TW202343571A - 基板處理裝置、氣體供給系統、基板處理方法、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

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日商國際電氣股份有限公司
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Abstract

提供一種即便對於在MFC中難以控制流量之氣體種類亦可穩定地控制流量之技術。因此，基板處理裝置具有：處理容器，其收容基板；第1氣體管，其將處理氣體供給至處理容器；流量測定部，其設置於第1氣體管，對流經第1氣體管內之處理氣體的流量進行測定；第2氣體管，其連接於第1氣體管，將第1惰性氣體供給至貯存有處理氣體之原料的槽；第1流量調整部，其設置於第2氣體管，調整第1惰性氣體之流量；第1加熱部，其調整第1惰性氣體之溫度；及控制部，其構成為能夠控制第1流量調整部及第1加熱部，以進行如下處理，即，基於由流量測定部所測得之處理氣體之流量資料，以處理氣體之流量達到既定流量之方式調整第1惰性氣體之流量及第1惰性氣體之溫度中之至少任一者，將經調整之處理氣體供給至處理容器內之基板。

Description

基板處理裝置、氣體供給系統、基板處理方法、半導體裝置之製造方法及程式
本發明係關於一種基板處理裝置、氣體供給系統、基板處理方法、半導體裝置之製造方法及程式。
關於供給至基板處理裝置之反應室之氣體的流量控制，存在一種使用質量流量控制器(MFC)之氣體供給系統。此種氣體供給系統之一例例如記載於專利文獻1中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2017-045880號公報
(發明所欲解決之問題)
本發明提供一種即便對於在MFC中難以控制流量之氣體種類亦可穩定地控制流量之技術。 (解決問題之技術手段)
根據本發明之一態樣，提供一種技術，其具有：處理容器，其收容基板；第1氣體管，其將處理氣體供給至處理容器；流量測定部，其設置於第1氣體管，對流經第1氣體管內之處理氣體的流量進行測定；第2氣體管，其連接於第1氣體管，將第1惰性氣體供給至貯存有處理氣體之原料之槽；第1流量調整部，其設置於第2氣體管，調整第1惰性氣體之流量；第1加熱部，其調整第1惰性氣體之溫度；及控制部，其構成為，能夠控制第1流量調整部及第1加熱部，以進行如下處理，即，基於由流量測定部所測得之處理氣體之流量資料，以處理氣體之流量達到既定流量之方式調整第1惰性氣體之流量及第1惰性氣體之溫度中之至少任一者，將經調整之處理氣體供給至處理容器內之基板。 (對照先前技術之功效)
根據上述構成，可提供一種即便對於在MFC中難以控制流量之氣體種類亦可穩定地控制流量之技術。
以下，參照圖1～圖5進行說明。再者，以下說明中所使用之圖式均為模式性圖式，圖式中所示之各元件的尺寸關係、各元件的比率等並非必須與實際者一致。又，於複數個圖式彼此之間，各元件的尺寸關係、各元件的比率等亦並非必須一致。
(1)基板處理裝置之構成 基板處理裝置10具備設置有作為加熱手段(加熱機構、加熱系統)之加熱器207的處理爐202。加熱器207為圓筒形狀，藉由被作為保持板之加熱器基座(未圖示)支撐而被垂直地安裝。
[外管(外筒、outer tube)203] 於加熱器207之內側，與加熱器207呈同心圓狀地配設有構成反應容器(處理容器)之外管(亦稱為外筒、outer tube)203。外管203例如由石英(SiO 2)、碳化矽(SiC)等耐熱性材料構成，形成為上端封閉、下端開口之圓筒形狀。於外管203之下方，與外管203呈同心圓狀地配設有歧管(進氣口凸緣)209。歧管209例如由不鏽鋼(SUS)等金屬構成，形成為上端及下端開口之圓筒形狀。於歧管209之上端部與外管203之間設置有作為密封構件之O形環220a。藉由歧管209被加熱器基座支撐，外管203成為被垂直地安裝之狀態。
[內管(內筒、inner tube)204] 於外管203之內側配設有構成反應容器之內管(亦稱為內筒、inner tube)204。內管204例如由石英(SiO 2)、碳化矽(SiC)等耐熱性材料構成，形成為上端封閉、下端開口之圓筒形狀。處理容器(反應容器)主要由外管203、內管204、及歧管209構成。於處理容器之筒中空部(內管204之內側)形成有處理室201。
[基板支撐具(晶舟)217] 處理室201構成為，可藉由後述之晶舟217而以水平姿勢於在鉛直方向上多段地排列之狀態下收容作為基板之晶圓200。於處理室201內設置成，噴嘴410(第1噴嘴)、420(第2噴嘴)貫通歧管209之側壁及內管204。於噴嘴410、420分別連接有作為氣體供給管線之氣體供給管310、320。如此，於基板處理裝置10設置有兩根噴嘴410、420及兩根氣體供給管310、320，而構成為可向處理室201內供給複數種氣體。但是，本實施形態之處理爐202並不限定於上述形態。
[氣體供給部] 於氣體供給管310、320連接有圖3所示之氣體供給系統。氣體供給系統之詳細內容將於後文描述。
於氣體供給管310、320之前端部分別連結有噴嘴410、420。噴嘴410、420構成為L字型噴嘴，其水平部設置成貫通歧管209之側壁及內管204。噴嘴410、420之垂直部設置於以朝向內管204之徑向外側突出，且沿鉛直方向延伸之方式形成的通道形狀(溝槽形狀)之預備室201a的內部，且於預備室201a內沿內管204之內壁向上方(晶圓200之排列方向上方)設置。又，噴嘴410、420配置於較預備室201a之開口201b更外側。
