JP2615783B2 - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JP2615783B2 JP2615783B2 JP6610888A JP6610888A JP2615783B2 JP 2615783 B2 JP2615783 B2 JP 2615783B2 JP 6610888 A JP6610888 A JP 6610888A JP 6610888 A JP6610888 A JP 6610888A JP 2615783 B2 JP2615783 B2 JP 2615783B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 加熱装置における被加熱物の表面温度の分布を任意に
変化させることが可能なフィルタの改良に関し、 一定の温度分布を有する熱源に対して、被加熱物の形
状，寸法に対応して簡単且つ容易に被加熱物の均一な表
面温度分布を得ることが可能な加熱装置の提供を目的と
し、 熱源から熱線を被加熱物に照射する装置であって、前
記熱源と前記被加熱物の間に、透過率可変膜を基板に備
えた透過率可変フィルタを配設するよう構成する。
変化させることが可能なフィルタの改良に関し、 一定の温度分布を有する熱源に対して、被加熱物の形
状，寸法に対応して簡単且つ容易に被加熱物の均一な表
面温度分布を得ることが可能な加熱装置の提供を目的と
し、 熱源から熱線を被加熱物に照射する装置であって、前
記熱源と前記被加熱物の間に、透過率可変膜を基板に備
えた透過率可変フィルタを配設するよう構成する。
本発明は、加熱装置に係り、特に被加熱物の表面温度
の分布を任意に変化させることが可能なフィルタの改良
に関するものである。
の分布を任意に変化させることが可能なフィルタの改良
に関するものである。
被加熱物の表面温度を所定の温度に加熱する、赤外線
ランプ等を用いた半導体基板等の熱処理に用いる加熱装
置においては、赤外線ランプ等の熱源の照度分布と被加
熱物の表面温度分布の相関関係は、被加熱物の寸法或い
は周辺状況により一定とならず、被加熱物の表面温度分
布を被加熱物毎に最適状態にするためには、それぞれの
場合に対応する装置の大幅な改造が必要である。
ランプ等を用いた半導体基板等の熱処理に用いる加熱装
置においては、赤外線ランプ等の熱源の照度分布と被加
熱物の表面温度分布の相関関係は、被加熱物の寸法或い
は周辺状況により一定とならず、被加熱物の表面温度分
布を被加熱物毎に最適状態にするためには、それぞれの
場合に対応する装置の大幅な改造が必要である。
以上のような状況から、一定の温度分布を有する熱源
に対して、被加熱物の形状，寸法に対応した被加熱物の
均一な表面温度分布を得ることが可能な加熱装置が要望
されている。
に対して、被加熱物の形状，寸法に対応した被加熱物の
均一な表面温度分布を得ることが可能な加熱装置が要望
されている。
従来の半導体基板の加熱装置について第４図〜第５図
により説明する。
により説明する。
第４図に示すような赤外線ランプ加熱装置において
は、処理室14の中に設けた炭素或いはステンレス、石英
等よりなる載物台15の上に半導体基板等の被加熱物12を
載置し、熱源である赤外線ランプ11から赤外線を放射さ
せ、石英よりなる入射窓16を透過した赤外線を被加熱物
12に照射して被加熱物12の表面を加熱し、表面温度を上
昇させている。
は、処理室14の中に設けた炭素或いはステンレス、石英
等よりなる載物台15の上に半導体基板等の被加熱物12を
載置し、熱源である赤外線ランプ11から赤外線を放射さ
せ、石英よりなる入射窓16を透過した赤外線を被加熱物
12に照射して被加熱物12の表面を加熱し、表面温度を上
昇させている。
このような赤外線ランプ加熱装置の熱源である赤外線
ランプ11の照度の分布と被加熱物12の表面温度の分布の
関係は第５図に示すようになる。
ランプ11の照度の分布と被加熱物12の表面温度の分布の
関係は第５図に示すようになる。
即ち、第５図（ａ）に実線で示すように赤外線ランプ
11の照度分布が略一定の場合には、第５図（ｂ）に実線
で示すように被加熱物12の表面温度の分布は放熱等によ
り周辺部の温度が低くなるので、第５図（ｂ）に点線で
示すような表面温度の分布を得るためには第５図（ａ）
に点線で示すような周辺部の照度が高い熱源が必要にな
り、このような照度の調節を行うには装置の大幅な改造
が必要である。
11の照度分布が略一定の場合には、第５図（ｂ）に実線
で示すように被加熱物12の表面温度の分布は放熱等によ
り周辺部の温度が低くなるので、第５図（ｂ）に点線で
示すような表面温度の分布を得るためには第５図（ａ）
に点線で示すような周辺部の照度が高い熱源が必要にな
り、このような照度の調節を行うには装置の大幅な改造
が必要である。
以上説明の従来の加熱装置においては、寸法の異なる
複数の被加熱物に対応して被加熱物の表面温度を均一に
するには、それぞれの被加熱物に対応した装置の大幅な
改造が必要であるという問題点があった。
複数の被加熱物に対応して被加熱物の表面温度を均一に
するには、それぞれの被加熱物に対応した装置の大幅な
改造が必要であるという問題点があった。
本発明は以上のような状況から一定の温度分布を有す
る熱源に対して、被加熱物の形状，寸法に対応して簡単
且つ容易に被加熱物の均一な表面温度分布を得ることが
可能な加熱装置の提供を目的としたものである。
る熱源に対して、被加熱物の形状，寸法に対応して簡単
且つ容易に被加熱物の均一な表面温度分布を得ることが
可能な加熱装置の提供を目的としたものである。
上記問題点は、熱源から熱線を被加熱物に照射する装
置であって、この熱源と前記被加熱物の間に、透過率可
変膜を基板に備えた透過率可変フィルタを配設した本発
明による加熱装置によって解決される。
