JP2017041468A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 23
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 9
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 189
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 65
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 65
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 42
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 54
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 12
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
Abstract
【解決手段】ハロゲンランプによる予備加熱段階からフラッシュランプによってフラッシュ光照射を行うときにかけて放射温度計によって半導体ウェハーの裏面の温度を測定し、フラッシュ光を照射したときに半導体ウェハーの裏面が予備加熱温度から昇温する上昇温度ΔTを求める。半導体ウェハーの比熱は既定値であり、上昇温度ΔTはフラッシュ光照射によって半導体ウェハーの表面に与えられたエネルギーの大きさに比例するため、フラッシュ光照射時の半導体ウェハーの裏面の上昇温度ΔTから半導体ウェハーの表面到達温度を算定することができる。
【選択図】図9
Description
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
31 表面温度算定部
32 温度補正部
33 表示部
35 磁気ディスク
65 熱処理空間
74 サセプター
120 放射温度計
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (10)
- 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
フラッシュ光照射前に基板を所定の予備加熱温度に昇温して予備加熱を行う予備加熱工程と、
前記予備加熱温度に昇温している前記基板の表面にフラッシュ光を照射して加熱するフラッシュ加熱工程と、
フラッシュ光を照射したときに前記基板の裏面が前記予備加熱温度から昇温する上昇温度を測定する上昇温度測定工程と、
前記上昇温度に基づいて、フラッシュ光照射時の前記基板の表面到達温度を算定する表面温度算定工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記表面温度算定工程では、前記上昇温度の積分値から前記表面到達温度を算定することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記上昇温度と前記表面到達温度との相関関係を求める工程をさらに備え、
前記表面温度算定工程では、前記相関関係に基づいて前記表面到達温度を算定することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記表面温度算定工程は、算出された前記表面到達温度を前記基板の比熱によって補正する補正工程をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記表面到達温度を表示する表示工程をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。 - 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射する前に前記基板を所定の予備加熱温度に昇温する予備加熱部と、
前記保持部に保持された前記基板の裏面の温度を測定する裏面温度測定部と、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射したときに前記裏面温度測定部によって測定された前記基板の裏面の前記予備加熱温度からの上昇温度に基づいて、フラッシュ光照射時の前記基板の表面到達温度を算定する表面温度算定部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6記載の熱処理装置において、
前記表面温度算定部は、前記上昇温度の積分値から前記表面到達温度を算定することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6記載の熱処理装置において、
前記上昇温度と前記表面到達温度との相関関係を格納する記憶部をさらに備え、
前記表面温度算定部は、前記相関関係に基づいて前記表面到達温度を算定することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6から請求項8のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記表面温度算定部によって算出された前記表面到達温度を前記基板の比熱によって補正する温度補正部をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6から請求項9のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記表面到達温度を表示する表示部をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015160420A JP6654374B2 (ja) | 2015-08-17 | 2015-08-17 | 熱処理方法および熱処理装置 |
TW105121619A TWI682463B (zh) | 2015-08-17 | 2016-07-07 | 熱處理方法及熱處理裝置 |
TW108136572A TWI698936B (zh) | 2015-08-17 | 2016-07-07 | 熱處理方法及熱處理裝置 |
US15/205,386 US10453715B2 (en) | 2015-08-17 | 2016-07-08 | Light-irradiation type thermal processing method and thermal processing apparatus |
CN201610656585.1A CN106469649B (zh) | 2015-08-17 | 2016-08-11 | 热处理方法以及热处理装置 |
US16/544,470 US11335574B2 (en) | 2015-08-17 | 2019-08-19 | Light-irradiation type thermal processing method and thermal processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015160420A JP6654374B2 (ja) | 2015-08-17 | 2015-08-17 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017041468A true JP2017041468A (ja) | 2017-02-23 |
JP6654374B2 JP6654374B2 (ja) | 2020-02-26 |
Family
ID=58157813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015160420A Active JP6654374B2 (ja) | 2015-08-17 | 2015-08-17 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10453715B2 (ja) |
JP (1) | JP6654374B2 (ja) |
CN (1) | CN106469649B (ja) |
TW (2) | TWI698936B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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---|---|
CN106469649B (zh) | 2019-12-24 |
TWI682463B (zh) | 2020-01-11 |
US10453715B2 (en) | 2019-10-22 |
TWI698936B (zh) | 2020-07-11 |
TW201947665A (zh) | 2019-12-16 |
CN106469649A (zh) | 2017-03-01 |
US11335574B2 (en) | 2022-05-17 |
US20190371632A1 (en) | 2019-12-05 |
TW201709337A (zh) | 2017-03-01 |
JP6654374B2 (ja) | 2020-02-26 |
US20170053818A1 (en) | 2017-02-23 |
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A977 | Report on retrieval |
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