噴嘴410、420設置成自處理室201之下部區域延伸至處理室201之上部區域，於與晶圓200相對向之位置分別設置有複數個氣體供給孔410a、420a。藉此，分別自噴嘴410、420之氣體供給孔(開口部)410a、420a將處理氣體供給至晶圓200。
自內管204之下部至上部設置有複數個氣體供給孔410a，各氣體供給孔410a分別具有相同之開口面積，進而以相同之開口間距設置。但是，氣體供給孔410a並不限定於上述形態。例如，亦可使開口面積自內管204之下部向上部逐漸增大。藉此，可使自氣體供給孔410a供給之氣體的流量更為均勻。
自內管204之下部至上部設置有複數個氣體供給孔420a，各氣體供給孔420a分別具有相同開口面積，進而以相同之開口間距設置。但是，氣體供給孔420a並不限定於上述形態。例如，亦可使開口面積自內管204之下部向上部逐漸增大。藉此，可使自氣體供給孔420a供給之氣體之流量更為均勻。
於自後述之晶舟217的下部起至上部之高度位置設置有噴嘴410、420之複數個氣體供給孔410a、420a。因此，自噴嘴410、420之氣體供給孔410a、420a供給至處理室201內之處理氣體被供給至收容於晶舟217之下部至上部的晶圓200，即被供給至收容於晶舟217之晶圓200的全域。噴嘴410、420只要設置成自處理室201之下部區域延伸至上部區域即可，但較佳為設置成延伸至晶舟217之頂壁附近。
包含第1金屬元素之原料氣體(含第1金屬氣體、第1原料氣體)係作為處理氣體，自氣體供給管310經由噴嘴410而被供給至處理室201內。
反應氣體作為處理氣體，自氣體供給管320經由噴嘴420而被供給至處理室201內。
於本實施形態中，藉由將含金屬氣體即原料氣體自噴嘴410之氣體供給孔410a被供給至處理室201內，反應氣體自噴嘴420之氣體供給孔420a被供給至處理室201內，從而對晶圓200之表面供給原料氣體(含金屬氣體)及反應氣體，於晶圓200之表面上形成含金屬膜。
又，構成為，惰性氣體可經由噴嘴410、420而供給至處理室201內。再者，以下係針對使用N 2氣體作為惰性氣體之例進行說明，但作為惰性氣體，除N 2氣體以外，例如亦可使用氬氣(Ar)、氦氣(He)、氖氣(Ne)、氙氣(Xe)等稀有氣體。
本實施形態中之氣體供給之方法為經由噴嘴410、420搬送氣體，該噴嘴410、420被配置於由內管204之內壁及複數片晶圓200之端部所定義之圓環狀之縱向空間內，即圓筒狀空間內之預備室201a內。然後，使氣體自噴嘴410、420之被設置於與晶圓相對向之位置的複數個氣體供給孔410a、420a噴出至內管204內。更詳細而言，藉由噴嘴410之氣體供給孔410a及噴嘴420之氣體供給孔420a，使原料氣體等向與晶圓200之表面平行之方向，即水平方向噴出。
[排氣部] 排氣孔(排氣口)204a係於內管204之側壁且與噴嘴410、420相對向之位置，即於與預備室201a呈180度相反側之位置形成的貫通孔，例如為於鉛直方向細長地開設之狹縫狀的貫通孔。因此，自噴嘴410、420之氣體供給孔410a、420a供給至處理室201內且流過晶圓200之表面上的氣體，即殘留之氣體(剩餘氣體)經由排氣孔204a，流向形成於內管204與外管203之間之包含間隙的排氣路206內。然後，朝排氣路206內流動之氣體流向排氣管231內，而被排出至處理爐202外。再者，排氣部至少由排氣管231構成。
排氣孔204a設置於與複數個晶圓200相對向的位置(較佳為與晶舟217之上部至下部相對向的位置)，自氣體供給孔410a、420a被供給至處理室201內之晶圓200附近之氣體於向水平方向，即與晶圓200之表面平行之方向流動後，經由排氣孔204a而流向排氣路206內。即，殘留於處理室201之氣體係經由排氣孔204a而平行於晶圓200之主面地被排放。再者，排氣孔204a並不限定於構成為狹縫狀之貫通孔，亦可由複數個孔構成。
於歧管209設置有對處理室201內之環境氣體進行排氣之排氣管231。於排氣管231自上游側起依序連接有作為檢測處理室201內之壓力的壓力檢測器(壓力檢測部)之壓力感測器245、自動壓力控制(APC，Auto Pressure Controller)閥243、及作為真空排氣裝置之真空泵246。關於APC閥243，藉由在使真空泵246作動之狀態下將閥加以開閉，而可進行處理室201內之真空排氣及真空排氣停止，進而，藉由在使真空泵246作動之狀態下調節閥之開度，而可調整處理室201內之壓力。排氣系統即排氣管線主要由排氣孔204a、排氣路206、排氣管231、APC閥243、及壓力感測器245所構成。再者，亦可考慮將真空泵246包含於排氣系統中。
如圖1所示，亦可於歧管209之下方設置有作為可氣密地封閉歧管209之下端開口的爐口蓋體之密封蓋219。密封蓋219構成為，自鉛直方向下側抵接於歧管209之下端。密封蓋219例如由SUS等金屬構成，形成為圓盤狀。於密封蓋219之上表面設置有作為與歧管209下端抵接之密封構件的O形環220b。於密封蓋219中與處理室201相反側設置有使收容晶圓200之晶舟217旋轉的旋轉機構267。旋轉機構267之旋轉軸255貫通密封蓋219而連接於晶舟217。旋轉機構267構成為藉由使晶舟217旋轉而使晶圓200旋轉。密封蓋219構成為，藉由垂直地設置於外管203之外部之作為升降機構的晶舟升降機115而沿鉛直方向升降。晶舟升降機115構成為可藉由使密封蓋219升降，而將晶舟217搬入處理室201內及搬出處理室201外。晶舟升降機115構成為，將晶舟217及收容於晶舟217之晶圓200搬送至處理室201內或處理室201外之搬送裝置(搬送機構)。
