JPS5977289A - 光照射炉 - Google Patents
光照射炉Info
- Publication number
- JPS5977289A JPS5977289A JP57186846A JP18684682A JPS5977289A JP S5977289 A JPS5977289 A JP S5977289A JP 57186846 A JP57186846 A JP 57186846A JP 18684682 A JP18684682 A JP 18684682A JP S5977289 A JPS5977289 A JP S5977289A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace
- light irradiation
- rung
- lamp
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
- H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
４・発明υうｖ；照射炉に関するものである。
−ｐｉ！ｖｒ加熱処刑を行なうための装置のうち、ラン
プよりの放射光を被処理物に照射１゛る光照躬炉し１、
次の如き１時Ｂ−を有する。 （１） ラング自体の４％容賞が極めて小さいため、
加熱温度の急速な−Ｌ列及びイ氏下が可能である。 （２） ラングに供給する電力を制御することにより
、加熱温度の制御を容易に行なうことができる。 （３） ランプよりの放射光による非接触加熱である
ので被処理物を汚染すること力・ない。 −（４）
始動後の立ち上が１′７時間が短（、エネルギー＠歩が
大ａいため消費ヱ洋ルギーが少ない。 （５ン 直接通’ｄｉ ｒ 、高周波炉等に比して装
置が小型でコストが世い。 そｌ−で光照射炉打、鋼材等の熱処理及び乾燥、プラス
チック成型、熱特性試験装置等に利ハうされている。特
に最近においては、半導体の製造において加熱が必要と
される工程、Ｖｌ」えは不純物拡散工程、化学的気相成
長工程、イオン打ち込み層の結晶欠陥の回復工程、電気
的活性化のための熱処理工程、更にはシリコンウェハー
の着Ｊｆ４を４化もしくは酸化せしめるための熱処理工
程を遂行する場合の加熱炉として、従来力・ら用いられ
ている電気炉、高周波炉等に代って、光照射炉の利用が
検討をノ１でいる。こねは光照射炉においでは、被処理
物を汚染り代いに電気的に悪影響乏・与えることがな１
八こと、消費称力が不埒いこと笛のほか、従来の加熱装
置では大面積の被処理物を均一に加執することができず
、鍛近における半導体の大面積化に対応うることができ
ないからである。 以上のように光照射炉Ｃ捕々の特長を有Ｌ１広く産湯“
・界に赴いて用いらＪｌているが、従来の光照射炉にお
いて目、大面積の被処理物を均一に、Ｌカ・も昇７）帛
がｉ＋ｌｊ ＜て両温にｌ（ｊ射加熱することができな
い欠点がある。Ｈ４１１ち、ランプはｂ英ガラス等より
成る一Ｉ′Ｉ体な具えた、点光諒又は線光源な〜形成す
るものであって単独では二次元的な広〃）りをもった面
光、１ψを形成することはできす、卯って微小領域全室
τ品に力［１〃（することはできても、大面積領域’ｆ
’ ＋Ｆｊ＋ ？品に加・”嗅することかできない。こ
のため、従来の光照射炉においてに轡づつのランプ有・
〜“殺するようにしているが、ラングン近掴（−でＡｉ
