KR100457348B1 - 단일 웨이퍼 어닐링 오븐 - Google Patents

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KR100457348B1
KR100457348B1 KR10-2001-7008889A KR20017008889A KR100457348B1 KR 100457348 B1 KR100457348 B1 KR 100457348B1 KR 20017008889 A KR20017008889 A KR 20017008889A KR 100457348 B1 KR100457348 B1 KR 100457348B1
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Abstract

본 발명은 처리하는 동안 반도체장치 또는 웨이퍼상의 온도를 등온으로 분포시키는 가열장치에 관한 것으로, 단일 반도체 웨이퍼를 수용하도록 구성된 챔버를 포함하고, 상기 챔버내에는 가열부재 또는 가열판이 내장되어 있으며, 상기 가열부재의 가장자리에는 열원이 배치되어 있고, 상기 열원으로부터 방사되는 열에너지는 상기 가열부재상의 등온 분포를 형성하기 위해 상기 가열부재를 통해 도전되며, 가열판에 근접한 웨이퍼를 지지하는 상기 가열판에 웨이퍼 지지수단이 포함되어, 상기 가열판의 온도가 상기 웨이퍼의 온도를 설정하도록 하고, 이러한 구성은 유리하게도 상기 웨이퍼상에서의 온도를 균일하게 등온으로 분포시키는 것을 특징으로 한다.

Description

단일 웨이퍼 어닐링 오븐{SINGLE WAFER ANNEALING OVEN}
제조공정에서의 진보, 특히 축소된 크기의 반도체장치의 제조공정에서의 진보는 새로운 처리 및 제조방법의 개발을 필요로 했다. 그러한 하나의 처리방법으로 고속 열처리법(RTP; Rapid Thermal Processing)이 알려져 있고, 상기 방법은 처리하는 동안 반도체장치가 고온에 노출되는 시간양을 감소시킨다. RTP법은 일반적으로 웨이퍼의 온도를 신속하게 상승시키고, 제조공정을 성공적으로 수행하기에 충분히 긴 시간동안 상기 웨이퍼를 상기 온도로 유지시키기에 충분한 전력을 이용하여 반도체장치 또는 웨이퍼를 조사(照射)하는 단계를 포함하지만, 고온처리에서 발생할 수 있는 원치 않는 불순물 확산과 같은 문제는 회피한다. 일반적으로, RTP법은 웨이퍼를 가열하기 위해 광원 및 반사재를 이용한다. 종래의 고속 열처리기에서, 낮은 열량때문에 램프가 광원으로 사용되어, 신속하게 전력을 상승 및 하강할 수 있다.
유감스럽게도, 종래의 램프기반 RTP시스템은 균일한 온도분포에 관해 중요한 결점을 가지고 있다. 램프에서 출력된 전력에 있어서의 어떠한 하나의 변화가 웨이퍼상의 온도분포에 좋지 못한 영향을 미칠 수 있다. 대부분의 램프기반 시스템은 필라멘트로 이루어진 램프를 이용하기 때문에, 노출하는 동안 필라멘트 배열로 인한 온도 비균일성이 웨이퍼에 전이되지 않도록 하기 위해서 대개 웨이퍼를 회전시킨다. 웨이퍼 회전에 필요한 이동부분은 비용을 증가시키고 시스템을 복잡하게 한다. 균일한 온도분포를 유지하는데 있어서 특히 문제가 되는 또다른 영역은 웨이퍼의 외부 가장자리이다. 대부분의 종래의 RTP시스템은 이러한 타입의 온도 불균일성에 대한 조정을 위한 적절한 수단을 가지고 있지 않다. 그 결과, 순간적인 온도변동이 발생되어, 고온(예를 들어 ~1000℃)에서 웨이퍼가 단층(slip dislocation) 형성되게 하기도 한다.
