TWI771742B - 氣化裝置、基板處理裝置、潔淨方法、半導體裝置的製造方法、及程式 - Google Patents

氣化裝置、基板處理裝置、潔淨方法、半導體裝置的製造方法、及程式 Download PDF

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Abstract

提供技術，其具有原料容器，用於貯存液體原料；第1加熱部，浸泡在前述液體原料中，用於對液體原料進行加熱；第2加熱部，用於對原料容器進行加熱；第1溫度感測器，浸泡在前述液體原料中，用於對液體原料之溫度進行測量；及第2溫度感測器，浸泡在液體原料中，用於對液體原料之溫度進行測量；及控制部，構成為依據第1溫度感測器測量到的溫度對第1加熱部進行控制的同時，依據第2溫度感測器測量到的溫度對第2加熱部進行控制。

Description

氣化裝置、基板處理裝置、潔淨方法、半導體裝置的製造方法、及程式
本揭示關於氣化裝置、基板處理裝置、潔淨方法、半導體裝置的製造方法、及程式。
為了形成半導體元件使用的薄膜而對基板上供給原料氣體。此外，為了除去伴隨著薄膜之形成而沈積在處理室內等的膜，將潔淨氣體供給至處理室內等而進行氣體潔淨。為了生成這些原料氣體或潔淨氣體，通常進行藉由氣化裝置使液體原料(液態氣體源)氣化(例如專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 國際公開第2009/037991號手冊
使液體原料氣化而生成原料氣體或潔淨氣體等之氣體之情況下，基於液體原料之氣化導致液體原料之溫度急速降低，有可能發生氣體之流量降低。
本揭示之目的在於提供能夠使液體原料氣化而生成的氣體之流量穩定的技術。
依據本揭示之一態樣提供的技術，係具有：原料容器，用於貯存液體原料；第1加熱部，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料進行加熱；第2加熱部，用於對前述原料容器進行加熱；第1溫度感測器，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量；第2溫度感測器，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量；及控制部，構成為依據前述第1溫度感測器測量到的溫度對前述第1加熱部進行控制的同時，依據前述第2溫度感測器測量到的溫度對前述第2加熱部進行控制。
提供能夠使液體原料氣化而生成的氣體之流量穩定的技術。
10:基板處理裝置
121:控制器
200:晶圓(基板)
201:處理室
600:原料容器
610:內部加熱器
620:外部加熱器
630:第1溫度感測器
640:第2溫度感測器
[圖1]本揭示之一實施形態中適合使用的基板處理裝置之縱型處理爐之概略構成圖，係以縱剖面圖示出處理爐部分的圖。
[圖2]本揭示之一實施形態中適合使用的基板處理裝置之縱型處理爐之概略構成圖，係以圖1之A-A線斷面圖示出處理爐部分的圖。
[圖3]本揭示之一實施形態中適合使用的基板處理裝置之控制器之概略構成圖，係以方塊圖表示控制器之控制系統的圖。
[圖4]本揭示之一實施形態中適合使用的基板處理裝置所具備的氣化裝置之概略構成，係以垂直斷面示出的圖。
[圖5]本揭示之一實施形態中適合使用的基板處理裝置所具備的氣化裝置之概略構成，係以水平斷面示出的圖。
[圖6]本揭示之一實施形態中在晶圓進行成膜之情況下之成膜序列圖。
[圖7]本揭示之其他實施形態中適合使用的基板處理裝置所具備的氣化裝置之概略構成，係以垂直斷面示出的圖。
[圖8]本揭示之其他實施形態中適合使用的基板處理裝置所具備的氣化裝置之概略構成，係以垂直斷面示出的 圖。
[圖9]本揭示之其他實施形態中適合使用的基板處理裝置所具備的氣化裝置之概略構成，係以垂直斷面示出的圖。
<本揭示之一實施形態>
以下，參照圖1~5說明本揭示之一實施形態。
(1)處理爐的構成
處理爐202具有作為加熱手段(加熱機構，加熱系統)的加熱器207。加熱器207係圓形筒形狀，藉由加熱器底座進行支撐而垂直安裝。
在加熱器207之內側配設有與加熱器207呈同心圓狀地構成反應容器(處理容器)的反應管203。反應管203係由耐熱性材料(例如石英(SiO2)、碳化矽(SiC)等)構成，形成為上端閉塞下端開口的圓筒形狀。在反應管203之下方配設有與反應管203呈同心圓狀的歧管(入口凸緣(inlet flange))209。歧管209例如由不鏽鋼(SUS)等之金屬構成，形成為上端及下端為開口的圓筒形狀。在歧管209之上端部與反應管203之間設置有作為密封構件之O形環220a。歧管209被加熱器底座支撐，由此，反應管203成為垂直安裝的狀態。在處理容器之筒中空部形成處理室 201。
處理室201構成為可以將藉由如後述的晶舟217使作為基板的晶圓200以水平姿勢支撐且在垂直方向以多段配列的狀態予以收納。
在處理室201內以貫穿歧管209之側壁的方式設置有噴嘴410、420、430。在噴嘴410、420、430分別連接有氣體供給管310、320、330。
在氣體供給管310、320、330從上游側依序設置有作為流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)512、522、523及作為開關閥的閥314、324、334。在氣體供給管310、320、330之閥314、324、334之下游側分別連接有供給惰性氣體的氣體供給管510、520、530。於氣體供給管510、520、530從上游側依序設置有作為流量控制器(流量控制部)的MFC 512、522、523及作為開關閥的閥514、524、534。
噴嘴410、420、430構成為L字型之噴嘴，以其水平部貫穿歧管209之側壁的方式而設置。噴嘴410、420、430之垂直部，係在反應管203之內壁與晶圓200之間所形成的圓形環狀之空間，以沿著反應管203之內壁向上方(晶圓200之配列方向上方)站立的方式(亦即從晶圓配列區域之一端側向另一端側站立的方式)而設置。亦即，噴嘴410、420、430，供作為配列晶圓200的晶圓配列區域之側方的晶圓配列區域之水平周圍區域沿著晶圓配列區域而設置。
在噴嘴410、420、430的側面，沿著晶圓200之配列方向且與配列有晶圓200的基板配列區域對應地設置有供給氣體的氣體供給口410a、420a、430a。氣體供給口410a、420a、430a朝向反應管203之中心開口。該氣體供給口410a、420a、430a係從反應管203之下部遍及上部設置有多個，且設置為分別具有相同之開口面積，相同的開口度。但是，氣體供給口410a、420a、430a不限定於前述形態。例如從反應管203之下部向上部使開口面積逐漸變大亦可。藉此，從氣體供給口410a、420a、430a供給的氣體之流量可以均勻化。
作為處理氣體的原料氣體(前驅物)係從氣體供給管310經由MFC 312、閥314和噴嘴410被供給至處理室201。原料氣體係例如使用在常溫常壓下使液態的液體原料(液態氣體源)氣化而生成的氣體，並且是含有作為金屬元素的鋁(Al)的含金屬的氣體(含Al原料氣體、含Al氣體)。例如可以使用三甲基鋁(Al(CH3)3，簡稱：TMA)。TMA係有機原料，是烷基作為配體與鋁鍵合的烷基鋁。
當從氣體供給管310供給在規定溫度下自分解的原料氣體時，原料氣體供給系統主要由氣體供給管310、MFC 312和閥314構成。噴嘴410可以被包含在原料氣體供給系統中。原料氣體供給系統也可以稱為原料供給系統。當從氣體供給管310供給含金屬氣體時，原料氣體供給系統也可以被稱為含金屬氣體供給系統。
當將含鋁原料用作含金屬氣體時，含金屬氣 體供給系統也可以稱為含鋁原料供給系統。當將TMA用作含鋁原料時，含鋁原料供給系統也可以稱為TMA供給系統。
當從氣體供給管320供給反應氣體(反應物)時，反應氣體供給系統(反應物供給系統)主要由氣體供給管320、MFC 322和閥324構成。噴嘴420可以被包含在反應氣體供給系統中。當供給含氧氣體(氧化氣體、氧化劑)作為反應氣體時，反應氣體供給系統也可以稱為含氧氣體(氧化氣體、氧化劑)供給系統。當將O3用作含氧氣體時，含氧氣體供給系統也可以稱為O3供給系統。當反應氣體從噴嘴420流出時，噴嘴420可以被稱為反應氣體噴嘴。
潔淨氣體(蝕刻氣體)從氣體供給管330經由MFC 332、閥334和噴嘴430被供給到處理室201內作為處理氣體。作為潔淨氣體例如是在常溫常壓下使液態的液體原料(液態氣體源)氣化而產生的氣體，可以使用選自氯化氫(HCl)、四氯化矽(SiCl4)、亞硫醯氯(SOCl2)、三溴化硼(BBr3)、四溴化矽(SiBr4)和溴(Br2)之群的一種以上的氣體。
潔淨氣體供給系統主要由氣體供給管330、MFC 332和閥334構成。噴嘴430可以被包含在潔淨氣體供給系統內。
此外，惰性氣體從氣體供給管510、520、530經由MFC 512、522、532、閥514、524、534和噴嘴410、420、430供給到處理室201。惰性氣體例如可以使用 N2氣體。
惰性氣體供給系統主要由氣體供給管510、520、530、MFC 512、522、532和閥514、524、534構成。
另一方面，在歧管209的壁面連接有用於排出處理室201的氛圍的作為排氣流路之排氣管231的一端。在排氣管231上安裝有用於檢測處理室201的壓力之作為壓力檢測器(壓力檢測部)的壓力感測器245和作為排氣閥(壓力調整部)的APC(自動壓力控制器)閥243，在排氣管231的端部安裝有作為真空排氣裝置的真空泵246。
APC閥243構成為可以藉由在真空泵246動作的狀態下打開或關閉閥來執行處理室201的真空排氣和真空排氣停止，此外，在真空泵246動作的狀態下根據由壓力感測器245檢測到的壓力資訊藉由調整閥開度可以調整處理室201的壓力。排氣系統主要由排氣管231、APC閥243以及壓力感測器245構成。真空泵246可以包含在排氣系統中。排氣管231不限於設置在反應管203中的情況，與噴嘴410、420、430同樣地設置在歧管209亦可。
在歧管209的下方設置有密封蓋219作為爐口蓋體，該爐口蓋體能夠氣密地封閉歧管209的下端開口。密封蓋219例如由SUS等的金屬製成，設為圓盤狀。與歧管209的下端接觸的作為密封構件的O形環220設置在密封蓋219的上表面。在處理室201的相對於密封蓋219的相反側設置有用於旋轉後述之晶舟217的旋轉機構267。旋轉機 構267的旋轉軸255貫穿密封蓋219並連接到晶舟217。
密封蓋219構成為藉由作為升降器構的晶舟升降器115而沿著垂直方向升降，該升降器垂直地設置在反應管203的外部。晶舟升降器115構成為藉由升降密封蓋219而能夠將晶舟217搬入和搬出處理室201。晶舟升降器115構成為用於將晶舟217即晶圓200搬送進出處理室201的搬送裝置(搬送機構)。
作為基板支撐件的晶舟217係構成為，將複數片例如25至200片晶圓200以水平姿勢和以彼此中心對齊的狀態在垂直方向上排列成多段進行支撐，亦即隔開間隔排列進行支撐。頂板215設置在晶舟217的頂部上。晶舟217和頂板215例如由諸如石英或SiC的耐熱材料製成。在晶舟217之下部的隔熱區域中，由石英或SiC等耐熱材料製成的隔熱板218以水平姿勢被多段支撐。藉由這種構造，來自加熱器207的熱不容易傳遞到密封蓋219側。然而，本實施形態不限於前述形態。例如，在晶舟217的下部不設置隔熱板218，而設置由石英或SiC等耐熱材料構成的筒狀構件的隔熱筒亦可。
此外，如圖2所示，處理室201設置有作為溫度檢測器的溫度感測器263。依據溫度感測器263檢測到的溫度資訊調整對加熱器207的通電程度，由此，而使處理室201的溫度成為期望的溫度分佈。溫度感測器263係和噴嘴410、420一樣沿著反應管203的內壁設置。
如圖3所示，作為控制部(控制手段)的控制 器121，係構成為具備CPU(Central Processing Unit(中央處理單元))121a、RAM(Random Access Memory(隨機存取記憶體))121b、記憶裝置121c和I/O埠121d的電腦。構成為RAM 121b、記憶裝置121c和I/O埠121d經由內部匯流排與CPU 121a能夠交換資料。例如觸控面板等的輸出入裝置122連接到控制器121。
記憶裝置121c由例如快閃記憶體、HDD(硬碟驅動器)等構成。在記憶裝置121c內以能夠讀出的方式儲存有用於控制液體原料的溫度的控制程式、用於控制基板處理裝置的動作的控制程式、以及記載有稍後描述的半導體裝置之製造方法的順序或條件等的製程配方等的至少其中之一。製程配方，係以使得控制器121可以執行稍後描述的半導體裝置的製造方法中的每個工程(每個步驟)，並獲得規定結果的方式予以組合者，作為程式之功能。以下，將該製程配方統稱為控制程式等，有時亦簡單稱為程式。當在本說明書中使用程式的術語時有可能僅包括單獨的製程配方、僅包括單獨的控制程式、或可能包含製程配方和控制程式的組合。RAM 121b構成為臨時保存由CPU 121a讀取的程式或資料等的記憶區域(工作區域)。