置であって、この熱源と前記被加熱物の間に、透過率可
変膜を基板に備えた透過率可変フィルタを配設した本発
明による加熱装置によって解決される。
即ち本発明においては熱源から照射された熱線を、透
過率可変膜を入射窓に備えた透過率可変フィルタを透過
させ、処理室の中に設けた載物台の上に載置した被加熱
物に入射窓を通して照射するので、透過率を部分的に変
更し得る透過率可変膜の各部分の透過率を変化させるこ
とにより、被加熱物の表面温度分布を所望の温度分布に
することが可能となる。
過率可変膜を入射窓に備えた透過率可変フィルタを透過
させ、処理室の中に設けた載物台の上に載置した被加熱
物に入射窓を通して照射するので、透過率を部分的に変
更し得る透過率可変膜の各部分の透過率を変化させるこ
とにより、被加熱物の表面温度分布を所望の温度分布に
することが可能となる。
以下第１図〜第４図により本発明の一実施例及び他の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
本発明の一実施例の透過率可変フィルタ３は第１図
（ａ）に示すように、石英よりなる基板3aの表面に同心
円状の各部分毎に、それぞれの印加電源により異なる値
の電圧を印加することが可能なイオン伝導ガラスよりな
る透過率可変膜3bを形成し、それぞれの透過率可変膜3b
に印加する電圧を制御することにより、各部分の透過率
可変膜3bの透過率を変化させることが可能なものであ
る。
（ａ）に示すように、石英よりなる基板3aの表面に同心
円状の各部分毎に、それぞれの印加電源により異なる値
の電圧を印加することが可能なイオン伝導ガラスよりな
る透過率可変膜3bを形成し、それぞれの透過率可変膜3b
に印加する電圧を制御することにより、各部分の透過率
可変膜3bの透過率を変化させることが可能なものであ
る。
イオン伝導ガラスは、透明石英ガラスに鉛（Pb）、カ
リウム（Ｋ）、カルシウム（Ca）等のイオン種を含有さ
せたガラスであり、印加電圧の値に応じて透過率が変化
するものである。
リウム（Ｋ）、カルシウム（Ca）等のイオン種を含有さ
せたガラスであり、印加電圧の値に応じて透過率が変化
するものである。
また、オン伝導ガラスの透明電極3cには、SnOx等の導
電性のある透明なガラスを用いている。
電性のある透明なガラスを用いている。
このような構造の透過率可変膜3bを有する透過率可変
フィルタ３の透過率変化状態と被加熱物２の表面温度分
布状態の関係は第３図に示すようなものとなる。
フィルタ３の透過率変化状態と被加熱物２の表面温度分
布状態の関係は第３図に示すようなものとなる。
第３図（ａ）は透過率可変膜3bに電圧を印加しない状
態を示しており、被加熱物２の表面温度分布は周辺が低
温になっている。
態を示しており、被加熱物２の表面温度分布は周辺が低
温になっている。
第３図（ｂ）は透過率可変膜3bの周辺部に電圧を印加
した状態を示しており、被加熱物２の表面温度分布は第
２図（ａ）の場合よりもなお一層周辺が低温になってい
る。
した状態を示しており、被加熱物２の表面温度分布は第
２図（ａ）の場合よりもなお一層周辺が低温になってい
る。
第３図（ｃ）は透過率可変膜3bの中央部に電圧を印加
した状態を示しており、中央部に照射される熱線が透過
率可変膜3bで遮られるので、被加熱物２の表面温度分布
は中央部が低くなり略均一になっている。
した状態を示しており、中央部に照射される熱線が透過
率可変膜3bで遮られるので、被加熱物２の表面温度分布
は中央部が低くなり略均一になっている。
第３図（ｄ）は透過率可変膜3bの周辺部と中央部に電
圧を印加した場合を示しており、照射される熱線が透過
率可変膜3bで遮られるので、周辺部は照射されず、直径
が小さい被加熱物２の表面温度分布は中央部が低くなり
略均一になっている。
圧を印加した場合を示しており、照射される熱線が透過
率可変膜3bで遮られるので、周辺部は照射されず、直径
が小さい被加熱物２の表面温度分布は中央部が低くなり
略均一になっている。
このような透過率可変フィルタ３を第４図に示す入射
窓16の表面に設け、その透過率可変膜3bの各部分に電圧
を印加し、それぞれの部分の透過率を変化させることに
より、被加熱物２の表面温度分布を制御することが可能
となる。
窓16の表面に設け、その透過率可変膜3bの各部分に電圧
を印加し、それぞれの部分の透過率を変化させることに
より、被加熱物２の表面温度分布を制御することが可能
となる。
本発明に用いる透過率可変フィルタ３の冷却が必要な
場合には、透過率可変フィルタ３の表面に沿って空気を
流して空冷するか、或いは透過率可変フィルタ３と、第
４図に示す入射窓16と、その間の周囲に設けた壁面とか
らなるウォータージャケットを設けて冷却水を流して冷
却を行う。
場合には、透過率可変フィルタ３の表面に沿って空気を
流して空冷するか、或いは透過率可変フィルタ３と、第
４図に示す入射窓16と、その間の周囲に設けた壁面とか
らなるウォータージャケットを設けて冷却水を流して冷
却を行う。
なお、透過率可変膜3bの形状は上記の同心円状の外
に、被加熱物２の形状に応じて第２図に示す他の実施例
のように、角形のものをマトリックス状に配置したもの
とすることも可能である。
に、被加熱物２の形状に応じて第２図に示す他の実施例
のように、角形のものをマトリックス状に配置したもの
とすることも可能である。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極め
て簡単な構造の透過率可変フィルタを熱源と被加熱物の
間に配設し、透過率可変フィルタの透過率可変膜の各部
分の透過率を、それぞれの印加電圧を調節することによ
り任意に変化させ、被加熱物の表面に照射される熱線の
量を制御して被加熱物の表面の均一な温度分布を形成す
ることが可能となる利点があり、著しい経済的及び、信