종래의 램프기반 RTP시스템은 다른 문제점도 가지고 있다. 예를 들어, 램프가 온/오프되는 것과 같은 일시적인 주기동안 균일한 전력분포 및 온도 균일성을 제공하기 위한 적절한 수단이 없다. 각각의 램프가 시간이 경과됨에 따라 서로 다르게 작동하기 때문에, 성능의 반복성도 대개 램프기반 시스템의 단점이 된다. 특히 소정의 램프 시스템이 180개 이상의 램프를 가질 수도 있다는 점을 감안하는 경우, 램프 교체 또한 비용이 많이 들고 시간이 소비된다. 램프가 약 250㎾의 피크 전력소비를 할 수도 있기 때문에 전력 요구 또한 비용이 많이 든다.
상기한 이유때문에 고속 열처리동안 반도체장치의 표면상의 온도를 등온 분포시키는 장치 및 방법이 필요하다.
본 발명은 반도체 제조장비에 관한 것으로, 특히 단일 반도체 웨이퍼의 고속 열처리장치 및 방법에 관한 것이다.
도 1a-1b는 각각 본 발명에서 사용하기 위한 반도체 웨이퍼 처리시스템의 한 실시예를 개략적으로 도시하는 측면도 및 평면도,
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 리액터 챔버의 간략화된 단면도,
도 3a-3b는 본 발명의 가열부재의 한 실시예를 나타내는 도면,
도 4는 본 발명의 한 실시예를 나타내는 도면 및
도 5는 본 발명의 한 실시예의 간략화된 개략도이다.
본 발명은 처리하는 동안 반도체장치 또는 웨이퍼상의 온도를 등온 분포시키는 가열장치를 제공한다. 본 발명은 단일 반도체 웨이퍼를 수용하도록 구성된 RTP챔버를 포함한다. 가열부재 또는 가열판이 상기 챔버에 내장되어 있다. 열원(heat source)이 상기 가열부재의 가장자리에 배치되어 있다. 상기 열원으로부터 방사되는 열에너지는 상기 가열부재상의 등온 분포를 형성하기 위해 상기 가열부재를 통해 전도된다. 상기 가열판에 근접하여 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지수단이 가열부재상에 포함되어, 상기 가열판의 온도가 웨이퍼의 온도를 확고하게 하도록 한다. 유리하게도, 이러한 구성은 상기 가열부재상의 온도분포를 실현하고 유지하기 더 쉽기 때문에 상기 웨이퍼상에서의 온도가 균일하게 등온으로 분포되도록 허용한다. 상기 가열부재는 웨이퍼의 외부 가장자리에서의 균일한 온도분포가 등온으로 유지되도록 하기 위해 상기 웨이퍼의 외부 크기보다 더 큰 크기를 가질 수도 있다. 대안적으로, 복수의 가열부재가 처리챔버내에서 함께 스택될 수도 있다. 이러한 방법에서, 웨이퍼의 위아래에 가열판이 배치되어 양쪽 가열판의 온도가 웨이퍼상의 온도분포에 영향을 미치도록 한다.
본 발명의 한 측면에서, 처리하는 동안 웨이퍼를 가열하기 위한 장치가 제공된다. 상기 장치는 공동(cavity)을 한정하는 처리챔버를 포함한다. 상기 공동내에 가열판이 배치되고, 웨이퍼를 그 위에 수용하도록 구성된다. 상기 가열판상의 균일한 온도분포를 형성하기 위해 가열판의 가장자리에 열원이 배치된다.
본 발명의 다른 측면에서, 반도체 웨이퍼를 신속하고 균일하게 어닐링하기 위해 리액터가 제공된다. 상기 리액터는 챔버를 포함하고 상기 챔버는 공동을 한정한다. 상기 공동내에 도전성 가열부재가 배치된다. 상기 가열부재는 그 위에웨이퍼를 수용하도록 구성된다. 상기 리액터 또한 상기 챔버 근방에 배치된 복수의 저항성 가열소자를 포함한다. 상기 저항성 가열소자 각각으로부터 출력되는 열에너지는 공동내에 실질적으로 등온을 제공한다.
