JP5338723B2 - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5338723B2 JP5338723B2 JP2010058594A JP2010058594A JP5338723B2 JP 5338723 B2 JP5338723 B2 JP 5338723B2 JP 2010058594 A JP2010058594 A JP 2010058594A JP 2010058594 A JP2010058594 A JP 2010058594A JP 5338723 B2 JP5338723 B2 JP 5338723B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass tube
- chamber
- filament lamp
- infrared
- sealing member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 45
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Electric Stoves And Ranges (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Description
図3に同文献1のコーティング装置が示されており、互いに近接配置された2つの真空チャンバ21、22を備え、コンベヤ23が該真空チャンバ21、22の両方を通過するとともに、入口開口部26および出口開口部27を通じて延在しており、このコンベヤ23上をSiウェハ24が搬送され、前記チャンバ21、22内で加熱処理されるものである。
真空チャンバ21内には、コンベヤ23上を搬送されるSiウェハ24を予備加熱するために、いくつかの赤外線ヒータであるフィラメントランプ25が、互いに平行に且つ一定間隔で並んで配置されている。
Siウェハ24は、真空チャンバ21内を移動中にフィラメントランプ25によって予備加熱され、その後に、後続の真空チャンバ22に搬送されて反応性スパッタリングプロセスによる層の堆積が実施される。
なお、28、29は真空ポンプ、30はスパッタ手段、31は作動ガス供給手段、32は反応性ガス供給手段である。
ところでこのような処理装置においては、近年ではSiウェハなどの被処理物の処理速度を向上させることが強く要求されており、かかる要求に応えるためには、加熱源であるフィラメントランプが急速な昇温速度を有するものであることが好ましい。Siウェハを高温にすると共に、加熱源であるフィラメントランプの昇温速度を高めるためには、当然のこととしてフィラメントランプに大電流を供給することが必要である。
また、上記赤外線反射膜はガラス管の内表面に形成されていることを特徴とする。
また、前記赤外線反射膜は、赤外線反射膜に入射した赤外線を散乱反射させる拡散反射面を有することを特徴とする。
更には、前記フィラメントランプは、冷却風の下流側に配置されたシール部が、前記ガラス管の外方にまで伸長していることを特徴とする。
また、ガラス管とチャンバとの間の封止部材に対応するガラス管の表面に赤外線反射膜を形成したので、チャンバ内で反射してくる赤外線が封止部材に照射されることがなく、該封止部材の熱による劣化を防止できる。
また、前記赤外線反射膜をガラス管の内表面に形成したことにより、該赤外線反射膜の構成物質によってチャンバ内を汚染することがない。
また、該赤外線反射膜が拡散反射面を有することにより、上記封止部材への熱影響を更に効果的にすることができる。
更に、前記ガラス管内のフィラメントランプのシール部のうち、特に冷却風の下流側に位置して高温になりやすいシール部を、ガラス管の外方に位置させることで、該シール部の温度上昇を防止できるものである。
図2に詳細に示されるように、チャンバ2には、これを貫通してガラス管3が設けられている。チャンバ2の両側壁には支持ブロック6、6が取り付けられていて、前記ガラス管3は該支持ブロック6、6にOリング等の封止部材7、7を介して気密状態で貫通支持され、その両端はチャンバ2の外部に開放されている。
前記ガラス管3の両端部近傍の内表面には赤外線反射膜8、8が形成されている。この赤外線反射膜8はSiO2,Al2O3,ZrO2を含んだ材料によって構成される。そしてその表面は拡散反射面とされていて、これにより、赤外線反射機能が増幅される。
なお、赤外線反射膜8はガラス管3の外表面に形成してもよいが、内表面に形成した場合には、該赤外線反射膜8を構成する物質によってチャンバ2内が汚染されることがないという点でより好適である。
この間、ガラス管3内に冷却風10を流通させることにより、フィラメントランプ4、特にそのシール部42を効果的に冷却できる。
また、赤外線Rはチャンバ2の内壁で反射され、その一部がガラス管3を経て封止部材7に向うが、ガラス管3に形成した赤外線反射膜8、8によって反射されて、封止部材7、7に照射されることがなく、その劣化を防止できる。更には、フィラメントランプ4のシール部42に対しても赤外線Rの反射光が照射されることがなく、シール部42が不所望に加熱されることも防止できる。
加えて、上記赤外線反射膜8の表面は拡散反射面とすることにより、該赤外線反射膜8に入射した赤外線は、その表面の拡散反射面で四方八方に散乱反射されることにより、封止部材7に照射されることが防止される。
加えて、前記ガラス管は、その表面において前記封止部材に対応する領域に赤外線反射膜が形成されているので、チャンバ内で反射されてくる赤外線が封止部材に照射されることがなく、封止部材の劣化を防止できるものである。
2 チャンバ
3 ガラス管
4 フィラメントランプ
41 発光管
42 シール部
43 フィラメント
44 金属箔
45 ベース
46 リード線
6 支持ブロック
7 封止部材
8 赤外線反射膜
10 冷却風
W ワーク
Claims (4)
- 被処理物を収容する空間を備えるチャンバと、該チャンバ内に配設され、発光管とその両端部のシール部とを有するフィラメントランプを備えた加熱装置において、
前記チャンバを貫通して配設され、両端が前記チャンバの外部に開放され、内部に冷却風を流通させるガラス管と、
該ガラス管と前記チャンバとの間を封止する封止部材を備え、
前記フィラメントランプが、前記ガラス管の内部に配置されていて、
前記ガラス管は、その表面において前記封止部材に対応する領域に赤外線反射膜が形成されていることを特徴とする加熱装置。 - 前記赤外線反射膜がガラス管の内表面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の加熱装置。
- 前記赤外線反射膜は、赤外線反射膜に入射した赤外線を散乱反射させる拡散反射面を有することを特徴とする請求項1に記載の加熱装置。
- 前記フィラメントランプは、冷却風の下流側に配置されたシール部が、前記ガラス管の外方にまで伸長していることを特徴とする請求項1に記載の加熱装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010058594A JP5338723B2 (ja) | 2010-03-16 | 2010-03-16 | 加熱装置 |
KR1020110009875A KR20110104421A (ko) | 2010-03-16 | 2011-02-01 | 가열 장치 |
US13/064,192 US20110229112A1 (en) | 2010-03-16 | 2011-03-10 | Heating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010058594A JP5338723B2 (ja) | 2010-03-16 | 2010-03-16 | 加熱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011190511A JP2011190511A (ja) | 2011-09-29 |
JP5338723B2 true JP5338723B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=44647328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010058594A Active JP5338723B2 (ja) | 2010-03-16 | 2010-03-16 | 加熱装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110229112A1 (ja) |
JP (1) | JP5338723B2 (ja) |
KR (1) | KR20110104421A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103801781B (zh) * | 2012-06-07 | 2016-02-17 | 康奋威科技(杭州)有限公司 | 应用于太阳能电池片热辐射式焊接方法及装置 |
JP5858891B2 (ja) | 2012-09-27 | 2016-02-10 | オリジン電気株式会社 | 熱処理装置 |
JP6151552B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-06-21 | 高砂工業株式会社 | ロータリーキルンのシール構造およびロータリーキルン |
EP3134241B1 (en) | 2014-04-22 | 2020-04-08 | Sica S.P.A. | Apparatus and method for heating pipes made of thermoplastic material |
CN104476000B (zh) * | 2014-12-08 | 2016-09-07 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 遮光片下移的光伏串焊机 |
JP6560550B2 (ja) * | 2015-07-06 | 2019-08-14 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
ES2684128B1 (es) * | 2017-03-30 | 2019-07-29 | Bsh Electrodomesticos Espana Sa | Dispositivo de aparato doméstico y procedimiento para la fabricación de un dispositivo de aparato doméstico |
JP7406749B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-12-28 | 日新イオン機器株式会社 | 加熱装置 |
JP7106607B2 (ja) * | 2020-08-06 | 2022-07-26 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 有機膜形成装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61131419A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
JPH07130677A (ja) * | 1993-11-09 | 1995-05-19 | Fujitsu Ltd | 赤外線による基板加熱方法および基板加熱装置 |
JPH10321530A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 加熱炉 |
US6600138B2 (en) * | 2001-04-17 | 2003-07-29 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing system for integrated circuits |
JP2003114030A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加熱調理器 |
JP2005101228A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
WO2005083760A1 (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
WO2007063838A1 (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008028305A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US20080302653A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-12-11 | Applied Materials Inc. | Method And Device For Producing An Anti-Reflection Or Passivation Layer For Solar Cells |
JP4821819B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2011-11-24 | ウシオ電機株式会社 | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 |
-
2010
- 2010-03-16 JP JP2010058594A patent/JP5338723B2/ja active Active
-
2011
- 2011-02-01 KR KR1020110009875A patent/KR20110104421A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-03-10 US US13/064,192 patent/US20110229112A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110229112A1 (en) | 2011-09-22 |
KR20110104421A (ko) | 2011-09-22 |
JP2011190511A (ja) | 2011-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5338723B2 (ja) | 加熱装置 | |
TWI381430B (zh) | Light irradiation method | |
US6876816B2 (en) | Heating device, heat treatment apparatus having the heating device and method for controlling heat treatment | |
JP4935417B2 (ja) | 光照射式加熱処理装置 | |
KR19980063801A (ko) | 급속 열 처리 가열 장치 기술 및 사용 방법 | |
JP4893474B2 (ja) | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 | |
JP2001308023A (ja) | 熱処理装置及び方法 | |
JP2002202192A (ja) | 温度測定方法、熱処理装置及び方法、コンピュータプログラム、並びに、放射温度計 | |
JP2001308022A (ja) | 石英ウインドウ、リフレクタ及び熱処理装置 | |
US20200022223A1 (en) | Circular lamp arrays | |
TW201403734A (zh) | 用於快速熱處理的裝置及方法 | |
US10354894B2 (en) | Light-irradiation heat treatment apparatus | |
KR20180134769A (ko) | 열처리 방법 | |
JP5267765B2 (ja) | フィラメントランプおよび光照射式加熱処理装置 | |
KR20190080682A (ko) | 열처리 장치 | |
JP5964630B2 (ja) | 熱処理装置 | |
US20130129329A1 (en) | Device for thermally treating substrates | |
TWI757742B (zh) | 用於熱處理的處理腔室 | |
JPWO2007063838A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR102155100B1 (ko) | 아크 램프용 전극 팁 | |
TW200532777A (en) | Heating stage | |
US11004704B2 (en) | Finned rotor cover | |
JP2002261038A (ja) | 熱処理装置 | |
JP5293453B2 (ja) | フィラメントランプ | |
KR20180119129A (ko) | 봉형 램프 및 열처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110630 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5338723 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |