JP2010074048A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】温度分布均一性および安定性を向上し、ヒータの短絡を防止する。
【解決手段】ウエハを加熱するヒータを備えた成膜装置において、パネルヒータ70にインゾーンヒータ71とアウトゾーンヒータ72を設け、インゾーンヒータ71とアウトゾーンヒータ72はインゾーン用サイリスタ73とアウトゾーン用サイリスタ74を介してインゾーン用電源75とアウトゾーン用電源76に接続する。インゾーン用サイリスタ73とアウトゾーン用サイリスタ74とが接続された温度調節部78に熱電対77を接続する。温度調節部78は熱電対77の検出温度に基づいてインゾーンヒータ71とアウトゾーンヒータ72の加熱温度を調節する調節値を算出し、当該算出した調節値と、インゾーンとアウトゾーンとの温度偏差が所定値になるように算出した比率とに基づいてインゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74をそれぞれ制御する。
【選択図】図2
【解決手段】ウエハを加熱するヒータを備えた成膜装置において、パネルヒータ70にインゾーンヒータ71とアウトゾーンヒータ72を設け、インゾーンヒータ71とアウトゾーンヒータ72はインゾーン用サイリスタ73とアウトゾーン用サイリスタ74を介してインゾーン用電源75とアウトゾーン用電源76に接続する。インゾーン用サイリスタ73とアウトゾーン用サイリスタ74とが接続された温度調節部78に熱電対77を接続する。温度調節部78は熱電対77の検出温度に基づいてインゾーンヒータ71とアウトゾーンヒータ72の加熱温度を調節する調節値を算出し、当該算出した調節値と、インゾーンとアウトゾーンとの温度偏差が所定値になるように算出した比率とに基づいてインゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74をそれぞれ制御する。
【選択図】図2
Description
本発明は、基板処理装置に関する。
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に薄膜を形成するのに利用して有効な基板処理装置に関する。
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に薄膜を形成するのに利用して有効な基板処理装置に関する。
ICの製造方法において、ウエハに薄膜を形成する基板処理装置として、処理室内に搬入したウエハを、例えば、内側加熱領域(以下、インゾーンという。)および外側加熱領域(以下、アウトゾーンという。)を有するヒータと、インゾーン用温度調節器およびアウトゾーン用温度調節器とを備えており、ウエハの加熱をインゾーンとアウトゾーンとで別々に制御することにより、ウエハの温度分布均一性および安定性を確保するように構成したものがある。
しかしながら、ウエハの加熱をインゾーンとアウトゾーンとで別々に制御する基板処理装置においては、ヒータの温度制御がインゾーンとアウトゾーンとの熱干渉の影響を受けるために、ウエハの温度分布均一性および安定性を充分に確保することができないという問題点があった。
また、インゾーンとアウトゾーンとを有するヒータが処理室に剥き出しになっているために、成膜時にヒータに膜が形成され、ヒータが短絡するという問題点もあった。
また、インゾーンとアウトゾーンとを有するヒータが処理室に剥き出しになっているために、成膜時にヒータに膜が形成され、ヒータが短絡するという問題点もあった。
本発明の目的は、温度分布均一性および安定性を向上することができ、また、加熱手段(ヒータ)の短絡を防止することができる基板処理装置を提供することにある。
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を処理する処理室と、
該処理室内の前記基板を加熱するための複数の加熱領域を有する加熱手段と、
少なくともいずれか一つの前記加熱領域に対応し、かつ、前記複数の加熱領域の数よりも少ない数だけ設けられた温度検出部と、
前記温度検出部に対応する数だけ設けられ、前記温度検出部によって検出された温度に基づいて前記加熱領域の温度を調節する調節値を算出する温度調節部と、
前記調節値と、前記調節値を算出した第一加熱領域と、該第一加熱領域を含む加熱領域との温度偏差が所定値になるように算出した比率と、に基づいて前記複数の加熱領域の温度をそれぞれ制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
(2)前記加熱手段は窒化アルミニウムで覆われていることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
これにより、原料ガスによる加熱手段の劣化、すなわちヒータ部の短絡を防止することができる。
(3)前記温度検出部は基板の中心部にあることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
これにより、前記加熱手段を窒化アルミニウムで覆う場合に、構造上前記温度検出部を基板の周縁部に設置できない場合でもヒータ部の温度制御が可能となる。
(4)前記比率は、前記基板を処理する前に予め求めておくことを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
これにより、事前に最適な比率を取得することができるので、基板温度制御性および膜厚均一性をより一層向上させることができる。
(1)基板を処理する処理室と、
該処理室内の前記基板を加熱するための複数の加熱領域を有する加熱手段と、
少なくともいずれか一つの前記加熱領域に対応し、かつ、前記複数の加熱領域の数よりも少ない数だけ設けられた温度検出部と、
前記温度検出部に対応する数だけ設けられ、前記温度検出部によって検出された温度に基づいて前記加熱領域の温度を調節する調節値を算出する温度調節部と、
前記調節値と、前記調節値を算出した第一加熱領域と、該第一加熱領域を含む加熱領域との温度偏差が所定値になるように算出した比率と、に基づいて前記複数の加熱領域の温度をそれぞれ制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
(2)前記加熱手段は窒化アルミニウムで覆われていることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
これにより、原料ガスによる加熱手段の劣化、すなわちヒータ部の短絡を防止することができる。
(3)前記温度検出部は基板の中心部にあることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
これにより、前記加熱手段を窒化アルミニウムで覆う場合に、構造上前記温度検出部を基板の周縁部に設置できない場合でもヒータ部の温度制御が可能となる。
(4)前記比率は、前記基板を処理する前に予め求めておくことを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
これにより、事前に最適な比率を取得することができるので、基板温度制御性および膜厚均一性をより一層向上させることができる。
前記(1)の基板処理装置によれば、温度分布均一性および安定性を向上することができ、また、ヒータの短絡を防止することができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態においては、本発明に係る基板処理装置は、構造的には、図1に示されているように、枚葉式基板処理装置(以下、成膜装置という。)として構成されている。
成膜装置40は処理室41を形成する筐体42を備えている。
筐体42にはウエハ搬入搬出口43が開設されており、ウエハ搬入搬出口43はゲートバルブ44によって開閉されるように構成されている。
筐体42にはウエハ搬入搬出口43が開設されており、ウエハ搬入搬出口43はゲートバルブ44によって開閉されるように構成されている。
筐体42により形成される処理室41内には、ウエハ2を支持する支持台45が設けられている。支持台45の上部にはウエハ2を支持するサセプタ46が設けられている。
支持台45の内部にはサセプタ46上に載置されたウエハ2を加熱する加熱手段としてのヒータ(後述する)47が設けられている。ヒータ47の電力供給装置48はPID(Proportional Integral Dipferential)動作によってフィードバック制御されるように構成されており、ウエハ2の温度は所定の温度となるように制御される。
支持台45の内部にはサセプタ46上に載置されたウエハ2を加熱する加熱手段としてのヒータ(後述する)47が設けられている。ヒータ47の電力供給装置48はPID(Proportional Integral Dipferential)動作によってフィードバック制御されるように構成されており、ウエハ2の温度は所定の温度となるように制御される。
処理室41の外部には回転機構(回転手段)49が設けられている。回転機構49は処理室41内の支持台45を回転させてサセプタ46上のウエハ2を回転させる。
処理室41の外部には昇降機構(昇降手段)50が設けられている。昇降機構50は支持台45を処理室41内において昇降させる。
処理室41の外部には昇降機構(昇降手段)50が設けられている。昇降機構50は支持台45を処理室41内において昇降させる。
処理室41の上部にはガスをシャワ状に噴出するシャワヘッド51が設けられており、シャワヘッド51はサセプタ46と対向するように設けられている。
シャワヘッド51は分散板51aとシャワ板51bとを有する。分散板51aは内部に供給されたガスを分散させる。シャワ板51bは多数個のガス噴出口51eを有し、分散板51a により分散されたガスをシャワ板51bのガス噴出口51eを介して処理室41内へシャワ状に噴出させる。
シャワヘッド51の天井部と分散板51a との間には、第一バッファ空間51cが設けられており、分散板51a とシャワ板51bとの間には第二バッファ空間51dが設けられている。
シャワヘッド51は分散板51aとシャワ板51bとを有する。分散板51aは内部に供給されたガスを分散させる。シャワ板51bは多数個のガス噴出口51eを有し、分散板51a により分散されたガスをシャワ板51bのガス噴出口51eを介して処理室41内へシャワ状に噴出させる。
シャワヘッド51の天井部と分散板51a との間には、第一バッファ空間51cが設けられており、分散板51a とシャワ板51bとの間には第二バッファ空間51dが設けられている。
処理室41の外部には、液体原料である第一原料を供給する第一原料供給源52Aと、液体原料である第二原料を供給する第二原料供給源52Dとが設けられている。
第一原料供給源52Aには第一液体原料供給管53Aが接続されており、第二原料供給源52Dには第二液体原料供給管53Dが接続されている。
第一液体原料供給管53Aおよび第二液体原料供給管53Dはそれぞれ、原料の液体供給流量を制御する流量制御装置(流量制御手段)としての液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)54A、54Dを介して、原料を気化する気化器55A、55Dに接続されている。
気化器55A、55Dには第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56Dがそれぞれ接続されており、第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56Dはバルブ57A、57Dを介してシャワヘッド51にそれぞれ接続されている。
以上のように、供給系が構成されている。
第一原料供給源52Aには第一液体原料供給管53Aが接続されており、第二原料供給源52Dには第二液体原料供給管53Dが接続されている。
第一液体原料供給管53Aおよび第二液体原料供給管53Dはそれぞれ、原料の液体供給流量を制御する流量制御装置(流量制御手段)としての液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)54A、54Dを介して、原料を気化する気化器55A、55Dに接続されている。
気化器55A、55Dには第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56Dがそれぞれ接続されており、第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56Dはバルブ57A、57Dを介してシャワヘッド51にそれぞれ接続されている。
以上のように、供給系が構成されている。
また、処理室41の外部には不活性ガス供給源52Cが設けられており、不活性ガス供給源52Cは非反応性ガスとしての不活性ガスを供給する。
不活性ガス供給源52Cには不活性ガス供給管53Cが接続されており、不活性ガス供給管53Cの途中には不活性ガスの供給流量を制御する流量制御装置(流量制御手段)としてのガス流量コントローラ(マスフローコントローラ)54Cが設けられている。
不活性ガス供給管53Cはガス流量コントローラ54Cよりも下流側で二つの供給管に分岐している。分岐した一方の供給管はバルブ57Cを介して第一原料ガス供給管56Aに接続され、分岐した他方の供給管はバルブ57Eを介して第二原料ガス供給管56Dに接続されている。
不活性ガスとしては、例えば、Ar、He、N2 を用いる。
不活性ガス供給源52Cには不活性ガス供給管53Cが接続されており、不活性ガス供給管53Cの途中には不活性ガスの供給流量を制御する流量制御装置(流量制御手段)としてのガス流量コントローラ(マスフローコントローラ)54Cが設けられている。
不活性ガス供給管53Cはガス流量コントローラ54Cよりも下流側で二つの供給管に分岐している。分岐した一方の供給管はバルブ57Cを介して第一原料ガス供給管56Aに接続され、分岐した他方の供給管はバルブ57Eを介して第二原料ガス供給管56Dに接続されている。
不活性ガスとしては、例えば、Ar、He、N2 を用いる。