본 발명은 상기 가열부재가 저전력 및 저비용으로 더 균일한 온도분포를 제공할 수 있기 때문에 램프기반 가열시스템의 단점을 극복할 수 있다. 상기 가열부재는 또한 웨이퍼보다 고속으로 열을 전도할 수 있어서, 상기 웨이퍼가 더 신속하게 균일한 온도에 이를 수 있도록 한다. 웨이퍼를 적재하기 위해 리프트핀(lift pin) 또는 웨이퍼 스피너(spinner)와 같은 이동부나, 반사재, 액츄에이터, 및 복잡한 전력 변압기 및 제어기와 같은 다른 복잡하고 고가인 구성요소가 필요하지 않다. 본 발명에서는 가열부 또는 이동부를 위한 커다란 램프가 필요하지 않기 때문에, 공동의 부피뿐만 아니라 챔버의 크기가 다른 챔버와 비교하여 상당히 축소될 수 있다. 부피 및 크기의 축소는 후술에서 명백해지는 이유로 특히 유리하다.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은 첨부한 도면과 관련하여 후술되는 적절한 실시예의 상세한 설명으로부터 좀더 용이하게 명확해질 것이다.
도 1a-1b는 각각 본 발명의 전형적인 환경을 설치한 반도체 웨이퍼 처리시스템(10)의 한 실시예를 개략적으로 도시하는 측면도 및 평면도이다. 상기 전형적인 시스템은 모든 목적을 위해 본 명세서에서 참조에 의해 구체화된, 본 발명과 동시 계류중인 미국특허출원 제09/451,677호(대리인 일련번호 제M-7771 US호)에 완전히 개시되어 있다. 처리시스템(10)은 웨이퍼 카세트(16)를 지지하고 로드록(loadlock)(18) 위나 안으로 이동시키기 위한 다중 플랫폼(14)을 갖는 적재소(12)를 포함한다. 웨이퍼 카세트(16)는 수동으로 또는 AGV(automated guided vehicles)를 이용하여 플랫폼(14)으로 적재되는 이동가능 카세트가 될 수도 있다. 웨이퍼 카세트(16)는 고정된 카세트가 될 수도 있고, 이러한 경우 종래의 대기로봇 또는 로더(loader)(도시되지 않음)를 이용하여 웨이퍼가 카세트(16)로 적재된다. 일단 웨이퍼 카세트(16)가 로드록(18) 내부에 있게 되면, 로드록(18) 및 전송챔버(20)는 대기압으로 유지되거나 또는 필요하다면 펌프(50)를 이용하여 진공압까지 공기가 빠진다. 전송챔버(20)내 로봇(22)은 로드록(18)을 향해 회전하고, 카세트(16)에서 웨이퍼를 꺼낸다. 대기압 또는 진공압하에 있을 수 있는 열처리챔버(26) 또는 리액터는 게이트밸브(30)를 통해 로봇(22)으로부터 웨이퍼(24)를 받아들인다. 선택적으로, 예를 들어 리액터(28)와 같은 추가적인 리액터가 상기 시스템에 추가될 수도 있다. 그 후, 로봇(22)은 수축되고, 이어서 게이트밸브(30)는 웨이퍼(24) 처리를 시작하기 위해 밀폐된다. 웨이퍼(24)가 처리된 후, 로봇(22)이웨이퍼(24)를 들어 냉각부(60)에 놓도록 하기 위해 게이트밸브(30)가 개방된다. 100℃ 이상의 온도를 가질 수도 있는 새로 처리된 웨이퍼를 상기 웨이퍼가 로드록(18)내 웨이퍼 카세트에 다시 배치되기전에 냉각부(60)가 냉각한다.
