JPS60186025A - 瞬間アニ−ル装置 - Google Patents
瞬間アニ−ル装置Info
- Publication number
- JPS60186025A JPS60186025A JP59042297A JP4229784A JPS60186025A JP S60186025 A JPS60186025 A JP S60186025A JP 59042297 A JP59042297 A JP 59042297A JP 4229784 A JP4229784 A JP 4229784A JP S60186025 A JPS60186025 A JP S60186025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- flow rate
- valve
- annealing
- nitrogen gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 10
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は瞬間アニール装置に関するもので半導体装置の
製造工程で使用されるものである。
製造工程で使用されるものである。
半導体装置の製造においてはアニール技術が使用される
。これはウェーッ・表面に存在する電荷を中和し、ｉた
イオン打込み等で損傷を受けたウェーハ材料の結晶性を
回復し、さらに打込まれた不純物を電気的に活性化する
ためにウェーッ・表面を加熱する技術である。
。これはウェーッ・表面に存在する電荷を中和し、ｉた
イオン打込み等で損傷を受けたウェーハ材料の結晶性を
回復し、さらに打込まれた不純物を電気的に活性化する
ためにウェーッ・表面を加熱する技術である。
このアニール技術には、島出力のレーザ光、電子ビーム
、あるいはフラッシュ光等を９ニ一ノー表面に照射し、
短時間に所要の加熱を行う技術があシ、瞬間アニール技
術と称されている。
、あるいはフラッシュ光等を９ニ一ノー表面に照射し、
短時間に所要の加熱を行う技術があシ、瞬間アニール技
術と称されている。
瞬間アニール技術は拡散炉を使用したアニールと比較し
て熱処理時間が短いため、表面近くのみを加熱できるこ
とからイオン打込層を加熱して拡散深さの浅い領域を形
成することを始めとして各、種の応用がなされている。
て熱処理時間が短いため、表面近くのみを加熱できるこ
とからイオン打込層を加熱して拡散深さの浅い領域を形
成することを始めとして各、種の応用がなされている。
このための瞬間アニール装置においては、ウェーハの加
熱ヲ酸・化を招くことなく行うため、加熱炉内を窒素ガ
ス等の不活性ガス雰囲気で満たすことが行われる。
熱ヲ酸・化を招くことなく行うため、加熱炉内を窒素ガ
ス等の不活性ガス雰囲気で満たすことが行われる。
第１図はこのような瞬間アニール装置の構成を示す概略
断面図であって、瞬間アニール装置１０は断回路り字状
の箱を呈しておシ、底部／ｌは駆動部、制御部（図示せ
ず）を収納し、張出した底部ｌ／の上面は作業テーブル
／コとして使用される。作業テーブル／２上には被処理
ウェーッ・／３を載置するステージ／ｑを処理室／Ａに
対し自由に導入、排出するリンク機構よシ成るウェーッ
・ローダ／Ｓが設けられている。処理室（炉）１６は作
業テーブルｌ−に隣接した部分であって、上部にフラッ
シュランプ／７、さらにその上部にフラッシュ光を被処
理ウェーッ・に対し有効に照射するための反射凹面鏡ｉ
ｇを備え、また作業テーブルｌ−側の側面にはウェー／
−１，３を導入、排出するための開口／９が設けられて
いる。また、この処理室／ｌ−を不活性ガスで満たすま
め、ガス供給孔９が処理室ｌ乙の壁の一部に設けられて
おシ、窒素ガスＮ７等が供給される。
断面図であって、瞬間アニール装置１０は断回路り字状
の箱を呈しておシ、底部／ｌは駆動部、制御部（図示せ
ず）を収納し、張出した底部ｌ／の上面は作業テーブル
／コとして使用される。作業テーブル／２上には被処理
ウェーッ・／３を載置するステージ／ｑを処理室／Ａに
対し自由に導入、排出するリンク機構よシ成るウェーッ
・ローダ／Ｓが設けられている。処理室（炉）１６は作
業テーブルｌ−に隣接した部分であって、上部にフラッ
シュランプ／７、さらにその上部にフラッシュ光を被処
理ウェーッ・に対し有効に照射するための反射凹面鏡ｉ
ｇを備え、また作業テーブルｌ−側の側面にはウェー／
−１，３を導入、排出するための開口／９が設けられて
いる。また、この処理室／ｌ−を不活性ガスで満たすま
め、ガス供給孔９が処理室ｌ乙の壁の一部に設けられて
おシ、窒素ガスＮ７等が供給される。
しかしながら、このような構造の瞬間アニール装置にお
いては、ウェーッ・を導入、排出する際に外気が混入し
、ウェーッ・の酸化が生じるという問題がある。このた
め、ウェー／Ｓをアニール装置内に導入した後、処理室
／６内の雰囲気全部が不活性ガスに置換されるまで、所
定の待ち時間を設けることが必要とされ、このため装置
を連続使用することができず、効率が低い０ これを解消するため、ウェーッ・導入口／９に常時閉で
ウェー７１挿入時だけ開となる蓋部を取付けることもで
きるが、蓋部の開閉により処理室１６内に塵埃が混入す
る虞れがらり、また機構の複雑化を招くことから処理の