第一原料ガス供給管56Aでは、気化器55Aにて第一原料を気化して得た第一原料ガスと、不活性ガス供給管53Cからの不活性ガスとが混合される。
第二原料ガス供給管56Dでは、気化器55Dにて第二原料を気化して得た第二原料ガスと、不活性ガス供給管53Cからの不活性ガスとが混合される。
混合されたガスは第一原料ガス供給管56Aおよび第二原料ガス供給管56Dからシャワヘッド51の第一バッファ空間51cにそれぞれ供給される。
第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56D、不活性ガス供給管53Cにそれぞれ設けられたバルブ57A、57D、57C、57Eは開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御する。
第二原料ガス供給管56Dでは、気化器55Dにて第二原料を気化して得た第二原料ガスと、不活性ガス供給管53Cからの不活性ガスとが混合される。
混合されたガスは第一原料ガス供給管56Aおよび第二原料ガス供給管56Dからシャワヘッド51の第一バッファ空間51cにそれぞれ供給される。
第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56D、不活性ガス供給管53Cにそれぞれ設けられたバルブ57A、57D、57C、57Eは開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御する。
処理室41の外部にはオゾナイザ58が設けられており、オゾナイザ58は酸素ガス(O2 )からオゾンガス(O3 )を生成する。
オゾナイザ58の上流側には酸素ガス供給管53Bが設けられており、酸素ガス供給管53Bには酸素ガス供給源52Bが接続されている。酸素ガス供給源52Bには酸素ガス供給管が接続されており、酸素ガスをオゾナイザ58に供給する。
酸素ガス供給管53Bには酸素ガスの供給流量を制御するガス流量コントローラ54Bとバルブ57Bとが設けられている。バルブ57Bは開閉することにより、酸素ガスの供給を制御する。
オゾナイザ58の下流側にはオゾンガス供給管59Bが設けられており、オゾンガス供給管59Bはバルブ60Bを介してシャワヘッド51に接続されている。
オゾンガス供給管59Bはオゾナイザ58によって生成されたオゾンガスをシャワヘッド51の第一バッファ空間51cに供給する。バルブ60Bは開閉することにより、オゾンガスの供給を制御する。
オゾナイザ58の上流側には酸素ガス供給管53Bが設けられており、酸素ガス供給管53Bには酸素ガス供給源52Bが接続されている。酸素ガス供給源52Bには酸素ガス供給管が接続されており、酸素ガスをオゾナイザ58に供給する。
酸素ガス供給管53Bには酸素ガスの供給流量を制御するガス流量コントローラ54Bとバルブ57Bとが設けられている。バルブ57Bは開閉することにより、酸素ガスの供給を制御する。
オゾナイザ58の下流側にはオゾンガス供給管59Bが設けられており、オゾンガス供給管59Bはバルブ60Bを介してシャワヘッド51に接続されている。
オゾンガス供給管59Bはオゾナイザ58によって生成されたオゾンガスをシャワヘッド51の第一バッファ空間51cに供給する。バルブ60Bは開閉することにより、オゾンガスの供給を制御する。
筐体42の下部側壁には排気口61が設けられており、排気口61には排気管62の一端が接続されている。排気管62の他端は排気装置(排気手段)としての真空ポンプ63および除害装置(図示せず)に接続されている。排気口61および排気管62で排気系が構成されている。
排気管62には圧力制御部(圧力制御手段)としての圧力コントローラ64と、原料回収トラップ65とが設けられている。圧力コントローラ64は処理室41内の圧力を制御する。原料回収トラップ65は原料を回収する。
排気管62には圧力制御部(圧力制御手段)としての圧力コントローラ64と、原料回収トラップ65とが設けられている。圧力コントローラ64は処理室41内の圧力を制御する。原料回収トラップ65は原料を回収する。
第一原料ガス供給管56Aと第二原料ガス供給管56Dとオゾンガス供給管59Bとには、原料回収トラップ65に接続された第一原料ガスバイパス管(ベント管)66Aと、第二原料ガスバイパス管(ベント管)66Cと、オゾンガスバイパス管(ベント管)66Bとがそれぞれ設けられている。バイパス管66A、66C、66Bには、バルブ67A、67C、67Bがそれぞれ設けられている。
処理室41内の支持台45上には整流板としてのプレート68が設けられており、プレート68はシャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを介して供給されたガスの流れを調整する。プレート68は円環(リング)形状であり、ウエハ2の周囲に位置する。
シャワヘッド51を介してウエハ2に供給されたガスはウエハ2の径方向外方に向かって流れ、プレート68上を通り、プレート68と筐体42の側壁(内壁)との間を通り、排気口61より排気される。
なお、ウエハ2の外周縁部のように、ウエハ2に膜を形成したくない箇所がある場合は、プレート68の内径をウエハ2の外形より小さくして、ウエハ2の外周部を覆うようにしてもよい。
この場合は、ウエハ2の搬送を可能とするために、プレート68を処理室41内のウエハ2の処理位置に固定したり、プレート68を昇降させる機構を設ける。
シャワヘッド51を介してウエハ2に供給されたガスはウエハ2の径方向外方に向かって流れ、プレート68上を通り、プレート68と筐体42の側壁(内壁)との間を通り、排気口61より排気される。
なお、ウエハ2の外周縁部のように、ウエハ2に膜を形成したくない箇所がある場合は、プレート68の内径をウエハ2の外形より小さくして、ウエハ2の外周部を覆うようにしてもよい。
この場合は、ウエハ2の搬送を可能とするために、プレート68を処理室41内のウエハ2の処理位置に固定したり、プレート68を昇降させる機構を設ける。
次に、ヒータ47を図2について説明する。
図2(a)に示されているように、ヒータ47は抵抗発熱体が円板形状に敷設されたパネルヒータ70を備えている。パネルヒータ70はウエハのインゾーンを加熱するインゾーンヒータ71と、ウエハのアウトゾーンを加熱するアウトゾーンヒータ72とによって構成されている。インゾーンヒータ71およびアウトゾーンヒータ72は、制御部としてのインゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74を介してインゾーン用電源75およびアウトゾーン用電源76にそれぞれ接続されている。
なお、電源は各ゾーン毎に設けるのではなく、まとめて一つの電源としてもよい。
ヒータ47は温度検出部としての熱電対77を一つだけ備えており、熱電対77はパネルヒータ70の中心部に配置されている。熱電対77は一つだけ設けられているので、インゾーンヒータ71とアウトゾーンヒータ72よりも一つだけ少ない数が設けられていることになる。