：ｌ ｊｉす′すると、七わが大出力のものとなる１′
封体の洞庶が高（斤ってラングのｌ千金が怖端に短くな
るため、（り宙に１多数の大出力のラングを高密ｎｒＴ
扉設することがで炒ない。この牟吉り１、ネト朝、Ｐｐ
Ｈ勿力′犬面λ専のものでＡるとｆＡ Ｋ ｉｌ、’
、＋Ｊｆ（、耐強度の不均一ジにより加号ノζ・ムラか
生じ、被処理物が玖形ン牛ず２、↓つにｆｉ ｌ＞ ｔ
ｌ力・、照射空間にむける（眉射ヱ、−
プよりの放射光を被処理物に照射１゛る光照躬炉し１、
次の如き１時Ｂ−を有する。 （１） ラング自体の４％容賞が極めて小さいため、
加熱温度の急速な−Ｌ列及びイ氏下が可能である。 （２） ラングに供給する電力を制御することにより
、加熱温度の制御を容易に行なうことができる。 （３） ランプよりの放射光による非接触加熱である
ので被処理物を汚染すること力・ない。 −（４）
始動後の立ち上が１′７時間が短（、エネルギー＠歩が
大ａいため消費ヱ洋ルギーが少ない。 （５ン 直接通’ｄｉ ｒ 、高周波炉等に比して装
置が小型でコストが世い。 そｌ−で光照射炉打、鋼材等の熱処理及び乾燥、プラス
チック成型、熱特性試験装置等に利ハうされている。特
に最近においては、半導体の製造において加熱が必要と
される工程、Ｖｌ」えは不純物拡散工程、化学的気相成
長工程、イオン打ち込み層の結晶欠陥の回復工程、電気
的活性化のための熱処理工程、更にはシリコンウェハー
の着Ｊｆ４を４化もしくは酸化せしめるための熱処理工
程を遂行する場合の加熱炉として、従来力・ら用いられ
ている電気炉、高周波炉等に代って、光照射炉の利用が
検討をノ１でいる。こねは光照射炉においでは、被処理
物を汚染り代いに電気的に悪影響乏・与えることがな１
八こと、消費称力が不埒いこと笛のほか、従来の加熱装
置では大面積の被処理物を均一に加執することができず
、鍛近における半導体の大面積化に対応うることができ
ないからである。 以上のように光照射炉Ｃ捕々の特長を有Ｌ１広く産湯“
・界に赴いて用いらＪｌているが、従来の光照射炉にお
いて目、大面積の被処理物を均一に、Ｌカ・も昇７）帛
がｉ＋ｌｊ ＜て両温にｌ（ｊ射加熱することができな
い欠点がある。Ｈ４１１ち、ランプはｂ英ガラス等より
成る一Ｉ′Ｉ体な具えた、点光諒又は線光源な〜形成す
るものであって単独では二次元的な広〃）りをもった面
光、１ψを形成することはできす、卯って微小領域全室
τ品に力［１〃（することはできても、大面積領域’ｆ
’ ＋Ｆｊ＋ ？品に加・”嗅することかできない。こ
のため、従来の光照射炉においてに轡づつのランプ有・
〜“殺するようにしているが、ラングン近掴（−でＡｉ
：ｌ ｊｉす′すると、七わが大出力のものとなる１′
封体の洞庶が高（斤ってラングのｌ千金が怖端に短くな
るため、（り宙に１多数の大出力のラングを高密ｎｒＴ
扉設することがで炒ない。この牟吉り１、ネト朝、Ｐｐ
Ｈ勿力′犬面λ専のものでＡるとｆＡ Ｋ ｉｌ、’
、＋Ｊｆ（、耐強度の不均一ジにより加号ノζ・ムラか
生じ、被処理物が玖形ン牛ず２、↓つにｆｉ ｌ＞ ｔ
ｌ力・、照射空間にむける（眉射ヱ、−
【ルギー蜜１ｙ
を大食ぐすることかできず、可峙ｆｉ ）ＪＩＩ ｈノ
ー導１８°の土１ｉｎｅ←ｊこイ。 々１２００ ”ｃ ４４；慝であり、目的とするケ１．
即が不ロＪ能テ、ｌＩ’：ｌ、？い娃必寵な力１Ｊ熱処
Ｊｉ、ｌ！を）ｔｊ：’ ５Ｖ、するための処理す１間
