JPH10321530A - 加熱炉 - Google Patents
加熱炉Info
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- JPH10321530A JPH10321530A JP13214797A JP13214797A JPH10321530A JP H10321530 A JPH10321530 A JP H10321530A JP 13214797 A JP13214797 A JP 13214797A JP 13214797 A JP13214797 A JP 13214797A JP H10321530 A JPH10321530 A JP H10321530A
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- furnace
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱手段としてランプを用いた、生産性が向
上するとともに、構造が簡単化した加熱炉を提供する。 【解決手段】 炉１１内に加熱手段としてランプ１２を
設けた加熱炉において、ランプ１２は、その電極部１２
ａが炉１１外に位置し、かつ、その軸方向が調整可能
に、炉壁１１ａを貫通して炉壁１１ａの支持部である穴
１１ｂに支持部材１３、１４、１５、１６で支持されて
いる。
上するとともに、構造が簡単化した加熱炉を提供する。 【解決手段】 炉１１内に加熱手段としてランプ１２を
設けた加熱炉において、ランプ１２は、その電極部１２
ａが炉１１外に位置し、かつ、その軸方向が調整可能
に、炉壁１１ａを貫通して炉壁１１ａの支持部である穴
１１ｂに支持部材１３、１４、１５、１６で支持されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は加熱炉に関し、特
に、ランプ加熱方式の密封炉、真空炉に関するものであ
り、半導体の気相成長装置、分子線エピタキー装置、真
空乾燥炉、蒸着装置、単結晶育成装置、単結晶ウェハア
ニール装置、真空焼き入れ・焼き戻し装置などの改良に
関する。
に、ランプ加熱方式の密封炉、真空炉に関するものであ
り、半導体の気相成長装置、分子線エピタキー装置、真
空乾燥炉、蒸着装置、単結晶育成装置、単結晶ウェハア
ニール装置、真空焼き入れ・焼き戻し装置などの改良に
関する。
【０００２】
【従来の技術】気相成長装置やＭＢＥ装置などの加熱炉
においては、加熱手段として熱容量が小さく、温度制御
性に優れるランプ加熱方式が採用される場合があり、多
くの場合、これらの加熱炉は炉内を密閉したり、真空に
することが必要である。
においては、加熱手段として熱容量が小さく、温度制御
性に優れるランプ加熱方式が採用される場合があり、多
くの場合、これらの加熱炉は炉内を密閉したり、真空に
することが必要である。
【０００３】例えば、気相成長装置を用いて、加熱炉内
のサセプタ上にウェハを保持させ、該サセプタを高温に
加熱した状態で該加熱炉内にアルシン（ＡｓＨ3 ）、ト
リメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム
（ＴＭＡｌ）などの原料ガスを水素よりなるキャリアガ
スと共に流し、ウェハに化合物半導体を気相成長させて
形成されたエピタキシャルウェハは、衛星放送用，携帯
電話用などのＦＥＴ、ＨＥＭＴ、ＨＢＴデバイスの材料
として、近年、大量に使われている。
のサセプタ上にウェハを保持させ、該サセプタを高温に
加熱した状態で該加熱炉内にアルシン（ＡｓＨ3 ）、ト
リメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム
（ＴＭＡｌ）などの原料ガスを水素よりなるキャリアガ
スと共に流し、ウェハに化合物半導体を気相成長させて
形成されたエピタキシャルウェハは、衛星放送用，携帯
電話用などのＦＥＴ、ＨＥＭＴ、ＨＢＴデバイスの材料
として、近年、大量に使われている。
【０００４】図６は、気相成長装置の説明図である。図
６において、１は加熱炉であり、加熱炉１の上部にガス
供給口１ａ、周囲にガス排気口１ｂとを有している。２
はサセプタであり、カーボンで形成されたガス流の整流
・余熱部２ａとウェハ７を載置するトレー部２ｂとによ
り構成されている。３は回転軸であり、加熱炉１の底部
のシール部８で回転自在に支持され、図示していない電