作為基板支撐具之晶舟217構成為，使複數片晶圓200，例如25～200片晶圓200以水平姿勢且於彼此中心對齊之狀態下沿鉛直方向排列而被多段地支撐，即，使該等晶圓200隔開間隔地排列。晶舟217例如由石英或SiC等耐熱性材料構成。於晶舟217之下部例如設置有由石英或SiC等耐熱性材料構成之隔熱部218。藉由該構成，來自加熱器207之熱不易傳遞至密封蓋219側。
如圖2所示，構成為，於內管204內設置有作為溫度檢測器之溫度感測器263，藉由基於利用溫度感測器263所檢測出之溫度資訊來調整對於加熱器207之通電量，而使得處理室201內之溫度成為所需之溫度分佈。溫度感測器263與噴嘴410及420同樣地構成為L字型，且沿著內管204之內壁設置。
藉由如此地構成，而構成為使得晶舟217之至少支撐晶圓200的區域之溫度保持均勻。該均熱之溫度區域(均熱區域T1)之溫度與較T1更下側之區域的溫度存在差異。再者，T1亦稱為基板處理區域。基板處理區域之縱向長度構成為均熱區域之縱向長度以下。再者，基板處理區域係指晶舟217之縱向的位置中載置晶圓200之位置。此處，晶圓200係指製品晶圓、虛設晶圓、或填充虛設晶圓中之至少一者。又，基板處理區域係指晶舟217中，保持晶圓200之區域。即，基板處理區域亦稱為基板保持區域。
如圖4所示，控制部(控制手段)即控制器121構成為具備中央處理單元(CPU，Central Processing Unit)121a、隨機存取記憶體(RAM，Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、及I/O埠121d之電腦。RAM 121b、記憶裝置121c、及I/O埠121d構成為可經由內部匯流排而與CPU 121a進行資料交換。於控制器121連接有例如構成為觸控面板等之輸入輸出裝置122。
記憶裝置121c例如由快閃記憶體、硬式磁碟機(HDD，Hard Disk Drive)等所構成。於記憶裝置121c內可讀出地儲存有控制基板處理裝置之動作的控制程式、記載有後述之半導體裝置之製造方法的程序或條件等之製程配方等。製程配方係組合成，可使控制器121執行後述之半導體裝置的製造方法中之各工程(各步驟)，而獲得既定之結果，且其作為程式而發揮功能。以下，將該製程配方、控制程式等亦統稱為程式。於本說明書中，於使用「程式」一詞之情形時，有時僅包含製程配方，有時會包含控制程式，有時包含製程配方及控制程式之組合。RAM 121b構成為暫時保持由CPU 121a所讀出之程式或資料等的記憶體區域(工作區)。
I/O埠121d連接於MFC 315b、315c、315d、325 a、325b、閥314a、314b、314c、314d、316、318、320、324a、324b、壓力感測器245等。又，I/O埠121d連接於APC閥243、真空泵24б、加熱器207、溫度感測器263、旋轉機構267、晶舟升降機115等。
CPU 121a構成為，自記憶裝置121c讀出並執行控制程式，並且根據來自輸入輸出裝置122之操作指令的輸入等而自記憶裝置121c讀出配方等。CPU 121a構成為，可按照所讀出之配方的內容，控制由MFC 315b、315c、315d、325a、325b進行之各種氣體的流量調整動作、閥314a、314b、314c、314d、316、318、320、324a、324b之開閉動作等。又，CPU 121a構成為控制APC閥243之開關動作、以及由APC閥243進行之基於壓力感測器245的壓力調整動作、基於溫度感測器263之加熱器207的溫度調整動作、真空泵246之啟動及停止等。又，CPU 121a構成為控制由旋轉機構267進行之晶舟217的旋轉及旋轉速度調節動作、由晶舟升降機115進行之晶舟217的升降動作、晶圓200往晶舟217之收容動作等。
控制器121可藉由將儲存於外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟或硬碟等磁碟、光碟(CD，Compact Disc)或數位多功能光碟(DVD，Digital Versatile Disc)等光碟、磁光碟片(MO，Magneto-optical Disc)等磁光碟、通用序列匯流排(USB，Universal Serial Bus)記憶體或記憶卡等半導體記憶體)123之上述程式安裝於電腦而構成。記憶裝置121c或外部記憶裝置123構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，該等亦統稱為記錄媒體。於本說明書中，記錄媒體有時僅包含記憶裝置121c，有時會僅包含外部記憶裝置123，有時包含記憶裝置121c及外部記憶裝置123兩者。向電腦提供程式亦可不使用外部記憶裝置123，而使用網際網路或專用線路等通信手段來進行。
(2)氣體供給系統之構成 其次，針對本實施形態之氣體供給系統(原料氣體供給系統)進行具體說明。如圖3所示，氣體供給系統12具有原料氣體供給系統300及反應氣體供給系統400。首先，針對原料氣體供給系統300進行說明。
[原料氣體供給系統] (原料) 於本發明中，原料係具有於50℃～200℃下達到0.01～100 KPa之飽和蒸氣壓之蒸氣壓特性的材料。進而較佳為具有於50℃～200℃下達到0.01～5 KPa之飽和蒸氣壓的低蒸氣壓特性之材料。再者，將此種具有相對較低之蒸氣壓之特性的材料稱為低蒸氣壓材料(低蒸氣壓原料)。再者，於本發明中，存在於槽313內之原料可為固體、液體、氣體中之任一者。再者，可為於常溫、常壓下為固體狀態之材料且為低蒸氣壓材料。
原料例如可為含有金屬元素及鹵素元素之材料。金屬元素例如可自Al、Mo、W、Hf、Zr等之中選擇。又，鹵素元素可自F、Cl、Br、I等之中選擇。作為於常溫常壓下為固體之原料，例如為AlCl 3、Al 2Cl 6、MoCl 5、WCl 6、HfCl 4、ZrCl 4、MoO 2Cl 2、MoOCl 4等。又，作為於常溫常壓下為液體之原料，例如為Ru、La等金屬元素之原料。
於使用此種原料之情形時，通常之質量流量控制器存在無法穩定地調整流量之問題。根據本發明之原料供給系統，可穩定地調整流量，又，即便槽313內之原料的狀態(量或原料之表面狀態)發生變化，仍可調整原料之流量而穩定供給。以下，針對原料供給系統之詳細內容進行說明。
(槽) 於槽313之內側儲藏原料。槽313使原料氣化或昇華而生成原料氣體。再者，於本說明書中，為方便說明，不將原料相變為氣體區分記為「氣化或昇華」，除非另有說明，否則將其簡稱為「氣化」。
於槽313中設置有作為第2加熱部之加熱器317b，藉由用加熱器317b調節槽313之溫度，而控制原料之氣化量。槽313之溫度可針對每一基板處理而變更。
(第1氣體管) 相當於本發明之第1氣體管的氣體供給管310(310a)係連接於槽313與處理室201之間。於第1氣體管設置有流量測定部312或閥314a，並連接有後述之第4氣體管310d。又，亦可於第1氣體管與第4氣體管310d之連接部和槽之間設置有閥318。流量測定部312測定流經第1氣體管310a內之處理氣體之流量。具體而言，有質量流量計、差壓式測定、紅外線(IR，infrared light)感測器、壓力計等。此處，差壓式測定係基於兩點間之壓力差進行測定之方式。於流量測定部312係由壓力計構成之情形時，基於利用第2氣體管310b→槽313→第1氣體管310a之路徑供給氣體時之壓力與利用第2氣體管310b→旁通管319→第1氣體管310a之路徑供給氣體時之壓力的差，算出處理氣體中之原料氣體的流量。於使用IR感測器之情形時，藉由照射調整為原料固有之吸收光譜的光，測定光之吸收(反射)量，從而算出原料氣體之流量。
(第2氣體管) 第2氣體管310b係將作為第1惰性氣體之載氣供給至槽313之配管。第2氣體管310b連接於槽313。於第2氣體管310b設置有第1流量調整部315b、閥314b、第1加熱部317a、及閥316。第1惰性氣體例如為Ar氣體等稀有氣體或N 2氣體，以促進原料之氣化。藉由調整第1惰性氣體之供給量或第1惰性氣體之溫度，可控制原料之氣化量。此處，第1加熱部317a例如由在內部設置有加熱器之氣體加熱機構所構成。再者，於本發明中，第1惰性氣體亦稱為加熱過之載氣。
(第3氣體管) 第3氣體管310c係將作為第2惰性氣體之載氣供給至槽313之配管。第3氣體管310c連接於槽313。於第3氣體管310c設置有第2流量調整部315c及閥314c。第2惰性氣體例如為Ar氣體等稀有氣體或N 2氣體，以促進原料之氣化。第2惰性氣體係於調整第1惰性氣體之溫度或流量時使用。再者，於本發明中，第2惰性氣體亦稱為輔助氣體。
(第4氣體管) 第4氣體管310d係將稀釋氣體作為第3惰性氣體供給至第1氣體管310a之配管。第4氣體管310d連接於第1氣體管310a。於第4氣體管310d設置有第3流量調整部315d及閥314d。
本發明中之原料氣體供給系統300至少由第1氣體管310a、流量測定部312、槽313、第2氣體管310b、第1加熱部317a、閥314a、314b、及第1流量調整部315b所構成。亦可考慮將圖3所示之其他構成包含於原料氣體供給系統300中。
(旁通管) 亦可設置有以圖3之虛線表示之旁通管319。旁通管319係將第1氣體管310a與第2氣體管310b直接連接之氣體管。又，於旁通管319設置有閥320。藉由將閥320、閥316、及閥318加以開閉，從而可形成第2氣體管310b→槽313→第1氣體管310a之氣體路徑、及第2氣體管310b→第1氣體管310a之氣體路徑。
[反應氣體供給系統] (反應氣體) 本發明之反應氣體係與原料氣體發生反應之反應氣體(反應物)。作為反應氣體，可使用含氫氣體(還原氣體)。作為含氫氣體，例如可使用氫氣(H 2)、氘氣等。又，作為反應氣體，可使用含氮氣體(氮化氣體)。作為含氮氣體，例如可使用氨氣(NH 3)、肼氣(N 2H 4)等。又，作為反應氣體，可使用含氧氣體(氧化氣體)。作為含氧氣體，例如可使用氧氣(O 2)、臭氧(O 3)氣體、水(H 2O)、過氧化氫(H 2O 2)氣體等。 (第5氣體管) 於第5氣體管320(320a)中設置有第4流量調整部325a及閥324a，並連接於處理室201。 (第6氣體管) 第6氣體管320b係將作為第4惰性氣體之稀釋氣體供給至第5氣體管320a之配管。於第6氣體管320b設置有第5流量調整部325b及閥324b。
本發明中之反應氣體供給系統400至少由第5氣體管320a、第4流量調整部325a、及閥324a所構成。亦可考慮將圖3所示之其他構成包含於反應氣體供給系統400中。
再者，於本發明中，第1流量調整部315b、第2流量調整部315c、第3流量調整部315d、第4流量調整部325a、及第5流量調整部325b之各者例如由質量流量控制器(MFC)所構成。
(控制部) 相當於本發明之控制部之控制器121係構成為，能夠基於來自流量測定部312之測定信號、第1流量調整部315b之設定值、原料氣體之物性資料、惰性氣體之物性資料等，而對流經第1氣體管310a內之處理氣體中之原料氣體的流量進行運算。進而，除該等以外，亦可基於第2流量調整部315c之設定值及第3流量調整部315d之設定值而對處理氣體中之原料氣體的流量進行運算。
(3)基板處理步驟 其次，關於基板處理步驟，對使用本實施形態之基板處理裝置10的半導體裝置之製造步驟進行說明。再者，以下首先對半導體裝置之製造步驟的概要進行說明，並且，半導體裝置之製造步驟中與使用原料氣體供給系統300之原料氣體供給方法相關之部分將於後文之「(4)原料氣體供給方法」中另行說明。
作為半導體裝置(設備)之製造步驟的一步驟，對於在晶圓200上形成例如當作3D NAND之控制閘極電極來使用之含有鉬(Mo)的含Mo膜的步驟之一例，使用圖5來進行說明。於以下說明中，藉由控制器121來控制構成基板處理裝置10之各部分的動作。
於本說明書中，於使用「晶圓」一詞之情形時，有時係指「晶圓本身」，有時係指「晶圓與形成於其表面之既定層或膜等之積層體」。於本說明書中，於使用「晶圓之表面」一詞之情形時，有時係指「晶圓本身之表面」，有時係指「形成於晶圓上之既定層或膜等之表面」。於本說明書中，使用「基板」一詞之情形亦與使用「晶圓」一詞之情形同義。
(搬入晶圓) 當複數片晶圓200被裝填至晶舟217(裝填晶圓)時，如圖1所示，支撐複數片晶圓200之晶舟217被晶舟升降機115舉起，而被搬入至處理室201內(裝載晶舟)，並被收容於處理容器。於該狀態下，密封蓋219成為經由O形環220而封閉外管203之下端開口的狀態。
(壓力調整及溫度調整) 以處理室201內，即晶圓200所存在之空間達到所需壓力(真空度)之方式，藉由真空泵246來進行真空排氣。此時，處理室201內之壓力係藉由壓力感測器245測定，基於該測得之壓力資訊，對APC閥243進行反饋控制(壓力調整)。真空泵246至少於對晶圓200之處理結束為止之期間維持始終作動之狀態。
又，以處理室201內達到所需溫度之方式，藉由加熱器207進行加熱。此時，以處理室201內成為所需之溫度分佈之方式，基於溫度感測器263檢測出之溫度資訊，對於往加熱器207之通電量進行反饋控制(溫度調整)。以下，加熱器207之溫度係以晶圓200之溫度達到例如300℃以上且600℃以下之範圍內之溫度之方式進行設定。又，由加熱器207進行之對處理室201內的加熱係至少在對晶圓200之處理結束為止之期間持續進行。
[步驟S10] (供給含金屬氣體)
打開閥314a，使惰性氣體流入槽313。又，打開閥316，使原料氣體即含金屬氣體自槽313流入氣體供給管310內。含金屬氣體係根據由MFC 315b調整之第1惰性氣體的流量來進行流量調整，自噴嘴410之氣體供給孔410a被供給至處理室201內，並自排氣管231被排出。此時，對晶圓200供給含金屬氣體。此時，亦可同時打開閥314d，使第3惰性氣體流入氣體供給管310d內。流過氣體供給管310d內之第3惰性氣體係藉由MFC 315d進行流量調整，與含金屬氣體一同被供給至處理室201內，並自排氣管231被排出。此時，為了防止含金屬氣體滲入至噴嘴420內，因而打開閥324b，使惰性氣體流入氣體供給管320b、320(320a)內。惰性氣體係經由氣體供給管320、噴嘴420而被供給至處理室201內，自排氣管231被排出。再者，第1惰性氣體主要作為載氣而發揮作用，第3惰性氣體主要作為調整處理氣體中之原料氣體的濃度之稀釋氣體而發揮作用。第1惰性氣體雖主要作為載氣而發揮作用，但亦可進行處理氣體中之原料氣體濃度的調整。藉由使用第1惰性氣體與第3惰性氣體兩者，可提高原料氣體之輸送及濃度調整之精度。
此時，調整APC閥243，使處理室201內之壓力成為例如1～3990 Pa之範圍內之壓力，例如1000 Pa。由MFC 310b控制之惰性氣體的供給流量例如為0.1～1.0 slm，較佳為0.1～0.5 slm之範圍內的流量。由MFC 310d控制之惰性氣體的供給流量分別例如為0.1～20 slm之範圍內的流量。再者，本發明中之如「1～3990 Pa」一類之數值範圍之記法係指下限值及上限值包含於該範圍內，因此，例如「1～3990 Pa」係指「1 Pa以上且3990 Pa以下」。其他數值範圍亦同樣。
此時，流入處理室201內之氣體僅為含金屬氣體及惰性氣體。此處，作為含金屬氣體，可使用含鉬(Mo)氣體。作為含Mo氣體，例如可使用MoCl 5氣體、MoO 2Cl 2氣體、MoOCl 4氣體。藉由含金屬氣體之供給，於晶圓200(表面之基底膜即AlO膜)上形成含金屬層。此處，於使用MoO 2Cl 2氣體及MoOCl 4氣體中之任一者作為含金屬氣體之情形時，含金屬層為含Mo層。含Mo層可為包含Cl或O之Mo層，亦可為MoO 2Cl 2(MoOCl 4)之吸附層，亦可包含該等兩者。又，含Mo層係以Mo為主成分之膜，其係除Mo元素以外，還可包含Cl、O、H等元素之膜。
此處，以原料達到氣化之溫度之方式，藉由加熱器317b對槽313內之原料預先加熱。然而，例如於如以下(A)～(E)等之情形時，槽313內之原料之溫度可能會發生變化，從而無法獲得既定量之原料的流量。(A)於第1惰性氣體之供給量增加之情形時，(B)於第1惰性氣體之供給量減少之情形時，(C)於槽313內之原料之量少於既定量之情形時，(D)於槽313內之原料的粒徑等變小之情形時，(E)於槽313內之原料的粒徑等變大之情形時，於發生此種事件之情形時，原料之氣化量會增加或減少，處理氣體中之原料的流量或原料的濃度會發生變化，而產生形成於晶圓200之膜特性於每一晶圓200或每一層不同之問題。
為了減少此種問題之發生，例如進行如下調整。 [步驟S10A(第1惰性氣體之流量調整)] 進行第1惰性氣體之流量調整。藉由調整第1惰性氣體之流量，可調整原料之氣化量，而可調整原料氣體之流量。例如，根據處理氣體中之原料氣體的流量減少，而增加第1惰性氣體的流量。藉此，可增加處理氣體中之原料氣體的流量。相反地，於增加原料氣體之流量的情形時，減少第1惰性氣體之流量。再者，由於調整第1惰性氣體之流量，為了抑制處理氣體之總流量的變動，較佳為調整作為稀釋氣體之第3惰性氣體的流量。 [步驟S10B(第1惰性氣體之溫度調整)] 進行第1惰性氣體之溫度調整。藉由調整第1惰性氣體之溫度，可調整原料氣體之氣化量，而可調整原料氣體之流量。例如，根據處理氣體中之原料氣體的流量減少，而使第1惰性氣體之溫度上升。藉此，可增加原料之氣化量，增加處理氣體中之原料氣體的流量。相反地，於增加原料氣體之流量的情形時，降低第1惰性氣體之溫度。此處，第1惰性氣體之溫度的調整係藉由第1加熱部317a及第2加熱部317b之至少一者以上來進行。第1加熱部317a例如由熱交換器構成，第2加熱部317b構成為藉由電阻加熱型加熱器對槽313進行加熱。由於第1加熱部317a可直接加熱第1惰性氣體，因此與使用第2加熱部317b之情形相比，其具有容易調整第1惰性氣體之溫度的特徵。又，由於第2加熱部317b亦改變槽313之溫度，因此原料之溫度亦可能會受到影響。因此，較佳為藉由將第2加熱部317b之溫度保持固定而調整第1加熱部317a之溫度來進行。進而較佳為，第1加熱部317a之溫度設定為較第2加熱部317b之溫度更高的溫度。其原因在於，藉由設為此種溫度關係，即便藉由第1加熱部317a加熱過之第1惰性氣體在到達槽313之前溫度下降，槽313內之原料的溫度仍容易受到影響。
進而，對於第1惰性氣體之溫度調整，存在供給第2惰性氣體之方法。藉由預先將第1加熱部317a維持於既定溫度，將加熱過之第1惰性氣體與未加熱之第2惰性氣體加以混合而供給至槽313，從而調整第1惰性氣體之溫度。藉由以此方式調整第1惰性氣體之溫度，而可縮短溫度之調整時間。雖然可藉由改變第1加熱部317a之溫度設定來對第1惰性氣體之溫度進行調整，但自改變設定溫度起至第1惰性氣體之溫度發生變化為止具有時滯。但是，藉由如此地將未加熱之第2惰性氣體供給至加熱過之第1惰性氣體，可於短時間內調整第1惰性氣體之溫度。使用第2惰性氣體之第1惰性氣體的溫度調整係藉由調整第2惰性氣體之流量、或第1惰性氣體與第2惰性氣體之流量比來進行。例如，藉由使第1惰性氣體之流量固定，增加第2惰性氣體之流量，從而可降低供給至槽313之惰性氣體的溫度。相反地，藉由使第1惰性氣體之流量固定，減少第2惰性氣體之流量，從而可使供給至槽313之惰性氣體的溫度上升。再者，於欲使供給至槽313之惰性氣體的總量固定之情形時，只要減少第1惰性氣體之流量，同時增加第2惰性氣體之流量，或者增加第1惰性氣體之流量，同時減少第2惰性氣體之流量即可。藉由使供給至槽313之惰性氣體的總量固定，可抑制供給至處理室201之處理氣體中之原料氣體的流量(濃度)發生變化之情形。
[步驟S11(第1沖洗步驟)] (去除殘留氣體) 於開始供給含金屬氣體後經過既定時間，例如0.01～10秒之後，關閉閥318，停止供給含金屬氣體。即，對晶圓200供給含金屬氣體之時間，例如為0.01～10秒之範圍內的時間。此時，排氣管231之APC閥243保持打開，藉由真空泵246對處理室201內進行真空排氣，將殘留於處理室201內之未反應或幫助含金屬層形成後之含金屬氣體自處理室201內除去。即，對處理室201內進行沖洗。此時，閥314a及324b保持打開，維持惰性氣體向處理室201內之供給。惰性氣體作為沖洗氣體而發揮作用，可提高殘留於處理室201內之未反應或幫助含金屬層形成後之含金屬氣體自處理室201內除去之效果。
[步驟S12] (供給反應氣體) 於去除處理室201內之殘留氣體之後，打開閥324a，使反應氣體流入氣體供給管320(320a)內。反應氣體係由MFC 325a進行流量調整，而自噴嘴420之氣體供給孔420a被供給至處理室201內，並自排氣管231被排出。此時，對晶圓200供給反應氣體。此時，亦可同時打開閥324b，使惰性氣體流入氣體供給管320b內。流過氣體供給管320b內之惰性氣體係由MFC 325b進行流量調整。惰性氣體與反應氣體一同被供給至處理室201內，而自排氣管231被排出。此時，為了防止反應氣體滲入至噴嘴410內，打開閥314a、314d，使惰性氣體流入氣體供給管310a內。惰性氣體係經由氣體供給管310及噴嘴410而被供給至處理室201內，並自排氣管231被排出。此處，反應氣體例如為還原氣體。
此時，調整APC閥243，使處理室201內之壓力為例如1～3990 Pa之範圍內的壓力，例如2000 Pa。藉由MFC 325a控制之還原氣體的供給流量例如為1～50 slm，較佳為15～30 slm之範圍內的流量。由MFC 325b、315d控制之惰性氣體的供給流量分別為例如0.1～30 slm之範圍內的流量。對晶圓200供給還原氣體之時間例如為0.01～120秒之範圍內的時間。
此時，流入處理室201內之氣體僅為還原氣體，或者為還原氣體及惰性氣體。此處，作為還原氣體，例如可使用氫氣(H 2)、氘氣(D 2)、包含經活化之氫的氣體等。於使用H 2氣體作為還原氣體之情形時，H 2氣體與於步驟S10中形成於晶圓200上之含Mo層的至少一部分發生置換反應。即，含Mo層中之O或氯(Cl)與H 2發生反應，自Mo層脫離，成為水蒸氣(H 2O)、氯化氫(HCl)、或氯(Cl 2)等反應副產物而自處理室201內被排出。其後，於晶圓200上形成包含Mo、且實質上不含Cl及O之金屬層(Mo層)。
