JP2001267264A

JP2001267264A - 熱処理装置および熱処理方法

Info

Publication number: JP2001267264A
Application number: JP2000079481A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Horiuchi; 淳堀内; Hajime Ugajin; 肇宇賀神
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-03-22
Filing date: 2000-03-22
Publication date: 2001-09-28

Abstract

(57)【要約】【課題】熱処理炉内の雰囲気の置換性や制御性を損な
うことなく、熱処理における基板の面内温度分布の均一
性の向上を図る。【解決手段】石英チャンバー２の側部に、常温より高
温の不活性ガスを導入するための第１の導入管７およ
び、常温の不活性ガスを石英チャンバー２内に導入する
ための第２の導入管８を、それぞれ第１のガス導入孔７
ａおよび第２のガス導入孔８ａの部分で接続して設け
る。ハロゲンランプ３、４から放射光を照射してウェー
ハ１を加熱する際に、あらかじめ加熱された常温より高
温の不活性ガスを、第１の気体導入管８および第１の気
体導入孔８ａを通じて石英チャンバー２内に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、熱処理装置に関
し、特に、高温において急速熱処理を行う際に用いられ
るランプ加熱装置に適用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスにおける素子の微細化に
伴い、サーマルバジェットを低減させるために、高温で
短時間の熱処理を行うランプ加熱装置が用いられてきて
いる。

【０００３】このようなランプ加熱装置の従来技術によ
るものを以下に具体的に説明する。図４に従来技術によ
る枚葉式ランプ加熱装置を示す。図４Ａは、この枚葉式
ランプ加熱装置の横断面を示し、図４Ｂはその上面図を
示す。

【０００４】図４Ａおよび図４Ｂに示すように、従来の
枚葉式ランプ加熱装置は、ウェーハ１０１を載置するた
めの石英からなるサセプタ１０２ａが設けられた石英チ
ャンバー１０２を有し、この石英チャンバー１０２の上
方および下方にそれぞれハロゲンランプ１０３、１０４
が設けられている。石英チャンバー１０２の一方の側部
には、フランジを兼用した開閉可能なウェーハ搬送用ド
ア１０５が設けられており、その下部にガス排気管１０
６が設けられている。また、石英チャンバー１０２の他
方の側部には、所定のガスを導入するためのガス導入孔
１０７ａが設けられており、このガス導入孔１０７ａに
ガス導入管１０７が接続されている。

【０００５】このランプ加熱装置を用いて、ウェーハ１
０１を加熱する場合には、まず、ウェーハ１０１を石英
チャンバー１０２の内部に搬送し、サセプタ１０２ａ上
に載置する。その後、上方のハロゲンランプ１０３と下
方のハロゲンバルブ１０４とからの放射光をウェーハ１
０１に照射することにより、加熱を行う。

【０００６】上述の枚葉式ランプ加熱装置の主な特徴と
しては、石英チャンバー１０２がコールドウォールであ
る点、石英チャンバー１０２の容積が小さい点などが挙
げられる。これらの点により、バッチ式の拡散炉のよう
に酸素を巻き込むことがないので、石英チャンバー１０
２内の置換性および制御性が非常に優れているという利
点を有する。例えば、窒素（Ｎ_２）アニールを行う場
合、石英チャンバー１０２の内部のＯ_２ガスは、数１０
秒間のＮ_２パージを行うことによって１ｐｐｍ以下に制
御することが可能である。そのため、ランプ加熱装置
は、チタン（Ｔｉ）やコバルト（Ｃｏ）などの酸素フリ
ーのアニールプロセスに用いられる。

【０００７】ところで、図４に示すように、石英チャン
バー１０２の内部の雰囲気ガスは、ガス導入管１０７お
よびガス導入孔１０７ａを順次通じて石英チャンバー１
０２内に供給される。この雰囲気ガスの流量は、パージ
中およびクーリング中において、１０〜３０ｌ／ｍｉｎ
であり、加熱処理中において、２〜５ｌ／ｍｉｎであ
る。なお、図４中に示す矢印は、石英チャンバー１０２
の内部においてＮ_２ガスの流れる向きを示す。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
枚葉式ランプ加熱装置には次のような問題があった。す
なわち、ウェーハ１０１の加熱処理においては、コール
ドウォールの石英チャンバー１０２内に室温以下の温度
の不活性ガスを流している。これにより、ウェーハ１０
１の加熱処理に影響を与える場合がある。

【０００９】具体的に、例えば、表面にＣｏが成膜され
たウェーハ１０１に対して、上述の従来のランプ加熱装
置を用いて５００℃の温度で３０秒間、加熱処理を行っ
た後、そのシート抵抗分布を測定した場合を考える。こ
の加熱処理後のシート抵抗分布を図５に示す。なお、図
５において、矢印は不活性ガスの流れる方向であり、そ
の上流にガス導入孔１０７ａが設けられている。また、
＋が記された領域はシート抵抗の高い領域、−が記され
た領域はシート抵抗の低い領域を示す。

【００１０】図５から、Ｃｏが成膜されたウェーハ１０
１において、ガス導入孔１０７ａに近いほどシート抵抗
の値が高くなっており、さらにシート抵抗の変化も急峻
であることがわかる。そして、ウェーハ１０１表面のシ
ート抵抗に不均一性が生じていることがわかる。

【００１１】この点に関する本発明者の知見によれば、
シート抵抗の高い領域がウェーハ１０１の温度の低い領
域、シート抵抗の低い領域がウェーハ１０１の温度の高
い領域であることから、図５に示すシート抵抗の不均一
性は、石英チャンバー１０２の内部に導入される雰囲気
ガスにより、ウェーハ１０１が冷却され、ウェーハ１０
１面内において温度差が生じてしまうことが原因の一つ
である。

【００１２】そこで、この温度差を解消し、温度分布の
劣化を補正するために、加熱用ランプの強度分布を変え
る方法や、加熱中にウェーハ１０１を回転させる方法が
提案されている。

【００１３】しかしながら、加熱用ランプの強度分布を
変える方法においては、加熱用ランプの強度分布を、温
度別、ガス流量別に変える必要が生じる。また、加熱中
にウェーハ１０１を回転させる方法においては、温度分
布の均一性を確保することができる反面、石英チャンバ
ー１０２内に回転機構を設ける必要が生じ、その内部の
構造が複雑になってしまう。この内部構造の複雑化によ
り、枚葉式ランプ加熱装置の利点である、石英チャンバ
ー１０２内の雰囲気の置換性や制御性を損なうことにな
ってしまう。

【００１４】そのため、石英チャンバー１０２などの熱
処理炉を有する熱処理装置において、その内部の雰囲気
の置換性や制御性を損なうことなく、ウェーハ１０１な
どの基板表面の温度分布の均一性を向上することができ
る技術の開発が望まれている。

【００１５】したがって、この発明の目的は、複雑な機
構を用いることなく、熱処理炉内の雰囲気の置換性や制
御性を損なわずに、基板における温度分布の均一性を向
上させることができる熱処理装置および熱処理方法を提
供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、基板の熱処理を行う熱処
理炉と、熱処理炉内にガスを供給するガス導入孔とを有
する熱処理装置において、第１のガス導入孔を通じて、
室温より高温のガスを熱処理炉内に供給可能に構成され
ていることを特徴とするものである。

【００１７】この第１の発明において、典型的には、熱
処理炉の外側に、基板を加熱するための加熱用ランプが
設けられている。また、この第１の発明において、典型
的には、加熱用ランプはハロゲンランプであるが、アー
クランプを用いることも可能であり、必要に応じて、キ
セノンフラッシュランプを用いることも可能である。

【００１８】この第１の発明において、加熱時における
基板の温度分布の均一性を向上させるために、典型的に
は、室温より高温のガスの温度は、基板の熱処理温度と
ほぼ等しい温度である。

【００１９】この第１の発明において、典型的には、熱
処理装置は、熱処理炉内にガスを導入する第２のガス導
入孔をさらに有し、第２のガス導入孔を通じて室温のガ
スを熱処理炉内に供給可能に構成されている。

【００２０】この第１の発明において、典型的には、熱
処理装置は、熱処理炉内に供給されるガスを５００℃以
上１１００℃以下の温度に加熱可能に構成されるガス加
熱手段を有する。

【００２１】この第１の発明において、典型的には、熱
処理装置は、室温より高温のガスを、その流量が５リッ
トル／分以上になるように熱処理炉内に供給可能に構成
されている。

【００２２】この第１の発明において、典型的には、熱
処理装置は、第１のガス導入孔に接続されているガス導
入管の内部にガスを流しつつ、このガス導入管の部分を
加熱することにより、室温より高温のガスを熱処理炉内
に供給可能に構成されている。

【００２３】この第１の発明において、典型的には、熱
処理装置は、第１のガス導入孔に接続されたガス導入管
が、らせん状の部分を有し、このガス導入管にガスを流
しつつ、ガス導入管のらせん状の部分を加熱することに
より、室温より高温のガスを熱処理炉内に供給可能に構
成されている。

【００２４】この第１の発明において、典型的には、熱
処理装置は、枚葉式熱処理装置であり、好適には枚葉式
ランプ加熱装置であるが、必要に応じて、バッチ式の熱
処理装置とすることも可能である。

【００２５】この発明の第２の発明は、熱処理炉内にお
いて基板の熱処理を行うようにした熱処理方法におい
て、基板の熱処理を行う間、熱処理炉内に、室温より高
温のガスを供給するようにしたことを特徴とするもので
ある。

【００２６】この第２の発明において、典型的には、室
温より高温のガスの温度は、５００℃以上１１００℃以
下である。

【００２７】この第２の発明において、典型的には、室
温より高温のガスを、５リットル／分以上の流量で熱処
理炉内に供給する。

【００２８】この第２の発明において、典型的には、基
板に対する熱処理を行う間、熱処理炉内に室温より高温
のガスを供給し、基板に対する熱処理を行った後、基板
が降温されている間に室温より高温のガスから室温のガ
スに切り替えるようにする。

【００２９】この第２の発明において、典型的には、基
板の熱処理を、加熱用ランプを用いて行うようにする。
また、基板の熱処理は、基板を静止させた状態で行うよ
うにする。

【００３０】この第２の発明において、典型的には、加
熱用ランプを用いた熱処理を停止した後、少なくとも基
板が熱処理前の温度になるまでの間に、熱処理炉内に供
給するガスを、室温より高温のガスから室温のガスに切
り替えるようにする。

【００３１】この第２の発明において、典型的には、基
板の熱処理を枚葉式に行うようにする。

【００３２】この第２の発明において、好適には、加熱
用ランプによる基板の加熱を開始した後から停止するま
での間、熱処理炉内に室温より高温のガスを供給する。

【００３３】この発明において、典型的には、基板に対
する熱処理を、基板を静止させた状態で行うようにす
る。

【００３４】この発明において、典型的には、室温より
高温のガスの温度は、基板の熱処理温度とほぼ等しい温
度である。

【００３５】この発明において、基板と反応させること
なく基板の熱処理を行うために、典型的には、室温より
高温のガスは、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガ
スであるが、加熱することによる支障がないガスであれ
ば、これらのガス以外のガスを用いることも可能であ
る。

【００３６】上述のように構成された、この発明による
熱処理装置および熱処理方法によれば、熱処理炉内にお
いて基板の熱処理を行っている間、この熱処理炉内に室
温より高温のガスを導入するようにしていることによ
り、導入されたガスによって基板が部分的に冷却される
のを防止することができるので、基板自体の部分的な温
度低下を抑制することができる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。

【００３８】まず、この発明の一実施形態による枚葉式
ランプ加熱装置について説明する。図１Ａはこの一実施
形態による枚葉式ランプ加熱装置の横断面を示し、図１
Ｂはその上面図を示す。

【００３９】図１Ａおよび図１Ｂに示すように、この一
実施形態によるランプ加熱装置においては、ウェーハ１
を載置するための、例えば石英からなるサセプタ２ａが
設けられた石英チャンバー２を有する。また、石英チャ
ンバー２の外部には、ウェーハ１を載置した状態で、ウ
ェーハ１の主面および裏面に対して平行に、それぞれハ
ロゲンランプ３、４が設けられている。石英チャンバー
２の一方の側面には、フランジを兼用した開閉可能なウ
ェーハ搬送用ドア５が設けられており、その下部にガス
排気管６が設けられている。また、石英チャンバー２の
他方の側部に第１のガス導入孔７ａが設けられている。
そして、この第１のガス導入孔７ａに接続されて、例え
ば室温より高温の不活性ガスを石英チャンバー２に導入
するための第１のガス導入管７が設けられている。ま
た、この石英チャンバー２の他方の側部に、第２のガス
導入孔８ａが設けられている。そして、この第２のガス
導入孔８ａに接続されて、例えば室温の不活性ガスを石
英チャンバー２内に導入するための第２のガス導入管８
が設けられている。

