JPH10308357A - レーザアニーリング装置 - Google Patents
レーザアニーリング装置Info
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- JPH10308357A JPH10308357A JP11703897A JP11703897A JPH10308357A JP H10308357 A JPH10308357 A JP H10308357A JP 11703897 A JP11703897 A JP 11703897A JP 11703897 A JP11703897 A JP 11703897A JP H10308357 A JPH10308357 A JP H10308357A
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- chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価なレーザアニーリング装置を提供する。
【解決手段】 プロセスチャンバ１０内は、真空排気す
ることなくＮ2 ガスで充填される。プロセスチャンバ１
０内の基板にレーザ装置５０からレーザ光を照射され
る。ロボット４１は、プロセスチャンバ１０、ローダ２
１およびアンローダ３１の相互間で処理基板を移送す
る。ローダ２１に基板が挿入されるとき、イオナイザ１
３０によって基板の静電気が除去される。簡易ゲートバ
ルブ７０が開き、ロボット４１により基板がローダ２１
からプロセスチャンバ１０に搬送され、簡易ゲートバル
ブ７０が閉じる。基板がローダ２１から搬出されると
き、基板はＮ2 ブロー生成器１２０によるＮ2 ブローの
下を通過するので、基板上のゴミが吹き飛ばされる。基
板がプロセスチャンバ１０に搬入されるとき、再度、イ
オナイザ１１０により基板はＮ2 ブローで生じた静電気
が除去される。
ることなくＮ2 ガスで充填される。プロセスチャンバ１
０内の基板にレーザ装置５０からレーザ光を照射され
る。ロボット４１は、プロセスチャンバ１０、ローダ２
１およびアンローダ３１の相互間で処理基板を移送す
る。ローダ２１に基板が挿入されるとき、イオナイザ１
３０によって基板の静電気が除去される。簡易ゲートバ
ルブ７０が開き、ロボット４１により基板がローダ２１
からプロセスチャンバ１０に搬送され、簡易ゲートバル
ブ７０が閉じる。基板がローダ２１から搬出されると
き、基板はＮ2 ブロー生成器１２０によるＮ2 ブローの
下を通過するので、基板上のゴミが吹き飛ばされる。基
板がプロセスチャンバ１０に搬入されるとき、再度、イ
オナイザ１１０により基板はＮ2 ブローで生じた静電気
が除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造技術に用
いられるレーザアニーリング装置に関し、特に処理基板
をアニーリングするためのチャンバであるプロセスチャ
ンバ、およびその内部雰囲気を形成する方法に関する。
いられるレーザアニーリング装置に関し、特に処理基板
をアニーリングするためのチャンバであるプロセスチャ
ンバ、およびその内部雰囲気を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造技術において、シリコンウェ
ーハをアニールすることがしばしば必要となる。ここ
で、「アニール」とは、シリコンウェーハを高温で熱処
理して焼きなますことをいう。このようなアニールは、
イオン注入した不純物を電気的に活性化させたり、不安
定性を除去するために電荷を中和し不活性化するために
使用される。
ーハをアニールすることがしばしば必要となる。ここ
で、「アニール」とは、シリコンウェーハを高温で熱処
理して焼きなますことをいう。このようなアニールは、
イオン注入した不純物を電気的に活性化させたり、不安
定性を除去するために電荷を中和し不活性化するために
使用される。
【０００３】アニールする装置はアニーリング装置と呼
ばれる。このアニーリング装置の１つにレーザアニーリ
ング装置がある。このレーザアニーリング装置は、アモ
ルファスシリコン薄膜に、エキシマレーザ装置からパル
ス発振されたレーザ光を照射して多結晶化するための装
置である。すなわち、アモルファスシリコン薄膜に高エ
ネルギのレーザ光が当たると、レーザ光はアモルファス
シリコン薄膜に吸収され、瞬間的に溶融状態になり、再
結晶化が起こる。その結果、アモルファスシリコン薄膜
は多結晶化する。この技術は、例えば液晶パネルの薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するための多結晶シリコ
ン薄膜の作製に用いられる。
ばれる。このアニーリング装置の１つにレーザアニーリ
ング装置がある。このレーザアニーリング装置は、アモ
ルファスシリコン薄膜に、エキシマレーザ装置からパル
ス発振されたレーザ光を照射して多結晶化するための装
置である。すなわち、アモルファスシリコン薄膜に高エ
ネルギのレーザ光が当たると、レーザ光はアモルファス
シリコン薄膜に吸収され、瞬間的に溶融状態になり、再
結晶化が起こる。その結果、アモルファスシリコン薄膜
は多結晶化する。この技術は、例えば液晶パネルの薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するための多結晶シリコ
ン薄膜の作製に用いられる。
【０００４】図３を参照して、従来のレーザアニーリン
グ装置について説明する。図示のレーザアニーリング装
置は、４つのチャンバ、すなわち、プロセスチャンバ１
０′、ロードチャンバ２０′、アンロードチャンバ３
０′およびトランスファチャンバ４０′とを含む。
グ装置について説明する。図示のレーザアニーリング装
置は、４つのチャンバ、すなわち、プロセスチャンバ１
０′、ロードチャンバ２０′、アンロードチャンバ３
０′およびトランスファチャンバ４０′とを含む。
【０００５】プロセスチャンバ１０′内には処理基板
（図示せず）が収容される。レーザアニーリング装置
は、さらに、プロセスチャンバ１０′内の処理基板にレ
ーザ光を照射するためのレーザ装置５０を含む。プロセ
スチャンバ１０′の上面にレーザ光透過用のプロセスウ
ィンドー１１が設けられている。レーザ装置５０から出
射されたレーザ光は、光学系６０およびプロセスウィン