I/O埠121d連接到前述的MFC 312、322、332、512、522、532、閥314、324、334、344、514、524、534、壓力感測器245、APC閥243、真空泵246、加熱器207、溫度感測器263、旋轉機構267、晶舟升降器115、設置在後述的氣化裝置(氣化氣體供給系統)的內部 加熱器610、外部加熱器620、第1溫度感測器630、第2溫度感測器640、液面檢測感測器660等中的至少一個。
控制內部加熱器610及外部加熱器620的控制部(未示出)與控制基板處理裝置10的控制部121可以獨立構成。當獨立構成時，控制內部加熱器610及外部加熱器620的控制部係構成氣化裝置。此外，當獨立構成時，控制內部加熱器610及外部加熱器620的控制部可以構成連接到控制基板處理裝置10的控制部121。
關於控制內部加熱器610及外部加熱器620的控制部，至少連接到內部加熱器610、外部加熱器620、第1溫度感測器630、第2溫度感測器640和液面檢測感測器660之其中的至少一個即可。
CPU 121a係構成為從記憶裝置121c讀取並執行控制程式，並且響應於來自輸出入裝置122等的操作指令的輸入等而從記憶裝置121c讀取配方等。CPU 121a構成為遵循讀取的配方的內容針對基於MFC 312、322、332、521、522、532的各種氣體之流量調整動作、閥314、324、334、514、524、534的開啟或關閉動作、APC閥243的開啟或關閉動作以及經由APC閥243的壓力感測器245的壓力調整動作、基於溫度感測器263的加熱器207的溫度調整動作、真空泵246的啟動及停止、基於旋轉機構267的晶舟217的旋轉及旋轉速度調整動作、基於晶舟升降器115的晶舟217的升降動作、晶圓200在晶舟217中的收納動作、基於第1溫度感測器630的內部加熱器610以及基於第2溫度 感測器640的外部加熱器620的液體原料的溫度調整動作等進行控制。
控制器121可以藉由將儲存在外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟或硬碟之類的磁碟、CD或DVD之類的光碟、MO之類的光學磁碟、USB記憶體或記憶卡之類的半導體記憶體)123的前述程式安裝在電腦上來構成。記憶裝置121c或外部記憶裝置123構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，將它們統稱為記錄媒體。在本說明書中，記錄媒體有可能僅包括單獨的記憶裝置121c、僅包括單獨的外部記憶裝置123、或者包括兩者。可以藉由使用諸如網際網路或專用線路之類的通信手段將程式提供給電腦，而無需使用外部記憶裝置123。
(2)氣化裝置(氣化氣體供給系統)的構成
接著，針對貯存液體原料並藉由氣化來生成潔淨氣體等之處理氣體的氣化裝置進行說明。
如圖4所示，在原料容器600連接有：氣體供給管330，其將作為處理氣體的潔淨氣體供給到處理室201內；及液體原料供給管650，其將潔淨氣體的液體原料供給到原料容器600內。
在原料容器600中貯存有作為潔淨氣體的液體原料的例如SiCl4液體，氣化的潔淨氣體進入氣體供給管330，並經由該氣體供給管330、MFC 332和閥334供給至處理室201。藉此，對附著在處理室201內部等的膜進行蝕刻以便 潔淨處理室201的內部。
此外，在原料容器600內設置有：浸漬於液體原料並加熱液體原料的作為第1加熱裝置(第1加熱部)的內部加熱器610(例如電阻加熱器)；為了控制該內部加熱器610而浸漬於液體原料並測量液體原料的溫度的第1溫度感測器630；為了控制後述的外部加熱器620而浸漬於液體原料並測量液體原料的溫度的第2溫度感測器640；及檢測液體原料的液面的高度(位準)的液面檢測感測器660。第1溫度感測器630和第2溫度感測器640均由例如熱電偶(Themocoupe)構成。
電源(未示出)連接到內部加熱器610，內部加熱器610的溫度被調整成為根據第1溫度感測器630測量的溫度使得液體溫度成為規定的溫度。更具體地，例如，由控制器121控制從電源供給到內部加熱器610的電力的大小，使得第1溫度感測器630測量的溫度成為規定的第1溫度。
原料容器600被作為第2加熱裝置(第2加熱部)的外部加熱器(例如夾套加熱器)620覆蓋，該第2加熱器用於加熱原料容器600及其內部的液體原料。電源連接到外部加熱器620，並且根據第2溫度感測器640測量的溫度來調整外部加熱器的溫度，使得液體溫度成為規定溫度。更具體地，例如由控制器121控制提供給外部加熱器620的電力的大小，使得由第2溫度感測器640測量的溫度成為規定的第2溫度。
較好是規定的第1溫度和第2溫度均被設定為與期望的液體原料的溫度相同的值。然而，考慮到原料容器600內的液體原料的溫度分佈，可以將規定的第1溫度和第2溫度設定為不同的值。
此外，液面檢測感測器660檢測液體原料的液面的高度，並且當所檢測的液面的高度低於規定高度時，由控制器121執行控制以便停止對內部加熱器610及外部加熱器620的電力供給、或從液體原料供給管650供給液體原料。
說明氣化裝置的動作之一例。當潔淨氣體從原料容器600經由氣體供給管330、MFC 332、閥334和噴嘴430a供給到處理室201時，原料容器600內的液體原料的溫度由第1溫度感測器630和第2溫度感測器640進行測量。在此，當開始供給作為氣化氣體的潔淨氣體時，由於氣化熱使得原料容器600內的液體原料的溫度急劇下降。因此，根據第1溫度感測器630測量的液體原料的溫度來調整內部加熱器610的溫度，使得液體原料的溫度成為規定溫度，並且根據第2溫度感測器640測量的液體原料的溫度來調整外部加熱器620的溫度，使得液體原料的溫度成為規定溫度。以這種方式，在供給潔淨氣體之後已經急劇下降的液體原料的溫度可以藉由內部加熱器610及外部加熱器620加熱而在短時間內上升到規定溫度。
此外，藉由分別控制內部加熱器610及外部加熱器620，提高了液體原料的溫度對控制器121的控制的 響應性，可以在短時間內將液體原料升高到規定溫度。另外，由於可以在短時間內將液體原料升高至規定溫度，因此可以防止由於供給潔淨氣體時由於氣化熱引起的液體原料的溫度降低而導致的飽和蒸氣壓的降低，由於可以確保液體原料所必需的蒸汽壓力，因此可以防止潔淨氣體的流量降低。