본 발명에 따르면, 리액터(26,28)는 열어닐링, 불순물확산, 열산화, 질화, CVD(chemical vapor deposition), 및 유사한 처리에서 이용되는 것과 같은 RTP 리액터이다. 리액터(26,28)는 일반적으로 수평으로 배치되지만, 적절한 실시예에서 리액터(26,28)는 시스템(10)에 의해 점유된 바닥공간을 최소화하기 위해 수직으로 배치된다(즉, 서로 스택된다). 리액터(26,28)는 전송챔버(20)에 볼트로 조여지고, 지지프레임(32)에 의해 추가 지지된다. 처리기체, 냉각제 및 전기접속부가 인터페이스(34)를 이용하여 리액터의 후방 종단을 통해 제공될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 리액터 챔버(100)의 간략화된 단면도이다. 외부적으로, 리액터 챔버(100)는 대개 알루미늄 또는 유사한 금속으로 이루어지고, 앞면에 제공된 개구부(104)를 가지며, 처리용 웨이퍼를 수용하도록 구성된 금속외장(102)이 될 수도 있다. 선택적으로, 리액터 챔버(100) 근방의 장비 및/또는 사용자를 보호하기 위해서 상기 챔버가 열 절연층(106,108)을 포함할 수도 있다. 상기 절연층은 세라믹섬유 재료와 같은 임의의 적당한 절연재료로 이루어질 수도 있다. 대안적으로, 분리가능한 냉수 재킷(110) 또는 유사한 장치가 리액터 챔버(100)를 둘러싸기 위해 이용될 수도 있다. 상기 냉수 재킷(100)은 상기 리액터가 너무 뜨겁게 되지 않도록 하여, 근방의 장비 또는 사람이 위험하지 않도록 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 리액터 챔버(100)는 내부 공동(114)을 한정하는 처리챔버(112)를 포함한다. 적절한 실시예에서, 처리챔버(112)의 부피는 예를 들어 대개 3000㎣ 이하정도로 작게 유지될 수도 있다. 적절하게, 처리챔버(112)의 부피는 1000㎣이 된다. 따라서, 처리챔버 부피가 작으면 리액터 챔버(100)가 작아지고 그 결과, 시스템(10)이 더 소형이 되어 작은 청정실 바닥공간을 필요로 하게 된다. 로봇 로더의 사용과 관련하여, 리액터 크기가 작아지면 도 1a에 도시된 바와 같이 리액터를 수직으로 스택하여 시스템(10)에서 다수의 리액터가 사용될 수 있다.
리액터 챔버(100)의 애퍼처(104) 또는 개구부는 처리전후에 웨이퍼(116)를 적재하고 내려놓도록 한다. 애퍼처(104)는 비교적 작은 개구부가 될 수도 있지만약 0.5~2㎜ 두께와 최대 300㎜(~12in.) 지름의 웨이퍼를 수용하기에 충분히 큰 너비를 갖고, 로봇아암(22)이 그 안을 통과한다. 한 실시예에서, 처리공정동안 웨이퍼(116)의 단부(端部)는 웨이퍼가 처리챔버내에 배치되는 경우 애퍼처(104)로부터 50㎜ 이상에 있을 수도 있다. 대개, 애퍼처(104)의 높이는 약 15~40㎜, 적절하게는 20㎜ 이하가 된다. 애퍼처 크기가 비교적 작으면 처리챔버(112)로부터의 방사열 손실이 감소된다. 또한, 애퍼처 크기가 작으면 처리챔버(112)로 들어가는 입자의 수가 적어지고 등온 환경을 유지하기가 용이해진다.
도 3a-3b는 본 발명의 가열어셈블리의 한 실시예를 나타낸다. 가열어셈블리(118)는 가열부재 또는 가열판(120), 하나 이상의 열원(122), 및 결합기구(124)를 포함한다. 적절한 실시예에서, 가열어셈블리(118)는 처리챔버(112)의벽에 대한 캔틸레버 관계에서, 처리챔버(112)내에 매달려서 배치될 수도 있다. 대안적으로, 가열어셈블리(118)는 처리챔버(112)의 바닥으로부터 올라온 마운트(mount)위에 놓여있을 수도 있다.