ドー１１を介してプロセスチャンバ１０′内の処理基板
に照射される。
（図示せず）が収容される。レーザアニーリング装置
は、さらに、プロセスチャンバ１０′内の処理基板にレ
ーザ光を照射するためのレーザ装置５０を含む。プロセ
スチャンバ１０′の上面にレーザ光透過用のプロセスウ
ィンドー１１が設けられている。レーザ装置５０から出
射されたレーザ光は、光学系６０およびプロセスウィン
ドー１１を介してプロセスチャンバ１０′内の処理基板
に照射される。
【０００６】ロードチャンバ２０′は処理基板をプロセ
スチャンバ１０′へ搬入するためののローダ（図示せ
す）を含む。アンロードチャンバ３０′はプロセスチャ
ンバ１０′内の処理基板を搬出するためのアンローダ
（図示せず）を含む。トランスファチャンバ４０′は、
プロセスチャンバ１０′、ローダおよびアンローダの相
互間で処理基板を移送するためのロボット（図示せず）
を含む。
スチャンバ１０′へ搬入するためののローダ（図示せ
す）を含む。アンロードチャンバ３０′はプロセスチャ
ンバ１０′内の処理基板を搬出するためのアンローダ
（図示せず）を含む。トランスファチャンバ４０′は、
プロセスチャンバ１０′、ローダおよびアンローダの相
互間で処理基板を移送するためのロボット（図示せず）
を含む。
【０００７】プロセスチャンバ１０′、ロードチャンバ
２０′、アンロードチャンバ３０′およびトランスファ
チャンバ４０′には、それぞれ真空ポンプの一種である
ドライポンプ１２′、２２′、３２′および４２′が取
り付けられ、各チャンバの内部を真空排気することがで
きる。プロセスチャンバ１０′の出入口（図示せず）と
トランスファチャンバ４０′の出入口（図示せず）とは
ゲートバルブ７０′を介して結合されている。ロードチ
ャンバ２０′の出口（図示せず）とトランスファチャン
バ４０′の入口（図示せず）とはゲートバルブ８０′を
介して結合されている。アンロードチャンバ３０′の入
口（図示せず）とトランスファチャンバ４０′の出口
（図示せず）とはゲートバルブ９０′を介して結合され
ている。また、プロセスチャンバ１０′にはモータ１０
０が取り付けられ、プロセスチャンバ１０′内の処理基
板を所定の水平方向に移動させることが可能である。
２０′、アンロードチャンバ３０′およびトランスファ
チャンバ４０′には、それぞれ真空ポンプの一種である
ドライポンプ１２′、２２′、３２′および４２′が取
り付けられ、各チャンバの内部を真空排気することがで
きる。プロセスチャンバ１０′の出入口（図示せず）と
トランスファチャンバ４０′の出入口（図示せず）とは
ゲートバルブ７０′を介して結合されている。ロードチ
ャンバ２０′の出口（図示せず）とトランスファチャン
バ４０′の入口（図示せず）とはゲートバルブ８０′を
介して結合されている。アンロードチャンバ３０′の入
口（図示せず）とトランスファチャンバ４０′の出口
（図示せず）とはゲートバルブ９０′を介して結合され
ている。また、プロセスチャンバ１０′にはモータ１０
０が取り付けられ、プロセスチャンバ１０′内の処理基
板を所定の水平方向に移動させることが可能である。
【０００８】次に、図４を参照して、プロセスチャンバ
１０′について説明する。プロセスチャンバ１０′の内
壁下面上にはレール１３が敷設されている。このレール
１３に沿ってステージ１４がスライド１５を介して所定
の水平方向（図面の左右方向）に沿って摺動可能に設け
られている。ステージ１４上にはピン１６を介して処理
基板１７が搭載されている。このステージ１４は、モー
タ１００にリードスクリュー１０１、ベローズ１０２お
よびロッド１０３を介して連結されている。すなわち、
モータ１００の回転が、リードスクリュー１０１とロッ
ド１０３の組み合わせによって、上記所定の水平方向の
直線運動に変換され、ステージ１４は所定の水平方向に
沿って摺動される。ベローズ１０２は、真空と大気とを
遮蔽するためのものである。また、プロセスチャンバ１
０′にはターボ分子ポンプ１８′が取り付けられてい
る。
１０′について説明する。プロセスチャンバ１０′の内
壁下面上にはレール１３が敷設されている。このレール
１３に沿ってステージ１４がスライド１５を介して所定
の水平方向（図面の左右方向）に沿って摺動可能に設け
られている。ステージ１４上にはピン１６を介して処理
基板１７が搭載されている。このステージ１４は、モー
タ１００にリードスクリュー１０１、ベローズ１０２お
よびロッド１０３を介して連結されている。すなわち、
モータ１００の回転が、リードスクリュー１０１とロッ
ド１０３の組み合わせによって、上記所定の水平方向の
直線運動に変換され、ステージ１４は所定の水平方向に
沿って摺動される。ベローズ１０２は、真空と大気とを
遮蔽するためのものである。また、プロセスチャンバ１
０′にはターボ分子ポンプ１８′が取り付けられてい
る。
【０００９】一方、レーザ装置５０（図３）から出射さ
れたレーザ光は、ホモジナイザ等の光学系６０によって
その断面形状が細長い形状にされた後、プロセスウィン
ドー１１を透過してプロセスチャンバ１０′内の処理基
板１７に照射される。
れたレーザ光は、ホモジナイザ等の光学系６０によって
その断面形状が細長い形状にされた後、プロセスウィン
ドー１１を透過してプロセスチャンバ１０′内の処理基
板１７に照射される。
【００１０】ところで、このレーザアニーリングによる
処理中に、上述したように処理基板１７は瞬間的に溶融
状態となる。そのため、処理基板１７の酸化を防止する
必要がある。そのため、プロセスチャンバ１０′内を、
酸化ができない雰囲気にする必要がある。酸化ができな
い雰囲気としては、プロセスチャンバ１０′を真空状態
にするとか、窒素ガス（Ｎ2 ）等の不活性ガスの雰囲気
にすれば良い。ここでは、内部が真空状態のチャンバを
真空チャンバと呼び、内部がＮ2 ガスで満たされた雰囲
気のチャンバをＮ2 チャンバと呼ぶことにする。
処理中に、上述したように処理基板１７は瞬間的に溶融
状態となる。そのため、処理基板１７の酸化を防止する
必要がある。そのため、プロセスチャンバ１０′内を、
酸化ができない雰囲気にする必要がある。酸化ができな
い雰囲気としては、プロセスチャンバ１０′を真空状態
にするとか、窒素ガス（Ｎ2 ）等の不活性ガスの雰囲気
にすれば良い。ここでは、内部が真空状態のチャンバを
真空チャンバと呼び、内部がＮ2 ガスで満たされた雰囲
気のチャンバをＮ2 チャンバと呼ぶことにする。
【００１１】プロセスチャンバ１０′を真空チャンバ又
はＮ2 チャンバとして使用するとき、生産性を高めるた
めに、ロードチャンバ２０′、アンロードチャンバ３
０′およびトランスファチャンバ４０′の内部もプロセ
スチャンバ１０′と同じ雰囲気にしなければならない。
はＮ2 チャンバとして使用するとき、生産性を高めるた
めに、ロードチャンバ２０′、アンロードチャンバ３
０′およびトランスファチャンバ４０′の内部もプロセ
スチャンバ１０′と同じ雰囲気にしなければならない。
【００１２】チャンバを真空チャンバとして使用するに
は、真空ポンプによりチャンバの内部を真空排気すれば
良い。また、チャンバをＮ2 チャンバとして使用する場
合でも、その内部を、一度、低真空ではある真空状態に
してからＮ2 ガスで充満させている。
は、真空ポンプによりチャンバの内部を真空排気すれば
良い。また、チャンバをＮ2 チャンバとして使用する場
合でも、その内部を、一度、低真空ではある真空状態に
してからＮ2 ガスで充満させている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のレーザアニーリング装置では、プロセスチャンバ１
０′、ロードチャンバ２０′、アンロードチャンバ３
０′およびトランスファチャンバ４０′の内部を真空状
態にしなければならず、真空ポンプ（ドライポンプ）１
２′、２２′、３２′および４２′が必須の構成要素で
ある。その結果、従来のレーザアニーリング装置は、高
価な装置となる欠点がある。また、チャンバ内を真空状
態にしたり、または、一度、真空状態にしてＮ2 雰囲気
にしなければならないので、そのチャンバ内を所定の雰
囲気にするために時間がかかり、生産性が向上しないと
いう欠点がある。更に、チャンバ内を真空状態にしなけ
ればならないので、その壁厚（肉厚）を厚くする必要が
ある。また、プロセスチャンバ１０′内を真空状態にし
なけばならないので、プロセスチャンバ１０′の他に、
ロードチャンバ２０′、アンロードチャンバ３０′およ
びトランスファチャンバ４０′をも必要とする。
のレーザアニーリング装置では、プロセスチャンバ１
０′、ロードチャンバ２０′、アンロードチャンバ３
０′およびトランスファチャンバ４０′の内部を真空状
態にしなければならず、真空ポンプ（ドライポンプ）１
２′、２２′、３２′および４２′が必須の構成要素で
ある。その結果、従来のレーザアニーリング装置は、高
価な装置となる欠点がある。また、チャンバ内を真空状
態にしたり、または、一度、真空状態にしてＮ2 雰囲気
にしなければならないので、そのチャンバ内を所定の雰
囲気にするために時間がかかり、生産性が向上しないと
いう欠点がある。更に、チャンバ内を真空状態にしなけ
ればならないので、その壁厚（肉厚）を厚くする必要が
ある。また、プロセスチャンバ１０′内を真空状態にし
なけばならないので、プロセスチャンバ１０′の他に、
ロードチャンバ２０′、アンロードチャンバ３０′およ
びトランスファチャンバ４０′をも必要とする。
【００１４】したがって、本発明の課題は、安価で生産
性を向上できるレーザアニーリング装置を提供すること
にある。
性を向上できるレーザアニーリング装置を提供すること
にある。
【００１５】本発明の他の課題は、プロセスチャンバ以
外のチャンバを廃止することができるレーザアニーリン
グ装置を提供することにある。
外のチャンバを廃止することができるレーザアニーリン
グ装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、プロセ
スチャンバ内を不活性ガスの雰囲気にするのに、プロセ
スチャンバ内を真空排気することなく、不活性ガスの充
填のみで行うことを特徴とするプロセスチャンバ内雰囲
気形成方法が得られる。
スチャンバ内を不活性ガスの雰囲気にするのに、プロセ
スチャンバ内を真空排気することなく、不活性ガスの充
填のみで行うことを特徴とするプロセスチャンバ内雰囲
気形成方法が得られる。
【００１７】上記プロセスチャンバ内雰囲気形成方法に
おいて、上記不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスを
使用することができる。その場合、窒素ガスのプロセス
チャンバ内の充填は、窒素ガスをプロセスチャンバの上
部から導入し、プロセスチャンバ内の空気をプロセスチ
ャンバの下部から排出することによって行うことが好ま
しい。また、プロセスチャンバ内の圧力を大気圧よりも
少し高くなるようにすることが好ましい。さらに、処理
基板をプロセスチャンバに対して搬送および搬出すると
きのみ、プロセスチャンバの出入口を簡易ゲートバルブ
で開いても良い。また、プロセスチャンバの出入口での
プロセスチャンバの内部雰囲気と外気との仕切りを、不
活性ガスのカーテン、または、イオン化した不活性ガス
のカーテンで行うことが好ましい。
おいて、上記不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスを
使用することができる。その場合、窒素ガスのプロセス
チャンバ内の充填は、窒素ガスをプロセスチャンバの上
部から導入し、プロセスチャンバ内の空気をプロセスチ
ャンバの下部から排出することによって行うことが好ま
しい。また、プロセスチャンバ内の圧力を大気圧よりも
少し高くなるようにすることが好ましい。さらに、処理
基板をプロセスチャンバに対して搬送および搬出すると
きのみ、プロセスチャンバの出入口を簡易ゲートバルブ
で開いても良い。また、プロセスチャンバの出入口での
プロセスチャンバの内部雰囲気と外気との仕切りを、不
活性ガスのカーテン、または、イオン化した不活性ガス
のカーテンで行うことが好ましい。
【００１８】また、本発明によれば、内部を不活性ガス
の雰囲気にする必要のあるプロセスチャンバにおいて、
プロセスチャンバ内を真空排気することなく、不活性ガ
スを前記プロセスチャンバに充填する充填手段を備えた
ことを特徴とするプロセスチャンバが得られる。
の雰囲気にする必要のあるプロセスチャンバにおいて、
プロセスチャンバ内を真空排気することなく、不活性ガ
スを前記プロセスチャンバに充填する充填手段を備えた
ことを特徴とするプロセスチャンバが得られる。
