KR20010051688A

KR20010051688A - 기판의 처리장치 및 처리방법

Info

Publication number: KR20010051688A
Application number: KR1020000067623A
Authority: KR
Inventors: 기타노다카히로; 고바야시신지; 에사키유키히코; 모리카와마사테루
Original assignee: 히가시 데쓰로; 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 1999-11-16
Filing date: 2000-11-15
Publication date: 2001-06-25
Also published as: US6599366B1; KR100583134B1; TW535192B

Abstract

본 발명은 챔버내에서 기판의 위쪽에 배치되는 정류판을 가지고 있다. 챔버내는 배기수단에 의해서 감압되어, 예를 들면 기판상의 도포액의 건조처리가 이루어진다. 정류판의 아랫면의 둘레가장자리부에는, 기판의 둘레가장자리부에 대응하여 고리형상의 돌출부가 형성되어 있다. 기판둘레가장자리부의 도포액이 튀어나온 부분은 감압시에 발생하는 기류에 의해서 완만하게 되어, 그 결과, 전체적으로 균일한 막두께의 도포막이 기판상에 형성된다.

Description

기판의 처리장치 및 처리방법{Substrate Processing Unit and Processing Method}

본 발명은 기판의 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.

예를 들면 반도체 디바이스의 제조프로세스에 있어서의 포토리소그래피공정에서는, 웨이퍼 표면에 레지스트액을 도포하여, 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포처리, 웨이퍼에 패턴을 노광하는 노광처리, 노광후의 웨이퍼에 대하여 현상을 행하는 현상처리 등이 행하여져서, 웨이퍼에 소정의 회로패턴을 형성한다.

현재, 상기 레지스트도포처리에 있어서, 레지스트액을 도포하는 방법으로서는, 스핀코팅법이 주류를 이루고 있다. 이 스핀코팅법에 의하면, 웨이퍼의 중심으로 레지스트액을 토출하고, 이 웨이퍼를 회전시킨다. 이에 따라, 웨이퍼상에 도포된 레지스트액이 원심력에 의해 확산하고, 웨이퍼의 전체면에 걸쳐서 균일한 레지스트막을 형성할 수 있다. 그 후, 도포된 레지스트액중의 용제를 건조시키기 위해서, 가열처리장치에서 가열된다.

그러나, 스핀코팅법은 웨이퍼를 고속으로 회전시키기 때문에, 웨이퍼의 둘레가장자리부로부터 다량의 레지스트액이 비산하여, 낭비되는 레지스트액이 많다. 또한, 레지스트액의 비산에 의해 해당 장치가 오염되기 때문에, 빈번히 세정해야만 하는 등의 폐해가 생기고 있었다.

따라서, 웨이퍼를 회전시키는 스핀코팅법에 대신하여, 레지스트액을 토출하는 노즐과 웨이퍼를 상대적으로 이동시켜서, 예를 들면, 웨이퍼에 빠짐없이 격자형상으로 점도가 낮은 레지스트액을 도포하는 방법이 고려된다.

그러나, 이러한 소위 싱글 스트로크(single stroke)의 요령으로 레지스트액을 도포하는 방법에 있어서도, 웨이퍼의 둘레가장자리부에 도포된 레지스트액이 표면장력에 의해 튀어나와, 레지스트막이 균일하게 형성되지 않을 경우가 우려된다. 이렇게 둘레가장자리부가 튀어나온 상태에서 노광하여도, 이 둘레가장자리부는, 제품으로서 이용할 수 없는 결함부가 되어, 그 만큼 생산수율이 저하한다.

한편, 이 소위 싱글 스트로크의 요령으로 레지스트액을 도포하는 방법의 경우, 비교적 점성이 낮은 레지스트액이 적합하다고 생각되기 때문에, 종래와 같이, 도포후에 고온가열하면 증발속도가 지나치게 빨라져, 레지스트막에 불균일이 생길 우려가 있다.

그 때문에, 웨이퍼상에 레지스트액이 도포된 후에는, 장치내를 감압하여 건조하고, 레지스트액중의 용제를 천천히 건조시키는 쪽이 바람직하다고 생각되지만, 그 후, 웨이퍼면내에 있어서의 기류의 균일성과 상기한 웨이퍼 둘레가장자리부의 레지스트액이 튀어나온 부분에 유의할 필요가 있다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 예를 들면 레지스트액의 도포후에 레지스트액중의 용제를 건조시키는 등의 처리시에, 발생한 기류를 억제하여 기판의 바깥가장자리부에 형성된 표면장력에 의한 튀어나옴을 제거하는 등으로써, 레지스트액 등의 도포액의 막두께를 균일한 것으로 하는 것을 목적으로 하고 있다.

도 1은 실시형태에 따른 장치를 구비한 도포현상처리 시스템의 외관을 나타내는 평면도,

도 2는 도 1의 도포현상처리 시스템의 정면도,

도 3은 도 1의 도포현상처리 시스템의 배면도,

도 4는 제 1 실시형태에 따른 감압건조장치의 종단면의 설명도,

도 5는 웨이퍼를 처리중의 감압건조장치의 종단면의 상태도,

도 6은 웨이퍼둘레가장자리부의 레지스트액이 기류에 의해 흘러가게 되는 모양을 나타낸 주요부 설명도,

도 7은 제 1 실시형태에 있어서의 감압건조처리중의 처리실내의 압력변화를 나타낸 그래프,

도 8은 정류판에 소정의 기체가 공급되는 노즐을 부착한 경우의 감압건조장치의 종단면의 설명도,

도 9는 제 2 실시형태에 따른 감압건조장치의 종단면의 설명도,

도 10은 제 3 실시형태에 따른 감압건조장치의 종단면의 설명도,

도 11은 제 3 실시형태에 따른 감압건조장치에 사용한 정류판의 평면도,

도 12는 제 3 실시형태에 따른 감압건조장치에 있어서 덮개체가 상승하였을 때의 상태의 종단면의 설명도,

도 13은 정류판과 웨이퍼와의 갭이 클 때의 웨이퍼상의 레지스트액의 상태를 나타내는 설명도,

도 14는 정류판과 웨이퍼와의 갭이 작을 때의 웨이퍼상의 레지스트액의 상태를 나타내는 설명도,

도 15는 주변부의 내부에 가열장치를 갖는 정류판의 측면단면도,

도 16은 주변부의 색이 짙은, 정류판의 저면도이다.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

1 : 도포현상처리시스템 2 : 카세트스테이션

3 : 처리스테이션 4 : 인터페이스부

5 : 카세트 재치대 7,50 : 웨이퍼 반송체

8 : 반송로 13 : 주반송장치

17,19 : 레지스트도포장치 18,20 : 현상처리장치

30,40 : 쿨링장치 31 : 어드히젼장치

32,42 : 익스텐션장치 33 : 감압건조장치

34 : 프리베이킹장치 35,36,46,47 : 포스트베이킹장치

41 : 익스텐션쿨링장치 44,45 : 포스트엑스포져장치

51 : 주변노광장치 60 : 챔버

61 : 덮개체 61a : 볼록부

62 : 용기 63 : 덮개체구동기구

64 : O 링 65 : 배기관

66 : 압력센서 67 : 제어장치

70 : 재치대 71 : 관통구멍

72 : 정류판 72a : 돌출부

73 : 구동기구 75 : 흡인장치

76 : 밸브 77 : 공급장치

85 : 노즐 90 : 열판

101 : 정류판 101a : 구멍

102 : 지지핀 103 : 브래킷

104 : 구동기구 C : 카세트

G1,G2,G3,G4,G5 : 처리장치군

S : 처리실 W : 웨이퍼

본 발명은 제 1 관점에 의하면, 기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정처리를 실시하는 기판의 처리장치로서, 상기 장치내를 감압하는 배기수단과, 상기 기판 위쪽에 배치되어, 상기 배기수단에 의한 배기에 의해서 상기 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판을 가지며, 상기 정류판의 아랫면은, 상기 기판의 바깥가장자리에 대응하여, 그 외의 부분에 비해서 아래쪽으로 돌출하고 있는 돌출부를 가지고 있다.

본 발명은 제 2 관점에 의하면, 기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리장치로서, 상기 장치내를 감압하는 배기수단과, 상기 기판 위쪽에 배치되어, 상기 배기수단에 의한 배기에 의해서 상기 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판을 가지며, 상기 정류판은 그 아랫면이 평탄하고, 또한 해당 아랫면과 상기 기판의 처리면과의 사이의 간격이 0.5mm∼2.0mm이다.

본 발명은 제 3 관점에 의하면, 기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리장치로서, 상기 장치내를 감압하는 배기수단과, 상기 기판 위쪽에 배치되어, 상기 배기수단에 의한 배기에 의해서 상기 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판을 가지며, 상기 정류판은 그 아랫면이 평탄하고 또한 해당 아랫면의 면거칠기가 0.2㎛이하이다.

본 발명은 제 4 관점에 의하면, 기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리장치로서, 상기 장치내를 감압하는 배기수단과, 상기 기판 위쪽에 배치되어, 상기 배기수단에 의한 배기에 의해서 상기 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판과, 상기 정류판의 주변부를 가열하는 가열장치를 구비하고 있다.

본 발명은 제 5 관점에 의하면, 기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리장치로서, 상기 장치내를 감압하는 배기수단과, 상기 기판 위쪽에 배치되어, 상기 배기수단에 의한 배기에 의해서 상기 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판을 가지며, 상기 정류판의 아랫면의 주변부는, 다른 부분보다도 명도가 낮은 색을 가지고 있다.

본 발명은 제 6 관점에 의하면, 기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리방법으로서, 상기 처리실내를 감압하는 공정과, 상기 처리실내의 압력을 압력측정수단에 의해 측정하는 공정과, 상기 압력의 측정치가 소정의 값을 넘은 경우에, 감압의 속도를 변경하여, 상기 기판상의 도포액의 건조처리를 행하는 공정을 가진다.

본 발명은 제 7 관점에 의하면, 기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리방법으로서, 상기 처리실내를 감압하는 공정과, 상기 처리실내의 압력의 변화량을 측정하는 공정과, 상기 압력의 변화량이 소정의 값을 넘은 경우에, 감압의 속도를 변경하여, 상기 기판상의 도포액의 건조처리를 하는 공정을 가진다.

본 발명은, 제 8 관점에 의하면, 기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정 처리를 실시하는 기판의 처리방법으로서, 상기 기판 위쪽을, 아랫면이 평탄한 정류판으로 덮는 공정과, 상기 처리실내를 감압하는 공정을 가지며, 상기 정류판과 상기 기판표면과의 사이의 간격을 조정함으로써, 상기 기판상의 도포액에 의한 도포막의 균일 막두께 부분의 면적을 제어한다.

본 발명에 의하면, 감압하에서 소정의 처리를 행하지만, 특히 기판상의 도포액의 건조에 대하여 본 발명의 효과는 크다. 그리고 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판을 가지며, 상기 정류판의 아랫면은, 상기 기판의 바깥가장자리부에 대응하여, 기타 부분에 비하여 아래쪽으로 돌출하고 있는 돌출부를 갖고 있기 때문에, 기판의 둘레가장자리부에 도포액이 튀어 나온 부분이 있어도, 감압시의 기류의 흐름에 의해 튀어 나온 부분이 낮아지고, 그 결과, 전체적으로 균일한 도포액의 막이 기판상에 형성된다.

본 발명에 의하면, 정류판의 아랫면이 평탄하다고 하여도, 해당 아랫면과 상기 기판의 처리면과의 사이의 간격이 적절하게 설정되어 있기 때문에, 기판상의 도포액의 액막의 막두께의 균일성이 향상한다.

본 발명에 의하면, 정류판의 아랫면이 평탄하고 또한 해당 아랫면이 부드럽게 설정되어 있기 때문에, 난류의 발생이 억제되고, 기판상의 도포액의 액막의 막두께의 균일성이 향상한다.

본 발명에 의하면, 정류판의 주변부를 가열하는 가열장치를 구비하고 있기 때문에, 기판둘레가장자리부의 도포액의 용제의 증발이 촉진되어, 도포액의 액막의 막두께의 균일성이 향상한다.

본 발명에 의하면, 정류판의 아랫면의 주변부는, 다른 부분보다도 명도가 낮은 색, 즉 짙은 색을 가지고 있기 때문에, 기판둘레가장자리부의 도포액의 용제의 증발이 촉진되어, 도포액의 액막의 막두께의 균일성이 향상한다.

본 발명에 의하면, 감압의 속도를 변경하여, 상기 기판상의 도포액의 건조처리를 적절한 감압도하에서 실시할 수 있어, 건조의 촉진에 효과적이다.

본 발명에 의하면, 정류판과 상기 기판표면과의 사이의 간격을 조정함으로써, 상기 기판상의 도포액에 의한 도포막의 균일 막두께 부분의 면적을 제어하는 것이 가능하다.

[발명의 실시형태]

이하, 본 발명인 처리장치로서의 감압건조장치의 바람직한 몇가지의 실시형태에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 감압건조장치를 가진 도포현상처리 시스템(1)의 평면도이고, 도 2는 도포현상처리 시스템(1)의 정면도이며, 도 3은 도포현상처리 시스템(1)의 배면도이다.

도포현상처리 시스템(1)은 도 1에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 25매의 웨이퍼(W)를 카세트단위로 외부에서 도포현상처리 시스템(1)에 대하여 반출입시키거나, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반출입시키거나 하는 카세트스테이션(2)과, 도포현상처리공정중에서 낱장식으로 소정의 처리를 실시하는 각종처리장치를 다단으로 배치하여 이루어지는 처리스테이션(3)과, 이 처리스테이션(3)에 인접하여 설치되어 있는 도시하지 않은 노광장치와의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음을 하는 인터페이스부(4)를 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.

카세트스테이션(2)에는, 재치부가 되는 카세트 재치대(5)상의 소정의 위치에, 복수의 카세트(C)를 X방향(도 1중의 상하방향)으로 일렬로 재치자유롭게 되어 있다. 그리고, 이 카세트 배열방향(X방향)과 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열방향(Z방향; 연직방향)에 대하여 이송 가능한 웨이퍼 반송체(7)가 반송로(8)를 따라 이동자유롭게 설치되어 있으며, 각 카세트(C)에 대하여 선택적으로 엑세스할 수 있도록 되어 있다.

웨이퍼 반송체(7)는 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하는 얼라이먼트기능을 구비하고 있다. 이 웨이퍼 반송체(7)는 후술하는 바와 같이 처리스테이션(3)측의 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 익스텐션장치(32)에 대해서도 엑세스할 수 있도록 구성되어 있다.

처리스테이션(3)에는 그 중심부에 주반송장치(13)가 설치되어 있으며, 이 주반송장치(13)의 주변에는 각종처리장치가 다단으로 배치되어 처리장치군을 구성하고 있다. 해당 도포현상처리 시스템(1)에서는, 4개의 처리장치군(G1,G2,G3,G4)이 배치되어 있으며, 제 1 및 제 2 처리장치군(G1,G2)은 현상처리 시스템(1)의 정면측에 배치되고, 제 3 처리장치군(G3)은, 카세트스테이션(2)에 인접하여 배치되며, 제 4 처리장치군(G4)은, 인터페이스부(4)에 인접하여 배치되어 있다. 또한 옵션으로서 파선으로 나타낸 제 5 처리장치군(G5)을 배면측에 별도로 배치 가능하도록 되어 있다.

제 1 처리장치군(G1)에는, 예를 들면 도 2에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포장치(17)와, 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 처리하는 현상처리장치(18)가 아래부터 차례로 2단으로 배치되어 있다. 제 2 처리장치군(G2)의 경우도 마찬가지로, 레지스트 도포장치(19)와 현상처리장치(20)가 아래부터 차례로 2단으로 적층되어 있다.

여기서, 레지스트 도포장치(17 및 19)는, 종래 웨이퍼(W)를 회전시키면서 레지스트액을 도포하는 스핀형을 사용하고 있었지만, 본 실시형태에서는 레지스트액의 도포량을 삭감하는 것, 해당 장치의 세정 시간을 절약하는 등의 관점에서, 웨이퍼(W)와 그 웨이퍼(W)를 얹어 놓는 재치대가 상대적으로 이동하여 레지스트액을 도포하는 소위 싱글 스트로크형의 레지스트 도포장치를 사용한다.

제 3 처리장치군(G3)에는, 예를 들면 도 3에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 냉각처리하는 쿨링장치(30), 레지스트액과 웨이퍼(W)와의 정착성을 높이기 위한 어드히젼장치(31), 웨이퍼(W)를 대기시키는 익스텐션장치(32), 본 실시형태에 따른 최초로 레지스트액중의 용제를 건조시키는 감압건조장치(33), 다음으로 남은 레지스트액중의 용제를 건조시키는 프리베이킹장치(34) 및 현상처리후의 가열처리를 실시하는 포스트베이킹장치(35,36)등이 아래부터 차례로 예를 들어 7단으로 적층되어 있다.

제 4 처리장치군(G4)에는, 예를 들면 쿨링장치(40), 얹어 놓은 웨이퍼(W)를 자연냉각시키는 익스텐션·쿨링장치(41), 익스텐션장치(42), 쿨링장치(43), 노광처리후의 가열처리를 하는 포스트엑스포져베이킹장치(44,45), 포스트베이킹장치 (46, 47)등이 아래로부터 차례로 예를 들어 8단으로 적층되어 있다.

인터페이스부(4)의 중앙부에는 웨이퍼 반송체(50)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼 반송체(50)는 X방향(도 1중의 상하방향), Z방향(수직방향)의 이동과 θ방향(Z축을 중심으로 하는 회전방향)의 회전이 자유로울 수 있도록 구성되어 있으며, 제 4 처리장치군(G4)에 속하는 익스텐션·쿨링장치(41), 익스텐션장치(42), 주변노광장치(51) 및 도시하지 않은 노광장치에 대하여 엑세스할 수 있도록 구성되어 있다.

상술한 감압건조장치(33)의 구조에 대하여, 상세하게 설명한다. 먼저 도 4에 나타낸 바와 같이, 감압건조장치(33)의 챔버(60)는, 예를 들면 아랫면쪽이 개구한 대략 통형상의 덮개체(61)와 윗면쪽이 개구한 대략 통형상의 용기(62)로 구성되어 있다. 이 덮개체(61)와 용기(62)의 외형은 같은 크기이다. 덮개체(61)는, 예를 들면 모터 등을 내장한 덮개체구동기구(63)에 의해 상하로 이동이 자유롭다. 따라서, 이 덮개체(61)의 하단부와 용기(62)의 상단부가 서로 밀착하여 처리실(S)을 형성할 수가 있다. 처리중, 처리실(S)은 감압되기 때문에, 덮개체(61)의 하단부에는, 기밀성을 유지하기 위한 O 링(64)이 바깥쪽과 안쪽에 각각 설치되어 있다.

또한, 덮개체(61)의 상부중앙에는, 예를 들어 감압시에 처리실(S) 내의 기체를 배기하기 위한 배기관(65)이 부착되어 있다. 또한 덮개체(61)의 내벽에는, 처리실(S) 내의 압력을 측정하는 압력센서(66)가 부착되어 있으며, 처리중의 처리실 (S)내의 압력을 수시로 측정하고 있다. 이 압력센서(66)에는 미리 소정의 값, 본 실시형태에서는 웨이퍼(W) 상에 도포된 레지스트액중의 용제의 포화증기압, 예를 들면 0.2KPa로 설정해 놓는다. 그리고 압력센서(66)가 이 설정치를 검지했을 때에 그 신호를 제어장치(67)에 보내고, 그 제어장치(67)가 후술하는 밸브(76)의 개폐도를 제어하도록 구성되어 있다.

챔버(60)는 웨이퍼(W)가 놓여지는 재치대(70)를 가지고 있으며, 이 재치대 (70)는 두께가 있는 원반형상의 형상을 하고 있다. 재치대(70)는 온도조절기능을 구비하고 있어, 적어도 10℃∼40℃의 범위로 설정하여, 놓여진 웨이퍼(W) 면내의 온도분포를 ±0.2℃ 이내로 유지할 수 있다. 또한, 재치대(70)에는 후술하는 승강핀(81)이 관통하여 이동하는 3개의 관통구멍(71)이 형성되어 있다.

상기 재치대(70) 위쪽에는, 감압시에 발생하는 기류의 방향을 제어하기 위한 정류판(72)이 설치되어 있다. 이 정류판(72)은 예를 들면 원반형상의 형상을 하고 있으며, 그 아랫면이 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부의 형상에 대응하여 그 밖의 부분에 비해서 아래쪽으로 돌출하여, 돌출부(72a)를 형성하고 있다. 따라서, 이 돌출부(72a)는, 링형상으로 형성되어 있기 때문에, 정류판(72)은 전체적으로 하단부가 개구한 대략 원통형상으로 되어 있다. 또한, 돌출부(72a)의 하단부는 경사하고 있으며, 그 돌출 길이가 안쪽보다도 바깥쪽이 길게 되어 있다. 또한, 정류판(72)은 상하로 이동이 자유롭도록, 구동기구(73)가 부착되어 있으며, 소정의 타이밍으로, 소정의 거리를 상하로 구동할 수 있도록 구성되어 있다. 따라서, 예를 들어 감압건조중에는, 이 정류판(72)을 하강시켜, 돌출부(72a)를 웨이퍼(W) 둘레가장자리부에 근접하게 함으로써, 웨이퍼(W) 둘레가장자리부의 유속이 가속된다.

상술한 덮개체(61)의 배기관(65)은 챔버(60)내의 기체를 흡인하여 감압하는 흡인장치(75)와, 감압건조 종료후에 챔버(60)내에 기체, 예컨대 불활성가스인 질소가스를 공급하여 감압상태를 해제하는 공급장치(77)에 통하고 있다. 이 배기관 (65)에는 기체의 유량을 제어하는 밸브(76)가 부착되고 있다. 따라서, 예를 들어 챔버(60)를 감압하는 경우에는, 흡인장치(75)에 의해 배기관(65)을 통하여 기체를 흡인하고, 챔버(60)의 감압상태를 해제하는 경우에는, 공급장치(77)에 의해서 배기관(65)을 통하여 질소가스를 챔버(60)내에 공급한다. 또한, 이 때의 감압속도 또는 감압해제속도는, 밸브(76)의 개폐도를 제어함으로써 변경이 가능하다.

이 공급장치(77)는 웨이퍼(W)의 건조처리후에 질소가스 등의 불활성가스를 챔버(60)내에 공급하고, 챔버(60)내의 분위기를 퍼지하는 기능도 하고 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 반출입시에, 웨이퍼(W)를 지지하고, 승강시키는 승강핀(81)이, 도시하지 않은 구동기구에 의해 관통구멍(71)을 관통하여 승강 자유롭도록 설치되어 있다.

다음에, 이상과 같이 구성되어 있는 감압건조장치(33)의 작용에 대하여, 도포현상처리장치(1)로 행하여지는 포토리소그래피공정의 프로세스와 함께 설명한다.

먼저, 웨이퍼 반송체(7)가 카세트(C)에서 미처리된 웨이퍼(W)를 1매씩 꺼내어, 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 어드히젼장치(31)에 반입한다. 그리고, 거기서 HMDS 등의 밀착강화제가 도포된 웨이퍼(W)는, 주반송장치(13)에 의해서, 쿨링장치 (30)로 반송되어, 소정의 온도로 냉각된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 레지스트 도포장치(17 또는 19)로 반송된다.

이 레지스트 도포장치(17 또는 19)에서는, 상술한 바와 같이 소위 싱글 스트로크의 요령으로 도포하는 방법이 사용되고 있으며, 레지스트액도 종래의 스핀코팅법에서 사용되고 있던 것보다도 점성이 낮은 것이 사용된다. 그 때문에, 웨이퍼 (W)에 도포된 레지스트액을 종래와 같이 프리베이킹장치에 있어서, 고온에서 급격히 건조시키는 것은, 레지스트액의 범핑 등을 일으켜, 바람직하지 않다. 그러므로, 레지스트액을 서서히 건조시키는 감압건조장치(33)를 설치하여, 레지스트 도포장치(17 또는 19)에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)를 먼저 감압건조장치 (33)에 반송하고, 그 후 프리베이킹장치(34)에 반송한다.

그리고, 프리베이킹장치(34)에서 건조된 웨이퍼(W)는, 주반송장치(13)에 의해 쿨링장치(40)로 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 각 처리장치에 있어서 노광처리, 현상처리 등의 일련의 소정의 처리가 행하여지고, 도포현상처리가 종료한다.

상술한 감압건조장치(33)의 작용에 대하여 상세하게 설명하면, 먼저, 레지스트 도포장치(17 또는 19)로, 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)가 주반송장치(13)에 의해, 챔버(60)내로 반입된다. 이 때 덮개체(61)는, 덮개체구동기구(63)에 의해 상승되고, 웨이퍼(W)는 도시하지 않은 구동기구에 의해 미리 상승하여 대기하고 있던 승강핀(81)에 받아 넘겨진다. 승강핀(81)이 하강하여 온도조절기능에 의해 23℃로 조절된 재치대(70)상에 웨이퍼(W)가 놓인다. 여기서, 재치대(70)를 23℃로 유지함으로써, 소정의 속도로 레지스트액을 건조시킬 수 있는데, 보다 빠르게 건조시키고 싶은 경우는, 온도를 상승시키고, 보다 느리게 건조시키고 싶은 경우에는 온도를 하강시킨다.

그리고, 도 5에 나타낸 바와 같이 덮개체구동기구(63)에 의해 덮개체(61)가 하강하여, 그 덮개체(61)의 하단부가, 용기(62)의 상단부가 밀착하여 처리실(S)이 형성된다. 이 때 구동기구(73)에 의해 정류판(72)도 하강하여, 정류판(72)의 돌출부(72a)를 웨이퍼(W) 둘레가장자리부에 근접시킨다.

다음에, 흡인장치(75)가 작동하여, 처리실(S) 내의 기체가 흡인되기 시작한다. 그에 따라 처리실(S) 내에 기류가 발생하여, 웨이퍼(W)의 건조가 시작된다. 또한, 건조개시와 동시에 압력센서(66)에 의해 처리실(S) 내의 압력측정이 시작된다. 이 때 서서히 레지스트액을 건조시키기 위해서, 도 7에 나타낸 바와 같이 소정의 감압속도, 예를 들면 2KPa/Sec로 감압되도록 밸브(76)를 서서히 개방해 간다. 이러한 흡인에 의해, 웨이퍼(W) 윗면에는, 웨이퍼(W) 중앙으로부터 정류판(72)을 따라, 방사상으로 흐르는 기류가 발생한다. 그리고, 상술한 바와 같이 정류판(72)의 돌출부(72a)에 의해 기체의 유로가 좁아지고 있기 때문에, 웨이퍼(W) 둘레가장자리부의 기류의 속도가 웨이퍼(W) 중심부의 기류의 속도에 비하여 빨라진다. 그 때문에, 도 6에 나타낸 바와 같이, 저점도의 레지스트액을 도포하였을 때, 표면장력에 의해 웨이퍼(W) 둘레가장자리부에서 튀어나온 레지스트액[도 6(a)]이 그 기류로부터 흘러가게 되어, 평탄해진다[도 6(b)].

그 후에도, 도 7에 나타낸 바와 같이 동일감압속도로 계속 감압하면, 레지스트액에 포함되는 용제가 포화증기압, 예를 들면, 0.2KPa에 달한다(도 7중의 P점). 이 때에, 그대로 두면 용제가 급격히 기화되기 때문에 처리실(S) 내의 감압속도가 저하하여, 건조시간이 길어진다(도 7중의 점선). 상술한 바와 같이 압력센서(66)가 미리 설정해 둔 설정치인 0.2KPa를 검출하고, 그 신호가 제어장치에 보내어져, 밸브(76)의 개폐도가 올라간다. 그렇게 함으로써, 처리실(S) 내의 소정의 감압속도가 유지되어, 웨이퍼(W)의 건조속도도 유지된다.

그 후, 계속하여 감압건조가 행하여지고, 소정시간 경과후, 흡인장치(75)가 정지되어, 밸브(76)가 닫혀지고 감압건조처리가 종료한다. 그 후, 공급장치(77)로부터 처리실(S)로 질소가스가 공급된다. 이 때, 밸브(76)를 서서히 개방하여, 처리실(S) 내의 압력회복을 천천히 행한다. 그리고, 압력이 대기압으로 회복한 후에도 질소가스를 계속 공급하고, 처리실(S) 내를 퍼지한다. 그리고, 덮개체 구동기구(63)에 의해 덮개체(61)가 상승하고, 반입시와 마찬가지로 하여, 웨이퍼(W)는 승강핀(81)으로부터 주반송장치(13)로 받아 넘겨진다.

이상의 실시형태에 의하면, 상술한 정류판(72)의 하부에 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부에 대응한 돌출부(72a)를 설치함으로써, 상기 돌출부(72a)에 있어서, 웨이퍼(W) 둘레가장자리부와 정류판(72)과의 간극이 좁아진다. 그 결과, 감압에 의해 처리실(S)내에 발생하는 기류가, 상기 간극을 지날 때에 그 속도가 증대된다. 그 기류가, 도포처리에서 생긴 웨이퍼(W) 둘레가장자리부의 레지스트액의 튀어나옴을 억제하여 흐르게 되어, 평탄하게 하여, 그 밖의 부분과 동일한 막두께로 한다. 따라서, 도포처리에 있어서 생기는 웨이퍼(W) 둘레가장자리부의 레지스트액의 튀어나옴이 제거되어, 균일한 레지스트막이 형성되어, 생산수율의 향상이 도모된다.

또한, 상기 돌출부(72a)의 하단부를 경사지게 하여, 그 돌출 길이를 안쪽보다도 바깥쪽이 길게 함으로써, 정류판(72)의 돌출부(72a)의 안쪽에서 웨이퍼(W)의 윗면을 따라, 웨이퍼(W)의 바깥둘레방향으로 흐르는 기류가, 부드럽게 가속된다. 따라서, 국소적인 압력변동 등이 생겨, 레지스트액에 악영향을 주는 것을 방지한다. 단, 정류판(72)의 돌출부의 형상은 상술한 형에 한정되지 않고, 그 하단부가 평탄한 것이라도 좋다.

또한, 압력센서(66)에 미리 도포액중의 용제의 포화증기압을 설정하여 두고, 감압에 의해 처리실(S)내의 압력이 그 설정치에 달했을 때에, 제어장치(67)를 통해 밸브(76)의 개폐도를 올린다. 이와 같이 함으로써, 본래대로라면, 용제가 다량으로 기화하여 처리실(S)의 감압속도가 현저히 저하하여, 건조에 필요한 시간이 길게 걸리는 것을, 그때까지의 감압속도를 유지하여, 웨이퍼(W)를 감압건조시키기 때문에, 그러한 사태를 방지할 수 있다.

또한, 재치대(70)에 온도조절기능을 더함으로써, 재치대(70)상의 웨이퍼(W)가 전체면에 걸쳐 소정 온도로 유지된다. 그 결과, 웨이퍼(W) 전체면으로부터 균일하게 레지스트액중의 용제가 증발하여, 극히 균일한 레지스트막이 형성된다.

또한, 건조처리후에, 밸브(76)를 제어하여, 공급장치(77)에 의해 질소가스를 서서히 공급함으로써, 처리실(S) 내의 감압상태가 서서히 해제된다. 그 결과, 처리실(S) 내에 존재하는 먼지 등이 급격한 압력상승에 의한 기류에 의해 말려 올라가서, 기판에 부착하여 파티클이 되는 것이 억제된다. 또한, 감압상태의 해제에 밸브(76)를 사용함으로써, 새로이 리크 전용밸브를 부착할 필요가 없다. 또, 상기 실시형태에서는 공급장치(77)를 설치하여 기체를 적극적으로 공급하였지만, 공급장치(77)가 설치되어 있던 배기관(65)의 말단을 대기개방으로 하여도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.

여기서, 상술한 실시형태에 있어서, 예를 들어 도 8에 나타낸 바와 같이 정류판(72)의 돌출부(72a)에 둘러싸인 영역에 소정의 기체를 공급하는 노즐(85)을 설치하여도 좋다. 처리중에 이 노즐(85)로부터 소정의 기체, 예를 들면 질소가스를 적극적으로 공급함으로써, 기류속도를 증대시켜, 보다 효과적으로 도포처리에 있어서 생긴 웨이퍼(W) 둘레가장자리부의 레지스트액의 튀어나옴을 제거할 수 있다.

또한, 상술한 실시형태에서는, 특히 처리중에 정류판(72)을 상하로 이동시키지 않았지만, 구동기구(73)에 의해 처리중에 상하로 이동시켜도 좋다. 예를 들면, 감압개시직후에, 정류판(72)을 웨이퍼(W)에 근접시켜, 처음에 상기 레지스트액의 튀어나옴을 제거해 두고, 그 후에는, 조금 상승시켜 감압건조시킨다. 그렇게 함으로써, 레지스트액의 건조가 진행하기 전에 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부를 평탄한 것으로 할 수 있어, 그 후의 정류판(72)의 상승에 의해, 웨이퍼(W) 상의 기류를 일정한 흐름으로 할 수 있다.

또한, 상기 실시형태에 있어서, 압력센서(66)에 미리 용제의 포화증기압을 설정해 놓았지만, 그 대신에, 압력센서(66)로 측정한 압력에 기초하여, 그 변화량을 산출하여, 변화량이 소정의 값을 넘은 경우에 밸브(76)의 개폐도를 변동시켜도 좋다. 구체적으로는, 압력센서(66)의 측정치를 제어장치(67)에 수시로 보내어, 제어장치(67)에 있어서, 소정시간의 압력의 변화량을 계산한다. 그리고, 미리 설정해 놓은 압력의 변화량의 허용치를 넘은 경우에 밸브(76)의 개폐도를 변경한다. 이 방법을 사용하면 용제의 종류에 따라 다른 포화증기압에 상관없이, 단지 압력변화량만으로 감압속도를 제어할 수 있기 때문에, 레시피가 다른 처리에서도 효과적이다.

또한, 상기 밸브(76)의 개폐도의 변경을 미리 설정해 놓은 소정의 타이밍, 예를 들면, 도 7중의 P점에 달하는 타이밍으로 행하여도 좋다. 이 타이밍은 실험 등에 의해 구해 두는 것이 필요하지만, 복잡한 제어가 필요없기 때문에, 비교적 단순한 장치로, 간단하게 실시할 수 있다.

또, 상기 실시형태에서는, 처리실의 감압속도를 밸브(76)의 개폐도를 변경시킴으로써 행하고 있지만, 그 밖의 방법, 예컨대, 흡인장치(75)를 제어함으로써 행하여도 좋다.

다음에 제 2 실시형태로서, 상술한 제 1 실시형태의 감압건조장치(33)에 더욱 가열처리기능을 구비한 경우에 대하여 설명한다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 챔버(60)내에 웨이퍼(W)를 얹어 놓고 가열하는 열판(90)을 설치하여, 이 열판(90)의 열원이 되는 히터(91)를 열판(90)에 내장시킨다. 그리고, 열판(90)을 소정의 온도로 가열하고, 유지하는 것이 가능하도록 구성한다. 이 때의 감압처리의 프로세스는, 먼저, 제 1 실시형태와 마찬가지로 하여, 챔버(60)내에 웨이퍼(W)가 반입되어 상승하여 대기하고 있는 승강핀(81)에 받아 넘겨진다. 그리고, 승강핀(81)이 웨이퍼(W)를 지지하고, 상승시킨 상태에서, 제 1 실시형태와 마찬가지인 웨이퍼(W)의 감압건조가 행하여진다. 즉, 웨이퍼(W)가 열판(90) 위쪽으로 승강핀 (81)에 지지된 상태인 채로 덮개체(61)가 하강하고, 처리실(S)이 형성된다. 그리고, 정류판(72)이 하강하고 나서, 흡인장치(75)에 의해 처리실(S)내가 감압되어, 웨이퍼(W)의 감압건조가 행하여진다.

그 후 감압건조가 종료하면, 웨이퍼(W)를 지지하고 있는 승강핀(81)이 하강하고, 웨이퍼(W)는 뜨거워진 열판(90)상에 놓인다. 여기서, 웨이퍼(W)는, 소정시간 가열되어, 상술한 감압건조처리에 있어서, 건조할 수 없었던 용제를 증발시킨다. 그 후에는, 제 1 실시형태와 마찬가지로 하여, 다시 승강핀(81)에 의해 웨이퍼(W)가 상승되어, 주반송장치(13)에 받아넘겨진다.

이러한 가열처리는, 통상 프리베이킹장치(34)로써 행하여지지만, 이 프리베이킹처리를 감압건조장치(33)로 행함으로써, 각 장치간의 반송시간 등이 단축되어 효율의 향상이 도모된다. 또한, 프리베이킹장치(34)를 별도로 설치할 필요가 없어 그만큼 공간을 절약할 수 있다.

다음에 제 3 실시형태에 대하여 설명한다. 도 10에 나타낸 예는, 챔버(60)를 구성하는 덮개체(61)는, 그 하단부 안둘레에, 안쪽으로 돌출한 고리형상의 볼록부(61a)를 갖고 있다. 이 제 3 실시형태에서는, 평탄한 정류판(101)을 채용하고 있다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 정류판(1O1)의 주변부에는, 다수의 구멍(101a)이 형성되어 있다. 이 구멍(101a)의 형성은 임의이지만, 원활한 배기를 위해서는 의의가 있다. 정류판(101)의 외직경은, 상기 고리형상의 볼록부(61a)의 내직경보다도 크다. 따라서, 덮개체 구동기구(63)에 의해서 덮개체(61)를 들어올리면, 덮개체(61)의 볼록부(61a)의 위에 정류판(101)의 둘레가장자리가 걸리기 때문에, 도 12에 나타낸 바와 같이, 그대로 덮개체(61)를 상승시키면, 덮개체(61)가 정류판 (101)을 들어올리는 것이 가능하다.

정류판(101)의 재질은, 열전도율이 낮은 것, 예를 들면 스텐레스강, 석영유리, 세라믹스 등이 적합하다. 또한 정류판(101)의 아랫면은, 부드럽게 표면가공되어 있는 것이 좋다. 예컨대 면거칠기가 0.2㎛이하가 되도록, 부드럽게 마무리되어 있는 것이 좋다.

재치대(70)의 주변부에는, 상기 정류판(101)을 지지가능한, 지지핀(102)이, 예를 들면 6개, 설치되어 있다. 이 지지핀(102)은, 브래킷(103)상에 고정되어 있으며, 브래킷(l03)은 구동기구(104)의 구동에 의해서, 상하방향으로 이동한다. 따라서, 지지핀(102)은 재치대(70)의 표면으로부터 돌출하거나, 재치대(70)내에 수용될 수 있다.

제 3 실시형태는 이상과 같은 구성을 가지고 있으며, 처리실(S)내를 감압하여 웨이퍼(W)상의 레지스트액을 건조시키는 경우에는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 승강핀(81)이 하강하여 웨이퍼(W)는 재치대(70)상에 놓인다. 그리고 덮개체(61)도 하강하여 용기(62)와 밀착한다. 단, 지지핀(102)은 상승하여, 정류판(101)을 지지하고 있다. 이 때 지지핀(102)에 지지되어 있는 정류판(101)의 아랫면과 웨이퍼(W)의 표면, 보다 정확히 말하면 웨이퍼(W) 표면에 도포되어 있는 레지스트액의 표면과의 사이의 거리는, 0.5mm에서 2.0mm이 적당하다.

그리고 발명자들의 실험에 의하면, 도 13에 나타낸 바와 같이, 감압건조하고 있는 사이에, 정류판(101)의 아랫면과 웨이퍼(W)의 표면과의 사이의 거리(d1)를, 도 14에 나타낸 바와 같이, 보다 근접한 거리(d2)로 설정하면, 웨이퍼(W) 상에 도포되어 있는 레지스트액 표면에서 막두께가 균일한 면적(A)는, 보다 넓어지는 것을 알 수 있었다. 즉 도 14에 있어서의 면적(A2)쪽이, 도 13에 나타낸 면적(A1)보다도 넓어진다. 바꾸어 말하면, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부의 레지스트액의 튀어나온 폭은, 도 13의 경우보다도, 도 14의 경우의 쪽이 더 작다. 따라서, 정류판(101)의 아랫면과 웨이퍼(W)의 표면과의 사이의 거리를 조정함으로써, 레지스트액의 균일한 막두께 부분의 면적의 넓고 좁음을 제어할 수 있는 것이다.

또한, 정류판(101)의 아랫면은 기술한 바와 같이, 부드럽게 표면가공되어 있으면, 정류판(101)의 아랫면과 웨이퍼(W)의 표면과의 사이의 공간에 난류를 발생하는 것을 억제할 수 있고, 그에 따라, 웨이퍼(W) 상에 도포되어 있는 레지스트액 표면도 보다 평탄하게 된다.

정류판(101)의 주변부에는 구멍(101a)이 형성되어 있기 때문에, 정류판(101)의 아랫면에서 배기관(65)으로 흘러가는 기류는, 원활하게 흐른다. 그리고 정류판(101) 자체는, 지지핀(102)에 의해서 지지되어 있기 때문에, 정류판(101)과 웨이퍼(W)의 평행정도를 보다 정확하게 또한 용이하게 설정할 수 있다. 예를 들면 지지핀(102)의 브래킷(103)으로부터의 높이를 미세히 조정함으로써, 상기 평행정도를 조정하는 것은 용이하다. 그렇게 하여 정류판(101)과 웨이퍼(W)를 정확히 평행하게 유지함으로써, 웨이퍼(W) 상에 도포되어 있는 레지스트액의 막두께를 편중되지 않은 균일한 것으로 하는 것이 가능하다.

감압건조가 종료하면, 도 12에 나타낸 바와 같이, 덮개체구동기구(63)의 구동에 의해서 덮개체(61)를 들어올리면, 정류판(101)은 덮개체(61)의 안둘레의 볼록부(61a)에 걸려, 그대로 상승한다. 한편, 지지핀(102)은 하강시키고, 그 대신에 승강핀(81)을 상승시킨다. 이에 따라 웨이퍼(W)는 승강핀(81)에 의해서 재치대 (70)로부터 들어 올려지고, 반송아암 등에 의한 꺼내는 것이 가능한 상태가 된다.

도 15에 나타낸 바와 같이, 정류판(101)의 주변부에 고리형상의 히터(110)를 설치하여도 좋다. 도 15의 예에서는, 히터(110)는, 정류판(101) 속에 매입되어 있지만, 정류판(101)의 아랫면쪽이나 윗면쪽에 히터(110)를 부착하여도 좋다. 이 히터(110)에 의해서 정류판(101)의 주변부를 가열함으로써, 그 때에 발생하는 복사열로 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부를 가열하여, 레지스트액중의 용제의 휘발을 촉진시킬 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부의 레지스트액의 튀어나온 부분의 높이를 낮게 하여, 감압건조시에, 전체적으로 보다 균일한 레지스트막을 웨이퍼(W) 상에 형성할 수 있다.

히터(110)를 부착하는 대신에, 도 16에 나타낸 바와 같이, 정류판의 아랫면의 주변부의 색을, 다른 부분보다도 명도가 낮은 색, 즉 짙은 색으로 하여도 좋다. 예를 들면 흑색이 짙은색의 대표적이다. 짙은색 부분은, 그만큼 열의 복사가 잘 되기 때문에, 정류판(101)이 열을 띠고 있을 때에는, 주변부로부터 복사열이 방열하고, 그에 따라 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부를 가열하여, 레지스트액중의 용제의 휘발을 촉진시킬 수 있다.

이상으로 설명한 실시형태는, 반도체 웨이퍼 디바이스 제조프로세스의 포토리소그래피공정에 있어서의 도포처리후의 웨이퍼의 처리장치에 대해서이지만, 본 발명은 반도체 웨이퍼 이외의 기판 예컨대 LCD기판의 처리장치에서도 응용할 수 있다.

Claims

기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리장치로서,

상기 장치내를 감압하는 배기수단과, 상기 기판 위쪽에 배치되어, 상기 배기수단에 의한 배기에 의해서 상기 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판을 가지며,

상기 정류판의 아랫면은, 상기 기판의 바깥가장자리에 대응하여, 그 외의 부분에 비해서 아래쪽으로 돌출하고 있는 돌출부를 가지고 있는 기판의 처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 정류판의 돌출부의 하단면은 경사하고 있으며, 이 돌출부의 돌출길이는, 안쪽에 비해서 바깥쪽이 긴 기판의 처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 정류판의 돌출부에 둘러싸인 영역에 소정의 기체를 공급하는 기체공급수단을 가진 기판의 처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 정류판은 상하로 이동이 가능한 기판의 처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 처리실내에서 상기 기판을 얹어 놓는 재치대와,

상기 재치대의 온도를 조절가능한 온도조절수단을 가진 기판의 처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 처리실내에서 기판을 얹어 놓고 가열하는 열판과,

상기 기판을 지지하여 승강하는 승강부재를 가진 기판의 처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 처리실내의 압력을 측정하는 압력측정수단을 가지며,

상기 배기수단은 상기 압력측정수단에 의해 측정된 압력의 측정치에 기초하여, 상기 처리실의 감압속도를 변경하도록 구성되어 있는 기판의 처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 처리실내의 압력을 측정하는 압력측정수단과,

상기 배기수단을 통하여, 상기 처리장치에 부착된 배기관과,

상기 배기관을 개폐가능한 밸브를 가지며,

상기 밸브는 상기 압력측정수단에 의해 측정된 압력의 측정치에 기초하여, 개폐도가 변경이 가능한 기판의 처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 소정 처리는 기판상의 처리액의 건조처리인 기판의 처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 도포액은 레지스트액인 기판의 처리장치.
기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정 처리를 실시하는 기판의 처리장치로서,

상기 장치내를 감압하는 배기수단과,

상기 기판 위쪽에 배치되어, 상기 배기수단에 의한 배기에 의해서 상기 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판을 가지며,

상기 정류판은 그 아랫면이 평탄하고, 또한 해당 아랫면과 상기 기판의 처리면과의 사이의 간격이 0.5mm∼2.0mm인 기판의 처리장치.
기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리장치로서,

상기 장치내를 감압하는 배기수단과,

상기 기판 위쪽에 배치되어, 상기 배기수단에 의한 배기에 의해서 상기 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판을 가지며,

상기 정류판은 그 아랫면이 평탄하고 또한 해당 아랫면의 면거칠기가 0.2㎛이하인 기판의 처리장치.
기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리장치로서,

상기 장치내를 감압하는 배기수단과,

상기 기판 위쪽에 배치되어, 상기 배기수단에 의한 배기에 의해서 상기 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판과,

상기 정류판의 주변부를 가열하는 가열장치를 구비하고 있는 기판의 처리장치.
기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리장치로서,

상기 장치내를 감압하는 배기수단과,

상기 기판 위쪽에 배치되어, 상기 배기수단에 의한 배기에 의해서 상기 처리실내에 발생한 기류를 정류하는 정류판을 가지며,

상기 정류판의 아랫면의 주변부는 다른 부분보다도 명도가 낮은 색을 가진 기판의 처리장치.
제 11 항에 있어서, 상기 정류판의 재질은 스텐레스강인 기판의 처리장치.
제 11 항에 있어서, 상기 정류판의 재질은 석영유리인 기판의 처리장치.
제 11 항에 있어서, 상기 정류판의 재질은 세라믹스인 기판의 처리장치.
제 11 항에 있어서, 상기 소정의 처리는 기판상의 처리액의 건조처리인 기판의 처리장치.
제 11 항에 있어서, 상기 도포액은 레지스트액인 기판의 처리장치.
기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리방법으로서,

상기 처리실내를 감압하는 공정과,

상기 처리실내의 압력을 압력측정수단에 의해 측정하는 공정과,

상기 압력의 측정치가 소정의 값을 넘은 경우에, 감압의 속도를 변경하여, 상기 기판상의 도포액의 건조처리를 하는 공정을 가진 기판의 처리방법.
제 20 항에 있어서, 감압속도의 변경은 처리실내를 배기하는 배기수단의 제어에 의해서 행하여지는 기판의 처리방법.
제 20 항에 있어서, 감압속도의 변경은 처리실내를 배기하는 배기관의 밸브의 개폐제어에 의해서 행하는 기판의 처리방법.
기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리방법으로서,

상기 처리실내를 감압하는 공정과,

상기 처리실내의 압력의 변화량을 측정하는 공정과,

상기 압력의 변화량이 소정의 값을 넘은 경우에, 감압의 속도를 변경하여, 상기 기판상의 도포액의 건조처리를 하는 공정을 가진 기판의 처리방법.
기판에 도포액을 도포한 후에 처리실내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판의 처리방법으로서,

상기 기판 위쪽을, 아랫면이 평탄한 정류판으로 덮는 공정과,

상기 처리실내를 감압하는 공정을 가지며,

상기 정류판과 상기 기판표면과의 사이의 간격을 조정함으로써, 상기 기판상의 도포액에 의한 도포막의 균일 막두께 부분의 면적을 제어하는 기판의 처리방법.