頼性向上の効果が期待でき工業的には極めて有用なもの
である。
て簡単な構造の透過率可変フィルタを熱源と被加熱物の
間に配設し、透過率可変フィルタの透過率可変膜の各部
分の透過率を、それぞれの印加電圧を調節することによ
り任意に変化させ、被加熱物の表面に照射される熱線の
量を制御して被加熱物の表面の均一な温度分布を形成す
ることが可能となる利点があり、著しい経済的及び、信
頼性向上の効果が期待でき工業的には極めて有用なもの
である。
第１図は本発明による一実施例の透過率可変フィルタの
構造を示す図、 第２図は本発明による他の実施例の透過率可変フィルタ
の構造を示す図、 第３図は本発明による一実施例の透過率可変膜の状態と
被加熱物の表面の温度の分布を示す図、 第４図は赤外線ランプ加熱装置の概略構造図、 第５図は従来の加熱装置における熱源の照度分布と被加
熱物の表面温度の分布を示す図、である。 図において、 3,13は透過率可変フィルタ、 3a,13aは基板、3b,13bは透過率可変膜、 3c,13cは透明電極、11は赤外線ランプ、 12は被加熱物、14は処理室、15は載物台、 16は入射窓、を示す。
構造を示す図、 第２図は本発明による他の実施例の透過率可変フィルタ
の構造を示す図、 第３図は本発明による一実施例の透過率可変膜の状態と
被加熱物の表面の温度の分布を示す図、 第４図は赤外線ランプ加熱装置の概略構造図、 第５図は従来の加熱装置における熱源の照度分布と被加
熱物の表面温度の分布を示す図、である。 図において、 3,13は透過率可変フィルタ、 3a,13aは基板、3b,13bは透過率可変膜、 3c,13cは透明電極、11は赤外線ランプ、 12は被加熱物、14は処理室、15は載物台、 16は入射窓、を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】熱源（１）から熱線を被加熱物（２）に照
射する装置であって、前記熱源（１）と前記被加熱物
（２）の間に、透過率可変膜（3b）を基板（3a）に備え
た透過率可変フィルタ（３）を配設したことを特徴とす
る加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6610888A JP2615783B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6610888A JP2615783B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238116A JPH01238116A (ja) | 1989-09-22 |
| JP2615783B2 true JP2615783B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=13306363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6610888A Expired - Fee Related JP2615783B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2615783B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101479352B1 (ko) | 2008-12-03 | 2015-01-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 가열 장치, 기판 가열 방법 및 기억 매체 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07249589A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| US5751896A (en) * | 1996-02-22 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to compensate for non-uniform film growth during chemical vapor deposition |
| DE19952017A1 (de) * | 1999-10-28 | 2001-05-17 | Steag Rtp Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
| JP6469479B2 (ja) * | 2015-03-02 | 2019-02-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板温度調整方法 |
| KR102658700B1 (ko) * | 2019-06-13 | 2024-04-19 | 매슨 테크놀로지 인크 | 투과 스위치 플레이트를 갖는 열 처리 시스템 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6610888A patent/JP2615783B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101479352B1 (ko) | 2008-12-03 | 2015-01-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 가열 장치, 기판 가열 방법 및 기억 매체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01238116A (ja) | 1989-09-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |