JP6560550B2 - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
熱処理方法および熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6560550B2 JP6560550B2 JP2015135231A JP2015135231A JP6560550B2 JP 6560550 B2 JP6560550 B2 JP 6560550B2 JP 2015135231 A JP2015135231 A JP 2015135231A JP 2015135231 A JP2015135231 A JP 2015135231A JP 6560550 B2 JP6560550 B2 JP 6560550B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- temperature
- heat treatment
- substrate
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/2605—Bombardment with radiation using natural radiation, e.g. alpha, beta or gamma radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
- H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
Description
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
21 流量調整バルブ
22 ヒータ
27 パイロメーター
65 熱処理空間
74 サセプター
83 ガス供給管
85 ガス供給源
HL ハロゲンランプ
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (8)
- 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
チャンバー内に基板を搬入する搬入工程と、
前記チャンバー内に搬入された基板に光を照射する光照射工程と、
ロットの最初の基板が前記チャンバーに搬入される前に、加熱された処理ガスを前記チャンバー内に供給して前記チャンバー内の構造物を昇温する予熱工程と、
を備え、
前記加熱された処理ガスを供給することなく、複数の基板に連続して光を照射して加熱することにより前記構造物の温度が上昇して一定となったときの当該構造物の温度を安定温度とし、
前記予熱工程では、前記構造物が前記安定温度に到達するように前記加熱された処理ガスを供給することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記構造物は、前記チャンバー内にて基板を支持するサセプターを含むことを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1または請求項2記載の熱処理方法において、
前記光照射工程では、前記チャンバーの一方側からフラッシュランプによって基板にフラッシュ光を照射することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項3記載の熱処理方法において、
前記光照射工程では、さらに前記チャンバーの他方側からハロゲンランプによって基板に光を照射することを特徴とする熱処理方法。 - 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に収容された基板に光を照射する光照射部と、
前記チャンバー内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記ガス供給部から前記チャンバーに供給される前記処理ガスを加熱するガス加熱部と、
ロットの最初の基板が前記チャンバーに搬入される前に、加熱された処理ガスを前記チャンバー内に供給して前記チャンバー内の構造物を昇温するように前記ガス供給部および前記ガス加熱部を制御する制御部と、
を備え、
前記ガス供給部から前記加熱された処理ガスを供給することなく、前記光照射部から複数の基板に連続して光を照射して加熱することにより前記構造物の温度が上昇して一定となったときの当該構造物の温度を安定温度とし、
前記制御部は、前記構造物が前記安定温度に到達するように前記ガス供給部および前記ガス加熱部を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5記載の熱処理装置において、
前記構造物は、前記チャンバー内にて基板を支持するサセプターを含むことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5または請求項6記載の熱処理装置において、
前記光照射部は、前記チャンバーの一方側から基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプを含むことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項7記載の熱処理装置において、
前記光照射部は、前記チャンバーの他方側から基板に光を照射するハロゲンランプをさらに含むことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015135231A JP6560550B2 (ja) | 2015-07-06 | 2015-07-06 | 熱処理方法および熱処理装置 |
US15/189,446 US10347512B2 (en) | 2015-07-06 | 2016-06-22 | Method and apparatus for light-irradiation heat treatment |
TW105119617A TWI604533B (zh) | 2015-07-06 | 2016-06-22 | 熱處理方法及熱處理裝置 |
CN201610525945.4A CN106340451B (zh) | 2015-07-06 | 2016-07-06 | 热处理方法以及热处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015135231A JP6560550B2 (ja) | 2015-07-06 | 2015-07-06 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017017275A JP2017017275A (ja) | 2017-01-19 |
JP6560550B2 true JP6560550B2 (ja) | 2019-08-14 |
Family
ID=57731415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015135231A Active JP6560550B2 (ja) | 2015-07-06 | 2015-07-06 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10347512B2 (ja) |
JP (1) | JP6560550B2 (ja) |
CN (1) | CN106340451B (ja) |
TW (1) | TWI604533B (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017017277A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
DE102016112836A1 (de) * | 2016-06-14 | 2017-12-14 | Leander Kilian Gross | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung eines Substrats |
JP6847610B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6739326B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2020-08-12 | 三菱電機株式会社 | 評価装置及び評価方法 |
JP6837871B2 (ja) * | 2017-03-09 | 2021-03-03 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP6864564B2 (ja) | 2017-06-09 | 2021-04-28 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
KR102374971B1 (ko) * | 2017-08-07 | 2022-03-16 | 보스턴 프로세스 테크놀로지스, 아이엔씨. | 뜨거운 벽 플럭스 프리 솔더 볼 처리 배열 |
WO2019038870A1 (ja) * | 2017-08-24 | 2019-02-28 | 三菱重工業株式会社 | 赤外線加熱装置 |
JP6944347B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2021-10-06 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP6960344B2 (ja) | 2018-01-26 | 2021-11-05 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7011980B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-01-27 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP7041594B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6963536B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2021-11-10 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理装置の雰囲気置換方法 |
JP7228976B2 (ja) * | 2018-08-27 | 2023-02-27 | 株式会社Screenホールディングス | p型窒化ガリウム系半導体の製造方法および熱処理方法 |
JP7303615B2 (ja) * | 2018-08-28 | 2023-07-05 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP7288745B2 (ja) * | 2018-09-13 | 2023-06-08 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7080145B2 (ja) * | 2018-09-20 | 2022-06-03 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
US20210272823A1 (en) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light irradiation type heat treatment method |
JP2022026758A (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-10 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4649261A (en) | 1984-02-28 | 1987-03-10 | Tamarack Scientific Co., Inc. | Apparatus for heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc. |
JPS60258928A (ja) | 1984-02-28 | 1985-12-20 | タマラツク・サイエンテイフイツク・カンパニ−・インコ−ポレ−テツド | 半導体ウエ−ハの加熱装置および方法 |
JPS60247936A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法 |
JPH07321120A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JPH09260364A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
DE19809461C2 (de) | 1998-03-06 | 2002-03-21 | Solutia Austria Gmbh | Niedermolekulare Polyesterpolyole, deren Herstellung und Verwendung in Beschichtungsmitteln |
US6189484B1 (en) | 1999-03-05 | 2001-02-20 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor having a helicon wave high density plasma source |
JP2000012478A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
JP4146558B2 (ja) * | 1998-12-07 | 2008-09-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理方法および基板熱処理装置 |
US7118780B2 (en) * | 2001-03-16 | 2006-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment method |
US6849831B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-02-01 | Mattson Technology, Inc. | Pulsed processing semiconductor heating methods using combinations of heating sources |
JP2004063863A (ja) | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6818864B2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-11-16 | Asm America, Inc. | LED heat lamp arrays for CVD heating |
US8911559B2 (en) | 2008-09-22 | 2014-12-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to pre-heat and stabilize etching chamber condition and improve mean time between cleaning |
US8147137B2 (en) * | 2008-11-19 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Pyrometry for substrate processing |
CN101990376B (zh) * | 2009-07-29 | 2012-09-19 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 一体式电子设备及其组装方法 |
US20110073039A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | Ron Colvin | Semiconductor deposition system and method |
JP5338723B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2013-11-13 | ウシオ電機株式会社 | 加熱装置 |
US8608035B2 (en) * | 2010-04-22 | 2013-12-17 | Novellus Systems, Inc. | Purge ring with split baffles for photonic thermal processing systems |
TWI566300B (zh) | 2011-03-23 | 2017-01-11 | 斯克林集團公司 | 熱處理方法及熱處理裝置 |
JP6026090B2 (ja) | 2011-09-26 | 2016-11-16 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
TWI566299B (zh) | 2012-04-11 | 2017-01-11 | 聯華電子股份有限公司 | 半導體元件之製作方法 |
JP5955658B2 (ja) | 2012-06-15 | 2016-07-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2014072352A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2014175630A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
-
2015
- 2015-07-06 JP JP2015135231A patent/JP6560550B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-22 US US15/189,446 patent/US10347512B2/en active Active
- 2016-06-22 TW TW105119617A patent/TWI604533B/zh active
- 2016-07-06 CN CN201610525945.4A patent/CN106340451B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201705296A (zh) | 2017-02-01 |
CN106340451A (zh) | 2017-01-18 |
US20170011923A1 (en) | 2017-01-12 |
JP2017017275A (ja) | 2017-01-19 |
TWI604533B (zh) | 2017-11-01 |
US10347512B2 (en) | 2019-07-09 |
CN106340451B (zh) | 2020-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6560550B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
US10490465B2 (en) | Thermal processing method and thermal processing apparatus through light irradiation | |
JP5951241B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP6184697B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP2017017277A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP6473659B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP6598630B2 (ja) | 熱処理方法 | |
JP2011159713A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP2017041468A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP5507227B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP2018207067A (ja) | 熱処理方法 | |
JP2018082118A (ja) | ドーパント導入方法および熱処理方法 | |
JP2017139315A (ja) | 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 | |
TWI696221B (zh) | 熱處理方法及熱處理裝置 | |
JP5944131B2 (ja) | 熱処理方法 | |
JP2012199470A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP5944152B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP7307563B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP2018018873A (ja) | 熱処理方法 | |
JP6618336B2 (ja) | 基板の温度分布調整方法 | |
JP2018101760A (ja) | 熱処理方法 | |
JP2012199471A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP2019216287A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190719 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6560550 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |