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化学物質分配システム240は、基板225上の酸化物材料を化学的に変化させるための処理ガスを導入するように備えられている。化学物質分配システム240は、HF、NH3、N2、H2、O2、CO、CO2、NO、NO2、N2O、CxFy（x,yは整数）、CxHzFy（x,y,zは整数）等を含む1種類以上の処理ガスを導入するように備えられている。ただし処理ガスは上記に限定されない。たとえば処理ガスは、初期成分としてHFを有する第1気体成分、及び初期成分としてアンモニア(NH3)を有する任意の第2気体成分を含んで良い。その2種類の気体成分は、気体供給システム242を用いることによって、一緒に導入されても良いし、又はそれぞれ別個に導入されても良い。たとえば独立した気体/蒸気供給システムが、各気体成分の導入に用いられて良い。それに加えて、化学処理システム240は、内部での処理蒸気の凝集を防止するために蒸気供給システムの温度を昇温する温度制御システムをさらに有して良い。それに加えて、いずれかの気体成分又は両気体成分が、たとえば不活性ガスのようなキャリアガスと共に導入されて良い。不活性ガスはたとえばアルゴンのような希ガスを含んで良い。当然ことだが他の気体が処理気体中に含まれても良い。

Claims (23)

  1. 基板上の酸化物材料を除去する処理システムであって、
    当該処理システムは：
    前記酸化物材料を上に有する前記基板を含むように備えられている温度制御された処理チャンバ；
    該処理チャンバ内部に設けられていて、前記処理チャンバから実質的に断熱され、かつ前記基板を支持するように備えられている温度制御された基板ホルダ；
    前記処理チャンバと結合する真空排気システム；
    前記処理チャンバと結合し、かつ、初期成分としてHF及び任意でアンモニア(NH3)を有する処理気体を前記処理チャンバへ導入するように備えられた化学処理システム；
    前記処理チャンバと結合し、かつ、前記基板の温度を昇温させるように備えられた熱処理システム；並びに
    前記基板に導入された前記処理気体の量及び前記基板の設定温度を制御するように備えられた制御装置；
    を有し、
    前記処理気体は前記基板上の曝露された表面層を化学的に変化させ、かつ
    前記の昇温によって前記の化学的に変化した表面層の揮発が起こる、
    処理システム。
  2. 前記熱処理システムは1つ以上の放射加熱ランプを有する、請求項1に記載の処理システム。
  3. 前記基板ホルダと結合し、かつ、前記放射加熱システムを用いて前記基板を加熱するときに、前記基板ホルダの上に設けられた前記基板の位置を上昇させるように備えられた基板昇降システムをさらに有する、請求項1に記載の処理システム。
  4. 前記基板ホルダと結合し、かつ、前記基板背面の汚染を減少させるため、前記基板が前記基板ホルダの上に持ち上げられるときに、前記基板背面へパージガスを供給するように備えられた背面気体供給システムをさらに有する、請求項3に記載の処理システム。
  5. 前記温度制御された処理チャンバと結合し、かつ、前記熱処理システムの周辺端部を取り囲むように備えられている放射線シールドをさらに有する処理システムであって、
    前記放射線シールド、前記熱処理システム、及び前記の上昇した位置にある基板が実質的に閉じられた空間を形成し、かつ
    前記熱処理システムは前記基板の上に備えられた1つ以上の放射加熱ランプを有する、
    請求項3に記載の処理システム。
  6. 前記放射線シールドが、気体を流すことを可能にするために、前記放射線シールドを貫通する1つ以上の開口部を有する、請求項3に記載の処理システム。
  7. 前記化学処理システムがさらに、前記処理気体を有するキャリアガスを供給するように備えられている、請求項1に記載の処理システム。
  8. 前記キャリアガスが不活性ガスを有する、請求項7に記載の処理システム。
  9. 前記HFが前記アンモニアとは独立して導入される、請求項1に記載の処理システム。
  10. 前記HFがアルゴンと共に導入される、請求項9に記載の処理システム。
  11. 前記アンモニアがアルゴンと共に導入される、請求項1に記載の処理システム。
  12. 前記熱処理システムが複数の領域をランプで加熱するシステムを有する、請求項1に記載の処理システム。
  13. 前記制御装置が、前記処理チャンバ内において前記基板温度又は前記処理気体の量の監視、調節、若しくは制御、又は上記の組合せを行うように備えられている、請求項1に記載の処理システム。
  14. 前記基板上の前記酸化膜が二酸化シリコン(SiO2)を有する、請求項1に記載の処理システム。
  15. 前記化学処理システムが複数の領域に流体を分配するシステムを有し、
    該複数の領域に流体を分配するシステムは、前記処理チャンバ内の複数の領域への前記処理気体の流れを調節するように備えられている、
    請求項1に記載の処理システム。
  16. 基板上の酸化物材料を除去する方法であって：処理チャンバ内の基板ホルダ上に前記酸化物材料を有する前記基板を設ける工程；
    前記基板の温度を100℃未満の化学処理温度に設定しながら、初期成分としてHF及び任意でアンモニア(NH3)を有する気体組成物に前記基板を曝露することによって前記基板を化学処理する工程；並びに
    該化学処理に続いて、前記化学処理温度よりも高い温度にまで前記基板を加熱することによって前記基板を熱処理する工程；
    を有する方法。
  17. 前記基板を化学処理する工程が、初期成分としてHF及びアンモニア(NH3)を有する処理気体を導入する工程を有し、かつ
    前記HF及び前記アンモニアが互いに独立して導入される、
    請求項16に記載の方法。
  18. 前記処理気体を導入する工程が、前記アンモニアを有する不活性ガスを導入する工程を有する、請求項17に記載の方法。
  19. 前記基板を熱処理する工程が、前記基板の温度を100℃よりも高い温度に昇温する工程を有する、請求項16に記載の方法。
  20. 前記基板を熱処理する工程の前に、前記基板の位置を、前記基板ホルダと熱的に接触する位置から上昇させる工程をさらに有する、請求項16に記載の方法。
  21. 前記放射加熱システムの周辺端部を取り囲むように備えられている放射線シールドを前記処理チャンバ内に設ける工程；並びに
    前記放射線シールド、前記熱処理システム、及び前記の上昇した位置にある基板によって境界が定められている実質的に閉じられた空間を形成する工程；
    をさらに有する、請求項20に記載の方法。
  22. 前記基板の熱処理中、前記基板背面の汚染の輸送を減少させるため、前記基板と前記基板ホルダとの間に位置する前記基板背面へパージガスを導入する工程をさらに有する、請求項20に記載の方法。
  23. 前記パージガスを導入する工程が不活性ガスを導入する工程を有する、請求項22に記載の方法。
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