B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04121737U (ja) * | 1991-04-20 | 1992-10-30 | ソニー株式会社 | 基板加熱装置 |
| JPH077072A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Anelva Corp | 静電チャック装置における基板の脱着方法および脱着機構 |
| JPH08279473A (ja) * | 1995-04-06 | 1996-10-22 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 半導体ウエハーの熱処理装置 |
| JP2004504717A (ja) * | 2000-06-29 | 2004-02-12 | モトローラ・インコーポレイテッド | 処理チャンバで半導体ウェハを加熱する方法および処理チャンバ |
| KR100499365B1 (ko) * | 1997-08-19 | 2005-11-25 | 에스펙 가부시키가이샤 | 하이브리드형열처리장치 |
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