此外，如圖4所示，在本實施形態中較好是，第1溫度感測器630(更具體地，第1溫度感測器630的溫度檢測點)和第2溫度感測器640(更具體地，第2溫度感測器640的溫度檢測點)分別配置成為位於原料容器600的底表面附近的同一高度處。更具體地，較好是將每個溫度感測器配置在低於內部加熱器610的位置。藉由以這種方式配置每個溫度感測器，即使由於某種原因導致液體原料的液面下降到正常動作中的液面高度以下，也可以繼續地測量液體原料的溫度。例如，當檢測到即使繼續向內部加熱器610供電時液體原料的溫度迅速下降時，有可能液體原料的液面下降到內部加熱器610之更下方，因此，可以進行諸如停止對內部加熱器610的供電的控制。
此外，如圖5所示，較好是第1溫度感測器630在水平方向上配置在盡可能遠離作為加熱源的內部加熱器610及外部加熱器620的位置。藉由將第1溫度感測器630配置在遠離加熱源的位置，來測量原料容器600內的液體原料之中溫度相對較低的部分的溫度，並根據測量到的溫度來控制內部加熱器610，因此可以將全部液體原料加 熱至期望的溫度以上。在本實施形態中，第1溫度感測器630配置在距內部加熱器610的距離和距外部加熱器620的距離相等的位置。同樣地，較好是第2溫度感測器640在水平方向上配置在盡可能遠離作為加熱源的內部加熱器610及外部加熱器620的位置。在本實施形態中，第2溫度感測器640配置在距內部加熱器610的距離和距外部加熱器620的距離相等的位置。
在本實施形態中，已經說明了使用本氣化裝置生成潔淨氣體的示例，但是本氣化裝置也可以應用在生成除了潔淨氣體之外的作為處理氣體之原料氣體或反應氣體的氣化裝置。
(2)基板處理製程
接下來，作為本實施形態的半導體裝置(器件)的製造製程的一個步驟，說明使用前述基板處理裝置10在基板上形成膜來製造半導體裝置(器件)的方法的示例。在以下的說明中，構成基板處理裝置10的每個部分的動作係由控制器280控制。
另外，當在本說明書中使用術語“晶圓”時，是指“晶圓本身”或“晶圓與在其表面上形成的規定的層或膜等的層疊體(集合體)”(亦即，稱為晶圓者可以包含在表面上形成的規定的層或膜等)。此外，在本說明書中使用術語“晶圓的表面”時，是指“晶圓本身的表面(露出面)”或“在晶圓上形成的規定的層或膜等的表面”，亦即，意味著 “作為層疊體的晶圓的最外表面”。另外，在本說明書中使用術語“基板”時亦和使用術語“晶圓”的情況下相同意義。
(A)成膜製程
參照圖6說明使用基板處理裝置10在晶圓200上形成膜的順序。在本實施形態中，將裝載有多片晶圓200的狀態下進行收納的處理室201加熱至規定的溫度。然後，在處理室201內進行規定次數(n次)的以下步驟：從噴嘴410的氣體供給口410a供給作為原料氣體的TMA氣體的原料氣體供給步驟，和從噴嘴420的氣體供給口420a供給反應氣體的反應氣體供給步驟。藉此，在晶圓200上形成氧化鋁膜(AlO膜)作為包含Al和O的膜。
(晶圓搬入)
將多片晶圓200搬入處理室201內。具體而言，當多片晶圓200被裝載到晶舟217時，如圖1所示，支撐多片晶圓200的晶舟217被晶舟升降器115提升並搬入處理室201內。在這種狀態下，密封蓋219處於經由O形環220閉塞歧管209的下端開口的狀態。
(壓力調整及溫度調整)
藉由真空泵246實施真空排氣使處理室201內成為期望的壓力(真空度)。此時，藉由壓力感測器245來測量處理室201內的壓力，並且根據所測量的壓力資訊來對APC閥 231a進行反饋控制(壓力調整)。真空泵246始終維持作動狀態直到至少完成對晶圓200的處理為止。此外，藉由加熱器207進行加熱以使處理室201內成為期望的溫度。至少在對晶圓200的處理完成之前繼續進行藉由加熱器207對處理室201內的加熱。
此外，晶舟217和晶圓200藉由旋轉機構267旋轉。至少繼續進行基於旋轉機構267的晶舟217和晶圓200的旋轉直到完成晶圓200的處理為止。
此後，按順序進行規定次數的原料氣體供給步驟(第1氣體供給步驟)、殘留氣體除去步驟、反應氣體供給步驟(第2氣體供給步驟)、和殘留氣體除去步驟。
(原料氣體供給步驟)
閥314被打開，原料氣體(TMA氣體)流入氣體供給管310。藉由MFC 312調整TMA氣體的流量，並從噴嘴410的氣體供給口410a供給到處理室201內。與此同時，閥514打開，載氣(N2氣體)流入氣體供給管510。載氣的流量由MFC 512調整，並與原料氣體一起從噴嘴410的氣體供給口410a供給到處理室201內，並從排氣管231排出。此外，為了防止原料氣體進入噴嘴420(防止倒流)，打開閥524並使載氣流入氣體供給管520內。載氣經由氣體供給管520和噴嘴420被供給至處理室201，並從排氣管231排出。
此時，適當地調整APC閥243，使得處理室201的壓力設定為例如1至1000Pa，較好是1至100Pa，更好 是10至50Pa的範圍內的壓力。在本說明書中，當數值範圍記載為例如1至1000Pa時是指1Pa以上且1000Pa以下。亦即，數值範圍內包括1Pa和1000Pa。這不僅適用於壓力，還適用於本說明書中記載的所有數值例如流量、時間和溫度等。
藉由MFC 312控制的TMA氣體的供給流量例如設定為10至2000sccm，較佳為50至1000sccm，更佳為100至500sccm的範圍內的流量。
藉由MFC 512控制的載氣的供給流量例如設定為1至30slm的範圍內的流量。向晶圓200供給原料氣體的時間例如設定為1~60秒，較佳為1~20秒，更佳為2~15秒的範圍內。
藉由加熱器207進行加熱使得晶圓200的溫度例如成為200至600℃，較佳為350℃至550℃，更佳為400至550℃的範圍內。
藉由在前述條件下向處理室201供給TMA氣體，在晶圓200的最表面上形成含Al層。含Al層除了Al之外還可以包含C和H。含Al層，係藉由在晶圓200的最表面上物理吸附TMA、或化學吸附藉由部分分解TMA獲得的物質、或藉由熱分解TMA沉積Al等來形成。亦即，含Al層可以是TMA或TMA的一部分被分解的吸附層(物理吸附層或化學吸附層)，或者可以是Al沉積層(Al層)。
(殘留氣體除去步驟)
在形成含Al層之後關閉閥314並停止TMA氣體的供給。此時，在APC閥243保持打開狀態下，藉由真空泵246對處理室201實施真空排氣，並從處理室201排除殘留在處理室201的未反應或貢獻了含鋁層的形成之後的原料氣體。在打開閥514、524的狀態下維持載氣對處理室201的供給。
(反應氣體供給步驟)
在除去處理室201的殘留氣體之後，打開閥324並使反應氣體(O3氣體)流入氣體供給管320內。反應氣體的流量由MFC 322進行調整，從噴嘴420的氣體供給口420a供給到處理室201內的晶圓200，並從排氣管231被排出。亦即，晶圓200暴露於反應氣體。
此時，打開閥524使載氣流入氣體供給管520內。載氣的流量由MFC 522進行調整，與反應氣體一起供給到處理室201內，並從排氣管231排出。此時，為了防止反應氣體進入噴嘴410內(防止倒流)，打開閥514，使載氣流入氣體供給管510內。載氣經由氣體供給管510、噴嘴410供給到處理室201內，並從排氣管231排出。
此時，適當地調整APC閥243，使得處理室201內的壓力設定為例如1至1000Pa的範圍內的壓力。由MFC 322控制的反應氣體的供給流量例如設定為5至40slm，較佳為5至30slm，更佳為10至20slm的範圍內的流量。向晶圓200供給反應氣體的時間例如設定為1至60秒的 範圍內。其他處理條件係與前述原料氣體供給步驟相同。
此時，流入反應室201的氣體僅有反應氣體和惰性氣體(N2氣體)。反應氣體與原料氣體供給步驟中形成在晶圓200上的含Al層的至少一部分反應。含Al層被氧化而形成作為金屬氧化層的包含Al和O的氧化鋁層(AlO層)。亦即，將含Al層改質為AlO層。
(殘留氣體除去步驟)
在形成AlO層之後，關閉閥324以停止供給反應氣體。然後，藉由與原料氣體供給步驟之後的殘留氣體除去步驟相同的處理順序，將殘留在處理室201內的未反應或貢獻了AlO層之形成後的反應氣體或反應副生成物從處理室201內予以排除。
將依次進行以上說明的原料氣體供給步驟、殘留氣體除去步驟、反應氣體供給步驟和殘留氣體除去步驟設為一個循環，並進行規定次數(一次以上)的該循環。藉由這樣進行批次處理(多次進行多個步驟)，而在晶圓200上形成AlO膜。
又，批次處理係指將依次進行原料氣體供給步驟、殘留氣體除去步驟、反應氣體供給步驟和殘留氣體除去步驟設為一個循環，並進行規定次數該循環，而在晶圓200上形成AlO膜的處理。一批次地在晶圓200上形成AlO膜。
(後淨化及大氣壓回復)
N2氣體分別從氣體供給管510、520和530供給到處理室201內，並從排氣管231排出。N2氣體用作為淨化氣體，藉此，使淨化處理室201的內部被惰性氣體淨化，並從處理室201的內部除去殘留在處理室201內的氣體或副生成物(後淨化(after-purge))。之後，將處理室201內的氛圍置換為惰性氣體(置換惰性氣體)，使處理室201內的壓力恢復至常壓(恢復為大氣壓)。
(晶圓搬出)
之後，藉由晶舟升降器115降低密封蓋219以便打開歧管209的下端開口。然後，將處理過的晶圓200在被晶舟217支撐的狀態下從反應管203的下端搬出反應管203的外部。之後，將處理過的晶圓200從晶舟217取出。
(B)蝕刻(潔淨)製程
接下來，說明對附著在處理室201內部等的膜進行蝕刻的製程。
(晶舟搬入)
在未裝載晶圓200的狀態下將晶舟217搬入處理室201內。晶舟217被晶舟升降器115提起並搬入處理室201內。在該狀態下，密封蓋219處於經由O形環220閉塞歧管209的下端開口的狀態。
(壓力調整及溫度調整)
藉由真空泵246進行真空排氣使處理室201內部成為期望的壓力。此時，藉由壓力感測器245來測量處理室201內的壓力，並且根據所測量的壓力資訊來對APC閥231a進行反饋控制(壓力調整)。真空泵246始終維持作動狀態直到至少完成蝕刻處理為止。此外，藉由加熱器207加熱使處理室201的內部成為期望的溫度。至少在蝕刻處理完成之前繼續進行藉由加熱器207對處理室201內的加熱。
(蝕刻(潔淨)步驟)
對附著在處理室201內部等的膜進行蝕刻並執行對處理室201內部進行潔淨的步驟。
在該步驟中，在原料容器600中，將液體原料的SiCl4加熱至規定的溫度(例如100℃)。藉由打開閥334而在原料容器600內生成SiCl4的氣化氣體，並且以所生成的SiCl4氣體作為潔淨氣體(蝕刻氣體)流入氣體供給管330內。SiCl4氣體的流量由MFC 332進行調整，從噴嘴430的氣體供給口430a供給到處理室201內，並從排氣管231排出。與此同時打開閥534，使N2氣體等的惰性氣體流入氣體供給管530內。藉由MFC 532調整流入氣體供給管530內的N2氣體的流量，將其與SiCl4氣體一起供給到處理室201內，並從排氣管231排出。又，此時，為了防止SiCl4氣體進入噴嘴410、420，打開閥514、524使N2氣體流入氣體供 給管510、520內。N2氣體經由氣體供給管310、320、噴嘴410、420供給到處理室201內，並從排氣管231排出。
藉由供給SiCl4氣體，使附著在處理室201內部的AlO膜的至少一部分與SiCl4氣體反應而從處理室201除去。
此時，藉由控制器121控制加熱器207，將處理室201內部加熱至例如200至800℃，較佳為400至650℃的範圍內的規定的溫度，以活化SiCl4氣體。此外，此時，關閉APC閥231a或實質上關閉到不影響處理的程度，將SiCl4氣體封閉在處理201內。然後，將處理室201內的壓力維持在第1壓力，例如維持在1至40000Pa，較佳為10000至30000Pa，更佳為20000至30000Pa的範圍內的規定壓力。由MFC 332控制的SiCl4氣體的供給流量例如為0.1至10slm，較佳為3至5slm的範圍內的流量。將SiCl4氣體供給到處理室201的時間(SiCl4氣體供給時間)例如設定為60秒至600秒範圍內的時間。
(殘留氣體除去步驟)
在將SiCl4氣體供給到處理室201規定時間之後，關閉閥334以停止SiCl4氣體的供給。關閉APC閥231a，或者如果APC閥231a實質上關閉到不影響處理的程度，則打開APC閥231a。藉由和TMA氣體供給步驟的殘留氣體除去步驟相同的處理順序，將殘留在處理室201內的未反應或貢獻了AlO層之除去後的SiCl4氣體從處理室201內排除。
(表面氧化步驟)
打開閥324使O3氣體流入氣體供給管320內。O3氣體的流量由MFC 322進行調整，從噴嘴420的氣體供給口420a供給到處理室201內，並從排氣管231排氣。此時，同時打開閥524使諸如N2氣體的惰性氣體流入氣體供給管520內。流入氣體供給管520內的N2氣體的流量由MFC 522進行調整，並與O3氣體一起供給到處理室201內，從排氣管231排出。此時，為了防止O3氣體侵入噴嘴410、430，打開閥514、534使N2氣體流入氣體供給管510、530內。N2氣體經由氣體供給管310、330及噴嘴410、430被供給到處理室201內，並從排氣管231排出。
