JP5955604B2 - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Description
2 シャッター機構
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
74 サセプター
80 流量調整バルブ
85 窒素ガス供給源
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (12)
- 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板を所定の予備加熱温度に加熱する予備加熱手段と、
前記保持手段に保持された基板の一方面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記保持手段に保持された基板を前記予備加熱手段によって予備加熱する前に前記ガス供給手段から前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を減少させるとともに、前記保持手段に保持された基板にフラッシュ光が照射されて前記一方面の温度が最高温度に到達した後に所定の温度にまで降温したときに、前記ガス供給手段から前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させる流量制御手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記流量制御手段は、前記基板の前記一方面の温度が他方面の温度と等しくなったときに、前記ガス供給手段から前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記流量制御手段は、前記基板の前記一方面の温度が前記一方面に注入された不純物の拡散および不活性化が生じない温度にまで降温したときに、前記ガス供給手段から前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記流量制御手段は、前記基板の前記一方面の温度が前記予備加熱温度にまで降温したときに、前記ガス供給手段から前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記流量制御手段は、前記基板の前記一方面の温度が前記所定の温度にまで降温したときに、前記ガス供給手段から前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を前記チャンバーから基板を搬出するときと等しい流量に増加させることを特徴とする熱処理装置。 - 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板を所定の予備加熱温度に加熱する予備加熱手段と、
前記保持手段に保持された基板の一方面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記保持手段に保持された基板を前記予備加熱手段によって予備加熱する前に前記ガス供給手段から前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を減少させるとともに、前記保持手段に保持された基板にフラッシュ光が照射されてから前記チャンバーから当該基板が搬出されるまでの間に、前記ガス供給手段から前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加して前記チャンバーから前記基板が搬出されるまで流量を維持する流量制御手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
チャンバー内に収容した基板を所定の予備加熱温度に加熱する予備加熱工程と、
前記予備加熱温度に加熱された前記基板の一方面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射するフラッシュ光照射工程と、
前記予備加熱工程の前に前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を減少させるとともに、前記基板にフラッシュ光が照射されて前記一方面の温度が最高温度に到達した後に所定の温度にまで降温したときに、前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させる流量制御工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項7記載の熱処理方法において、
前記流量制御工程では、前記基板の前記一方面の温度が他方面の温度と等しくなったときに、前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項7記載の熱処理方法において、
前記流量制御工程では、前記基板の前記一方面の温度が前記一方面に注入された不純物の拡散および不活性化が生じない温度にまで降温したときに、前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項7記載の熱処理方法において、
前記流量制御工程では、前記基板の前記一方面の温度が前記予備加熱温度にまで降温したときに、前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項7から請求項10のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記流量制御工程では、前記基板の前記一方面の温度が前記所定の温度にまで降温したときに、前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を前記チャンバーから基板を搬出するときと等しい流量に増加させることを特徴とする熱処理方法。 - 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
チャンバー内に収容した基板を所定の予備加熱温度に加熱する予備加熱工程と、
前記予備加熱温度に加熱された前記基板の一方面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射するフラッシュ光照射工程と、
前記予備加熱工程の前に前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を減少させるとともに、前記基板にフラッシュ光が照射されてから前記チャンバーから当該基板が搬出されるまでの間に、前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加して前記チャンバーから前記基板が搬出されるまで流量を維持する流量制御工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。
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