가열판(120)은 웨이퍼(116)와 비교하여 큰 부피를 가질 수도 있고, 탄화규소, 석영, 인코넬(inconel), 알루미늄, 강철과 같은 재료 또는 고온 처리에서 임의의 주위 기체 또는 웨이퍼(116)와 반응하지 않을 어떤 다른 재료로부터 제조될 수도 있다. 가열판(120)의 상위 표면에 웨이퍼 지지수단(126)이 배치될 수도 있다. 적절한 실시예에서, 웨이퍼 지지수단(126)은 단일 웨이퍼(116)를 지지하기 위해 가열부재(120)의 표면으로부터 밖으로 연장된다. 웨이퍼 지지수단(126)은 웨이퍼(116)가 가열부재(120)에 근접하여 유지되도록 하기 위한 크기로 만들어진다. 예를 들어, 웨이퍼 지지수단(126)은 각각 약 50㎛~20㎜ 사이의 높이, 적절하게는 약 2㎜~8㎜의 높이를 가질 수 있다. 본 발명은 안정성을 보장하기 위해 3개 이상의 웨이퍼 지지수단(116)을 포함한다. 그러나, 웨이퍼 지지수단(126)과 웨이퍼(116) 사이의 전체 접촉영역은 약 350㎟ 이하, 적절하게는 약 300㎟ 이하가 된다. 한 실시예에서, 웨이퍼(116)의 온도에 대한 피드백을 제공하기 위해 하나 이상의 웨이퍼 지지수단(126)내에 열전지가 전략적으로 내장될 수도 있다. 상기 열전지는 미국 커네티컷주 스탬포드의 오메가 코퍼레이션(Omega Corporation)에서 입수가능한 종래의 R-타입 또는 K-타입 열전지가 될 수 있다.
가열판(120)은 임의의 기하학적 형태, 적절하게는 웨이퍼와 유사한 형태로 형성될 수 있다. 적절한 실시예에서, 가열판(120)은 원형판이다. 가열판(120)의크기는 웨이퍼(116)의 크기보다 커서, 상기 웨이퍼의 표면 영역위에 가열판(120)의 표면 영역이 완전하게 놓일 수 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 가열판(120)의 지름은 웨이퍼(236)의 지름보다 작을 수 있고, 적절하게는 가열판(120)의 지름이 웨이퍼(116)의 지름보다 크게 된다. 예를 들어, 가열판(120)의 반지름은 웨이퍼(116)의 반지름보다 약 길이 γ만큼 크고, 길이 γ는 약 1~100㎜, 적절하게는 25㎜가 된다.
가열판(120)의 가장자리에는 하나 이상의 열원(122)이 있다. 열원(122)은 저항성 가열소자 또는 다른 도전성/방사열원이 될 수 있고, 가열판(120)의 가장자리부에 접촉하도록 만들어지거나 가열판(120)내에 내장될 수도 있다. 저항성 가열소자는 적당한 저항성 가열가능 와이어와 같은 임의의 고온 정격된 재료로 이루어질 수 있고, SiC, 흑연 코팅 SiC, 흑연, AlCr, AlNi 및 다른 합금과 같은 증가된 열반응 및 고온 안정성을 위한 대량의 재료로 이루어진다. 이러한 타입의 저항성 가열소자는 미국 커네티컷주 스탬포드의 오메가 코퍼레이션으로부터 입수가능하다.
가열판(120)의 온도는 적용에 따라 가변 온도를 제공하도록 제어될 수 잇다. 그러나, 일단 가열판(120)이 적절한 온도로 가열되면, 상기 가열판의 온도는 균일하고 안정되게 유지된다. 대개, 가열판(120)의 온도는 약 50~1500℃, 적절하게는 약 100~1200℃ 사이에서 변화할 수 있다.
결합기구(124)는 열원(122)에 전력 접속을 제공하기 위해 전기 리드(lead)(130) 및 장착 브래킷(128)을 포함한다. 장착 브래킷(128)은 종래의 장착방법을 이용하여 처리챔버(112)의 내벽과 결합된다. 일단 장착되면, 전기리드(130)는 적절한 전원과 접속되도록 처리챔버(112)의 외부로 연장될 수 있다. 상기 전원은 약 100~500볼트 사이의 직류 전압이 될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 도면이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 가열부재(120)는 처리챔버(112)내에서 함께 스택될 수 있다. 적절한 실시예에서, 장착구멍(132)(도 3a)이 가열부재(120)의 가장자리에 제공되고, 그를 통해 연장된다. 가열판(120)이 잘 지지되도록 하기 위해 임의의 적절한 수의 장착구멍이 사용될 수 있다. 그러나, 각각의 장착구멍은 웨이퍼(116)의 적재/적하가 곤란하지 않도록 배치된다. 적절하게, 도 3a에 도시된 바와 같이, 각각의 장착구멍(132)은 애퍼처(104)로부터 멀리, 그리고 결합기구(124) 근방에 가열부재(120)의 절반위에 배치된다. 이러한 배치는 가열부재(120)로의 웨이퍼의 적재/적하가 방해되지 않도록 한다. 한 실시예에서, 로드(rod)(134) 또는 유사한 부재가 장착구멍(132) 및 스페이서(136)를 통해 간다. 스페이서(136)는 가열부재(120)가 서로 적절한 간격으로 떨어져 있도록 하여, 웨이퍼 지지수단(126)과 웨이퍼(116)가 예를 들어 로봇아암(22)에 의해 스택된 가열부재 사이에 꼭 맞을 수 있다. 대개, 스택된 가열판 사이의 거리는 약 10~50㎜, 더 적절하게는 약 20㎜가 될 수 있다. 가장 위에 스택된 가열판(138)은 그 위에 배치된 웨이퍼를 갖지 않을 수 있다는 점을 제외하고 다른 가열부재와 동일한 구조 및 성능을 가질 수 있다. 도 4에서 잘 알 수 있는 바와 같이, 웨이퍼(116)는 위에서 아래로 가열될 수 있고 웨이퍼상에 좀더 균일하고 안정된 가열환경을 제공할 수 있다.
도 5는 본 발명의 대안적인 실시예를 나타낸다. 대안적인 실시예에서, 복수의 가열소자(140)는 처리챔버(112)의 상부 및 하부를 둘러싸고 있다. 저항성 가열소자(140)는 처리챔버(112)상에 나란히 배치될 수 있다. 저항성 가열소자(1400)는 저항성 가열소자 코어 및 필라멘트 와이어를 포함한다. 상기 코어는 일반적으로 세라믹 재료로 이루어지지만, 임의의 고온 정격된 비도전성 재료로 이루어질 수도 있다. 필라멘트 와이어는 대개 최적의 방사열 에너지량이 상기 소자로부터 방사되도록 하기 위해 상기 코어 주위를 둘러싸고 있다. 필라멘트 와이어는 임의의 적당한 저항성 가열가능 와이어가 될 수도 있고, SiC, 흑연 코팅 SiC, 흑연, NiCr, AlNi, 및 다른 합금과 같은 증가된 열반응 및 고온 안정성을 위한 대량의 재료로 이루어진다. 대개, 저항성 가열 필라멘트 와이어(252)는 미국 커네티컷주 스탬포드의 오메가 코퍼레이션에서 입수가능한 Kantal A-1 또는 AF로 알려진 Al-Ni-Fe 재료 결합으로 이루어진다. 약 100~480볼트사이의 직렬 전압은 저항소자에 전력을 공급하기 위해 사용될 수도 있다. 따라서, 저항성 가열소자(140)의 출력을 제어하기 위해 본 발명에서 복잡한 전력 변압기가 필요하지 않다.
상기한 웨이퍼가 규소, 갈륨 비화물, 또는 다른 유사한 화합물과 같이 산업분야에서 일반적으로 사용되는 종래의 재료로 이루어지거나, 또는 석영 또는 유리로 이루어진 반도체 웨이퍼로 이루어질 수도 있다는 점에 유의해야 한다.