かｈくなる等の欠す、−ＡＩ・ある。 こハらの欠点は、昔に半勇、体の勃、？ｉに、Ｉ、−け
る加熱工程のようにオ（警音（で制彷１芒ハた加熱が’
Ｑ ）Ｒ烙ねる場合に←ｊ大きな問題と斤る。 不発明に以上の如き蜘′１１１に：Ａ：ｌＡてなづわた
ものであり、部数の棒状２ングケ商％’ｌ’７！！＃Ｖ
ｒ：配設１−１そノ１らのラングと、ラングに近牌する
反則部１，１と容１イ寸ｒ＋、＜：とをヅｌｌ苔、１隻
〈ン９力１することがで外、１−か本大聞１１１（の４
：＋Ｉ： ｔ、２ｔ ｒ＋ｒ：物を高い均一性を′もっ
て大へい照射ヱネルギ−ＱＣ３１ＪＴ’、で加、Ｊ・、
゛（うることのできる光照射・胛ｉ、 、ｌｉｉ、 、
↓１・するＣ１と不・目的とするものである。そして不
発す］の、）’ｆ：照射＋ｌｊ：ｉの枦成（社）、甚庖
点旧料からなＶ】、−文・ｊのガス＠’ｌ抽勿口を有す
る被処理物装プ亀用帖ｔ□ノ透明谷器のめＱφに近接し
て、たつ１１ソ咄容椅ｌ・密閉ずＺ、如く反射部材を配
置し１こ力らの反射部材の少斤くとも一つは該容器外囲
との１１１１に棒状ランプを受型するピＮ″Ｉ’ｌｒを
′形成し１該ランプか配設烙れた汀グ谷ｊり［のみか実
）（４１上冷却フアンを（ｌｉｉえた風］Ｃλに連ＪＪ
４＋ ｌ−たこと′ｆｆ：特徴とするものテアリ、加熱
向１゛あるランフやこオｉに近ｊ梗した反躬部祠な：（
１，＋ ２÷−よ〈冷宍１１用能とつることにより前記
の目的を伜１ｉＸ−するもの−ごある。 以斗に１ｖ１而により不発明の実屓（ｉ例を具体１才・
１に説１ｊｉＩう゛る、 被処（＋（ｊ物が徨１イ１フき力る容器１娃石ｌガラヌ
〃・ら斤る透明ｆｔ！？γ）叩１であり、↓“５１１と
牡何１１．て密閉空間が枠゛鱗情わる。容、Ｉｌｌ÷１
グ１ｉｌｌｌ ｉｌｕにシー−、ｙｔの・ｆ・二ｊ刊−
争［］１ａが直けらｉ、容：（１４１内ｉ’Ｇｌ！ ’
ｔｒＩｉＱＪ ！’Ｆ Ｉたリブ重量値を４ｉＭ ＩＰ
Ｊイ六るようになっている。そしてこの重器１をはソ密
閉するように反η、１部材２がＪ−丁萌イ４左石から容
器１外＃に近接して餡Ｉりに配（ｉ’＜ Ｆ伯てｈる。 この反射部材２Ｕ内面力・ミラー′７″ヤ）す、内部に
導水路２１か杉ｈν、ζ力、冷却水（ｉｔ給棹す構に１
２年絖づれでいる。これらの反射部月２のうもイ１（）
方反射部材２ａが開閉可能Ｔあり、谷著斥１を取＋）Ｉ
すことができる。そして上方反別部材２ｂの内向に顛半
内形の複数の凹溝が設けらｔてラング３を受容する空ｊ
’＊ ４かブト６成嘔れている。ランプａ １ｌ−１第
４図に示す如く、前後方反射部材２Ｃの上端憾に交角。 具２２で保持部れているが、この保持部が空Ｐｋ ４に
連通している。なお、ラング３の保持に士Ｉ止部３ａに
近ｒ肯形玲鳳分においてけれてｈるので光光による飢の
伝道―水冷烙刺た反射部材２と支持具２２により１５１
］止ジわ、牛１１）、部３ａの混用が上昇して省イｈす
ることがスｒい様になっている。そしてラング３σ）保
持部の前後にＶｉ出出路月利５５が連股烙力、一方の風
路部材５１−ｉ′冷却ファン６に接続さねテ内ｔｉｌｔ
の２８気が刊出芒れるように斤っている。従って風路部
木（５を仙じて外部から流入した窄気け’ｉ”ＡＵ上空
υ［４のみを熊って排出妊ゴする。 次に史に具体的数イ的例をあげると、外径が１０ｍｍＴ
″足格か２３０ Ｖ−３２００Ｗの棒状ハロゲンラン１
３全中心間１７１コ降２０市で、）ｔ、、列状に配列し
、２３０ ｍｒｔｒＸ ２３０ ｖｎ ×８０ ｍｍの
容器ｌ外壁お工ひ土力反射部材２ｂの凹溝とラング３