【００４０】また、図２に、第１のガス導入管７の内部
のガスを室温より高温に加熱するための、ガス加熱手段
を示す。このガス加熱手段は、例えば円柱状の熱伝導ヒ
ータ１１の周辺に第１のガス導入管７がらせん状に巻き
付けられている。そして、このガス加熱手段により加熱
されたＮ_２ガスなどの不活性ガスを、石英チャンバー２
内に導入可能になっている。

【００４１】次に、上述のように構成されたこの一実施
形態による枚葉式ランプ加熱装置によるウェーハの加熱
方法について説明する。このときの加熱シーケンスを図
３に示す。

【００４２】すなわち、まず、ウェーハ１を石英チャン
バー２の内部に搬送し、サセプタ２ａ上に載置する。

【００４３】次に、時点ｔ＜ｔ_１において、第２のガス
導入管８を通じて石英チャンバー２内に例えばＮ_２ガス
などの不活性ガスを導入する。これにより、石英チャン
バー２内のパージが行われる。ここで、図３に示すよう
に、このパージ用のＮ_２ガスの温度は室温（常温）であ
り、このときの流量は、例えば２０ｌ／ｍｉｎである。

【００４４】次に、時点ｔ＝ｔ_１において、ウェーハ１
の主面に対向したハロゲンランプ３と、裏面に対向した
ハロゲンランプ４とから、ウェーハ１に放射光を照射す
る。これにより加熱を始める。この加熱において、石英
チャンバー２内に導入するＮ _２ガスを、第２のガス導入
管８を通じて供給される室温のＮ_２ガスから、第２のガ
ス導入管８を通じて供給される室温より高温のＮ_２ガス
に徐々に切り替える。

【００４５】すなわち、図２に示すように、加熱を始め
た時点ｔ＝ｔ_１と、所定の温度（例えばＴ_１＝１０００
℃）にまで上昇する時点ｔ＝ｔ_２との間に、第１のガス
導入管７を通じて供給される室温のＮ_２ガスを停止さ
せ、これとともに、第２のガス導入管８を通じて、雰囲
気ガスとしての室温より高温のＮ_２ガスなどの不活性ガ
スを、石英チャンバー２内に供給する。ここで、この第
２のガス導入管８を通じて石英チャンバー２内に導入さ
れるＮ_２ガスの温度は、ウェーハ１の加熱温度とほぼ等
しい温度に選ばれ、具体的には、５００〜１１００℃か
ら選ばれる。この一実施形態においては、ウェーハ１の
加熱温度が例えば１０００℃であるので、Ｎ_２ガスの温
度を、例えば１０００℃とする。また、この室温より高
温のＮ_２ガスの流量は、５ｌ／ｍｉｎ以上に選ばれ、こ
の一実施形態においては、例えば５ｌ／ｍｉｎに選ばれ
る。

【００４６】その後、ｔ＝ｔ_２〜ｔ_３の間、すなわちハ
ロゲンランプ３、４によりウェーハ１を加熱し始めた時
点からウェーハ１の温度が例えば１０００℃になるまで
の間、石英チャンバー２内に、第２のガス導入管８およ
び第２のガス導入孔８ａを順次通じて、温度が例えば１
０００℃の不活性ガスを雰囲気ガスとして導入し続け
る。