ヒータ47はPLC(Programmable Logic Controller)等によって構成された温度調節部78を備えており、温度調節部78には熱電対77と、インゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74とが接続されている。
温度調節部78は熱電対77が検出した温度に基づいてインゾーンヒータ71およびアウトゾーンヒータ72の加熱温度を調節する調節値を算出し、当該算出した調節値と、インゾーンとアウトゾーンとの温度偏差が所定値になるように算出した比率とに基づいてインゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74をそれぞれ制御する。
温度調節部78のインゾーンとアウトゾーンとの温度偏差が所定値になるように算出した比率は、ウエハ2を処理する前に予め求めておく。これにより、事前に最適な比率を取得することができるので、ウエハ2の温度制御性および膜厚均一性をより一層向上させることができる。
出力比率の算出は、予め以下のように行う。
出荷時の検査の際等のウエハの処理前に、装置毎に、例えば、出力比率の0.1刻みでウエハに複数(例えば17点)の熱電対を設置し、ウエハ温度が最も均一となる最適な出力比率を求める。
以上のようにして求めた出力比率を装置に入力しておく。
ヒータ47の温度調節部78はコントローラ80に通信回線(図示せず)によって接続されている。
図2(a)に示されているように、ヒータ47は抵抗発熱体が円板形状に敷設されたパネルヒータ70を備えている。パネルヒータ70はウエハのインゾーンを加熱するインゾーンヒータ71と、ウエハのアウトゾーンを加熱するアウトゾーンヒータ72とによって構成されている。インゾーンヒータ71およびアウトゾーンヒータ72は、制御部としてのインゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74を介してインゾーン用電源75およびアウトゾーン用電源76にそれぞれ接続されている。
なお、電源は各ゾーン毎に設けるのではなく、まとめて一つの電源としてもよい。
ヒータ47は温度検出部としての熱電対77を一つだけ備えており、熱電対77はパネルヒータ70の中心部に配置されている。熱電対77は一つだけ設けられているので、インゾーンヒータ71とアウトゾーンヒータ72よりも一つだけ少ない数が設けられていることになる。
ヒータ47はPLC(Programmable Logic Controller)等によって構成された温度調節部78を備えており、温度調節部78には熱電対77と、インゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74とが接続されている。
温度調節部78は熱電対77が検出した温度に基づいてインゾーンヒータ71およびアウトゾーンヒータ72の加熱温度を調節する調節値を算出し、当該算出した調節値と、インゾーンとアウトゾーンとの温度偏差が所定値になるように算出した比率とに基づいてインゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74をそれぞれ制御する。
温度調節部78のインゾーンとアウトゾーンとの温度偏差が所定値になるように算出した比率は、ウエハ2を処理する前に予め求めておく。これにより、事前に最適な比率を取得することができるので、ウエハ2の温度制御性および膜厚均一性をより一層向上させることができる。
出力比率の算出は、予め以下のように行う。
出荷時の検査の際等のウエハの処理前に、装置毎に、例えば、出力比率の0.1刻みでウエハに複数(例えば17点)の熱電対を設置し、ウエハ温度が最も均一となる最適な出力比率を求める。
以上のようにして求めた出力比率を装置に入力しておく。
ヒータ47の温度調節部78はコントローラ80に通信回線(図示せず)によって接続されている。
図2(b)に示されているように、パネルヒータ70は窒化アルミニウムからなるカバー79で覆われている。これにより、原料ガスによるパネルヒータ70の劣化すなわちパネルヒータ70の短絡を防止することができる。
熱電対77はウエハ2の中心部に設けられているので、パネルヒータ70を窒化アルミニウム製のカバー79によって覆う場合に、熱電対77をウエハ2の周縁部に設置することができない場合であっても、ウエハ2の温度制御が可能となる。
熱電対77はウエハ2の中心部に設けられているので、パネルヒータ70を窒化アルミニウム製のカバー79によって覆う場合に、熱電対77をウエハ2の周縁部に設置することができない場合であっても、ウエハ2の温度制御が可能となる。
コントローラ80はバルブ57A〜67C、流量コントローラ54A〜54D、圧力コントローラ64、気化器55A、55D、オゾナイザ58、回転機構49、昇降機構50、ヒータ47の電力供給装置48を、制御する。
次に、以上の構成に係る成膜装置40を使用して高誘電率膜としてのハフニウムシリケート膜をALD法によってウエハ2上に成膜する場合を例として説明する。
なお、以下の説明において、成膜装置40を構成する各部の動作はメインコントローラ80により制御される。
なお、以下の説明において、成膜装置40を構成する各部の動作はメインコントローラ80により制御される。
図1において、支持台45がウエハ搬送位置まで下降した状態で、ゲートバルブ44が開かれ、ウエハ搬入搬出口43が開放されると、ウエハ2が処理室41内に負圧移載装置(図示せず)により搬入される(ウエハ搬入ステップ)。
ウエハ2が処理室41内に搬入され、図示しない突き上げピン上に載置された後、ゲートバルブ44が閉じられる。
支持台45がウエハ搬送位置からそれよりも上方のウエハ処理位置まで上昇する。
その間に、ウエハ2は突き上げピン上からサセプタ46上に載置される(ウエハ載置ステップ)。
ウエハ2が処理室41内に搬入され、図示しない突き上げピン上に載置された後、ゲートバルブ44が閉じられる。
支持台45がウエハ搬送位置からそれよりも上方のウエハ処理位置まで上昇する。
その間に、ウエハ2は突き上げピン上からサセプタ46上に載置される(ウエハ載置ステップ)。
支持台45がウエハ処理位置に到達すると、ウエハ2は回転機構49により回転される。また、ヒータ47に電力が供給されることにより、ウエハ2は所定の処理温度となるように均一に加熱される(ウエハ昇温ステップ)。
同時に、処理室41内は真空ポンプ63により排気され、所定の処理圧力となるように制御される(圧力調整ステップ)。
なお、ウエハ搬送時やウエハ昇温時や圧力調整時においては、不活性ガス供給管53Cに設けられたバルブ57C、57Eは常時開いた状態とされ、不活性ガス供給源52Cより処理室41内に不活性ガスが常に流される。
これにより、パーティクルや金属汚染物のウエハ2への付着を防ぐことができる。
同時に、処理室41内は真空ポンプ63により排気され、所定の処理圧力となるように制御される(圧力調整ステップ)。
なお、ウエハ搬送時やウエハ昇温時や圧力調整時においては、不活性ガス供給管53Cに設けられたバルブ57C、57Eは常時開いた状態とされ、不活性ガス供給源52Cより処理室41内に不活性ガスが常に流される。