信頼性と装置コストの面で問題である。
いては、ウェーッ・を導入、排出する際に外気が混入し
、ウェーッ・の酸化が生じるという問題がある。このた
め、ウェー／Ｓをアニール装置内に導入した後、処理室
／６内の雰囲気全部が不活性ガスに置換されるまで、所
定の待ち時間を設けることが必要とされ、このため装置
を連続使用することができず、効率が低い０ これを解消するため、ウェーッ・導入口／９に常時閉で
ウェー７１挿入時だけ開となる蓋部を取付けることもで
きるが、蓋部の開閉により処理室１６内に塵埃が混入す
る虞れがらり、また機構の複雑化を招くことから処理の
信頼性と装置コストの面で問題である。
本発明は上記問題点に鑑みてなされｔ、もので、外気や
塵埃の混入を招くことなく効率的に糾問アニールを行う
ことができ、しかも構造の簡単な瞬間アニール装置を提
供することを目的とする。
塵埃の混入を招くことなく効率的に糾問アニールを行う
ことができ、しかも構造の簡単な瞬間アニール装置を提
供することを目的とする。
上記目的達成のため、本発明においては不活性ガスを充
満させた処理室内に被処理ウェーハを導入し・高エネル
ギー波を短時間照射して加熱することによりウェーハ表
面のアニールを行う瞬間アニール装置において、前記ウ
ェーハを前記処理室内に導入および排出する際の前記不
活性ガスの前記処理室への供給量を加熱時の供給量よシ
も多くするための流量切換装置を備えたことを特徴とし
ておシ、外気や塵埃の混入がなく、しかも処理効率の高
いものである。
満させた処理室内に被処理ウェーハを導入し・高エネル
ギー波を短時間照射して加熱することによりウェーハ表
面のアニールを行う瞬間アニール装置において、前記ウ
ェーハを前記処理室内に導入および排出する際の前記不
活性ガスの前記処理室への供給量を加熱時の供給量よシ
も多くするための流量切換装置を備えたことを特徴とし
ておシ、外気や塵埃の混入がなく、しかも処理効率の高
いものである。
以下、図面を参照し寿から、本発明の一実施例を詳細に
説明する。
説明する。
よれば、扉２０３を有するウェーハローダ２０λ上に載
置されたウェーハ２０／を導入した状態で瞬間アニール
を行う処理室（炉）／θ／にはガス供給孔１０２が設け
られ、不活性ガス例えば窒素ガス１００が導かれている
。この窒素ガスの径路は２つあシ、必要に応じて選択さ
れる。まず加熱処理中には流量計／／／および逆流防止
弁／／Ｊを通る径路となるように電磁弁／ｌＯ・が切換
えられ、無またウェーハの導入、排出時には流量！ｉ／
／２および通流防止弁／／≠を通る径路となるように電
磁弁／１０が切換えられるｃｌ：４７ウェーッ・の導入
、排出時の窒素ガス流量が加熱時の窒素ガス流量よシも
多くなるように流量計／／’／および／／２にそれぞれ
刊属する流量調整弁が調整される。この流量比は数倍程
度、特に３倍以上とすることが望ましい。
置されたウェーハ２０／を導入した状態で瞬間アニール
を行う処理室（炉）／θ／にはガス供給孔１０２が設け
られ、不活性ガス例えば窒素ガス１００が導かれている
。この窒素ガスの径路は２つあシ、必要に応じて選択さ
れる。まず加熱処理中には流量計／／／および逆流防止
弁／／Ｊを通る径路となるように電磁弁／ｌＯ・が切換
えられ、無またウェーハの導入、排出時には流量！ｉ／
／２および通流防止弁／／≠を通る径路となるように電
磁弁／１０が切換えられるｃｌ：４７ウェーッ・の導入
、排出時の窒素ガス流量が加熱時の窒素ガス流量よシも
多くなるように流量計／／’／および／／２にそれぞれ
刊属する流量調整弁が調整される。この流量比は数倍程
度、特に３倍以上とすることが望ましい。
電磁弁／１０の切換えは、例えばつｇ’・ローダ２０２
の位置検出によって行う。すなわち、ウェーハ、２０／
がアニールのための所定位置およびその近傍にあるとき
は小流量を、その位置を外れたことが光センサ等により
検出されたときは大流量を選択するように電磁弁を切換
えることができる。
の位置検出によって行う。すなわち、ウェーハ、２０／
がアニールのための所定位置およびその近傍にあるとき
は小流量を、その位置を外れたことが光センサ等により
検出されたときは大流量を選択するように電磁弁を切換
えることができる。
第３図は本発明にかかる瞬間アニール装置の処理室１０
／における構成および作用を示す斜視図であって、処理
室１０／の壁は透明力ものとして描いである。第３図（
ａ）によれば、ウェーハ、２０／を載置するローダ２０
．！を支持している扉２０３は、加熱処理中、ウェーハ
２０／の挿入孔１０３を被い、処理室／θ／内を密閉す
る。このとき、外気の混入はないので、第２図の電磁弁
／１０け小流量経路側に切換えられ、ガス供給孔７０．
２からは少量の窒素ガスが供給ばれる。
／における構成および作用を示す斜視図であって、処理
室１０／の壁は透明力ものとして描いである。第３図（
ａ）によれば、ウェーハ、２０／を載置するローダ２０
．！を支持している扉２０３は、加熱処理中、ウェーハ
２０／の挿入孔１０３を被い、処理室／θ／内を密閉す
る。このとき、外気の混入はないので、第２図の電磁弁
／１０け小流量経路側に切換えられ、ガス供給孔７０．
２からは少量の窒素ガスが供給ばれる。
これに対し、ローダ２０２が後退してウェーハ２０／が
処理室１０／の外にあるときけ、第２図におりる電磁弁
／／θは大流ａ径路側に切換えられ、ガス供給孔１０．
２からは多音の窒素ガスが供給される。
処理室１０／の外にあるときけ、第２図におりる電磁弁
／／θは大流ａ径路側に切換えられ、ガス供給孔１０．
２からは多音の窒素ガスが供給される。
したがって、ＪｉＳ、２０３が処理室１０／よシ離れ、
処理室１０／のウェーハ導入孔１０３が開放状態となっ
ていても、大量の９索ガスの供給によシ処理室１０／内
は常に窒素ガスの充満状態にある。したがって、ウェー
ハ、２０／を処理室１０／に導入、排出する際に外気の
混入がなく、また処理室１０／の内部から外部へ強い窄
素ガス流が生じるので塵埃の混入も力い。なお、実験に
よれはウェーハ面の酸化膜厚を６０＾から３０ｉに低減
することができた０以上の実施例において、不活性ガス
としては９素ガスを使用しているが、ヘリウム、アルゴ
ン等のいわゆる希ガスを使用することも可能である。
処理室１０／のウェーハ導入孔１０３が開放状態となっ
ていても、大量の９索ガスの供給によシ処理室１０／内
は常に窒素ガスの充満状態にある。したがって、ウェー
ハ、２０／を処理室１０／に導入、排出する際に外気の
混入がなく、また処理室１０／の内部から外部へ強い窄
素ガス流が生じるので塵埃の混入も力い。なお、実験に
よれはウェーハ面の酸化膜厚を６０＾から３０ｉに低減
することができた０以上の実施例において、不活性ガス
としては９素ガスを使用しているが、ヘリウム、アルゴ
ン等のいわゆる希ガスを使用することも可能である。
また、実施例ではウェーッ帽−ダはウェーハ導入孔を塞
ぐ扉を有しており、加熱時の不活性ガス消費級を低減は
せることかできるが、この扉は不活性ガスの供給量を外
気の混入を防止できる程度に多くとること等によ多処理
室内の不活性ガス雰囲気を維持できる場合には必ずしも
必要はない。
ぐ扉を有しており、加熱時の不活性ガス消費級を低減は
せることかできるが、この扉は不活性ガスの供給量を外
気の混入を防止できる程度に多くとること等によ多処理
室内の不活性ガス雰囲気を維持できる場合には必ずしも
必要はない。
さらに、不活性ガスの流量切換え制御は実施例に示した
ウェーハローダの位置検出に限ることなくウェーハロー
ダの移動方向および時間による等各種の制御が可能であ
る。
ウェーハローダの位置検出に限ることなくウェーハロー
ダの移動方向および時間による等各種の制御が可能であ
る。
以上のように、本発明によれば、不活付ガス雰囲気内で
加熱を行う瞬間アニーＡ／装置において、被処理ウェー
ハを処理室内に導入および排出する際の不活性ガス供給
量を加熱時の惧給創よシも多くするための流量切換装置
を備えておυ、外気や塵埃が処理室内に侵入しないため
汚損や酸化の少ない高品質の瞬間アニールを行うことが
できる。
加熱を行う瞬間アニーＡ／装置において、被処理ウェー
ハを処理室内に導入および排出する際の不活性ガス供給
量を加熱時の惧給創よシも多くするための流量切換装置
を備えておυ、外気や塵埃が処理室内に侵入しないため
汚損や酸化の少ない高品質の瞬間アニールを行うことが
できる。
捷た処理室内の不活性ガス雰囲気が迅速に得られるため
、処理効率を向上させることができる。
、処理効率を向上させることができる。
第１図は従来の瞬間アニール装置の構成を示す断面図、
第一図は本発明にかかる瞬間アニール装置の一笑施例の
構成を示す系統図、第３図は本発明の一実施例における
作用を説明する余（親図である０ １００・・窒素ガス流、ｔｏｉ・・・処理室、ｉｏ、２
・・・ガス供給孔、１０３・・ウェーハ導入孔、／１０
・・・電磁弁、／／／ 、 ／／、２・・・流怒計、／
／Ｊ 、 ／／μ・・逆流防止弁、λθｌ・・ワエーハ
、２０．２ ウェーハローダ、２０３・・川）０ 出１如人代理人 猪 股 清
第一図は本発明にかかる瞬間アニール装置の一笑施例の
構成を示す系統図、第３図は本発明の一実施例における
作用を説明する余（親図である０ １００・・窒素ガス流、ｔｏｉ・・・処理室、ｉｏ、２
・・・ガス供給孔、１０３・・ウェーハ導入孔、／１０
・・・電磁弁、／／／ 、 ／／、２・・・流怒計、／
／Ｊ 、 ／／μ・・逆流防止弁、λθｌ・・ワエーハ
、２０．２ ウェーハローダ、２０３・・川）０ 出１如人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／・不活性ガスを充満させた処理室内に被処理ウェーハ
を導入し、高エネルギー波を短時間照射して加熱するこ
とによりウェーハ表面のアニールを行う瞬間アニール装
置において、 前記被処理ウェーハを前記処理室内に導入および排出す
る際の前記不活性ガスの前記処理室への供給量を加熱時
の供給量よシも多くするための流量切換装置を備えたこ
とを特徴とする瞬間アニール装置。 λ、流量切換装置が被処理ウェーハを移動させるウェー
ハローダの位置によって作動する特許請求の範囲第７項
記載の瞬間アニール装置。 ３゜ウェーハの導入および排出時の不活性ガス供給量が
加熱時の供給量の３倍以上である特許請求の範囲第１項