【００１９】上記プロセスチャンバにおいて、上記活性
ガスは、例えば、窒素ガスである。充填手段は、窒素ガ
スをプロセスチャンバの上部から導入する手段と、プロ
セスチャンバ内の空気をプロセスチャンバの下部から排
出する手段とから構成することが好ましい。また、充填
手段は、プロセスチャンバ内の圧力を大気圧よりも少し
高くなるよう設定する手段をさらに含むことが好まし
い。さらに、処理基板をプロセスチャンバに対して搬送
および搬出するときのみ、プロセスチャンバの出入口を
開くための簡易ゲートバルブをさらに備えることが望ま
しい。また、プロセスチャンバの出入口に不活性ガスの
カーテンまたはイオン化した不活性ガスのカーテンを形
成して、プロセスチャンバの内部雰囲気と外気とを仕切
る仕切り手段をさらに備えることが望ましい。
ガスは、例えば、窒素ガスである。充填手段は、窒素ガ
スをプロセスチャンバの上部から導入する手段と、プロ
セスチャンバ内の空気をプロセスチャンバの下部から排
出する手段とから構成することが好ましい。また、充填
手段は、プロセスチャンバ内の圧力を大気圧よりも少し
高くなるよう設定する手段をさらに含むことが好まし
い。さらに、処理基板をプロセスチャンバに対して搬送
および搬出するときのみ、プロセスチャンバの出入口を
開くための簡易ゲートバルブをさらに備えることが望ま
しい。また、プロセスチャンバの出入口に不活性ガスの
カーテンまたはイオン化した不活性ガスのカーテンを形
成して、プロセスチャンバの内部雰囲気と外気とを仕切
る仕切り手段をさらに備えることが望ましい。
【００２０】更に、本発明によれば、内部が不活性ガス
の雰囲気にされるプロセスチャンバと、プロセスチャン
バ内の処理基板にレーザ光を照射するレーザ装置と、処
理基板をプロセスチャンバへ搬入するためのローダと、
プロセスチャンバ内の処理基板を搬出するためのアンロ
ーダと、プロセスチャンバ、ローダおよびアンローダの
相互間で処理基板を移送するためのロボットとを備えた
レーザアニーリング装置において、プロセスチャンバ内
を真空排気することなく、不活性ガスをプロセスチャン
バに充填する充填手段を備えたことを特徴とするレーザ
アニーリング装置が得られる。
の雰囲気にされるプロセスチャンバと、プロセスチャン
バ内の処理基板にレーザ光を照射するレーザ装置と、処
理基板をプロセスチャンバへ搬入するためのローダと、
プロセスチャンバ内の処理基板を搬出するためのアンロ
ーダと、プロセスチャンバ、ローダおよびアンローダの
相互間で処理基板を移送するためのロボットとを備えた
レーザアニーリング装置において、プロセスチャンバ内
を真空排気することなく、不活性ガスをプロセスチャン
バに充填する充填手段を備えたことを特徴とするレーザ
アニーリング装置が得られる。
【００２１】上記レーザアニーリング装置において、上
記不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。充填手段
は、窒素ガスをプロセスチャンバの上部から導入する手
段と、プロセスチャンバ内の空気をプロセスチャンバの
下部から排出する手段とから構成することが好ましい。
充填手段は、プロセスチャンバ内の圧力を大気圧よりも
少し高くなるよう設定する手段をさらに含むことが好ま
しい。プロセスチャンバの出入口で、プロセスチャンバ
の内部雰囲気と外気とを仕切る仕切り手段を更に有する
ことが好ましい。この仕切り手段としては、処理基板を
プロセスチャンバに対して搬送および搬出するときの
み、プロセスチャンバの出入口を開くための簡易ゲート
バルブでも良いし、プロセスチャンバの出入口に不活性
ガスのカーテンまたはイオン化した不活性ガスのカーテ
ンを形成する手段であっても良い。処理基板をプロセス
チャンバに搬入する前に、処理基板上に付着したゴミを
除去するゴミ除去手段を更に含むことが望ましい。その
ようなゴミ除去手段としては、例えば、ローダの出口で
不活性ガスのカーテンを形成して処理基板上のゴミを吹
き飛ばす手段を用いることができる。処理基板をプロセ
スチャンバに搬入する前に、処理基板の静電気を除去す
る静電気除去手段を更に含むことが望ましい。そのよう
な静電気除去手段としては、例えば、ローダの入口でイ
オン化した不活性ガスのカーテンを形成する手段を用い
ることができる。
記不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。充填手段
は、窒素ガスをプロセスチャンバの上部から導入する手
段と、プロセスチャンバ内の空気をプロセスチャンバの
下部から排出する手段とから構成することが好ましい。
充填手段は、プロセスチャンバ内の圧力を大気圧よりも
少し高くなるよう設定する手段をさらに含むことが好ま
しい。プロセスチャンバの出入口で、プロセスチャンバ
の内部雰囲気と外気とを仕切る仕切り手段を更に有する
ことが好ましい。この仕切り手段としては、処理基板を
プロセスチャンバに対して搬送および搬出するときの
み、プロセスチャンバの出入口を開くための簡易ゲート
バルブでも良いし、プロセスチャンバの出入口に不活性
ガスのカーテンまたはイオン化した不活性ガスのカーテ
ンを形成する手段であっても良い。処理基板をプロセス
チャンバに搬入する前に、処理基板上に付着したゴミを
除去するゴミ除去手段を更に含むことが望ましい。その
ようなゴミ除去手段としては、例えば、ローダの出口で
不活性ガスのカーテンを形成して処理基板上のゴミを吹
き飛ばす手段を用いることができる。処理基板をプロセ
スチャンバに搬入する前に、処理基板の静電気を除去す
る静電気除去手段を更に含むことが望ましい。そのよう
な静電気除去手段としては、例えば、ローダの入口でイ
オン化した不活性ガスのカーテンを形成する手段を用い
ることができる。
【００２２】
【作用】本発明では、プロセスチャンバ内を不活性ガス
の雰囲気にするのに、プロセスチャンバ内を真空排気す
ることなく、不活性ガスの充填のみで行っている。その
ため、従来必要であった真空ポンプを廃止することがで
きる。また、内部を真空状態にする必要がないので、プ
ロセスチャンバの壁厚（肉厚）を薄くすることができ
る。さらに、プロセスチャンバ内を真空状態にする必要
がないので、プロセスチャンバ以外のチャンバを廃止す
ることができる。
の雰囲気にするのに、プロセスチャンバ内を真空排気す
ることなく、不活性ガスの充填のみで行っている。その
ため、従来必要であった真空ポンプを廃止することがで
きる。また、内部を真空状態にする必要がないので、プ
ロセスチャンバの壁厚（肉厚）を薄くすることができ
る。さらに、プロセスチャンバ内を真空状態にする必要
がないので、プロセスチャンバ以外のチャンバを廃止す
ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２４】図１を参照すると、本発明の一実施の形態
に係るレーザアニーリング装置は、内部が不活性ガスの
雰囲気にされるプロセスチャンバ１０と、このプロセス
チャンバ１０内の処理基板（後述する）にレーザ光を照
射するレーザ装置５０と、処理基板をプロセスチャンバ
１０へ搬入するためのローダ２１と、プロセスチャンバ
１０内の処理基板を搬出するためのアンローダ３１と、
プロセスチャンバ１０、ローダ２１およびアンローダ３
１の相互間で処理基板を移送するためのロボット４１と
を備えている。
に係るレーザアニーリング装置は、内部が不活性ガスの
雰囲気にされるプロセスチャンバ１０と、このプロセス
チャンバ１０内の処理基板（後述する）にレーザ光を照
射するレーザ装置５０と、処理基板をプロセスチャンバ
１０へ搬入するためのローダ２１と、プロセスチャンバ
１０内の処理基板を搬出するためのアンローダ３１と、
プロセスチャンバ１０、ローダ２１およびアンローダ３
１の相互間で処理基板を移送するためのロボット４１と
を備えている。
【００２５】本実施の形態のレーザアニーリング装置
は、後述するように、プロセスチャンバ１０内を真空排
気することなく、不活性ガスをプロセスチャンバ１０に
充填する充填手段を備えている。図示の例では、不活性
ガスとして窒素（Ｎ2 ）ガスを使用しているが、他の不
活性ガスを使用しても良い。
は、後述するように、プロセスチャンバ１０内を真空排
気することなく、不活性ガスをプロセスチャンバ１０に
充填する充填手段を備えている。図示の例では、不活性
ガスとして窒素（Ｎ2 ）ガスを使用しているが、他の不
活性ガスを使用しても良い。
【００２６】このようにプロセスチャンバ１０内を真空
状態にしないので、図３に図示しているような、従来必
要であったロードチャンバ２０′、アンロードチャンバ
３０′およびトランスファチャンバ４０′を廃止するこ
とができる。このようにオープン型としたので、これら
チャンバ２０′、３０′、４０′の代わりに、ローダ２
１、アンローダ３１およびロボット４１の上方にＨＥＰ
Ａフィルタ（図示せず）を設け、ローダ２１、アンロー
ダ３１およびロボット４１上を搬送する際に、処理基板
上にゴミが載らないようにしている。
状態にしないので、図３に図示しているような、従来必
要であったロードチャンバ２０′、アンロードチャンバ
３０′およびトランスファチャンバ４０′を廃止するこ
とができる。このようにオープン型としたので、これら
チャンバ２０′、３０′、４０′の代わりに、ローダ２
１、アンローダ３１およびロボット４１の上方にＨＥＰ
Ａフィルタ（図示せず）を設け、ローダ２１、アンロー
ダ３１およびロボット４１上を搬送する際に、処理基板
上にゴミが載らないようにしている。
【００２７】また、プロセスチャンバ１０内を真空状態
にしないので、図３に図示しているような、ドライポン
プ１２′、２２′、３２′、３２′を廃止することがで
きる。ドライポンプ１２′の代わりに調整弁１２を設け
ている。また、真空と大気との圧力差に耐えるような頑
丈なゲートバルブ７０′、８０′、９０′をも廃止する
ことができる。このゲートバルブ７０′の代わりに、単
に開閉するだけの機能を持つ簡易ゲートバルブ７０をプ
ロセスチャンバ１０の出入口に設けている。この簡易ゲ
ートバルブ７０は、処理基板をプロセスチャンバ１０に
対して搬送および搬出するときのみ、プロセスチャンバ
１０の出入口を開くためのものである。すなわち、簡易
ゲートバルブ７０は、プロセスチャンバ１０の出入口
で、プロセスチャンバ１０の内部雰囲気と外気とを仕切
る仕切り手段として働く。
にしないので、図３に図示しているような、ドライポン
プ１２′、２２′、３２′、３２′を廃止することがで
きる。ドライポンプ１２′の代わりに調整弁１２を設け
ている。また、真空と大気との圧力差に耐えるような頑
丈なゲートバルブ７０′、８０′、９０′をも廃止する
ことができる。このゲートバルブ７０′の代わりに、単
に開閉するだけの機能を持つ簡易ゲートバルブ７０をプ
ロセスチャンバ１０の出入口に設けている。この簡易ゲ
ートバルブ７０は、処理基板をプロセスチャンバ１０に
対して搬送および搬出するときのみ、プロセスチャンバ
１０の出入口を開くためのものである。すなわち、簡易
ゲートバルブ７０は、プロセスチャンバ１０の出入口
で、プロセスチャンバ１０の内部雰囲気と外気とを仕切
る仕切り手段として働く。
【００２８】また、レーザアニーリング装置は、プロセ
スチャンバ１０の出入口で窒素ガスをイオン化したＮ2
+ のカーテンを形成するイオナイザ１１０を含む。この
イオナイザ１１０も、プロセスチャンバ１０の出入口
で、プロセスチャンバ１０の内部雰囲気と外気とを仕切
る仕切り手段として働く。なお、このイオナイザ１１０
は、後述するようなＮ2 ブローで生じた静電気を処理基
板から除去する役目をも果たす。
スチャンバ１０の出入口で窒素ガスをイオン化したＮ2
+ のカーテンを形成するイオナイザ１１０を含む。この
イオナイザ１１０も、プロセスチャンバ１０の出入口
で、プロセスチャンバ１０の内部雰囲気と外気とを仕切
る仕切り手段として働く。なお、このイオナイザ１１０
は、後述するようなＮ2 ブローで生じた静電気を処理基
板から除去する役目をも果たす。
【００２９】さらに、レーザアニーリング装置は、ロー
ダ２１の出口および入口にそれぞれＮ2 ブロー生成器１
２０およびイオナイザ１３０を備えている。Ｎ2 ブロー
生成器１２０は、ローダ２１の出口でＮ2 ブロー（カー
テン）を形成して処理基板上のゴミを吹き飛ばす。すな
わち、Ｎ2 ブロー生成器１２０は、処理基板をプロセス
チャンバ１０に搬入する前に、処理基板上に付着したゴ
ミを除去するゴミ除去手段として働く。イオナイザ１３
０はローダ２１の入口でＮ2 ガスをイオン化したＮ2 +
のカーテンを形成するものである。このイオナイザ１３
０は処理基板をプロセスチャンバ１０に搬入する前に、
処理基板の静電気を除去する静電気除去手段として働
く。
ダ２１の出口および入口にそれぞれＮ2 ブロー生成器１
２０およびイオナイザ１３０を備えている。Ｎ2 ブロー
生成器１２０は、ローダ２１の出口でＮ2 ブロー（カー
テン）を形成して処理基板上のゴミを吹き飛ばす。すな
わち、Ｎ2 ブロー生成器１２０は、処理基板をプロセス
チャンバ１０に搬入する前に、処理基板上に付着したゴ
ミを除去するゴミ除去手段として働く。イオナイザ１３
０はローダ２１の入口でＮ2 ガスをイオン化したＮ2 +
のカーテンを形成するものである。このイオナイザ１３
０は処理基板をプロセスチャンバ１０に搬入する前に、
処理基板の静電気を除去する静電気除去手段として働
く。
【００３０】図２を参照して、本発明に係るプロセスチ
ャンバ１０について説明する。図２において、（Ａ）は
横断面図、（Ｂ）は縦断面図である。上述したように、
プロセスチャンバ１０はその内部を真空状態にされな
い。したがって、プロセスチャンバ１０の壁厚（肉厚）
を、従来のプロセスチャンバ１０′（図４）より薄くす
ることができる。
ャンバ１０について説明する。図２において、（Ａ）は
横断面図、（Ｂ）は縦断面図である。上述したように、
プロセスチャンバ１０はその内部を真空状態にされな
い。したがって、プロセスチャンバ１０の壁厚（肉厚）
を、従来のプロセスチャンバ１０′（図４）より薄くす
ることができる。
【００３１】プロセスチャンバ１０は、その上部にＮ2
ガスを供給するための供給口１０ａと、その下部にプロ
セスチャンバ１０内の空気を排出するための排出口１０
ｂをを備えている。供給口１０ａはＮ2 ガスを発生する
Ｎ2 ガス発生源（図示せず）に接続されている。すなわ
ち、Ｎ2 ガス発生源と供給口１０ａとの組み合わせはＮ
2 ガスをプロセスチャンバ１０の上部から導入する導入
手段として働き、排出口１０ｂはプロセスチャンバ１０
内の空気をプロセスチャンバ１０の下部から排出する排
出手段として働く。こられら導入手段と排出手段との組
み合わせは、プロセスチャンバ１０内を真空排気するこ
となく、Ｎ2 ガスをプロセスチャンバ１０に充填する充
填手段として働く。
ガスを供給するための供給口１０ａと、その下部にプロ
セスチャンバ１０内の空気を排出するための排出口１０
ｂをを備えている。供給口１０ａはＮ2 ガスを発生する
Ｎ2 ガス発生源（図示せず）に接続されている。すなわ
ち、Ｎ2 ガス発生源と供給口１０ａとの組み合わせはＮ
2 ガスをプロセスチャンバ１０の上部から導入する導入
手段として働き、排出口１０ｂはプロセスチャンバ１０
内の空気をプロセスチャンバ１０の下部から排出する排
出手段として働く。こられら導入手段と排出手段との組
み合わせは、プロセスチャンバ１０内を真空排気するこ
となく、Ｎ2 ガスをプロセスチャンバ１０に充填する充
填手段として働く。
【００３２】また、上記調整弁１２は排出口１０ｂの近
傍に設けられている。調整弁１２の下流側には酸素（Ｏ
2 ）ガスの濃度を計測するためのＯ2 濃度計（図示せ
ず）が設けられている。周知のように、窒素（Ｎ2 ）ガ
スよりも酸素（Ｏ2 ）ガスの方が軽い。したがって、供
給口１０ａからＮ2 ガスがプロセスチャンバ１０内に供
給されると、プロセスチャンバ１０内にもともと存在し
ていた空気の成分であるＯ2 ガスは徐々にプロセスチャ
ンバ１０の下部へ移り、最後にはほとんどのＯ2ガスは
排出口１０ｂからプロセスチャンバ１０の外部へ排出さ
れる。このＯ2 濃度計により酸素濃度がｐｐｍのオーダ
になった時点で、調整弁１２は閉じられる。これによ
り、プロセスチャンバ１０内の雰囲気をＮ2 ガスで充満
することができる。なお、調整弁１２によりプロセスチ
ャンバ１０内の圧力が大気圧よりも少し高くなように調
整する。すなわち、調整弁１２は、プロセスチャンバ１
０内の圧力を大気圧よりも少し高くなるよう設定する手
段として働く。
傍に設けられている。調整弁１２の下流側には酸素（Ｏ
2 ）ガスの濃度を計測するためのＯ2 濃度計（図示せ
ず）が設けられている。周知のように、窒素（Ｎ2 ）ガ
スよりも酸素（Ｏ2 ）ガスの方が軽い。したがって、供
給口１０ａからＮ2 ガスがプロセスチャンバ１０内に供
給されると、プロセスチャンバ１０内にもともと存在し
ていた空気の成分であるＯ2 ガスは徐々にプロセスチャ
ンバ１０の下部へ移り、最後にはほとんどのＯ2ガスは
排出口１０ｂからプロセスチャンバ１０の外部へ排出さ
れる。このＯ2 濃度計により酸素濃度がｐｐｍのオーダ
になった時点で、調整弁１２は閉じられる。これによ
り、プロセスチャンバ１０内の雰囲気をＮ2 ガスで充満
することができる。なお、調整弁１２によりプロセスチ
ャンバ１０内の圧力が大気圧よりも少し高くなように調
整する。すなわち、調整弁１２は、プロセスチャンバ１
０内の圧力を大気圧よりも少し高くなるよう設定する手
段として働く。
【００３３】次に、図１および図２を参照して、レーザ
アニーリング装置の動作について説明する。
アニーリング装置の動作について説明する。
【００３４】まず、プロセスチャンバ１０内の雰囲気を
空気からＮ2 ガスに置換する。このため、プロセスチャ
ンバ１０の上部から供給口１０ａよりＮ2 ガスを導入す
る。そして、プロセスチャンバ１０の下部から排出口１
０ｂより内部を空気を排出する。このとき、調整弁１２
によって、Ｎ2 ガスの導入量と空気の排気量を、プロセ
スチャンバ１０内の圧力が大気圧よりも少し高くなるよ
うに調整弁１２の開度を調整する。Ｏ2 濃度計により計
測された酸素濃度が所定の濃度以下になったときに、調
整弁１２を閉じる。これにより、プロセスチャンバ１０
内はＮ2 ガスで充満され、プロセスチャンバ１０内には
ほとんどＯ2 ガスがない状態となっている。
空気からＮ2 ガスに置換する。このため、プロセスチャ
ンバ１０の上部から供給口１０ａよりＮ2 ガスを導入す
る。そして、プロセスチャンバ１０の下部から排出口１
０ｂより内部を空気を排出する。このとき、調整弁１２
によって、Ｎ2 ガスの導入量と空気の排気量を、プロセ
スチャンバ１０内の圧力が大気圧よりも少し高くなるよ
うに調整弁１２の開度を調整する。Ｏ2 濃度計により計
測された酸素濃度が所定の濃度以下になったときに、調
整弁１２を閉じる。これにより、プロセスチャンバ１０
内はＮ2 ガスで充満され、プロセスチャンバ１０内には
ほとんどＯ2 ガスがない状態となっている。
【００３５】この状態において、ローダ２１に処理基板
（以下、単に基板と呼ぶ）１７が挿入される。このと
き、基板１７がイオナイザ１３０の下を通過するので、
Ｎ2 +によって基板１７の静電気が除去される。ローダ
２１内で基板外形を使って基板１７が定位置に来るよう
にアライメントされる。
（以下、単に基板と呼ぶ）１７が挿入される。このと
き、基板１７がイオナイザ１３０の下を通過するので、
Ｎ2 +によって基板１７の静電気が除去される。ローダ
２１内で基板外形を使って基板１７が定位置に来るよう
にアライメントされる。
【００３６】次に、簡易ゲートバルブ７０が開き、ロボ
ット４１により基板１７がローダ２１からプロセスチャ
ンバ１０に搬送され、簡易ゲートバルブ７０が閉じる。
基板１７がローダ２１から搬出されるとき、基板１７は
Ｎ2 ブロー生成器１２０によるＮ2 ブロー（カーテン）
の下を通過する。この時、基板１７上のゴミが吹き飛ば
される。また、基板１７がプロセスチャンバ１０に搬入
されるとき、再度、イオナイザ１１０により、Ｎ2 + に
よって基板１７はＮ2 ブローで生じた静電気が除去され
る。とにかく、このようにして基板１７上のゴミが除去
される。
ット４１により基板１７がローダ２１からプロセスチャ
ンバ１０に搬送され、簡易ゲートバルブ７０が閉じる。
基板１７がローダ２１から搬出されるとき、基板１７は
Ｎ2 ブロー生成器１２０によるＮ2 ブロー（カーテン）
の下を通過する。この時、基板１７上のゴミが吹き飛ば
される。また、基板１７がプロセスチャンバ１０に搬入
されるとき、再度、イオナイザ１１０により、Ｎ2 + に
よって基板１７はＮ2 ブローで生じた静電気が除去され
る。とにかく、このようにして基板１７上のゴミが除去
される。
【００３７】次に、プロセスチャンバ１０内で基板１７
は、レーザ装置５０から出射されたレーザ光を照射する
ことにより、アニールされる。
は、レーザ装置５０から出射されたレーザ光を照射する
ことにより、アニールされる。
【００３８】このアニーリングが終了すると、簡易ゲー
トバルブ７０が開き、ロボット４１により基板１７がプ
ロセスチャンバ１０からアンローダ３１に搬送され、簡
易ゲートバルブ７０が閉じる。アンローダ３１上で基板
外形を使って、基板１７が定位置に来るようにアライメ
ントされる。そして、アンローダ３１から基板１７が搬
出される。
トバルブ７０が開き、ロボット４１により基板１７がプ
ロセスチャンバ１０からアンローダ３１に搬送され、簡
易ゲートバルブ７０が閉じる。アンローダ３１上で基板
外形を使って、基板１７が定位置に来るようにアライメ
ントされる。そして、アンローダ３１から基板１７が搬
出される。
【００３９】このような構成により、本実施の形態に係
るレーザアニーリング装置は次のような効果を奏する。
真空ポンプが不要となる。プロセスチャンバ１０の肉厚
を薄くできる。ローダ２１、アンローダ３１およびロボ
ット４１をチャンバで覆わなくて良い。真空と大気遮蔽
用のベローズがなくなる。各装置のメンテナンスが容易
となる。真空引き、Ｎ2 ガス充填の時間が不要となるの
で、その分、生産性を向上できる。したがって、安価な
レーザアニーリング装置を提供することができる。
るレーザアニーリング装置は次のような効果を奏する。
真空ポンプが不要となる。プロセスチャンバ１０の肉厚
を薄くできる。ローダ２１、アンローダ３１およびロボ
ット４１をチャンバで覆わなくて良い。真空と大気遮蔽
用のベローズがなくなる。各装置のメンテナンスが容易
となる。真空引き、Ｎ2 ガス充填の時間が不要となるの
で、その分、生産性を向上できる。したがって、安価な
レーザアニーリング装置を提供することができる。
【００４０】本発明は上述した実施の形態に限定され
ず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更・変
形が可能である。例えば、上記実施の形態では、プロセ
スチャンバ１０の出入口にイオナイザ１００を設けてい
るが、その代わりにＮ2 ブロー生成器を設けてもよい。
不活性ガスは窒素ガスに限定されない。ゴミ除去手段や
静電気除去手段は上述した実施の形態のものに限定され
ない。
ず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更・変
形が可能である。例えば、上記実施の形態では、プロセ
スチャンバ１０の出入口にイオナイザ１００を設けてい
るが、その代わりにＮ2 ブロー生成器を設けてもよい。
不活性ガスは窒素ガスに限定されない。ゴミ除去手段や
静電気除去手段は上述した実施の形態のものに限定され
ない。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、プロセス
チャンバ内を真空排気することなく、不活性ガスをプロ
セスチャンバに充填しているので、全てのチャンバに取
り付けられているた真空ポンプを廃止することができ
る。また、真空状態にする必要がなくなるので、プロセ
スチャンバの肉厚を薄くすることができる。プロセスチ
ャンバ以外のチャンバを不要にできる。真空状態にした
り、一度、真空状態にしてＮ2 ガス雰囲気にする手間が
なくなので、生産性を向上できる。
チャンバ内を真空排気することなく、不活性ガスをプロ
セスチャンバに充填しているので、全てのチャンバに取
り付けられているた真空ポンプを廃止することができ
る。また、真空状態にする必要がなくなるので、プロセ
スチャンバの肉厚を薄くすることができる。プロセスチ
ャンバ以外のチャンバを不要にできる。真空状態にした
り、一度、真空状態にしてＮ2 ガス雰囲気にする手間が
なくなので、生産性を向上できる。
【図１】本発明の一実施の形態によるレーザアニーリン
グ装置を示す概略平面図である。
グ装置を示す概略平面図である。
【図２】図１に示したレーザアニーリング装置に使用さ
れるプロセスチャンバを示す図で、（Ａ）は横断面図、
（Ｂ）は縦断面である。
れるプロセスチャンバを示す図で、（Ａ）は横断面図、
（Ｂ）は縦断面である。
【図３】従来のレーザアニーリング装置を示す概略平面
図である。
図である。
【図４】図３に示したレーザアニーリング装置に使用さ
れるプロセスチャンバを示す横断面図である。
れるプロセスチャンバを示す横断面図である。
１０ プロセスチャンバ １０ａ 供給口 １０ｂ 排出口 １２ 調整弁 １７ 基板 ２１ ローダ ３１ アンローダ ４１ ロボット ５０ レーザ装置 ６０ 光学系 ７０ 簡易ゲートバルブ １１０ イオナイザ １２０ Ｎ2 ブロー（カーテン）生成器 １３０ イオナイザ
Claims (4)
- 【請求項１】 内部が不活性ガスの雰囲気にされるプロ
セスチャンバと、該プロセスチャンバ内の処理基板にレ
ーザ光を照射するレーザ装置と、前記処理基板を前記プ
ロセスチャンバへ搬入するためのローダと、前記プロセ
スチャンバ内の前記処理基板を搬出するためのアンロー
ダと、前記プロセスチャンバ、前記ローダおよび前記ア
ンローダの相互間で前記処理基板を移送するためのロボ
ットとを備えたレーザアニーリング装置において、 前記プロセスチャンバ内を真空排気することなく、前記
不活性ガスを前記プロセスチャンバに充填する充填手段
を備えたことを特徴とするレーザアニーリング装置。 - 【請求項２】 前記不活性ガスが窒素ガスであることを
特徴とする請求項１に記載のレーザアニーリング装置。 - 【請求項３】 前記充填手段は、前記不活性ガスを前記
プロセスチャンバの上部から導入する手段と、前記プロ
セスチャンバ内の空気を前記プロセスチャンバの下部か
ら排出する手段とを有することを特徴とする請求項１に
記載のレーザアニーリング装置。 - 【請求項４】 前記プロセスチャンバの出入口でイオン
化した不活性ガスのカーテンを有することを特徴とする
請求項１に記載のレーザアニーリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11703897A JP3175002B2 (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | レーザアニーリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11703897A JP3175002B2 (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | レーザアニーリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308357A true JPH10308357A (ja) | 1998-11-17 |
| JP3175002B2 JP3175002B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=14701907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11703897A Expired - Fee Related JP3175002B2 (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | レーザアニーリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175002B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436478B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2004-06-22 | 동부전자 주식회사 | 스핀 방식의 웨이퍼 세정장치 |
| WO2011129282A1 (ja) * | 2010-04-12 | 2011-10-20 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置 |
| JP2011222838A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ処理装置 |
| JP2012222139A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-12 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ処理装置 |
| US8420512B2 (en) | 2008-12-11 | 2013-04-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR20200050259A (ko) * | 2018-11-01 | 2020-05-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
1997
- 1997-05-07 JP JP11703897A patent/JP3175002B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436478B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2004-06-22 | 동부전자 주식회사 | 스핀 방식의 웨이퍼 세정장치 |
| US8420512B2 (en) | 2008-12-11 | 2013-04-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2011129282A1 (ja) * | 2010-04-12 | 2011-10-20 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置 |
| JP2011222838A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ処理装置 |
| JP2012222139A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-12 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ処理装置 |
| KR20200050259A (ko) * | 2018-11-01 | 2020-05-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3175002B2 (ja) | 2001-06-11 |
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