當流入O3氣體時，適當地調整APC閥231a而將處理室201內的壓力設為例如50至1330Pa的範圍內的壓力。由MFC 235b、235c控制的O3氣體的供給流量例如設為5slm至40slm範圍內的流量。處理室201的內壁等暴露於O3氣體的時間，亦即氣體供給時間(照射時間)例如設為10秒至600秒範圍內的時間。此時的加熱器207的溫度設為與步驟S101相同的溫度。
藉由O3氣體的供給使處理室201的內壁或晶舟217等的表面氧化。此外，蝕刻步驟中生成的副生成物被再氧化。例如，AlClx的Al-Cl鍵被切斷，以Cl2形式被除去，並且再氧化為AlO。此外，殘留在AlO膜中的有機物與O3氣體反應並從處理室201被除去。例如，殘留在AlO 膜中的碳(C)與O3氣體反應生成COx，而從處理室201被除去。此時，膜的最表面存在COx脫離後的碳缺陷，並且存在弱的Al-O和Al-Al鍵結平衡狀態。該狀態被認為是適合於蝕刻的表面平衡狀態。
(殘留氣體除去步驟)
在供給O3氣體規定時間之後，關閉閥324並停止供給O3氣體。然後，藉由與TMA氣體供給步驟的殘留氣體除去步驟相同的處理順序，將殘留在處理室201內的未反應的O3氣體或與AlO膜反應後的O3氣體從處理室201除去。
(規定次數實施)
藉由進行1次以上(規定次數(m次))的依次進行前述步驟的循環，來除去附著在處理室201內的AlO膜，較好是重複進行多次上述循環。
在前述實施形態中，作為被蝕刻的高介電常數氧化膜例示了AlO膜，但本發明不限於此。例如，當使用ZrOy、HfOy、HfSixOy、HfAlxOy、ZrSiOy、ZrAlOy、TixOy、TaxOy(x和y是大於0的整數或分數)作為高介電常數氧化物時亦可以適用。亦即，可以適用於氧化鋯膜、氧化鉿膜、氧化鈦膜、氧化鉭膜及其複合膜。
此外，在前述實施形態中，作為氣體原料例示了有機Al原料的TMA，但是不限於此，也可以適用由其他液體原料得到的氣體。例如適用於從四烷基乙基甲基氨 基鉿(Hf[N(CH3)CH2CH3]4，TEMAH)等的有機Hf原料、三甲基氨基矽烷(SiH(N(CH3)2)3，TDMAS)等的有機Si原料、四烷基二甲基氨基鈦(Ti[N(CH3)2]4，TDMAT)等的有機鈦原料、五甲基二甲基氨基鉭(Ta(N(CH3)2)5，PDMAT)等的有機鉭原料等之液體原料獲得的氣體。
此外，在前述實施形態中示出了在成膜步驟中使用O3氣體的例子，但是本發明不限於此，可以使用其他原料，只要是含氧氣體即可。例如，也可以使用O2，O2電漿、H2O、H2O2、N2O等。
此外，在前述實施形態中，作為在表面氧化步驟中使用的氧化氣體例示了O3，但本發明不限於此，可以使用其他氣體，只要是含氧氣體而且包含能夠與蝕刻氣體中所含的鹵素元素反應的元素之氣體就可以使用。例如也可以使用H2O、H2O2等。
用於形成這些各種薄膜的製程配方(記載有處理順序或處理條件等的程式)較好是對應於基板處理、潔淨處理等的內容(要形成的薄膜的膜類型、組成比、膜質、膜厚度、處理順序、處理條件等)分別進行準備(準備多個)。然後，較好是在開始基板處理、潔淨處理等時，對應於基板處理、潔淨處理等的內容，從多個製程配方、潔淨配方等之中適當選擇適當的製程配方、潔淨配方等。具體而言，較好是將根據基板處理、潔淨處理等的內容分別準備的多個製程配方、潔淨配方等，經由通信線路或記錄有該製程配方、潔淨配方等的記錄媒體(外部記憶裝置 123)，預先儲存(安裝)在基板處理裝置所具備的記憶裝置121c中。然後，在開始基板處理時，由基板處理裝置所具備的CPU 121a根據基板處理的內容從儲存在記憶裝置121c中的多個製程配方、潔淨配方等之中適當地選擇適合的製程配方、潔淨配方等。藉由這樣的構成，可以利用1台基板處理裝置以通用且可再現的方式來形成各種膜類型、組成比、膜質和膜厚度的薄膜。另外，可以減輕操作員的操作負擔(處理順序或處理條件等的輸入負擔)，並且可以在避免操作錯誤的同時迅速地開始基板處理。
此外，還可以藉由例如變更現有的基板處理裝置的製程配方、潔淨配方等來實現本揭示。當變更製程配方、潔淨配方等時，可以經由通信線路或記錄有該製程配方、潔淨配方等的記錄媒體，將與本揭示相關的製程配方、潔淨配方等安裝在現有的基板處理裝置上，或者可以藉由操作現有的基板處理裝置的輸出入裝置，而將其本身的製程配方、潔淨配方等變更為本揭示的製程配方、潔淨配方等。
<本揭示之其他實施形態1>
如圖4所示，在前述實施形態的氣化裝置中，第1溫度感測器630和第2溫度感測器640分別在原料容器600的底表面附近以位於同一高度的方式配置。然而，如圖7所示，第1溫度感測器630’和第2溫度感測器640’可以被配置為位於彼此不同的高度。具體而言，第1溫度感測器630’配置 在由於液體原料的氣化而局部帶走大量熱的液體表面附近，第2溫度感測器640’則與前述實施形態相同可以配置在原料容器600的底表面附近。(因此，第1溫度感測器630’配置在第2溫度感測器640’的上方)。
第1溫度感測器630’較好是配置在盡可能接近液面的位置，但是由於液面根據氣化裝置的運用而變動，所以較好是至少配置在內部加熱器610的上方。在本實施形態中，內部加熱器610被配置為始終位於液體原料的液面以下(使內部加熱器610整體浸漬在液體原料中)。較好是藉由控制器121控制液面的高度，使得內部加熱器610總是位於液體原料的液面以下。
藉由這樣配置第1溫度感測器630’，藉由內部加熱器610可以迅速(具有良好的響應性)將由於氣化而局部降低了溫度的液體原料的液面附近的溫度恢復到期望的溫度。
又，較好是第1溫度感測器630’總是位於液面下方(也就是說始終浸漬在液體原料中)。因此，儘管液面由於液體原料的氣化或補給而變動，但是較好是將第1溫度感測器630’配置成位於液面高度的運用範圍的下方。例如，控制器121可以監視由液面檢測感測器660檢測到的液面位置，以使液面的高度成為設定在比第1溫度感測器630’更上方的規定的運用範圍內的方式，控制向原料容器600內的液體原料的供給。此外，例如當控制器121檢測到液面低於該規定的運用範圍時，控制器121可以控制輸出 入裝置122藉由顯示畫面或發出警報來通知操作員等。此外，也可以停止向內部加熱器610和外部加熱器620的電力供給。因此，至少第1溫度感測器630’的高度位置被操作為始終位於該規定的運用範圍之下方。
