JP6469479B2 - 基板温度調整方法 - Google Patents
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Images
Description
図1は、本発明に係る基板熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。本実施形態の基板熱処理装置1は、基板として円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである。基板熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、基板熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の基板熱処理装置の全体構成は第1実施形態と概ね同様である。また、第2実施形態のウェハー処理手順も第1実施形態と同じである。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、載置板20における複数の収容区画25の配列である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、各収容区画25の形状が正方形であったが、長方形などの四角形であっても良い。さらには、各収容区画25の形状は四角形に限定されるものではなく、円形や正六角形などの形状であっても良い。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
20 載置板
21 照度調整部
22 ステージ
23 調整領域
24 仕切壁
25 収容区画
26 凸レンズ
27 凹レンズ
28 不透明石英部材
65 熱処理空間
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (3)
- 基板に光を照射することによって該基板を加熱するときの基板温度を調整する基板温度調整方法であって、
チャンバー内に基板を収容して保持部に保持する保持工程と、
前記保持部に保持された基板に前記チャンバーの一方側に設けられたハロゲンランプから光を照射して予備加熱する予備加熱工程と、
前記保持部に保持されて予備加熱された基板に前記チャンバーの他方側に設けられたフラッシュランプからフラッシュ光を照射して加熱するフラッシュ加熱工程と、
を備え、
前記保持部と前記ハロゲンランプとの間に設けられた石英の板状の載置板に形設された複数の収容区画のうち前記予備加熱工程での基板温度分布にて他の領域と異なっている不均一領域に対向する対応収容区画に前記ハロゲンランプから出射されて当該対応収容区画に到達する光に光学作用を与える光学素子を収容して前記予備加熱工程における基板の主面上における光の照度を調整して基板温度を調整し、
前記不均一領域の温度が前記他の領域よりも所定の閾値未満で高い場合には、前記対応収容区画に凹レンズを収容することを特徴とする基板温度調整方法。 - 請求項1記載の基板温度調整方法において、
前記不均一領域の温度が前記他の領域よりも低い場合には、前記対応収容区画に凸レンズを収容することを特徴とする基板温度調整方法。 - 請求項1または請求項2記載の基板温度調整方法において、
前記不均一領域の温度が前記他の領域よりも前記所定の閾値以上に高い場合には、前記対応収容区画に不透明石英部材を収容することを特徴とする基板温度調整方法。
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