JPH0724257B2 - 半導体処理の為の急熱炉 - Google Patents

半導体処理の為の急熱炉

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JPH0724257B2
JPH0724257B2 JP1067754A JP6775489A JPH0724257B2 JP H0724257 B2 JPH0724257 B2 JP H0724257B2 JP 1067754 A JP1067754 A JP 1067754A JP 6775489 A JP6775489 A JP 6775489A JP H0724257 B2 JPH0724257 B2 JP H0724257B2
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    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
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    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 水平拡散炉は、焼鈍、拡散、酸化そして化学的蒸着を含
む種々の半導体形成プロセスの為に広く使用されてきて
いる。その結果、これらプロセスは特に、生成品の品質
及び均一性におけるプロセス変数の影響力に関する理解
が良く為された。
〔従来技術の説明〕 半導体形成が進歩するにつれ、より微細な寸法上の許容
誤差及び制御が要求され、半導体工業は従来からの水平
管炉設計形状は将来の製品要件、特に、より大型の半導
体ウエハーの製品要件には適合し得ないであろうことに
関心を向け始めている。半導体工業界では特に、粒子制
御、自動化、微小寸法に対する厳密性、浅い接合等に関
心を寄せている。現代の集積回路設計ではライン幅は１
ミクロンより小さく、接合の深さは数百オングストロー
ム以下である。従って半導体ウエハーの加熱時間を短縮
して微量添加物の横方向拡散及びそれに関連してのライ
ン寸法の拡大を制御する必要がある。加熱時間は、接合
の深さが変化しないよう前方拡散を低減させるためにも
制御されるべきである。加熱時間の短縮は半導体ウエハ
ーの損傷をも低減する。
より大型の半導体ウエハー、半導体ウエハー装填／取外
し及び粒子制御の問題は、従来からの管炉がもはや製品
要件に適合し得ないことから今や臨界的な問題である。
進歩しつつある半導体技術の製品要件に適合させる為に
２つの異なる方策、即ち垂直管炉及び単一半導体ウエハ
ー急熱炉が開発された。それぞれの炉は更に大型の半導
体ウエハー寸法の受容、容易な自動化、フットプリント
の一段の小型化、そして隔壁取り付けの為に設計され
た。残念ながらこうした技術は何れも、プロセス実施に
関わるそれらの約束事項を達成できなかった。
垂直炉は、プロセスチューブを垂直位置に支持する為の
設計とされた。半導体ウエハーは上下いずれの端部から
も装填し得、縦横何れの方向においても保持し得た。こ
うした設計形状は半導体ウエハーの汚損問題及び幾つか
の自動化関心事項を減少させた。しかしながら垂直炉は
水平システムの主要弱点の大半、つまり大型半導体ウエ
ハーの為のプロセス制御が姓に乏しいこと、温度あたり
の時間が過剰であること、半導体ウエハー毎の均一性が
変化しやすいこと、及び半導体ウエハーのバッチ処理に
依存してプロセス制御が困難であること、といった固有
の弱点を有している。
これに対して、急熱プロセッサ（RTP）は単一の半導体
ウエハー加熱の為に、適宜のリフレクタを具備する強力
光源を使用する。従来からのRTPシステムにおいては半
導体ウエハーはおよそ450℃から1400℃の温度に加熱さ
れそして管炉のように数分かけてではなく数秒のうちに
室温へと冷却される。急熱炉の目的は、微量添加物プロ
フィル変化の問題を回避する別の熱的技術を提供するこ
とにある。
現在、多くの商業的な急熱プロセッサを入手可能であ
る。各プロセッサはある形式のランプ（lamp）を熱源と
して使用する。ランプ熱源は熱的マスが非常に小さく、
従って究めて急速に発熱を上下させ得る長所を有する。
その結果、ランプ熱源は半導体ウエハーを非常に早く加
熱し得る。しかしながらランプを使用する加熱システム
には、製造環境へのRTPシステムの組み込みを妨げる関
連する幾つかの問題がある。
ランプ熱源システムでは、放射熱を半導体ウエハーに均
一に分与する為のリフレクタが必要である。全てのラン
プ熱源システムはライン光源を使用することから、放射
熱を異なる寸法の半導体ウエハー上に均一に分与し得る
リフレクタの設計は困難である。更に、運転中はランプ
は急速にオンオフされる。過度期間中の均一な熱分与及
び温度の均一性を維持する為の何らの手段も存在しな
い。
そして、更に、全てのランプは次第に劣化し、反復性能
の維持は困難である。ランプ熱源システムにおける熱源
は石英プレートによってプロセスチャンバーから離間さ
れ、この石英プレート上のいかなる汚染も温度均一性に
影響を及ぼす。
こうした熱源の制限事項に加えて、RTPシステムには別
の欠点が有る。例えば、プロセスチャンバーは加熱及び
冷却期間中に対立する設計要件によって特長付けられ
る。特に、温度が徐々に上昇された場合プロセスチャン
バーの熱吸収は発熱要件を低減する為に理想的には最小
であるべきであり、温度が徐々に降下される場合は、プ
ロセスチャンバーの熱吸収は半導体ウエハー温度の降下
を早める為に最大であるべきである。これら２つの相反
する設計要件により、プロセスチャンバーの設計は最適
化し得ない。
また、運転中の大きなランプ電流の切り替えがそれに応
答する大きな電磁気干渉（EMI）を発生させ、これが近
辺の電子商品に影響を及ぼす。最後に、ランプの使用を
基本とする加熱システムは発熱を有効使用しない。結
局、より大きな発熱及び手軽な熱源が要求される。
RTPシステムは終始均一な且つ再現性のある結果を得る
為の信頼し得る手段とはならなかった。急熱処理に関連
する固有の問題は、ほとんど瞬間的に加熱され処理され
そして冷却される間、実質的に自由空間に浮遊する半導
体ウエハーを横断しての均一な温度の維持が困難なこと
である。半導体ウエハーを横断して終始一貫しての満足
するべき均一性を達成する為に必要な複雑な光学的設計
要件を解決し得た急熱プロセッサ製造業者は無かった。
また、全ての急熱プロセッサは、光源のエージングによ
って引起こされる光束の劣化に影響されて再現性が暫時
劣化する。
従って、大型の半導体ウエハーを受容し得る一方、満足
出来る且つ再現性のある、特に温度の均一性及び安定性
におけるプロセス制御を維持し得る半導体作成及びプロ
セス処理システムに対する需要がある。
〔発明が解決するべき課題〕
半導体作成及びプロセス処理用の改良炉を提供し、プロ
セス処理中における半導体ウエハーを横断しての、より
高い温度均一性を維持する半導体プロセス処理用の改良
炉を提供し、半導体ウエハーの急速な冷却を提供し且つ
急速な加熱速度を維持する半導体プロセス処理用の炉を
提供し、低コスト、低い電力消費量、低い保守要件によ
って特長付けられる半導体作成用炉を提供しそれによ
り、大型の半導体ウエハーを受容し得る一方、特に温度
の均一性及び安定性における満足出来る且つ再現性のあ
るプロセス制御を維持し得る半導体作成及びプロセス処
理システムを提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に従えば、 半導体ウエハー処理用炉であって、 ａ）第１の参照軸に沿って伸延する第１の帯域及び第２
の帯域を包囲する細長のプロセスチャンバーと、 ｂ）半導体ウエハー支持部材を含む半導体ウエハー支持
アセンブリーにして、印加位置信号に応答して半導体ウ
エハー支持部材を第１の帯域と第２の帯域との間で第１
の参照軸に沿って選択的に移送するための関連手段を含
んでなる半導体ウエハー支持アセンブリーと、 ｃ）半導体ウエハー支持部材に近接する領域の温度を表
す温度信号を発生するセンサと、 ｄ）第１の帯域の温度を実質的に第１の温度に制御する
為の第１の温度手段と、 ｅ）第２の帯域の温度を実質的に第２の温度に制御する
為の第２の温度手段と、 ｆ）半導体ウエハー支持部材に近接する領域における所
望の温度を表す制御信号の印加に応答して位置信号を発
生し該位置信号を半導体ウエハー支持アセンブリーに印
加する手段を含む制御体とを含み、 制御体が、温度信号及び印加制御信号に応答して、半導
体ウエハー支持部材に近接する領域の温度と該半導体ウ
エハー支持部材に近接する領域における所望の温度との
間の差を表す位置信号を発生する手段を含み 半導体ウエハー支持部材が、該半導体ウエハー支持部材
に近接する領域の温度が該半導体ウエハー支持部材に近
接する部分における所望の温度と実質的に合致するよう
参照軸に沿って位置決めされてなる半導体ウエハー処理
用炉が提供される。
別態様の半導体ウエハー処理用炉では、センサが、温度
の上昇状況、一定状況或は下降状況の何れかを表す制御
信号を発生する手段を具備している。
また本発明に従えば、半導体ウエハー処理用炉であっ
て、 ａ）第１の参照軸に沿って伸延する第１の帯域及び第２
の帯域を包囲する細長のプロセスチャンバーと、 ｂ）半導体ウエハー支持部材を含む半導体ウエハー支持
アセンブリーにして、印加位置信号に応答して半導体ウ
エハー支持部材を第１の帯域と第２の帯域との間で第１
の参照軸に沿って選択的に移送するための関連手段を含
んでなる半導体ウエハー支持アセンブリーと、 ｃ）半導体ウエハーの温度を表す温度信号を発生するセ
ンサと、 ｄ）第１の帯域の温度を実質的に第１の温度に制御する
為の第１の温度手段と、 ｅ）第２の帯域の温度を実質的に第２の温度に制御する
為の第２の温度手段と、 ｆ）半導体ウエハー支持部材に近接する領域における所
望の温度を表す制御信号の印加に応答して位置信号を発
生し該位置信号を半導体ウエハー支持アセンブリーに印
加する手段を含む制御体とを含み、 制御体が、温度信号及び印加制御信号に応答して、半導
体ウエハーの温度と該半導体ウエハーの所望の温度との
間の差を表す位置信号を発生する手段を含み、 半導体ウエハー支持部材が、半導体ウエハーの温度が該
半導体ウエハーの所望の温度と実質的に合致するよう参
照軸に沿って位置決めされてなる半導体ウエハー処理用
炉が提供される。
更に本発明に従えば、半導体ウエハー処理用炉であっ
て、 ａ）第１の参照軸に沿って伸延する第１の帯域と第２の
帯域とを包囲する細長のプロセスチャンバーと、 ｂ）半導体ウエハー支持部材とこの半導体ウエハー支持
部材を位置信号に応答して第１の帯域と第２の帯域との
間で第１の参照軸に沿って選択的に移送するための関連
手段とを含む半導体ウエハー支持アセンブリーと、 ｃ）第１の帯域の温度を実質的に第１の温度に制御する
為の第１の温度手段と、 ｄ）半導体エウハー支持部材に近接する領域の温度を表
す温度信号を発生するためのセンサと、 ｅ）温度信号及び印加制御信号に応答して位置信号を発
生し、この位置信号を半導体ウエハー支持アセンブリー
に印加する手段を含み、制御信号が半導体ウエハー支持
部材に近接する領域における所望の温度を表し、位置信
号が半導体ウエハー支持部材に近接する領域の温度とこ
の半導体ウエハー支持部材に近接する領域における所望
の温度との間の差を表してなる制御体と を含み、 半導体ウエハー支持部材が、この半導体ウエハー支持部
材に近接する領域の温度がこの半導体ウエハー支持部材
に近接する部分における所望の温度と実質的に合致する
よう参照軸に沿って位置決めされてなる半導体ウエハー
処理用炉が提供される。
別態様の半導体ウエハー処理用炉では第２の帯域の温度
を実質的に第２の温度に制御する為の手段を含み、第１