記載の瞬間アニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042297A JPS60186025A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 瞬間アニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042297A JPS60186025A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 瞬間アニ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60186025A true JPS60186025A (ja) | 1985-09-21 |
Family
ID=12632093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59042297A Pending JPS60186025A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 瞬間アニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60186025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013207033A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2017177081A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 充填塔用の充填物及び海水脱硫装置 |
-
1984
- 1984-03-06 JP JP59042297A patent/JPS60186025A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013207033A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2017177081A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 充填塔用の充填物及び海水脱硫装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0140755B1 (en) | A plasma processor for ic fabrication | |
| CA1159161A (en) | Method and apparatus for conducting heat to or from an article being treated under vacuum | |
| US5503708A (en) | Method of and apparatus for removing an organic film | |
| US8025069B2 (en) | Semiconductor wafer treating apparatus | |
| JP2002543584A (ja) | プラズマラジカルに基板を曝露する装置及び方法 | |
| US5462635A (en) | Surface processing method and an apparatus for carrying out the same | |
| JPS6173332A (ja) | 光処理装置 | |
| KR20060042203A (ko) | 피처리체의 산화 방법, 산화 장치 및 기억 매체 | |
| JPS60186025A (ja) | 瞬間アニ−ル装置 | |
| EP0614216A4 (en) | APPARATUS FOR FORMING AN OXIDE FILM, HOT PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF. | |
| JPH11340157A (ja) | 光照射熱処理装置および光照射熱処理方法 | |
| JPH07105356B2 (ja) | 縦型拡散炉装置 | |
| JPH10308357A (ja) | レーザアニーリング装置 | |
| JP3058655B2 (ja) | ウェーハ拡散処理方法及びウェーハ熱処理方法 | |
| JP2008010688A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS60165723A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JP3037280B2 (ja) | 半導体の製造方法及び製造装置 | |
| JPS6370429A (ja) | アツシング装置 | |
| JPH0831763A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH0389517A (ja) | ランプアニール装置 | |
| JPS57201030A (en) | Heat treatment for semiconductor wafer | |
| JPH11288922A (ja) | アッシング装置 | |
| JPS61265819A (ja) | 基板乾処理の方法および装置 | |
| JP2000036399A5 (ja) | ||
| JPH05343312A (ja) | 半導体基板用熱処理装置 |