[步驟S13(第2沖洗步驟)] (去除殘留氣體) 形成金屬層之後，關閉閥324a，停止供給反應氣體。
其後，藉由與上述步驟S11(第1沖洗步驟)相同之處理程序，將殘留於處理室201內之未反應或幫助金屬層形成後之反應氣體或反應副產物自處理室201內除去。即，對處理室201內進行沖洗。
(實施既定次數) 藉由將依序進行上述步驟S10～步驟S13之步驟的循環進行一次以上(既定次數(n次，n為1以上之整數))，於晶圓200上形成既定厚度(例如0.5～20.0 nm)之含金屬膜。上述循環較佳為重複進行複數次。又，亦可分別將步驟S10～步驟S13之步驟進行至少1次以上。
再者，上述步驟S10A(第1惰性氣體之流量調整)與步驟S10B(第1惰性氣體之溫度調整)係於上述步驟S10之前進行。又，亦可於步驟S10～步驟S13之間進行。亦可於進行既定次數之期間進行步驟S10A及步驟S10B。藉由在此種晶圓200之處理期間進行，可使形成於晶圓200之每層膜的特性均勻化。
(後沖洗及恢復大氣壓) 將惰性氣體自氣體供給管310a、320a之各者供給至處理室201內，並自排氣管231排出。惰性氣體係作為沖洗氣體而發揮作用，藉此而利用惰性氣體對處理室201內進行沖洗，將殘留於處理室201內之氣體或反應副產物自處理室201內去除(後沖洗)。其後，將處理室201內之環境氣體置換為惰性氣體(置換惰性氣體)，將處理室201內之壓力恢復為常壓(恢復大氣壓)。
(搬出晶圓) 其後，藉由晶舟升降機115使密封蓋219下降，並使外管203之下端開口。其後，處理過之晶圓200係於被晶舟217支撐之狀態下自外管203之下端被搬出至外管203之外部(卸載晶舟)。其後，自晶舟217取出經處理過之晶圓200(卸除晶圓)。
(4)原料氣體供給方法 其次，參照圖3，對使用本實施形態之原料氣體供給系統300進行之原料氣體供給方法進行具體說明。原料氣體供給方法係於將含金屬氣體作為原料氣體而供給至反應室即處理室201之步驟時實施。
首先，於槽313中使原料氣化，生成第1原料氣體。其次，將第1惰性氣體供給至槽313，以促進原料之氣化。即，生成將第1原料氣體與第1惰性氣體加以混合所得之第2原料氣體。其後，使第2原料氣體流入槽313之下游側。
其次，將第3惰性氣體供給至氣體供給管310d，稀釋第2原料氣體。於本實施形態中，作為第1惰性氣體及第3惰性氣體，使用例如Ar氣體、N 2氣體等均為相同種類之氣體。即，生成將第2原料氣體與第3惰性氣體加以混合所得之第3原料氣體。所生成之第3原料氣體流向流量測定部312。此處，亦可並非必須使用第3惰性氣體。
其次，藉由流量測定部312來測定流量。所測得之流量值(流量資料)被輸入至控制器121。於控制器121中，根據測得之流量值、至少第1流量調整部315b之設定流量、原料之物性值、第1惰性氣體之物性值等，算出原料氣體之資料。此處，作為原料氣體之資料，例如算出流經第1氣體管310a內之第3原料氣體內原料氣體之流量、原料氣體之濃度等之至少一者。
繼而，基於算出之原料氣體之資料，以原料氣體之流量資料成為既定值(目標值)之方式進行如下(A)～(E)中之至少一種反饋控制。再者，亦可不將原料氣體之流量資料控制為既定值，而是控制在既定範圍內。又，亦可將(A)～(E)中之數種反饋控制加以組合而進行。
(A)第1惰性氣體之流量調整 藉由第1流量調整部315b，進行第1惰性氣體之流量調整。 藉由調整第1流量調整部315b之流量設定值，進行第1惰性氣體之流量調整。例如，藉由增加第1惰性氣體之流量，可增加槽313內之原料的氣化量。藉由增加氣化量，可增加原料之流量。相反地，藉由減少第1惰性氣體之流量，可減少槽313內之原料的氣化量。藉由減少氣化量，可減少原料之流量。
(B)第1惰性氣體之溫度調整 藉由第1加熱部317a進行第1惰性氣體之溫度調整。藉由使第1加熱部317a之溫度上升，從而使第1惰性氣體之溫度上升。藉由使第1惰性氣體之溫度上升，可使槽313內之原料之溫度上升。其結果為，可增加原料之氣化量。又，藉由降低第1惰性氣體之溫度，從而降低第1惰性氣體之溫度。藉由降低第1惰性氣體之溫度，可減少槽313內之原料氣體的氣化量。由於第1惰性氣體與槽313內之原料直接接觸，故而藉由調整第1惰性氣體之溫度，可於相對較短之時間內對原料之氣化量進行調整。
(C)槽313(原料)之溫度調整 藉由第2加熱部317b進行槽313(原料)之溫度調整。藉由使第2加熱部317b之溫度上升，可使槽313內之原料的溫度上升。其結果為，可促進原料之氣化。相反地，藉由降低第2加熱部317b之溫度，可降低槽313內之原料的溫度，可減少原料之氣化量。再者，由於第2加熱部317b之熱經由槽313而傳遞至原料，故而自改變第2加熱部317b之溫度起至原料之氣化量發生變化為止需要較長時間。因此，槽313之溫度調整較佳為於未處理晶圓200之期間進行。