の参照軸に沿っての温度勾配を制御し、第１の帯域及び
第２の帯域間での温度勾配を直線的なものとする為の手
段が含まれる。
また別態様の半導体ウエハー処理用炉ではセンサが、温
度の所望の上昇状況、一定状況、下降状況を表す制御信
号を発生する手段を具備する。
更に別態様の半導体ウエハー処理用炉では半導体ウエハ
ー支持部材に近接する領域に於て被処理半導体ウエハー
を支持するための半導体ウエハー支持手段を含み、この
半導体ウエハー支持手段が、支持された半導体ウエハー
の、この半導体ウエハーを横断しての放熱の大きさを実
質的に均一に制御するための制御手段を含み、この制御
手段が、被処理半導体ウエハーの周囲に沿って位置決め
された放射線防御リングを含む。
更に別態様の半導体ウエハー処理用炉は、被処理半導体
ウエハーを半導体ウエハー支持部材に近接する領域に於
て支持する手段を含み、この被処理半導体ウエハーを半
導体ウエハー支持部材に近接する領域に於て支持する手
段が、半導体ウエハー支持部材と、被処理半導体ウエハ
ーを予め決定された側がプロセスチャンバーに対し露呈
される状態で位置決めする手段とを具備する。
更に別態様の半導体ウエハー処理用炉では、半導体ウエ
ハーの下方に位置付けられ冷却用ガス流れを提供するた
めのプロセスガスポートを含んでいる。
本発明に従う半導体ウエハー処理用炉に於てはプロセス
チャンバーはアルミナ、炭化珪素、石英及びセラミック
材料から作成され得る。プロセスチャンバー内に冷却要
素が含まれ、この冷却要素は、半導体ウエハー支持部材
の表面に固定した被処理半導体ウエハーの少くとも１つ
の表面を横断して冷却用ガス流れを選択的に配向する要
素を含んでいる。
〔実施例の説明〕
第１図には本発明に従う急熱炉２の概略図が示される。
この急熱炉２は４つの主要部分、即ち、第１の参照軸に
沿って伸延する第１の帯域或は加熱セクション４及び第
２の帯域或は温度制御セクション10、プロセスチャンバ
ーセクション８及び半導体ウエハー装填／取外しセクシ
ョン12である。第１の帯域４としては従来からの垂直炉
で使用される加熱セクションを改変したものを使用する
のが好ましい。石英、炭化珪素その他適宜の材料製の有
底管５が下方開口７を通して挿入され、プロセスチャン
バー８とするのが好ましい。急熱炉２は好ましくはプロ
セスチャンバー８内の等温領域を維持する為に好ましく
は一定温度で運転される。
単一の半導体ウエハー14が、プロセスチャンバー８の下
方開口７に位置付けられ、好ましくは石英製の半導体ウ
エハー支持体16上に予め決定された側がプロセスチャン
バーに対し露呈される状態で位置決めする手段（図示せ
ず）により装填される。この石英製の半導体ウエハー支
持体16は、半導体ウエハーエッジ周囲における放射線損
失を低減することにより温度の均一性を維持するべく、
半導体ウエハー周囲に沿って放射線防御リング（第１図
には図示されず）を具備し得る。本具体例ではプロセス
ガスポート40が半導体ウエハー14の下方に位置付けられ
る。半導体ウエハー支持体16は全体が昇降機構20にリン
ク結合され、その位置は好ましくは、半導体ウエハー14
の下方に位置付けた半導体ウエハー温度センサ28及びサ
ーボモータ30によりフィードバック制御される。これら
半導体ウエハー支持体16、昇降機構20、半導体ウエハー
温度センサ28及びサーボモータ30が半導体ウエハー支持
アセンブリーを構成する。加熱及び冷却率は半導体ウエ
ハー14を加熱セクション４内の適宜の高さに移動させる
ことにより正確に制御される。半導体ウエハー14の上昇
及び下降速度並びに時間／温度サイクルは、温度センサ
28からの温度フィードバック32と連結したマイクロプロ
セッサ24により制御される。半導体ウエハー温度センサ
28は好ましくは光学式高温計その他斯界に周知の適宜の
温度測定器具である。
マイクロプロセッサ24に印加される、第１図に示される
制御信号26は、半導体ウエハー14に近接する領域の所望
の温度を表わす信号である。そうした信号を使用者によ
り制御されるポテンシオメータの如きを使用して発生さ
せることが可能である。別様にはマイクロプロセッサ24
を記憶温度曲線データを表わす制御信号を発生させるべ
く斯界に周知の様式でプログラム可能である。
使用者が選択した持続時間、プロセスチャンバー８内の
等温領域に配置された後、半導体ウエハー14は待機位置
に降下される。半導体ウエハー14は、第２の体域４の温
度を制御するための第２の温度手段（第１の温度手段は
以下に説明する）、即ち冷却用ガスジェット36の補助の
下に更に冷却され、最終的には半導体ウエハー装填／取
外しアーム13によりプロセスチャンバー８から除去され
る。
温度の上昇及び降下速度は、従来装置の如く入力或は等
温温度を変化させることによってではなく、プロセスチ
ャンバー８内での半導体ウエハー14の位置を変化させる
ことにより制御される。このようにして温度の昇降温度
を、従来からの炉及びRTPにおける過度的な温度不均一
特性を生じることなく極めて急速なものとし得る。しか
しながら、急熱炉２は尚、等温温度を変化させる能力を
維持する。
本発明は従って、垂直管炉及び急熱プロセッサの混成体
であり、両技術の利益を、それらの不利益を生じること
なく提供する。
本発明の好ましい具体例では、第１の温度手段、即ち熱
源６の如き抵抗−加熱要素或はRF加熱黒体キャビティサ
セプタ（cavity susceptors）が使用される。こうした
熱源は装着が簡単であり、温度の安定化及び均一制御の
為の信頼性のある技術として明瞭に特徴付けされ且つ広
く受入れられている。本発明に従う炉は直径約20cm（８
インチ）までの半導体ウエハーを処理する為の構成とさ
れている。この設計形状は更に大きい寸法の半導体ウエ
ハーを受容する為に容易に拡大させ得る。更に、本発明
に従う半導体ウエハー処理用炉は、半導体ウエハーをバ
ッチ処理にて処理する為の構成ともし得る。
第１図に例示される炉は、急熱プロセッサほど急な且つ
従来からの管炉と同程度に均一な熱の昇降が可能であ
る。入力エネルギーではなく半導体ウエハー位置により
半導体ウエハー温度を制御することにより、従来からの
管炉及び急熱プロセッサに関連する過度的問題が防止さ
れる。
本発明の別態様では、半導体ウエハー処理用炉は更に、
第１の参照軸に沿った温度勾配を制御して第１及び第２
の帯域間での温度勾配を直線的なものにする為の斯界に
周知の要素（図示せず）を具備する。
当業者には本発明が、ランプ（lamp）発熱系に比較して
低い電力等級要件を提供すること。また熱源が一定温度
に維持され従って電力切替に依存すうEMIの発生がない
こと、電力変動を引起こし得る大ピーク電力要求が創出
されないという利益を提供することを容易に理解されよ
う。
更に、抵抗−加熱要素或はRF加熱黒体キャビティサセプ
タを使用することにより、温度昇降中の温度の均一性が
ランプ発熱系に比較して助長される。本発明はリフレク
タ或はウインドの如き臨界的構成部品を使用せず、また
加熱速度はランプ発熱系と等しく、冷却速度はずっと早
い。最後に、当業者には、第１図及び２図に例示された
具体例が保守要件が低減された状態における低い運転コ
ストを提供することが理解されよう。
従って、本発明が先の既述の中で明らかにした目的を効
率的に達成することが明らかであろう。
以上本発明を具体例を参照して説明したが、本発明の内
で多くの変更を成し得ることを理解されたい。
〔発明の効果〕
大型の半導体ウエハーを受容し得る一方、特に温度の均
一性及び安定性における満足出来る且つ再現性のあるプ
ロセス制御を維持し得る半導体作成及びプロセス処理シ
ステムが提供される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に従う半導体プロセス処理用炉の概略図
である。 第２図は本発明の水平型具体例の概略図である。 尚、図中主な部分の名称は以下の通りである。 ２……急熱炉 ４……加熱セクション ８……プロセスチャンバーセクション 10……温度制御セクション 12……半導体ウエハー装填／取外しセクション 13……半導体ウエハー装填／取外しアーム 14……半導体ウエハー 16……半導体ウエハー支持体 20……昇降機構 28……半導体ウエハー温度センサ 30……サーボモータ 32……温度フィードバック

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体ウエハー処理用炉であって、 ａ）第１の参照軸に沿って伸延する第１の帯域及び第２
    の帯域を包囲する細長のプロセスチャンバーと、 ｂ）半導体ウエハー支持部材を含む半導体ウエハー支持
    アセンブリーにして、印加位置信号に応答して半導体ウ
    エハー支持部材を第１の帯域と第２の帯域との間で第１
    の参照軸に沿って選択的に移送するための関連手段を含
    んでなる半導体ウエハー支持アセンブリーと、 ｃ）半導体ウエハー支持部材に近接する領域の温度を表
    す温度信号を発生するセンサと、 ｄ）第１の帯域の温度を実質的に第１の温度に制御する
    為の第１の温度手段と、 ｅ）第２の帯域の温度を実質的に第２の温度に制御する
    為の第２の温度手段と、 ｆ）半導体ウエハー支持部材に近接する領域における所
    望の温度を表す制御信号の印加に応答して位置信号を発
    生し該位置信号を半導体ウエハー支持アセンブリーに印
    加する手段を含む制御体とを含み、 制御体が、温度信号及び印加制御信号に応答して、半導
    体ウエハー支持部材に近接する領域の温度と該半導体ウ
    エハー支持部材に近接する領域における所望の温度との
    間の差を表す位置信号を発生する手段を含み、 半導体ウエハー支持部材が、該半導体ウエハー支持部材
    に近接する領域の温度が該半導体ウエハー支持部材に近
    接する部分における所望の温度と実質的に合致するよう
    参照軸に沿って位置決めされてなる半導体ウエハー処理
    用炉。
  2. 【請求項２】半導体ウエハー処理用炉であって、 ａ）第１の参照軸に沿って伸延する第１の帯域及び第２
    の帯域を包囲する細長のプロセスチャンバーと、 ｂ）半導体ウエハー支持部材を含む半導体ウエハー支持
    アセンブリーにして、印加位置信号に応答して半導体ウ
    エハー支持部材を第１の帯域と第２の帯域との間で第１
    の参照軸に沿って選択的に移送するための関連手段を含
    んでなる半導体ウエハー支持アセンブリーと、 ｃ）半導体ウエハーの温度を表す温度信号を発生するセ
    ンサと、 ｄ）第１の帯域の温度を実質的に第１の温度に制御する
    為の第１の温度手段と、 ｅ）第２の帯域の温度を実質的に第２の温度に制御する
    為の第２の温度手段と、 ｆ）半導体ウエハー支持部材に近接する領域における所
    望の温度を表す制御信号の印加に応答して位置信号を発
    生し該位置信号を半導体ウエハー支持アセンブリーに印
    加する手段を含む制御体とを含み、 制御体が、温度信号及び印加制御信号に応答して、半導
    体ウエハーの温度と該半導体ウエハーの所望の温度との
    間の差を表す位置信号を発生する手段を含み、 半導体ウエハー支持部材が、半導体ウエハーの温度が該
    半導体ウエハーの所望の温度と実質的に合致するよう参
    照軸に沿って位置決めされてなる半導体ウエハー処理用
    炉。
  3. 【請求項３】センサが、温度の上昇状況、一定状況或は
    下降状況の何れかを表す制御信号を発生する手段を具備
    している特許請求の範囲第１項或は２項記載の半導体ウ
    エハー処理用炉。
  4. 【請求項４】半導体ウエハー処理用炉であって、 ａ）第１の参照軸に沿って伸延する第１の帯域と第２の
    帯域とを包囲する細長のプロセスチャンバーと、 ｂ）半導体ウエハー支持部材と該半導体ウエハー支持部
    材を位置信号に応答して第１の帯域と第２の帯域との間
    で第１の参照軸に沿って選択的に移送するための関連手
    段とを含む半導体ウエハー支持アセンブリーと、 ｃ）第１の帯域の温度を実質的に第１の温度に制御する
    為の第１の温度手段と、 ｄ）半導体ウエハー支持部材に近接する領域の温度を表
    す温度信号を発生するためのセンサと、 ｅ）温度信号及び印加制御信号に応答して位置信号を発
    生し、該位置信号を半導体ウエハー支持アセンブリーに
    印加する手段を含み、制御信号が半導体ウエハー支持部
    材に近接する領域に近接する領域における所望の温度を
    表し、位置信号が半導体ウエハー支持部材に近接する領
    域の温度と該半導体ウエハー支持部材に近接する領域に
    おける所望の温度との間の差を表してなる制御体とを含
    み、 半導体ウエハー支持部材が、該半導体ウエハー支持部材
    に近接する領域の温度が該半導体ウエハー支持部材に近
    接する部分における所望の温度と実質的に合致するよう
    参照軸に沿って位置決めされてなる半導体ウエハー処理
    用炉。
  5. 【請求項５】第２の帯域の温度を実質的に第２の温度に
    制御する為の第２の温度手段を含んでいる特許請求の範
    囲第４項記載の半導体ウエハー処理用炉。
  6. 【請求項６】第１の参照軸に沿っての温度勾配を制御
    し、第１の帯域及び第２の帯域間での温度勾配を直線的
    なものとする為の手段を含んでいる特許請求の範囲第４
    項記載の半導体ウエハー処理用炉。
  7. 【請求項７】センサが、温度の所望の上昇状況、一定状
    況、下降状況を表す制御信号を発生する手段を具備して
    いる特許請求の範囲第４項記載の半導体ウエハー処理用
    炉。
  8. 【請求項８】半導体ウエハー支持部材に近接する領域に
    於て被処理半導体ウエハーを支持するための半導体ウエ
    ハー支持手段を含み、該半導体ウエハー支持手段が、支
    持された半導体ウエハーの、該半導体ウエハーを横断し
    ての放熱の大きさを実質的に均一に制御するための制御
    手段を含んでいる特許請求の範囲第４項記載の半導体ウ
    エハー処理用炉。
  9. 【請求項９】制御手段が、被処理半導体ウエハーの周囲
    に沿って位置決めされた放射線防御リングを含んでなる
    特許請求の範囲第８項記載の半導体ウエハー処理用炉。
  10. 【請求項１０】被処理半導体ウエハーを半導体ウエハー
    支持部材に近接する領域に於て支持する手段を含み、該
    被処理半導体ウエハーを半導体ウエハー支持部材に近接
    する領域に於て支持する手段が、半導体ウエハー支持部
    材と、被処理半導体ウエハーを予め決定された側がプロ
    セスチャンバーに対し露呈される状態で位置決めする手
    段とを具備してなる特許請求の範囲第４項記載の半導体
    ウエハー処理用炉。
  11. 【請求項１１】半導体ウエハーの下方に位置付けられ、
    冷却用ガス流れを提供するためのプロセスガスポートを
    含んでなる特許請求の範囲第10項記載の半導体ウエハー
    処理用炉。
  12. 【請求項１２】プロセスチャンバーはアルミナ、炭化珪
    素、石英及びセラミック材料から作成される特許請求の
    範囲第４項記載の半導体ウエハー処理用炉。
  13. 【請求項１３】プロセスチャンバー内に冷却要素を含
    み、該冷却要素は、半導体ウエハー支持部材の表面に固
    定した被処理半導体ウエハーの少くとも１つの表面を横
    断して冷却用ガス流れを選択的に配向する要素を含む特
    許請求の範囲第４項記載の半導体ウエハー処理用炉。
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