상기한 적절한 실시예에서, 당업자는 본 발명의 정신 및 범주에서 벗어나지 않고서 형태나 세부사항에서의 변경이 있을 수 있다는 점을 인식할 것이다. 따라서 본 발명은 다음의 청구의 범위에 의해서만 제한된다.

Claims (20)

  1. 처리하는 동안 웨이퍼를 가열하는 장치에 있어서,
    공동(cavity)을 한정하는 처리챔버;
    그 위에 웨이퍼를 수용하도록 구성되며 상기 공동내에 배치된 제 1 가열판;
    상기 제 1 가열판에 가까이 인접하여 상기 공동내에 배치된 제 2 가열판; 및
    상기 제 1 및 제 2 가열판의 각각에 접촉하는 저항성 가열소자를 포함하고,
    상기 제 1 가열판은 상기 처리챔버에 대해 상기 공동내에 고정되어 있으며,
    상기 웨이퍼는 상기 제 1 및 제 2 가열판과 접촉하지 않고 그 사이에 배치되고,
    상기 제 1 및 제 2 가열판은 상기 저항성 가열소자의 열을 전도하여 상기 제 1 및 제 2 가열판을 가로질러 균일한 온도분포를 형성하고,
    상기 웨이퍼는 상기 제 1 및 제 2 가열판으로부터 출력된 열에너지를 감지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리챔버에 근접 위치한 복수의 가열소자를 더 포함하고,
    상기 가열소자 각각으로부터 출력된 열에너지는 상기 공동내에 등온 환경을 형성하기 위해 상기 처리챔버를 가열할 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 저항성 가열소자 각각은 Al-Ni-Fe를 포함하는 와이어로 덮힌 세라믹 코어를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리챔버는 석영 및 탄화규소로 구성된 군에서 선택된 재료를 포함하는것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 가열판은 원형 디스크들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 원형 디스크들의 각각은 상기 웨이퍼의 반지름보다 큰 반지름을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 가열판의 각각은 탄화규소, 석영, 인코넬(inconel), 알루미늄, 및 강철로 구성된 군에서 선택된 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼가 상기 제 1 가열판과의 접촉없이 유지되도록 위치될 수 있는 상기 제 1 가열판의 표면상에 배치된 웨이퍼 지지수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  10. 삭제
  11. 반도체 웨이퍼를 신속하고 균일하게 어닐링하는 리액터에 있어서,
    공동을 한정하는 챔버;
    상부에 웨이퍼를 수용하도록 구성되어 상기 공동내에 배치되고 열원을 포함하는 도전성 가열부재; 및
    상기 챔버에 근접 배치된 복수의 저항성 가열소자를 포함하고,
    상기 저항성 가열소자 각각으로부터 출력된 열에너지는 상기 공동내에 등온을 제공하는 것을 특징으로 하는 리액터.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 저항성 가열소자 각각은 Al-Ni-Fe를 포함하는 와이어로 덮힌 세라믹 코어를 포함하는 것을 특징으로 하는 리액터.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 처리챔버는 석영 및 탄화규소로 구성된 군에서 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 리액터.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 가열판은 원형 디스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 리액터.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 원형 디스크는 상기 웨이퍼의 반지름보다 큰 반지름을 갖는 것을 특징으로 하는 리액터.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 처리하는 동안 고정되는 것을 특징으로 하는 리액터.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 도전성 가열부재는 탄화규소, 석영, 인코넬, 알루미늄, 및 강철로 구성된 군에서 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 리액터.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 도전성 가열부재의 표면에 3개 이상의 웨이퍼 지지수단을 더 포함하는것을 특징으로 하는 리액터.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 중의 적어도 하나는 상기 웨이퍼의 온도를 모니터링하는 온도감지장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 리액터.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 열원은 저항성 가열장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 리액터.
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