動機により回転駆動される。また、回転軸３の上端部３
ａはサセプタ２の中心部、下側に締結されている。４は
加熱炉１の内部に設けられている加熱手段となるランプ
であり、５はランプ４へ電力供給するためのフィードス
ルーであり、６はランプ４を原料ガスから保護するため
に設けられている石英円板、９はランプ４のリフレクタ
ーである。ランプ４を加熱手段として用いる場合、図６
に示すように、加熱炉１内を石英板６で上側のプロセス
ゾーン１Ａと下側の電極ゾーン１Ｂに気密に仕切り、ラ
ンプ４の電極部やシール部分を原料ガスから保護してい
る。また、最近の気相成長装置では、減圧成長が行われ
たり、加熱炉が大口径化しているため、プロセスゾーン
１Ａの圧力ＰＰと電極ゾーン１Ｂの圧力ＰＤの圧力をＰ
Ｐ≒ＰＤとして、石英板６の破損を防ぐ必要がある。そ
のため、電極ゾーン１Ｂには圧力計１０ａ、圧力コント
ロールバルブ１０ｂ、真空ポンプ１０ｃ、ガス供給管１
０ｄからなる圧力制御機構１０が設けられている。
６において、１は加熱炉であり、加熱炉１の上部にガス
供給口１ａ、周囲にガス排気口１ｂとを有している。２
はサセプタであり、カーボンで形成されたガス流の整流
・余熱部２ａとウェハ７を載置するトレー部２ｂとによ
り構成されている。３は回転軸であり、加熱炉１の底部
のシール部８で回転自在に支持され、図示していない電
動機により回転駆動される。また、回転軸３の上端部３
ａはサセプタ２の中心部、下側に締結されている。４は
加熱炉１の内部に設けられている加熱手段となるランプ
であり、５はランプ４へ電力供給するためのフィードス
ルーであり、６はランプ４を原料ガスから保護するため
に設けられている石英円板、９はランプ４のリフレクタ
ーである。ランプ４を加熱手段として用いる場合、図６
に示すように、加熱炉１内を石英板６で上側のプロセス
ゾーン１Ａと下側の電極ゾーン１Ｂに気密に仕切り、ラ
ンプ４の電極部やシール部分を原料ガスから保護してい
る。また、最近の気相成長装置では、減圧成長が行われ
たり、加熱炉が大口径化しているため、プロセスゾーン
１Ａの圧力ＰＰと電極ゾーン１Ｂの圧力ＰＤの圧力をＰ
Ｐ≒ＰＤとして、石英板６の破損を防ぐ必要がある。そ
のため、電極ゾーン１Ｂには圧力計１０ａ、圧力コント
ロールバルブ１０ｂ、真空ポンプ１０ｃ、ガス供給管１
０ｄからなる圧力制御機構１０が設けられている。
【０００５】上記装置では、ランプ４に電力が供給され
ると、トレー部２ｂが加熱され、それに伴いトレー部２
ｂに装填されているウェハ７が加熱される。原料ガスと
キャリアガスとを混合した反応ガスはガス供給口１ａか
ら加熱炉１内に供給され、サセプタ２の整流・余熱部２
ａ上とウェハ７の表面を通り、ガス排気口１ｂから排出
される。そしてこの間、加熱されたウェハ７にエピタキ
シャル層が形成される。
ると、トレー部２ｂが加熱され、それに伴いトレー部２
ｂに装填されているウェハ７が加熱される。原料ガスと
キャリアガスとを混合した反応ガスはガス供給口１ａか
ら加熱炉１内に供給され、サセプタ２の整流・余熱部２
ａ上とウェハ７の表面を通り、ガス排気口１ｂから排出
される。そしてこの間、加熱されたウェハ７にエピタキ
シャル層が形成される。
【０００６】従来、気相成長装置の加熱源としては高周
波加熱方式が一般的に用いられてきていたが、この方式
は温度分布制御が困難であることから、温度分布制御が
比較的容易な抵抗加熱方式に移行している。抵抗加熱方
式のなかでも、ランプは熱容量が小さいフィラメントを
熱源としているため、急速加熱・冷却が可能であるの
で、この利点を生かして加熱手段としてランプを用いた
上述したようなが気相成長装置が多用されるようになっ
た。
波加熱方式が一般的に用いられてきていたが、この方式
は温度分布制御が困難であることから、温度分布制御が
比較的容易な抵抗加熱方式に移行している。抵抗加熱方
式のなかでも、ランプは熱容量が小さいフィラメントを
熱源としているため、急速加熱・冷却が可能であるの
で、この利点を生かして加熱手段としてランプを用いた
上述したようなが気相成長装置が多用されるようになっ
た。
【０００７】上述したようにして製作されたエピタキシ
ャルウェハに求められる特性としては、純度や均一な膜
質特性などが挙げられる。純度については、装置を構成
する配管材料の性能向上、使用機器の性能向上および原
料の高純度化によりレベルが上がっている。又、均一な
膜質特性については、ウェハ面内の均一性はウェハ自体
を回転（自転、公転）させること等により大幅に向上し
てきている。また、携帯電話の爆発的な売れ行きなどに
より、安価なデバイスが求められているので、そのデバ
イス作製に用いられるエピタキシャルウェハには生産性
の向上が求められている。
ャルウェハに求められる特性としては、純度や均一な膜
質特性などが挙げられる。純度については、装置を構成
する配管材料の性能向上、使用機器の性能向上および原
料の高純度化によりレベルが上がっている。又、均一な
膜質特性については、ウェハ面内の均一性はウェハ自体
を回転（自転、公転）させること等により大幅に向上し
てきている。また、携帯電話の爆発的な売れ行きなどに
より、安価なデバイスが求められているので、そのデバ
イス作製に用いられるエピタキシャルウェハには生産性
の向上が求められている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、加熱手
段としてランプを用いると、次のような問題があった。
即ち、 １）ウェハを４５０〜８００℃程度の範囲で加熱するた
め、ランプの電極部分が高温になると、ランプの寿命が
短くなるという問題があった。従って、ランプが切れた
場合には、装置を停止させ、ランプの交換を行って温度
設定などを再度見直しする必要があるため、生産性が阻
害されるという問題があった。因みに、ハロゲンランプ
では、電極部分の温度が３００℃から４００℃に上昇す
ると、寿命は数分の１に短くなる。
段としてランプを用いると、次のような問題があった。
即ち、 １）ウェハを４５０〜８００℃程度の範囲で加熱するた
め、ランプの電極部分が高温になると、ランプの寿命が
短くなるという問題があった。従って、ランプが切れた
場合には、装置を停止させ、ランプの交換を行って温度
設定などを再度見直しする必要があるため、生産性が阻
害されるという問題があった。因みに、ハロゲンランプ
では、電極部分の温度が３００℃から４００℃に上昇す
ると、寿命は数分の１に短くなる。
【０００９】２）そこで、ランプの電極部分を冷却する
方法が検討されている。しかしながら、ランプは石英管
で構成されているため外形の寸法精度がばらつくこと、
また、フィラメントが変形し、寿命が短縮するのを防ぐ
ため、ランプはその軸が所定の傾き（例えば水平に対し
て数度以内）を保持する必要があることなどのため、電
極部を効果的に冷却するのは困難であるという問題があ
った。また、気相成長装置では有毒原料ガスを使用し、
冷却水漏れが重大な事故に繋がる可能性があるので、安
全性を考慮した電極部の冷却方法が求められているが、
安全性を考慮すると、電極部の冷却効率を上げるのが困
難であるという問題があった。
方法が検討されている。しかしながら、ランプは石英管
で構成されているため外形の寸法精度がばらつくこと、
また、フィラメントが変形し、寿命が短縮するのを防ぐ
ため、ランプはその軸が所定の傾き（例えば水平に対し
て数度以内）を保持する必要があることなどのため、電
極部を効果的に冷却するのは困難であるという問題があ
った。また、気相成長装置では有毒原料ガスを使用し、
冷却水漏れが重大な事故に繋がる可能性があるので、安
全性を考慮した電極部の冷却方法が求められているが、
安全性を考慮すると、電極部の冷却効率を上げるのが困
難であるという問題があった。
【００１０】３）さらに、加熱炉内をプロセスゾーンと
ランプの電極ゾーンに気密に仕切る必要があるため、装
置が複雑になり、高価になるという問題があった。これ
らの問題は、密閉方式あるいは真空方式の加熱炉の加熱
手段としてランプ加熱を採用した場合に起こる。
ランプの電極ゾーンに気密に仕切る必要があるため、装
置が複雑になり、高価になるという問題があった。これ
らの問題は、密閉方式あるいは真空方式の加熱炉の加熱
手段としてランプ加熱を採用した場合に起こる。
【００１１】本発明の目的は、密閉方式あるいは真空方
式の加熱炉の加熱手段としてランプを使用する加熱炉を
改善し、生産性の向上と、構造の簡単化を目的とするも
のである。
式の加熱炉の加熱手段としてランプを使用する加熱炉を
改善し、生産性の向上と、構造の簡単化を目的とするも
のである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決すべくなされたもので、請求項１記載の発明は、炉内
に加熱手段としてランプを設けた加熱炉において、ラン
プは、その電極部が炉外に位置し、かつ、その軸方向に
垂直な面内で調整可能に、炉壁を貫通して炉壁の支持部
に支持部材で支持されていることを特徴とするものであ
る。また、請求項２記載の発明は、炉壁に支持部となる
ランプ挿入口を有し、前記ランプ挿入口よりも小径のラ
ンプを前記ランプ挿入口に挿入支持する加熱炉であっ
て、ランプ挿入口内におけるランプ支持位置を調整可能
に構成したことを特徴とするものである。さらに、請求
項３記載の発明は、請求項１又は２記載の発明におい
て、炉壁の支持部または支持部材は冷媒流路を有するこ
とを特徴とするものである。
決すべくなされたもので、請求項１記載の発明は、炉内
に加熱手段としてランプを設けた加熱炉において、ラン
プは、その電極部が炉外に位置し、かつ、その軸方向に
垂直な面内で調整可能に、炉壁を貫通して炉壁の支持部
に支持部材で支持されていることを特徴とするものであ
る。また、請求項２記載の発明は、炉壁に支持部となる
ランプ挿入口を有し、前記ランプ挿入口よりも小径のラ
ンプを前記ランプ挿入口に挿入支持する加熱炉であっ
て、ランプ挿入口内におけるランプ支持位置を調整可能
に構成したことを特徴とするものである。さらに、請求
項３記載の発明は、請求項１又は２記載の発明におい
て、炉壁の支持部または支持部材は冷媒流路を有するこ
とを特徴とするものである。
【００１３】請求項１記載の発明では、ランプの電極部
（シール部を含む）が炉外に出ているため、電極部は空
冷され、電極部の温度上昇を従来の場合（電極部が炉内
に位置している）よりも抑えることができるので、ラン
プの寿命を長くすることができる。また、ランプは、そ
の軸方向に垂直な面内で調整可能に、炉壁に支持するこ
とができるので、軸の傾きを所定の傾きにして短寿命の
原因となるフィラメントの変形を防ぐことができるとと
もに、ランプの外形寸法がばらついても、確実に支持す
ることができる。さらに、ランプの電極部が炉外に出て
いるので、従来のように炉内をプロセスゾーンとランプ
の電極ゾーンに気密に仕切る必要がなく、装置が簡単化
し、安価になる。また、請求項２記載の発明において
も、炉壁の支持部となるランプ挿入口内におけるランプ
支持位置が調整可能になっているので、ランプの電極部
を炉外に出し、ランプの軸の傾きを所定の傾きにして短
寿命の原因となるフィラメントの変形を防ぐことができ
る。
（シール部を含む）が炉外に出ているため、電極部は空
冷され、電極部の温度上昇を従来の場合（電極部が炉内
に位置している）よりも抑えることができるので、ラン
プの寿命を長くすることができる。また、ランプは、そ
の軸方向に垂直な面内で調整可能に、炉壁に支持するこ
とができるので、軸の傾きを所定の傾きにして短寿命の
原因となるフィラメントの変形を防ぐことができるとと
もに、ランプの外形寸法がばらついても、確実に支持す
ることができる。さらに、ランプの電極部が炉外に出て
いるので、従来のように炉内をプロセスゾーンとランプ
の電極ゾーンに気密に仕切る必要がなく、装置が簡単化
し、安価になる。また、請求項２記載の発明において
も、炉壁の支持部となるランプ挿入口内におけるランプ
支持位置が調整可能になっているので、ランプの電極部
を炉外に出し、ランプの軸の傾きを所定の傾きにして短
寿命の原因となるフィラメントの変形を防ぐことができ
る。
【００１４】さらに、請求項３記載の発明では、ランプ
を支持する炉壁の支持部または支持部材が冷媒流路を有
するため、前記冷媒流路に冷媒を流すことにより、ラン
プの支持部を積極的に冷却して、電極部の温度上昇を一
層抑えることができる。
を支持する炉壁の支持部または支持部材が冷媒流路を有
するため、前記冷媒流路に冷媒を流すことにより、ラン
プの支持部を積極的に冷却して、電極部の温度上昇を一
層抑えることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。 （実施形態１）図１は、本発明にかかる加熱炉の一実施
形態である気相成長装置の要部断面図であり、加熱炉１
１の加熱手段となる直線状のランプ１２の支持部分の断
面図である。本実施形態では、加熱炉壁１１ａにランプ
１２の支持部となる一対の取り付け穴１１ｂ、１１ｂを
設ける。取り付け穴１１ｂの内径はランプ１２の外径よ
りも大きくなっている。ランプ１２は穴１１ｂを貫通し
て、両端の電極部１２ａが加熱炉１１外に位置するよう
に支持される。
施の形態を詳細に説明する。 （実施形態１）図１は、本発明にかかる加熱炉の一実施
形態である気相成長装置の要部断面図であり、加熱炉１
１の加熱手段となる直線状のランプ１２の支持部分の断
面図である。本実施形態では、加熱炉壁１１ａにランプ
１２の支持部となる一対の取り付け穴１１ｂ、１１ｂを
設ける。取り付け穴１１ｂの内径はランプ１２の外径よ
りも大きくなっている。ランプ１２は穴１１ｂを貫通し
て、両端の電極部１２ａが加熱炉１１外に位置するよう
に支持される。
【００１６】ランプ１２は加熱炉壁１１ａに以下のよう
に支持される。即ち、 １）先ず、ランプ１２を２個の穴１１ｂに挿入し、加熱
炉壁１１ａ外側にあるランプ１２の両端部に支持部材と
なるランプホルダー１３、ランプホルダー１３用のＯリ
ング１４、Ｏリング押し付けリング１５、リング押し付
けネジ１６をはめ込む。 ２）次いで、ランプホルダー１３を加熱炉壁１１ａのＯ
リング１７を介して、加熱炉壁１１ａにネジ留めして取
り付ける。ここで、ランプホルダー１３のネジ穴１３ａ
の径を、ランプ軸のずれ量の最大値をｘとして、ネジ止
め用穴径（ＪＩＳ規定）＋２ｘとし、２個のランプホル
ダー１３の加熱炉壁１１ａに対する取り付け位置の微調
整を可能にし、ランプ１２の軸ずれ量を吸収可能にす
る。 ３）次いで、リング押し付けネジ１６をネジ込んで、Ｏ
リング押し付けリング１５でＯリング１４を変形させ、
Ｏリング１７とＯリング１４で加熱炉１１とランプ１２
の間をシールする。
に支持される。即ち、 １）先ず、ランプ１２を２個の穴１１ｂに挿入し、加熱
炉壁１１ａ外側にあるランプ１２の両端部に支持部材と
なるランプホルダー１３、ランプホルダー１３用のＯリ
ング１４、Ｏリング押し付けリング１５、リング押し付
けネジ１６をはめ込む。 ２）次いで、ランプホルダー１３を加熱炉壁１１ａのＯ
リング１７を介して、加熱炉壁１１ａにネジ留めして取
り付ける。ここで、ランプホルダー１３のネジ穴１３ａ
の径を、ランプ軸のずれ量の最大値をｘとして、ネジ止
め用穴径（ＪＩＳ規定）＋２ｘとし、２個のランプホル
ダー１３の加熱炉壁１１ａに対する取り付け位置の微調
整を可能にし、ランプ１２の軸ずれ量を吸収可能にす
る。 ３）次いで、リング押し付けネジ１６をネジ込んで、Ｏ
リング押し付けリング１５でＯリング１４を変形させ、
Ｏリング１７とＯリング１４で加熱炉１１とランプ１２
の間をシールする。
【００１７】本実施形態では、ウェハを８００℃に加熱
して、１０００時間以上の寿命を実現することができ
た。因みに、図６に示した従来の装置では上記条件で１
０００時間の寿命を達成することは極めて困難である。
また、本実施形態では、ランプ１２の電極１２ａが加熱
炉１１外にあるため、従来のように加熱炉１１内をプロ
セスゾーンとランプ電極ゾーンに気密に仕切る必要がな
く、装置が簡単化する。
して、１０００時間以上の寿命を実現することができ
た。因みに、図６に示した従来の装置では上記条件で１
０００時間の寿命を達成することは極めて困難である。
また、本実施形態では、ランプ１２の電極１２ａが加熱
炉１１外にあるため、従来のように加熱炉１１内をプロ
セスゾーンとランプ電極ゾーンに気密に仕切る必要がな
く、装置が簡単化する。
【００１８】なお、ランプ１２の形状は直線状に限定さ
れることはない。例えば、ランプ１２がリング状である
場合には、図２に示すように、電極部１２ａ、１２ａの
間隔Ｄを所定の間隔に支持することが必要であるが、ラ
ンプホルダー１３の取り付け位置を調整することによ
り、間隔Ｄを精度よく保ちながら、電極部１２ａ、１２
ａを加熱炉１１外に出して、ランプ１２をシール性よく
支持することができる。
れることはない。例えば、ランプ１２がリング状である
場合には、図２に示すように、電極部１２ａ、１２ａの
間隔Ｄを所定の間隔に支持することが必要であるが、ラ
ンプホルダー１３の取り付け位置を調整することによ
り、間隔Ｄを精度よく保ちながら、電極部１２ａ、１２
ａを加熱炉１１外に出して、ランプ１２をシール性よく
支持することができる。
【００１９】（実施形態２）図３は、本発明にかかる他
の実施形態の要部断面図であり、加熱炉１１の加熱手段
となるランプ１２の支持部の断面図である。本実施形態
は、前記実施形態１において、加熱炉壁１１ａの穴１１
ｂの近傍に冷媒流路１１ｃを設け、また、ランプホルダ
ー１３に冷媒流路１３ｂを設けたものである。本実施形
態では、冷媒流路１１ｃ、１３ｂに水を流し、ランプ１