【００４７】次に、ｔ＝ｔ_３において、ハロゲンランプ
３、４によるウェーハ１への照射を停止することによ
り、加熱を停止する。これとともに、石英チャンバー２
内に導入するＮ_２ガスを、高温のＮ_２ガスから室温のＮ
_２ガスに徐々に切り替える。すなわち、ｔ＝ｔ_３におい
て、第１のガス導入管７を通じて、室温より高温のＮ_２
ガスの供給を続けるとともに、第２のガス導入管８を通
じて、石英チャンバー２の内部に、室温のＮ_２ガスを供
給し始める。ここで、第１のガス導入管７から供給され
るＮ_２ガスの流量を５ｌ／ｍｉｎ程度に一定に保ち、Ｎ
_２ガスの流量を例えば１５ｌ／ｍｉｎとして、加熱処理
後に石英チャンバー２の内部に導入されるガスの流量
を、加熱処理前に石英チャンバー２の内部に導入されて
いたＮ_２ガスの総流量とほぼ同等にする。これにより、
ｔ＝ｔ_３〜ｔ_４の間で、クーリングが行われ、加熱処理
前の温度（Ｔ_０）にまで急冷される。

【００４８】次に、加熱処理前の温度（Ｔ_０）となった
時点ｔ＝ｔ_４において、室温より高温のＮ_２ガスの供給
を停止させるとともに、室温のＮ_２ガスの流量を例えば
２０ｌ／ｍｉｎに増加させる。この間、石英チャンバー
２内の温度をＴ_０に保持するために、必要に応じてハロ
ゲンランプ３、４を適時照射する。

【００４９】次に、石英チャンバー２内がほぼ完全に室
温のＮ_２ガスにより置換され、ウェーハ１の温度が室温
となった後、ウェーハ１を、ウェーハ搬送用ドア５を通
じて、石英チャンバー２の外部に搬出する。

【００５０】以上のようにして、この一実施形態による
加熱処理が行われる。

【００５１】以上説明したように、この一実施形態によ
る枚葉式ランプ加熱装置およびその熱処理方法によれ
ば、ランプ加熱装置に加熱した不活性ガスを導入するた
めの第１のガス導入孔７ａと、これに接続された第１の
ガス導入管７を設け、石英チャンバー２内においてウェ
ーハ１の熱処理を行っている間、この石英チャンバー２
内に、あらかじめ加熱されたＮ_２ガスなどの不活性ガス
を導入するようにしていることにより、導入されたガス
によるウェーハ１の部分的な温度低下を抑制することが
できるとともに、石英チャンバー２の内部における雰囲
気の置換性、制御性を損なうことなく、ウェーハ１にお
ける温度分布の均一性の向上を図ることができる。ま
た、第２のガス導入孔８ａと、これに接続された第２の
ガス導入管８とを設け、室温のガスを石英チャンバー２
内に導入するようにしていることにより、ウェーハ１の
降温の速さも従来と変わらない速さに維持することがで
きる。

【００５２】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定
されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各
種の変形が可能である。

【００５３】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値、ガス種はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこ
れと異なる数値、ガス種を用いてもよい。

【００５４】また、例えば、上述の一実施形態において
は、加熱した不活性ガスを導入する第２のガス導入管８
を石英チャンバー２の側部に設け、不活性ガスの導入方
向をウェーハ１の面に平行になるようにしているが、石
英チャンバー２の内部に加熱した不活性ガスを導入する
ための第２のガス導入孔８ａを、ウェーハ１の主面と対
向する位置に設けるようにし、加熱された不活性ガスを
ウェーハ１の主面に対して垂直方向に吹きつけるように
することも可能である。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、熱処理炉内において基板の熱処理を行っている間、
この熱処理炉内に室温より高温のガスを導入するように
していることにより、構造を複雑化することなく、導入
されたガスによる基板の部分的な温度低下を抑制するこ
とができ、熱処理炉内の雰囲気の置換性や制御性を損な
うことなく、基板における温度分布の均一性の向上を図
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態によるランプ加熱装置の
上面および横断面を示す略線図である。

【図２】この発明の一実施形態による加熱方法によるシ
ーケンスを示すグラフである。

【図３】この発明の一実施形態による石英チャンバー内
に供給される不活性ガスを加熱するための装置を説明す
るための略線図である。

【図４】従来技術によるランプ加熱装置の上面および横
断面を示す略線図である。

【図５】従来技術によるランプ加熱装置により加熱され
たウェーハのシート抵抗分布を示す平面図である。

【符号の説明】

１・・・ウェーハ、２・・・石英チャンバー、２ａ・・
・サセプタ、３・・・ハロゲンランプ、４・・・ハロゲ
ンランプ、５・・・ウェーハ搬送用ドア、６・・・ガス
排気管、７ａ・・・第１のガス導入孔、７・・・第１の
ガス導入管、８ａ・・・第２のガス導入孔、８・・・第
２のガス導入管、１１・・・熱伝導ヒータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２１Ｄ 1/76 Ｆ２７Ｄ 7/02 ＡＦ２７Ｄ 7/02 Ｈ０１Ｌ 21/26 Ｇ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の熱処理を行う熱処理炉と、上記熱処理炉内にガスを供給するガス導入孔とを有する
熱処理装置において、第１のガス導入孔を通じて、室温より高温のガスを上記
熱処理炉内に供給可能に構成されていることを特徴とす
る熱処理装置。
【請求項２】上記熱処理炉の外側に、基板加熱用のラ
ンプが設けられていることを特徴とする請求項１記載の
熱処理装置。
【請求項３】上記室温より高温のガスの温度が、上記
基板の熱処理温度とほぼ等しい温度であることを特徴と
する請求項１記載の熱処理装置。
【請求項４】上記熱処理炉内にガスを導入する第２の
ガス導入孔をさらに有し、上記第２のガス導入孔を通じ
て室温のガスを上記熱処理炉内に供給可能に構成されて
いることを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項５】熱処理炉内に供給されるガスを、５００
℃以上１１００℃以下の温度に加熱可能に構成されるガ
ス加熱手段を有することを特徴とする請求項１記載の熱
処理装置。
【請求項６】上記室温より高温のガスを、５リットル
／分以上の流量で上記熱処理炉内に供給可能に構成され
ていることを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項７】上記第１のガス導入孔にガス導入管が接
続され、上記ガス導入管の内部に上記ガスを流しつつ上
記ガス導入管の部分を加熱可能に構成されていることを
特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項８】上記第１のガス導入孔にガス導入管が接
続され、上記ガス導入管がらせん状の部分を有し、上記
ガス導入管内にガスを流しつつ、上記ガス導入管の部分
を加熱可能に構成されていることを特徴とする請求項１
記載の熱処理装置。
【請求項９】上記熱処理を、上記基板を静止させた状
態で行うように構成されていることを特徴とする請求項
１記載の熱処理装置。
【請求項１０】上記熱処理装置が枚葉式であることを
特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項１１】上記室温より高温のガスが不活性ガス
であることを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項１２】熱処理炉内において基板の熱処理を行
うようにした熱処理方法において、少なくとも上記基板の熱処理を行う間、上記熱処理炉内
に、室温より高温のガスを供給するようにしたことを特
徴とする熱処理方法。
【請求項１３】上記熱処理を、加熱用ランプを用いて
行うようにしたことを特徴とする請求項１２記載の熱処
理方法。
【請求項１４】上記加熱用ランプを用いた熱処理後、
上記基板の温度が所定の温度になるまでの間に、上記熱
理炉内に供給するガスを、上記室温より高温のガスから
室温のガスに切り替えるようにしたことを特徴とする請
求項１３記載の熱処理方法。
【請求項１５】上記室温より高温のガスの温度が、上
記基板の熱処理温度とほぼ等しい温度であることを特徴
とする請求項１２記載の熱処理方法。
【請求項１６】上記室温より高温のガスの温度が５０
０℃以上１１００℃以下であることを特徴とする請求項
１２記載の熱処理方法。
【請求項１７】上記室温より高温のガスを、５リット
ル／分以上の流量で上記熱処理炉内に供給するようにし
たことを特徴とする請求項１２記載の熱処理方法。
【請求項１８】上記熱処理を始める時点まで上記熱処
理炉内に室温のガスを導入し、上記熱処理を始めた時点
から、上記基板が所定の温度になるまでの間に、上記室
温のガスから上記室温より高温のガスに切り替えるよう
にしたことを特徴とする請求項１２記載の熱処理方法。
【請求項１９】上記基板の熱処理を枚葉式に行うよう
にしたことを特徴とする請求項１２記載の熱処理方法。
【請求項２０】上記室温より高温のガスが不活性ガス
であることを特徴とする請求項１２記載の熱処理方法。