<本揭示之其他實施形態2>
在上述實施形態的氣化裝置中，分別設置有控制內部加熱器610的第1溫度感測器630和控制外部加熱器620的第2溫度感測器640。然而，如圖8所示，可以根據作為一個共用的溫度感測器的第3溫度感測器670測量到的溫度來分別控制內部加熱器610和外部加熱器620。更具體而言，控制器121可以控制內部加熱器610和外部加熱器620兩者，使得由第3溫度感測器670測量的溫度成為規定的溫度。與前述實施形態相比，本實施形態能夠藉由簡單的構成將液體原料的溫度控制為規定的值。
此外，如圖9所示，作為又另一實施形態可以進一步設置用於檢測加熱異常的第4溫度感測器680。當由第4溫度感測器680測量的溫度超過規定的臨界值時，控制器121停止向內部加熱器610和外部加熱器620的供電。藉由以這種方式設置第4溫度感測器680，即使在第3溫度感測器670發生異常並且發生液體原料被內部加熱器610和外部加熱器620過度加熱的事態時，亦可以安全地停止內部加熱器610和外部加熱器620。因此，可以防止液體原料的過度加熱或加熱器的損壞等之發生。
330:氣體供給管
600:原料容器
610:內部加熱器
620:外部加熱器
630:第1溫度感測器
640:第2溫度感測器
650:液體原料供給管
660:液面檢測感測器

Claims (17)

  1. 一種氣化裝置，係具有： 原料容器，用於貯存液體原料； 第1加熱部，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料進行加熱； 第2加熱部，用於對前述原料容器進行加熱； 第1溫度感測器，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量； 第2溫度感測器，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量；及 控制部，構成為依據前述第1溫度感測器測量到的溫度對前述第1加熱部進行控制的同時，依據前述第2溫度感測器測量到的溫度對前述第2加熱部進行控制。
  2. 如請求項1之氣化裝置，其中 前述控制部， 係以前述第1溫度感測器測量到的溫度成為規定之第1溫度的方式對前述第1加熱部進行控制，並且以前述第2溫度感測器測量到的溫度成為規定之第2溫度的方式對前述第2加熱部進行控制。
  3. 如請求項2之氣化裝置，其中 前述第1溫度與前述第2溫度相等。
  4. 如請求項1之氣化裝置，其中 前述第1溫度感測器和前述第2溫度感測器，係在前述原料容器之底表面之附近配置成為位於同一高度。
  5. 如請求項4之氣化裝置，其中 前述第1溫度感測器和前述第2溫度感測器，係配置在比前述第1加熱部低的位置。
  6. 如請求項1之氣化裝置，其中 前述第1溫度感測器，係配置在距前述第1加熱部之距離與距前述第2加熱部之距離相等的位置。
  7. 如請求項1或6之氣化裝置，其中 前述第2溫度感測器，係配置在距前述第1加熱部之距離與距前述第2加熱部之距離相等的位置。
  8. 如請求項1之氣化裝置，其中 前述第1溫度感測器和前述第2溫度感測器配置在彼此不同的高度。
  9. 如請求項8之氣化裝置，其中 前述第1溫度感測器配置在比前述第2溫度感測器高的位置。
  10. 如請求項8或9之氣化裝置，其中 前述第1溫度感測器配置在比前述第1加熱部高的位置。
  11. 如請求項10之氣化裝置，其中 前述第2溫度感測器配置在比前述第1加熱部低的位置。
  12. 如請求項1之氣化裝置，其中 還具備：液面檢測感測器，用於檢測前述原料容器內的液體原料的液面之高度， 當檢測到前述液面檢測感測器檢測的液面的位置低於設定在比前述第1溫度感測器更上方的規定的液面之範圍時，前述控制部停止基於前述第1加熱部及對前述第2加熱部的加熱。
  13. 如請求項1之氣化裝置，其中 還具備：液面檢測感測器，用於檢測前述原料容器內的液體原料的液面之高度， 當檢測到前述液面檢測感測器檢測的液面的位置低於設定在比前述第1溫度感測器更上方的規定的液面之範圍時，前述控制部控制輸出入裝置進行報知。
  14. 一種基板處理裝置，具有： 處理室，用於處理基板； 氣化裝置，其具備：原料容器，用於貯存液體原料；第1加熱部，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料進行加熱；第2加熱部，用於對前述原料容器進行加熱；第1溫度感測器，浸泡在前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量；及第2溫度感測器，浸泡在前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量； 控制部，構成為依據前述第1溫度感測器測量到的溫度對前述第1加熱部進行控制的同時，依據前述第2溫度感測器測量到的溫度對前述第2加熱部進行控制；及 氣體供給系統，對前述處理室供給在前述氣化裝置中藉由氣化前述液體原料而獲得的氣體。
  15. 一種潔淨方法，係使用氣化裝置，該氣化裝置具備：原料容器，用於貯存液體原料；第1加熱部，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料進行加熱；第2加熱部，用於對前述原料容器進行加熱；第1溫度感測器，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量；及第2溫度感測器，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量； 該潔淨方法具有： 依據前述第1溫度感測器測量到的溫度對前述第1加熱部進行控制的同時，依據前述第2溫度感測器測量到的溫度對前述第2加熱部進行控制，藉此，而使前述液體原料氣化的步驟；及 將進行前述液體原料的氣化而獲得的氣體，供給至進行基板之處理的處理室內，藉此，而對處理室內進行潔淨的步驟。
  16. 一種半導體裝置的製造方法，該製造方法具有： 將基板搬入處理室內的步驟； 在前述處理室內對前述基板進行處理的步驟； 使用氣化裝置，該氣化裝置具備：原料容器，用於貯存液體原料；第1加熱部，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料進行加熱；第2加熱部，用於對前述原料容器進行加熱；第1溫度感測器，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量；及第2溫度感測器，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量； 依據前述第1溫度感測器測量到的溫度對前述第1加熱部進行控制的同時，依據前述第2溫度感測器測量到的溫度對前述第2加熱部進行控制，藉此，而使前述液體原料氣化的步驟；及 將進行前述液體原料的氣化而獲得的氣體供給至前述處理室內，藉此，而對處理室內進行潔淨的步驟。
  17. 一種程式，係藉由電腦使基板處理裝置執行以下順序： 將基板搬入前述基板處理裝置之處理室內的順序； 在前述處理室內處理前述基板的順序； 使用氣化裝置，該氣化裝置具備：原料容器，用於貯存液體原料；第1加熱部，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料進行加熱；第2加熱部，用於對前述原料容器進行加熱；第1溫度感測器，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量；及第2溫度感測器，浸泡在貯存於前述原料容器的前述液體原料中，用於對前述液體原料之溫度進行測量； 依據前述第1溫度感測器測量到的溫度對前述第1加熱部進行控制的同時，依據前述第2溫度感測器測量到的溫度對前述第2加熱部進行控制，藉此，而使前述液體原料氣化的順序；及 將進行前述液體原料的氣化而獲得的氣體供給至前述處理室內，藉此，而對處理室內進行潔淨的順序。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7203070B2 (ja) * 2020-09-23 2023-01-12 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994006529A1 (fr) * 1992-09-21 1994-03-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Appareil de gazeification de liquide
US20140083420A1 (en) * 2012-09-26 2014-03-27 Piramal Critical Care, Inc. Inhalation anesthetic vaporizer
TW201724263A (zh) * 2015-09-30 2017-07-01 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及記錄媒體

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000266302A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Shokuhin Sangyo Denshi Riyo Gijutsu Kenkyu Kumiai 蒸気発生器
US6878216B2 (en) * 2001-09-03 2005-04-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing system
JP2004323894A (ja) 2003-04-23 2004-11-18 Sekisui Chem Co Ltd ガス供給安定化器、気相成長装置および気相成長方法
GB0622074D0 (en) 2006-11-06 2006-12-13 Howmedica Osteonics Corp Method of synthesising a nano metic composite and for use thereof in a method for producing a ceramic component
WO2009037991A1 (ja) 2007-09-19 2009-03-26 Hitachi Kokusai Electric Inc. クリーニング方法及び基板処理装置
JP5852774B2 (ja) 2010-07-14 2016-02-03 株式会社堀場エステック 液体試料加熱気化装置
JP2013089911A (ja) 2011-10-21 2013-05-13 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2013115208A (ja) 2011-11-28 2013-06-10 Tokyo Electron Ltd 気化原料供給装置、これを備える基板処理装置、及び気化原料供給方法
JP2014007289A (ja) * 2012-06-25 2014-01-16 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置及び成膜装置
US9970108B2 (en) 2014-08-01 2018-05-15 Lam Research Corporation Systems and methods for vapor delivery in a substrate processing system
JP2016084507A (ja) 2014-10-24 2016-05-19 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置及び成膜装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994006529A1 (fr) * 1992-09-21 1994-03-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Appareil de gazeification de liquide
US20140083420A1 (en) * 2012-09-26 2014-03-27 Piramal Critical Care, Inc. Inhalation anesthetic vaporizer
TW201724263A (zh) * 2015-09-30 2017-07-01 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及記錄媒體

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