の支持部を積極的に冷却することにより、実施形態１よ
りもさらに寿命が延びるとともに、ランプ１２の支持部
のシール性も損なわれることがなかった。
の実施形態の要部断面図であり、加熱炉１１の加熱手段
となるランプ１２の支持部の断面図である。本実施形態
は、前記実施形態１において、加熱炉壁１１ａの穴１１
ｂの近傍に冷媒流路１１ｃを設け、また、ランプホルダ
ー１３に冷媒流路１３ｂを設けたものである。本実施形
態では、冷媒流路１１ｃ、１３ｂに水を流し、ランプ１
の支持部を積極的に冷却することにより、実施形態１よ
りもさらに寿命が延びるとともに、ランプ１２の支持部
のシール性も損なわれることがなかった。
【００２０】なお、ランプ１２の電極部１２ａ近傍を積
極的に冷却する手段としては、図４に示すように、加熱
炉壁１１ａを内壁１１ａ1 と外壁１１ａ2 とからなる二
重壁で構成し、内壁１１ａ1 と外壁１１ａ2 の間に冷媒
を流してランプ１２の支持部を冷媒で直接冷却してもよ
い。ランプ１２と内壁１１ａ1 および外壁１１ａ2 間
は、Ｏリング１８、１９でシールする。このようにラン
プ１２を冷媒で直接冷却すると、ウェハの加熱温度が１
０００℃程度と高い場合など、加熱炉１１内の輻射熱が
大きい場合に効果がある。
極的に冷却する手段としては、図４に示すように、加熱
炉壁１１ａを内壁１１ａ1 と外壁１１ａ2 とからなる二
重壁で構成し、内壁１１ａ1 と外壁１１ａ2 の間に冷媒
を流してランプ１２の支持部を冷媒で直接冷却してもよ
い。ランプ１２と内壁１１ａ1 および外壁１１ａ2 間
は、Ｏリング１８、１９でシールする。このようにラン
プ１２を冷媒で直接冷却すると、ウェハの加熱温度が１
０００℃程度と高い場合など、加熱炉１１内の輻射熱が
大きい場合に効果がある。
【００２１】なお、本実施形態では気相成長装置を例に
とり説明したが、密閉あるいは真空を要する他の加熱炉
（ＭＢＥ装置など）にも適用することができる。また、
ランプ１２を位置調整可能に気密保持する手段として
は、上記実施形態では、ランプホルダー１３のネジ穴１
３ａの径をネジ止め用穴径よりも大きくしたが、これに
限定されることはない。例えば、図５に示すように、加
熱炉壁１１ａの穴１１ｂの位置にリング状の中間部材２
０を取り付け、ランプホルダー１３を中間部材２０にフ
レキシブル管２１を介して連結してもよい。あるいは、
ランプホルダー１３を磁性材で構成し、このランプホル
ダー１３を加熱炉壁１１ａに磁力で位置調整可能に気密
に吸着させてもよい。
とり説明したが、密閉あるいは真空を要する他の加熱炉
（ＭＢＥ装置など）にも適用することができる。また、
ランプ１２を位置調整可能に気密保持する手段として
は、上記実施形態では、ランプホルダー１３のネジ穴１
３ａの径をネジ止め用穴径よりも大きくしたが、これに
限定されることはない。例えば、図５に示すように、加
熱炉壁１１ａの穴１１ｂの位置にリング状の中間部材２
０を取り付け、ランプホルダー１３を中間部材２０にフ
レキシブル管２１を介して連結してもよい。あるいは、
ランプホルダー１３を磁性材で構成し、このランプホル
ダー１３を加熱炉壁１１ａに磁力で位置調整可能に気密
に吸着させてもよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、ランプを加熱手段とし
た加熱炉において、ランプの寿命が長くなり、生産性が
向上するとともに、装置が簡単化し、安価になるという
優れた効果がある。
た加熱炉において、ランプの寿命が長くなり、生産性が
向上するとともに、装置が簡単化し、安価になるという
優れた効果がある。
【図１】本発明に係る加熱炉の一実施形態の要部断面図
である。
である。
【図２】他の実施形態の要部断面図である。
【図３】他の実施形態の要部断面図である。
【図４】他の実施形態の要部断面図である。
【図５】さらなる他の実施形態の要部断面図である。
【図６】従来の気相成長装置の断面説明図である。
１１ 加熱炉 １１ａ 加熱炉壁 １１ａ1 内壁 １１ａ2 外壁 １１ｂ 穴 １１ｃ、１３ｂ 冷媒流路 １２ ランプ １２ａ 電極部 １３ ランプホルダー １３ａ ネジ穴 １４、１７、１８、１９ Ｏリング １５ Ｏリング押し付けリ
ング １６ リング押し付けネジ ２０ 中間部材 ２１ フレキシブル管
ング １６ リング押し付けネジ ２０ 中間部材 ２１ フレキシブル管
Claims (3)
- 【請求項１】 炉内に加熱手段としてランプを設けた加
熱炉において、ランプは、その電極部が炉外に位置し、
かつ、その軸方向に垂直な面内で調整可能に、炉壁を貫
通して炉壁の支持部に支持部材で支持されていることを
特徴とする加熱炉。 - 【請求項２】 炉壁に支持部となるランプ挿入口を有
し、前記ランプ挿入口よりも小径のランプを前記ランプ
挿入口に挿入支持する加熱炉であって、ランプ挿入口内
におけるランプ支持位置を調整可能に構成したことを特
徴とする加熱炉。 - 【請求項３】 炉壁の支持部または支持部材は冷媒流路
を有することを特徴とする請求項１又は２記載の加熱炉
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13214797A JPH10321530A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13214797A JPH10321530A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 加熱炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321530A true JPH10321530A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15074464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13214797A Pending JPH10321530A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 加熱炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321530A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011190511A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Ushio Inc | 加熱装置 |
| WO2014050508A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | オリジン電気株式会社 | 熱処理装置 |
| JP2020169735A (ja) * | 2019-04-01 | 2020-10-15 | 株式会社Ihi | 加熱炉 |
-
1997
- 1997-05-22 JP JP13214797A patent/JPH10321530A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011190511A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Ushio Inc | 加熱装置 |
| WO2014050508A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | オリジン電気株式会社 | 熱処理装置 |
| JP2014067655A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Origin Electric Co Ltd | 熱処理装置 |
| CN104640661A (zh) * | 2012-09-27 | 2015-05-20 | 欧利生电气株式会社 | 热处理装置 |
| EP2902147A4 (en) * | 2012-09-27 | 2016-08-31 | Origin Electric | THERMAL TREATMENT DEVICE |
| US9579740B2 (en) | 2012-09-27 | 2017-02-28 | Origin Electric Company, Limited | Thermal processing apparatus |
| CN104640661B (zh) * | 2012-09-27 | 2018-10-16 | 欧利生电气株式会社 | 热处理装置 |
| JP2020169735A (ja) * | 2019-04-01 | 2020-10-15 | 株式会社Ihi | 加熱炉 |
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