これにより、パーティクルや金属汚染物のウエハ2への付着を防ぐことができる。
まず、界面層形成ステップについて説明する。
ウエハ昇温ステップの途中で、処理室41内の圧力が所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内にオゾンガスが供給される。
すなわち、バルブ57Bが開かれると、酸素ガス供給源52Bから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管53Bを通り、ガス流量コントローラ54Bで流量制御されてオゾナイザ58へ供給される。オゾナイザ58はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後に、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを介してウエハ2上へシャワ状に供給される。ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
このとき、後述する高誘電率膜形成ステップ時のウエハ温度(以下、成膜温度という。)よりも低い温度に加熱されたウエハ2表面にオゾンガスが接触することにより、ウエハ2表面に極薄い界面層としてのシリコン酸化膜が形成される(界面層形成ステップ)。
なお、このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に供給される。
なお、界面層形成ステップはウエハ昇温ステップの途中ではなく、成膜温度よりも低い一定の温度に維持した状態で実施してもよい。
ウエハ昇温ステップの途中で、処理室41内の圧力が所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内にオゾンガスが供給される。
すなわち、バルブ57Bが開かれると、酸素ガス供給源52Bから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管53Bを通り、ガス流量コントローラ54Bで流量制御されてオゾナイザ58へ供給される。オゾナイザ58はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後に、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを介してウエハ2上へシャワ状に供給される。ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
このとき、後述する高誘電率膜形成ステップ時のウエハ温度(以下、成膜温度という。)よりも低い温度に加熱されたウエハ2表面にオゾンガスが接触することにより、ウエハ2表面に極薄い界面層としてのシリコン酸化膜が形成される(界面層形成ステップ)。
なお、このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に供給される。
なお、界面層形成ステップはウエハ昇温ステップの途中ではなく、成膜温度よりも低い一定の温度に維持した状態で実施してもよい。
オゾンガスの供給が所定時間行われ、界面層としてのシリコン酸化膜が形成された後、バルブ60Bが閉じられ、オゾンガスのウエハ2への供給が停止される。
このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Bを開き、バイパス管66Bによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Bを開き、バイパス管66Bによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
処理室41内のパージが所定時間行われ、ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定した後、高誘電率膜形成ステップが行われる。
次に、高誘電率膜形成ステップについて説明する。
ウエハ2表面に界面層としてのシリコン酸化膜が形成された後に、ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内に第一原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源52Aから供給された第一原料としての有機金属液体原料、例えば、Hf[OC(CH3 )2 CH2 OCH3 ]4 (テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロポキシ)ハフニウム、以下、MMPと略す。)が、第一液体原料供給管53Aを通り、液体流量コントローラ54Aで流量制御され、気化器55Aへ供給される。気化器55Aは第一原料を気化させる。
バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは第一原料ガス供給管56Aを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
このときも、バルブ57Cは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管56A内で混合されてシャワヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワ状に供給される(第一原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第一原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第一原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
ウエハ2表面に界面層としてのシリコン酸化膜が形成された後に、ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内に第一原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源52Aから供給された第一原料としての有機金属液体原料、例えば、Hf[OC(CH3 )2 CH2 OCH3 ]4 (テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロポキシ)ハフニウム、以下、MMPと略す。)が、第一液体原料供給管53Aを通り、液体流量コントローラ54Aで流量制御され、気化器55Aへ供給される。気化器55Aは第一原料を気化させる。
バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは第一原料ガス供給管56Aを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
このときも、バルブ57Cは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管56A内で混合されてシャワヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワ状に供給される(第一原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第一原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第一原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
第一原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ57Aが閉じられ、第一原料ガスのウエハ2への供給が停止される。
このときも、バルブ57Cは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Aを開いてバイパス管66Aによって第一原料ガスを排気することにより、気化器55Aからの第一原料ガスの供給を停止しない方が好ましい。
このときも、バルブ57Cは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Aを開いてバイパス管66Aによって第一原料ガスを排気することにより、気化器55Aからの第一原料ガスの供給を停止しない方が好ましい。
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室41内に第二原料ガスが供給される。
すなわち、第二原料供給源52Dから供給された第二原料としての有機金属液体原料、例えば、Si−MMPが第二液体原料供給管53Dを通り、液体流量コントローラ54Dで流量制御され、気化器55Dへ供給される。気化器55Dは第二原料を気化させる。
バルブ67Cが閉じられると共に、バルブ57Dが開かれると、気化した第二原料ガスは第二原料ガス供給管56Dを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51dおよびシャワ板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
このときも、バルブ57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管56D内で混合されてシャワヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワ状に供給される(第二原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第二原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第二原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
すなわち、第二原料供給源52Dから供給された第二原料としての有機金属液体原料、例えば、Si−MMPが第二液体原料供給管53Dを通り、液体流量コントローラ54Dで流量制御され、気化器55Dへ供給される。気化器55Dは第二原料を気化させる。
バルブ67Cが閉じられると共に、バルブ57Dが開かれると、気化した第二原料ガスは第二原料ガス供給管56Dを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51dおよびシャワ板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
このときも、バルブ57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管56D内で混合されてシャワヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワ状に供給される(第二原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第二原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第二原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
第二原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ57Dが閉じられ、第二原料ガスのウエハ2への供給が停止される。
このときも、バルブ57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Cを開いて、バイパス管66Cによって第二原料ガスを排気することにより、気化器55Dからの第二原料ガスの供給を停止しない方が好ましい。
このときも、バルブ57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Cを開いて、バイパス管66Cによって第二原料ガスを排気することにより、気化器55Dからの第二原料ガスの供給を停止しない方が好ましい。
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室41内に酸化剤としてのオゾンガスが供給される。
すなわち、バルブ57Bが開かれると、酸素ガス供給源52Bから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管53Bを通り、ガス流量コントローラ54Bで流量制御されてオゾナイザ58へ供給される。オゾナイザ58はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してウエハ2上へシャワ状に供給される(酸化剤供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
なお、このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に供給される。
すなわち、バルブ57Bが開かれると、酸素ガス供給源52Bから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管53Bを通り、ガス流量コントローラ54Bで流量制御されてオゾナイザ58へ供給される。オゾナイザ58はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してウエハ2上へシャワ状に供給される(酸化剤供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
なお、このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に供給される。
オゾンガスの供給が所定時間行われた後、バルブ60Bが閉じられ、オゾンガスのウエハ2への供給が停止される。
このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Bを開き、バイパス管66Bによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止しない方が好ましい。
このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
この際、バルブ67Bを開き、バイパス管66Bによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止しない方が好ましい。
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、再び、バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、気化した第一原料ガスが不活性ガスと共にシャワヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワ板51bを経由してウエハ2上へ供給される。すなわち、第一原料ガス供給ステップが実施される。
以上の第一原料ガス供給ステップ、パージステップ、第二原料ガス供給ステップ、パージステップ、酸化剤供給ステップ、パージステップを、1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を行うことにより、ウエハ2上すなわちウエハ2表面に形成された界面層としてのシリコン酸化膜上に所定膜厚の高誘電率膜を形成することができる(高誘電率膜形成ステップ)。
以上のようにして、ウエハ2上に高誘電率膜としてのハフニウムシリケート膜が形成される。
ハフニウムシリケート膜の形成が終了すると、ゲートバルブ44が開かれ、成膜済みのウエハ2は負圧移載装置によって搬出(ウエハアンローディング)される。
ハフニウムシリケート膜の形成が終了すると、ゲートバルブ44が開かれ、成膜済みのウエハ2は負圧移載装置によって搬出(ウエハアンローディング)される。
次に、以上の成膜工程におけるヒータ47の作用を説明する。
ヒータ47がサセプタ46上のウエハ2を加熱するに際して、ウエハ2の温度分布均一性および安定性を確保するために、ウエハ2のインゾーンおよびアウトゾーンをインゾーンヒータ71およびアウトゾーンヒータ72によってそれぞれ加熱する。
この際に、ウエハ2のインゾーンとアウトゾーンとがインゾーンヒータ71による加熱とアウトゾーンヒータ72の加熱との熱干渉を受けるために、ウエハの温度分布均一性および安定性を充分に確保することができない。
ヒータ47がサセプタ46上のウエハ2を加熱するに際して、ウエハ2の温度分布均一性および安定性を確保するために、ウエハ2のインゾーンおよびアウトゾーンをインゾーンヒータ71およびアウトゾーンヒータ72によってそれぞれ加熱する。
この際に、ウエハ2のインゾーンとアウトゾーンとがインゾーンヒータ71による加熱とアウトゾーンヒータ72の加熱との熱干渉を受けるために、ウエハの温度分布均一性および安定性を充分に確保することができない。
本実施形態においては、次の作用により、ヒータ47はウエハ2のインゾーンとアウトゾーンとに対するインゾーンヒータ71による加熱とアウトゾーンヒータ72の加熱との熱干渉を防止し、ウエハの温度分布均一性および安定性を充分に確保する。
熱電対77はウエハ2の中心部の温度をリアルタイムに温度調節部78に送る。
温度調節部78は熱電対77が検出した温度に基づいてインゾーンヒータ71およびアウトゾーンヒータ72の加熱温度を調節する調節値を算出し、当該算出した調節値と、予め記憶された比率とに基づいてインゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74をそれぞれ制御する。
インゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74は、ウエハ2のインゾーンとアウトゾーンとの温度偏差が所定値になるように、各ゾーンの供給電力を調節した上で、電力をインゾーンヒータ71およびアウトゾーンヒータ72にそれぞれ印加する。
以上の制御により、ヒータ47はウエハ2のインゾーンとアウトゾーンとに対するインゾーンヒータ71による加熱とアウトゾーンヒータ72の加熱との熱干渉を防止することができるので、ウエハの温度分布均一性および安定性を充分に確保することができる。
熱電対77はウエハ2の中心部の温度をリアルタイムに温度調節部78に送る。
温度調節部78は熱電対77が検出した温度に基づいてインゾーンヒータ71およびアウトゾーンヒータ72の加熱温度を調節する調節値を算出し、当該算出した調節値と、予め記憶された比率とに基づいてインゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74をそれぞれ制御する。
インゾーン用サイリスタ73およびアウトゾーン用サイリスタ74は、ウエハ2のインゾーンとアウトゾーンとの温度偏差が所定値になるように、各ゾーンの供給電力を調節した上で、電力をインゾーンヒータ71およびアウトゾーンヒータ72にそれぞれ印加する。
以上の制御により、ヒータ47はウエハ2のインゾーンとアウトゾーンとに対するインゾーンヒータ71による加熱とアウトゾーンヒータ72の加熱との熱干渉を防止することができるので、ウエハの温度分布均一性および安定性を充分に確保することができる。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
(1)ヒータがウエハのインゾーンとアウトゾーンとに対するインゾーンヒータによる加熱とアウトゾーンヒータの加熱との熱干渉を防止することにより、ウエハの温度分布均一性および安定性を充分に確保することができるため、ウエハ面内の膜厚分布均一性を向上させることができる。
(2)パネルヒータを窒化アルミニウム製のカバーによって被覆することにより、原料ガスによるパネルヒータの劣化を防止することができるので、インゾーンヒータおよびアウトゾーンヒータの短絡等の発生を未然に防止することができる。
(3)熱電対を1台に減少させることにより、成膜装置のイニシャルコストおよびランニングコストを低減することができ、加えて操作性も向上させることができる。
(4)熱電対をパネルヒータすなわちウエハの中心部にのみ配置することにより、成膜装置のイニシャルコストおよびランニングコストを低減することができ、また、パネルヒータを窒化アルミニウムによって覆う場合に構造上、熱電対をパネルヒータすなわちウエハの周縁部に設置できない場合であっても、充分な温度分布均一性および安定性を確保することができる。
(5)温度調節部のインゾーンとアウトゾーンとの温度偏差が所定値になるように算出する比率を、ウエハを処理する前に予め求めておくことにより、事前に最適な比率を取得することができるので、充分な温度分布均一性および安定性をより一層確実に確保することができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、ヒータはインゾーンヒータおよびアウトゾーンヒータの2箇所に分けるに限らず、3箇所以上に分けてもよい。
また、温度検出部も1箇所に設けるに限らず、2箇所以上に設けてもよい。
また、温度検出部も1箇所に設けるに限らず、2箇所以上に設けてもよい。
前記実施の形態においては、枚葉式基板処理装置について説明したが、本発明はこれに限らず、枚葉式の酸化装置やアニール装置およびその他の熱処理装置等の複数のヒータを具備する基板処理装置全般に適用することができる。
被処理基板はウエハに限らず、LCD装置の製造工程におけるガラス基板や液晶パネル等の基板であってもよい。
また、成膜の種類等も限定はない。
また、成膜の種類等も限定はない。
2…ウエハ(被処理基板)、
40…成膜装置(基板処理装置)、41…処理室、42…筐体、
43…ウエハ搬入搬出口、44…ゲートバルブ、45…支持台、46…サセプタ、
47…ヒータ、48…ヒータの電力供給装置、
49…回転機構、50…昇降機構、51…シャワヘッド、51a…分散板、51b…シャワ板、51c…第一バッファ空間、51d…第二バッファ空間、51e…ガス噴出口、 52A…第一原料供給源、53A…第一液体原料供給管、54A…液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)、55A…気化器、56A…第一原料ガス供給管、57A…バルブ、
52D…第二原料供給源、53D…第二液体原料供給管、54D…液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)、55D…気化器、56D…第二原料ガス供給管、57D…バルブ、
52C…不活性ガス供給源、53C…不活性ガス供給管、54C…ガス流量コントローラ、57C、57E…バルブ、
52B…酸素ガス供給源、53B…酸素ガス供給管、54B…ガス流量コントローラ、57B…バルブ、58…オゾナイザ、59B…オゾンガス供給管、60B…バルブ、
61…排気口、62…排気管、63…真空ポンプ、64…圧力コントローラ、65…原料回収トラップ、
66A…第一原料ガスバイパス管(ベント管)、66B…オゾンガスバイパス管(ベント管)、66C…第二原料ガスバイパス管(ベント管)、67A、67C、67B…バルブ、
68…プレート、
70…パネルヒータ、71…インゾーンヒータ、72…アウトゾーンヒータ、73…インゾーン用サイリスタ、74…アウトゾーン用サイリスタ、75…インゾーン用電源、76…アウトゾーン用電源、77…熱電対(温度検出部)、78…温度調節部、79…カバー、
80…コントローラ(制御システム)。
40…成膜装置(基板処理装置)、41…処理室、42…筐体、
43…ウエハ搬入搬出口、44…ゲートバルブ、45…支持台、46…サセプタ、
47…ヒータ、48…ヒータの電力供給装置、
49…回転機構、50…昇降機構、51…シャワヘッド、51a…分散板、51b…シャワ板、51c…第一バッファ空間、51d…第二バッファ空間、51e…ガス噴出口、 52A…第一原料供給源、53A…第一液体原料供給管、54A…液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)、55A…気化器、56A…第一原料ガス供給管、57A…バルブ、
52D…第二原料供給源、53D…第二液体原料供給管、54D…液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)、55D…気化器、56D…第二原料ガス供給管、57D…バルブ、
52C…不活性ガス供給源、53C…不活性ガス供給管、54C…ガス流量コントローラ、57C、57E…バルブ、
52B…酸素ガス供給源、53B…酸素ガス供給管、54B…ガス流量コントローラ、57B…バルブ、58…オゾナイザ、59B…オゾンガス供給管、60B…バルブ、
61…排気口、62…排気管、63…真空ポンプ、64…圧力コントローラ、65…原料回収トラップ、
66A…第一原料ガスバイパス管(ベント管)、66B…オゾンガスバイパス管(ベント管)、66C…第二原料ガスバイパス管(ベント管)、67A、67C、67B…バルブ、
68…プレート、
70…パネルヒータ、71…インゾーンヒータ、72…アウトゾーンヒータ、73…インゾーン用サイリスタ、74…アウトゾーン用サイリスタ、75…インゾーン用電源、76…アウトゾーン用電源、77…熱電対(温度検出部)、78…温度調節部、79…カバー、
80…コントローラ(制御システム)。
Claims (1)
- 基板を処理する処理室と、
該処理室内の前記基板を加熱するための複数の加熱領域を有する加熱手段と、
少なくともいずれか一つの前記加熱領域に対応し、かつ、前記複数の加熱領域の数よりも少ない数だけ設けられた温度検出部と、
前記温度検出部に対応する数だけ設けられ、前記温度検出部によって検出された温度に基づいて前記加熱領域の温度を調節する調節値を算出する温度調節部と、
前記調節値と、前記調節値を算出した第一加熱領域と、該第一加熱領域を含む加熱領域との温度偏差が所定値になるように算出した比率と、に基づいて前記複数の加熱領域の温度をそれぞれ制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
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JP2008242470A JP2010074048A (ja) | 2008-09-22 | 2008-09-22 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008242470A Pending JP2010074048A (ja) | 2008-09-22 | 2008-09-22 | 基板処理装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103046028A (zh) * | 2011-10-13 | 2013-04-17 | 中国科学院微电子研究所 | 基于高精度pid控制温度的原子层沉积设备 |
KR20160078332A (ko) * | 2013-10-25 | 2016-07-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 온도 제어 기구, 온도 제어 방법 및 기판 처리 장치 |
-
2008
- 2008-09-22 JP JP2008242470A patent/JP2010074048A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103046028A (zh) * | 2011-10-13 | 2013-04-17 | 中国科学院微电子研究所 | 基于高精度pid控制温度的原子层沉积设备 |
KR20160078332A (ko) * | 2013-10-25 | 2016-07-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 온도 제어 기구, 온도 제어 방법 및 기판 처리 장치 |
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