（１）外周面との間１：ｓなそノアぞ力６ ｍｔｑとし
た。そ［、て冷却ファン６１ス〕Ｗ大風知が８ｍ／分の
ものである。よって、ラング３舎点ガ］さぜると反射部
材２よりの反射も加って寡器１に光か放り、１され、内
部の被処理物の加熱処理が付なわハる。ぞし、て各ラン
プ３に定格の１／２の１６００Ｗの電ヵ条供給した４Ｖ
Ａ合σ加÷ｊｎｖ度変イヒを、）］ン、プ４５０μｍの
４インチ平方のンリコンウヱハーニ′捉電対ン・接着し
て測定したところ、ランプ３０点灯１０秒後に１４００
℃に上” ｌ−、ｔ／Ｅ ＩＣ定格（７’ ：’、＋２
ＱＱ ’ｗ’Ｊの電力を供給１−たときは点灼３秒後に
１４００℃に」！契し、ｚ−１”れの場合も剤終内１１
にＣ姉１（手間でシリコンウェハーの膠層は全面にθ、
つて溶ｆ’２１！ Ｉ−た。 ところで上ｎ１−：の実施例に１′いて冷Ｎｌファン６
の吸引力により流入埒ねた冷却Ｊφｌ ｌ−ｊ空ｒ！Ｉ
Ｔ ４１／Ｃ沿って流力てラング３看”強制的に冷７ｄ
１うるとともに１ｚ７ｉ旧に近ＩＰｌ＋の反射部材２も
冷却するス）Ｊ、反射部材２か容器１外壁に近接Ｉ−で
とｉ′１をに１ｙ臀１７１シてｂるのＴ”冷却風が乱流
となることなく、′μ１７ｊ上空所４σ〕みな流力、る
ので効率よ〈帝却ジ々ことかＴきる。 従ってラング３が大出力σＩものであつ−こも Ｋ ｊ
＞、’、ｉ。 接するもののＩＲ（［間距トＪ）「を小さく１．で−、
舊姓に配・ｔ′之し″ｒ′１１．ラング３σ、・使用前
イ信力知縮芒ｔすることｌ防上すること〃・できるので
、伊＾ｙのランプ３ ’ｆ ｉｆｊ・１’ｔ′ｊ 、Ｌ
＋、’ｆに！°イ’、’４ｊ１匁シすることが用油とな
り、単独で（、Ｉ糸１５光１Ｈｊｊｊ苓Ｊけ成うるｌｆ
Ｃ留する％Ｈ状のランプ３を初数個高ｉ１４’Ｗ肚に並
６′ケつることにより、容器１内における被！４ｊ、
Ｊ’ｌ！ ｑ汐！π対してσそわら（１）数のラング３
が紺実上面光源を形ＩＡｌすることとなると共に、隣接
するランフ’ ３１１ＭＬ １ｆ４ｉ ノｌＨｉ Ｑ
ノ１ｗ１ｆ Ｘ゛＋ ＠、 ニ若Ｌ ＜ ｈ”＋頗当ニ
＋９５ｐ ｉ’ることによってラング３の並設方向にお
ける照度分布な均一なものとすることがＴｏき、結局大
ｉｕ ｉｆ？の被処Ｊｊｊｊ ′Ｉ勿ン高り均一性をも
って大穴い照劉エネルギー密用で加熱することがＴきる
。従って、半導体のカーｊ造プロセスの柱に大面Ａ♂Ｆ
の被処理物ｌ苓・均一にｐ、 １ｎ７（加熱すること〃
−要釆される場合などに時に不用である。 この様に不イ１ミ明の光照射炉に被処創物用容器ン反射
部材Ｔ’ Ｉ”６ Ｓ ’＋Ｉｉｆ閉Ｌ１冷却にけ２ン
ンか配設？）また？とｊ９＋のみを天ｊｌ鍋するよりに
したのでラング及ｕ： ｙ＋、： ＋；ニラる反射部材
及び容器壁を効率良〈冷却することか１′き、＋ｔって
複数の棒状ランプ金歯密度に並設することが可０１Ｆ
Ｔあり、大面消（ｒ）被処ｆ１°］・刀を高い均一性を
もって大きい照射ズネルギー密度で加熱することができ
る。
を大食ぐすることかできず、可峙ｆｉ ）ＪＩＩ ｈノ
ー導１８°の土１ｉｎｅ←ｊこイ。 々１２００ ”ｃ ４４；慝であり、目的とするケ１．
即が不ロＪ能テ、ｌＩ’：ｌ、？い娃必寵な力１Ｊ熱処
Ｊｉ、ｌ！を）ｔｊ：’ ５Ｖ、するための処理す１間
かｈくなる等の欠す、−ＡＩ・ある。 こハらの欠点は、昔に半勇、体の勃、？ｉに、Ｉ、−け
る加熱工程のようにオ（警音（で制彷１芒ハた加熱が’
Ｑ ）Ｒ烙ねる場合に←ｊ大きな問題と斤る。 不発明に以上の如き蜘′１１１に：Ａ：ｌＡてなづわた
ものであり、部数の棒状２ングケ商％’ｌ’７！！＃Ｖ
ｒ：配設１−１そノ１らのラングと、ラングに近牌する
反則部１，１と容１イ寸ｒ＋、＜：とをヅｌｌ苔、１隻
〈ン９力１することがで外、１−か本大聞１１１（の４
：＋Ｉ： ｔ、２ｔ ｒ＋ｒ：物を高い均一性を′もっ
て大へい照射ヱネルギ−ＱＣ３１ＪＴ’、で加、Ｊ・、
゛（うることのできる光照射・胛ｉ、 、ｌｉｉ、 、
↓１・するＣ１と不・目的とするものである。そして不
発す］の、）’ｆ：照射＋ｌｊ：ｉの枦成（社）、甚庖
点旧料からなＶ】、−文・ｊのガス＠’ｌ抽勿口を有す
る被処理物装プ亀用帖ｔ□ノ透明谷器のめＱφに近接し
て、たつ１１ソ咄容椅ｌ・密閉ずＺ、如く反射部材を配
置し１こ力らの反射部材の少斤くとも一つは該容器外囲
との１１１１に棒状ランプを受型するピＮ″Ｉ’ｌｒを
′形成し１該ランプか配設烙れた汀グ谷ｊり［のみか実
）（４１上冷却フアンを（ｌｉｉえた風］Ｃλに連ＪＪ
４＋ ｌ−たこと′ｆｆ：特徴とするものテアリ、加熱
向１゛あるランフやこオｉに近ｊ梗した反躬部祠な：（
１，＋ ２÷−よ〈冷宍１１用能とつることにより前記
の目的を伜１ｉＸ−するもの−ごある。 以斗に１ｖ１而により不発明の実屓（ｉ例を具体１才・
１に説１ｊｉＩう゛る、 被処（＋（ｊ物が徨１イ１フき力る容器１娃石ｌガラヌ
〃・ら斤る透明ｆｔ！？γ）叩１であり、↓“５１１と
牡何１１．て密閉空間が枠゛鱗情わる。容、Ｉｌｌ÷１
グ１ｉｌｌｌ ｉｌｕにシー−、ｙｔの・ｆ・二ｊ刊−
争［］１ａが直けらｉ、容：（１４１内ｉ’Ｇｌ！ ’
ｔｒＩｉＱＪ ！’Ｆ Ｉたリブ重量値を４ｉＭ ＩＰ
Ｊイ六るようになっている。そしてこの重器１をはソ密
閉するように反η、１部材２がＪ−丁萌イ４左石から容
器１外＃に近接して餡Ｉりに配（ｉ’＜ Ｆ伯てｈる。 この反射部材２Ｕ内面力・ミラー′７″ヤ）す、内部に
導水路２１か杉ｈν、ζ力、冷却水（ｉｔ給棹す構に１
２年絖づれでいる。これらの反射部月２のうもイ１（）
方反射部材２ａが開閉可能Ｔあり、谷著斥１を取＋）Ｉ
すことができる。そして上方反別部材２ｂの内向に顛半
内形の複数の凹溝が設けらｔてラング３を受容する空ｊ
’＊ ４かブト６成嘔れている。ランプａ １ｌ−１第
４図に示す如く、前後方反射部材２Ｃの上端憾に交角。 具２２で保持部れているが、この保持部が空Ｐｋ ４に
連通している。なお、ラング３の保持に士Ｉ止部３ａに
近ｒ肯形玲鳳分においてけれてｈるので光光による飢の
伝道―水冷烙刺た反射部材２と支持具２２により１５１
］止ジわ、牛１１）、部３ａの混用が上昇して省イｈす
ることがスｒい様になっている。そしてラング３σ）保
持部の前後にＶｉ出出路月利５５が連股烙力、一方の風
路部材５１−ｉ′冷却ファン６に接続さねテ内ｔｉｌｔ
の２８気が刊出芒れるように斤っている。従って風路部
木（５を仙じて外部から流入した窄気け’ｉ”ＡＵ上空
υ［４のみを熊って排出妊ゴする。 次に史に具体的数イ的例をあげると、外径が１０ｍｍＴ
″足格か２３０ Ｖ−３２００Ｗの棒状ハロゲンラン１
３全中心間１７１コ降２０市で、）ｔ、、列状に配列し
、２３０ ｍｒｔｒＸ ２３０ ｖｎ ×８０ ｍｍの
容器ｌ外壁お工ひ土力反射部材２ｂの凹溝とラング３
（１）外周面との間１：ｓなそノアぞ力６ ｍｔｑとし
た。そ［、て冷却ファン６１ス〕Ｗ大風知が８ｍ／分の
ものである。よって、ラング３舎点ガ］さぜると反射部
材２よりの反射も加って寡器１に光か放り、１され、内
部の被処理物の加熱処理が付なわハる。ぞし、て各ラン
プ３に定格の１／２の１６００Ｗの電ヵ条供給した４Ｖ
Ａ合σ加÷ｊｎｖ度変イヒを、）］ン、プ４５０μｍの
４インチ平方のンリコンウヱハーニ′捉電対ン・接着し
て測定したところ、ランプ３０点灯１０秒後に１４００
℃に上” ｌ−、ｔ／Ｅ ＩＣ定格（７’ ：’、＋２
ＱＱ ’ｗ’Ｊの電力を供給１−たときは点灼３秒後に
１４００℃に」！契し、ｚ−１”れの場合も剤終内１１
にＣ姉１（手間でシリコンウェハーの膠層は全面にθ、
つて溶ｆ’２１！ Ｉ−た。 ところで上ｎ１−：の実施例に１′いて冷Ｎｌファン６
の吸引力により流入埒ねた冷却Ｊφｌ ｌ−ｊ空ｒ！Ｉ
Ｔ ４１／Ｃ沿って流力てラング３看”強制的に冷７ｄ
１うるとともに１ｚ７ｉ旧に近ＩＰｌ＋の反射部材２も
冷却するス）Ｊ、反射部材２か容器１外壁に近接Ｉ−で
とｉ′１をに１ｙ臀１７１シてｂるのＴ”冷却風が乱流
となることなく、′μ１７ｊ上空所４σ〕みな流力、る
ので効率よ〈帝却ジ々ことかＴきる。 従ってラング３が大出力σＩものであつ−こも Ｋ ｊ
＞、’、ｉ。 接するもののＩＲ（［間距トＪ）「を小さく１．で−、
舊姓に配・ｔ′之し″ｒ′１１．ラング３σ、・使用前
イ信力知縮芒ｔすることｌ防上すること〃・できるので
、伊＾ｙのランプ３ ’ｆ ｉｆｊ・１’ｔ′ｊ 、Ｌ
＋、’ｆに！°イ’、’４ｊ１匁シすることが用油とな
り、単独で（、Ｉ糸１５光１Ｈｊｊｊ苓Ｊけ成うるｌｆ
Ｃ留する％Ｈ状のランプ３を初数個高ｉ１４’Ｗ肚に並
６′ケつることにより、容器１内における被！４ｊ、
Ｊ’ｌ！ ｑ汐！π対してσそわら（１）数のラング３
が紺実上面光源を形ＩＡｌすることとなると共に、隣接
するランフ’ ３１１ＭＬ １ｆ４ｉ ノｌＨｉ Ｑ
ノ１ｗ１ｆ Ｘ゛＋ ＠、 ニ若Ｌ ＜ ｈ”＋頗当ニ
＋９５ｐ ｉ’ることによってラング３の並設方向にお
ける照度分布な均一なものとすることがＴｏき、結局大
ｉｕ ｉｆ？の被処Ｊｊｊｊ ′Ｉ勿ン高り均一性をも
って大穴い照劉エネルギー密用で加熱することがＴきる
。従って、半導体のカーｊ造プロセスの柱に大面Ａ♂Ｆ
の被処理物ｌ苓・均一にｐ、 １ｎ７（加熱すること〃
−要釆される場合などに時に不用である。 この様に不イ１ミ明の光照射炉に被処創物用容器ン反射
部材Ｔ’ Ｉ”６ Ｓ ’＋Ｉｉｆ閉Ｌ１冷却にけ２ン
ンか配設？）また？とｊ９＋のみを天ｊｌ鍋するよりに
したのでラング及ｕ： ｙ＋、： ＋；ニラる反射部材
及び容器壁を効率良〈冷却することか１′き、＋ｔって
複数の棒状ランプ金歯密度に並設することが可０１Ｆ
Ｔあり、大面消（ｒ）被処ｆ１°］・刀を高い均一性を
もって大きい照射ズネルギー密度で加熱することができ
る。
第１図打Ｆ不発明σ５実絢例の椰断ｊｉイ図、印２ ＋
ｑｒ ｈ第１図ＩＩ’ −Ｉｎ線での縦１新面図、卵３
１スＨ２η１１シＩ Ｉｎ−ＩＩＩ線での縦断面り１１
第４図はラングのイｙ持峠明図である。 ｌ・・・容器 １ａ・・・給排気口 ２・・・反射部
材３・・・ランプ ４・・・空所 ５・・・風路
部材６・・・冷却ファン 出に９人 ウシオ町機株式会社 代理人 弁理± １１うＪＪＩＩヤ之助第４図 ４ 手続補正書（自発） 昭和５７年１２月３日 １゛ｊ許庁（・ン）Ｔ 、Ｊ’ｉ杉和夫 殿ｌ ！１１
件の表示 昭和５７年 ｌ待酢 願第１８６８４６号２ 箪１１
１１の名称 光照射炉 ３ 補１Ｆをする者 事イ１１との関係 特詐出１１１人 氏 名（名称）ウシオ州、（弘株式会社代にて才１ｒ功
本大部 住 所 ウィン肯−山４２２号〜ｉ 氏名（８４１１） 弁ｉｓｌ！± ＩＩＪ Ｉｌ；
４ ＪＪ ２ ＩＩＪ５ 補正命令の日付 ６ 補正により増加する発明の数フーシ７、補正の対象 「５°１？、（・１１Ｎのづ６四の肝油１な説明の４、
白８ 補正の内容 別俄の７Ｉ＋１９ ＜１） ＢＪ４細書第８ Ｎｔｇ ４ ｈ中１７）１
４００’Ｃを１２００℃に訂正する。 （２）明ＩＩ書第８頁第５行中の３秒な１０秒に訂正す
る。 以上
ｑｒ ｈ第１図ＩＩ’ −Ｉｎ線での縦１新面図、卵３
１スＨ２η１１シＩ Ｉｎ−ＩＩＩ線での縦断面り１１
第４図はラングのイｙ持峠明図である。 ｌ・・・容器 １ａ・・・給排気口 ２・・・反射部
材３・・・ランプ ４・・・空所 ５・・・風路
部材６・・・冷却ファン 出に９人 ウシオ町機株式会社 代理人 弁理± １１うＪＪＩＩヤ之助第４図 ４ 手続補正書（自発） 昭和５７年１２月３日 １゛ｊ許庁（・ン）Ｔ 、Ｊ’ｉ杉和夫 殿ｌ ！１１
件の表示 昭和５７年 ｌ待酢 願第１８６８４６号２ 箪１１
１１の名称 光照射炉 ３ 補１Ｆをする者 事イ１１との関係 特詐出１１１人 氏 名（名称）ウシオ州、（弘株式会社代にて才１ｒ功
本大部 住 所 ウィン肯−山４２２号〜ｉ 氏名（８４１１） 弁ｉｓｌ！± ＩＩＪ Ｉｌ；
４ ＪＪ ２ ＩＩＪ５ 補正命令の日付 ６ 補正により増加する発明の数フーシ７、補正の対象 「５°１？、（・１１Ｎのづ６四の肝油１な説明の４、
白８ 補正の内容 別俄の７Ｉ＋１９ ＜１） ＢＪ４細書第８ Ｎｔｇ ４ ｈ中１７）１
４００’Ｃを１２００℃に訂正する。 （２）明ＩＩ書第８頁第５行中の３秒な１０秒に訂正す
る。 以上
Claims (1)
- Ａ ｔ、Ｎｌ’、６旧、！１からなり、一対のガス給排
気口を有づる＋Ｅ；処（’Ｑ物、％、２填用ね型透明容
器の外壁に近接して、刀・つはｙ該芥器を密閉する如く
反射部材を配Ｉｆ？ｉ１．こわらの反射部材の少なくと
も一つｒＪ骸容；くｇ外１１．％どの間に棒状ラングを
受答する空ＰＩ’（を刑成し、１（・ランフ゛か配Ｉ＋
Ｕ’、ざむた該空１’９？のみが実′酌上冷却ファ／条
・１？′ｉえた風道に連語１してなる光照射炉。
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP57186846A JPS5977289A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 光照射炉 |
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| JPS5977289A true JPS5977289A (ja) | 1984-05-02 |
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ID=16195656
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP57186846A Pending JPS5977289A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 光照射炉 |
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