(D)第2惰性氣體之流量調整 藉由第2流量調整部315c，進行第2惰性氣體之流量調整。藉由調整第2流量調整部315c之設定值，進行第2惰性氣體之流量調整。藉由供給第2惰性氣體，可對供給至槽313之惰性氣體的溫度進行調整。尤其是，藉由將加熱過之第1惰性氣體及未加熱之第2惰性氣體供給至槽313，而進行供給至槽313之惰性氣體的溫度調整。供給至槽313之惰性氣體的溫度可由第1惰性氣體之溫度、第1惰性氣體之流量、及第2惰性氣體之流量進行調整。第1惰性氣體之溫度可由第1加熱部317a進行調整，但有時不能瞬間改變第1加熱部317a之溫度。例如，存在使第1加熱部317a之溫度上升，使得第1惰性氣體之溫度升高過多，而欲將溫度瞬間降低之情形。於此情形時，即便降低第1加熱部317a之溫度設定，至溫度下降為止仍需要時間。於此種情形時，藉由供給第2惰性氣體，將例如常溫之第2惰性氣體混合於溫度升高之第1惰性氣體。藉此，可調整供給至槽313之惰性氣體的溫度。
(E)第3惰性氣體之流量調整 藉由上述(A)～(D)，流經第1氣體管310a內之原料氣體的流量與惰性氣體的流量之比(原料氣體之濃度)有時會偏離用於晶圓200之處理的範圍。此處，藉由調整第3惰性氣體之流量，可調整於晶圓200之處理中所使用之原料氣體流量(原料氣體濃度)。例如，於增加第1惰性氣體之流量的情形時，有時會降低原料氣體之濃度。於此情形時，藉由降低第3惰性氣體之流量，可將原料氣體之濃度調整為既定範圍內。
(5)其他實施形態 以上，已對本發明之實施形態進行具體說明。但是，本發明並不限定於上述實施形態，可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。
例如，上述實施形態係以使用含Mo氣體之情形為例進行說明，但本發明並不限定於此。例如亦可為含有上述Al、Mo、W、Hf、Zr等之至少一者以上之氣體。
又，上述實施形態係以使用H 2氣體作為還原氣體之情形為例進行說明，但本發明並不限定於此。
又，上述實施形態係針對使用一次處理複數片基板之批次式直立型裝置即基板處理裝置來成膜之例進行說明，但本發明並不限定於此。本發明亦可適宜地應用於使用一次處理一片或數片基板之單片式基板處理裝置來成膜之情形。又，上述態樣係針對使用具有熱壁型處理爐之基板處理裝置來形成膜之例進行說明，但本發明並不限定於上述態樣，亦可適宜地應用於使用具有冷壁型處理爐之基板處理裝置來形成膜之情形。
於使用該等基板處理裝置之情形時，亦可在與上述態樣或變形例相同之處理程序、處理條件下進行各處理，仍可獲得與上述態樣或變形例相同之效果。
上述態樣或變形例可適當地加以組合而使用。此時之處理程序及處理條件例如可與上述態樣或變形例之處理程序及處理條件相同。
10:基板處理裝置 12:氣體供給系統 115:晶舟升降機 121:控制器(控制部) 121a:CPU 121b:RAM 121c:記憶裝置 121d:I/O埠 122:輸入輸出裝置 123:外部記憶裝置 200:晶圓(基板) 201:處理室(反應室) 201a:預備室 201b:開口 202:處理爐 203:外管 204:內管 204a:排氣孔 206:排氣路 207:加熱器 209:歧管 217:晶舟 218:隔熱部 219:密封蓋 220、220a、220b:O形環 231:排氣管 243:APC閥 245:壓力感測器 246:真空泵 255:旋轉軸 263:溫度感測器 267:旋轉機構 300:原料氣體供給系統 310、320:氣體供給管 310a:第1氣體管 310b:第2氣體管 310c:第3氣體管 310d:第4氣體管 312:流量測定部 313:槽 314a、314b、314c、314d、316、318、320、324a、324b:閥 315b:第1流量調整部(MFC) 315c:第2流量調整部(MFC) 315d:第3流量調整部(MFC) 317a:第1加熱部 317b:第2加熱部(加熱器) 319:旁通管 320a:第5氣體管(氣體供給管) 320b:第6氣體管(氣體供給管) 325a:第4流量調整部(MFC) 325b:第5流量調整部(MFC) 400:反應氣體供給系統 410、420:噴嘴 410a、420a:氣體供給孔 T1:均熱區域
圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置的直立式處理爐之概略之縱剖視圖。 圖2係圖1中之Α-A線概略橫剖視圖。 圖3係本發明之一實施形態之氣體供給系統的概略構成圖。 圖4係本發明之一實施形態之基板處理裝置的控制器的概略構成圖，其係用方塊圖表示控制器之控制系統的圖。 圖5係表示本發明之一實施形態之基板處理步驟的流程圖。
10:基板處理裝置
115:晶舟升降機
121:控制器(控制部)
200:晶圓(基板)
201:處理室(反應室)
201a:預備室
201b:開口
202:處理爐
203:外管
204:內管
204a:排氣孔
206:排氣路
207:加熱器
209:歧管
217:晶舟
218:隔熱部
219:密封蓋
220a、220b:O形環
231:排氣管
243:APC閥
245:壓力感測器
246:真空泵
255:旋轉軸
267:旋轉機構
310、320:氣體供給管
410、420:噴嘴
410a、420a:氣體供給孔
T1:均熱區域

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其具有： 處理容器，其收容基板； 第1氣體管，其將處理氣體供給至上述處理容器； 流量測定部，其設置於上述第1氣體管，對流經上述第1氣體管內之上述處理氣體的流量進行測定； 第2氣體管，其連接於上述第1氣體管，將第1惰性氣體供給至貯存有上述處理氣體之原料的槽； 第1流量調整部，其設置於上述第2氣體管，調整上述第1惰性氣體之流量； 第1加熱部，其調整上述第1惰性氣體之溫度；及 控制部，其構成為能夠控制上述第1流量調整部及上述第1加熱部，以進行如下處理，即，基於由上述流量測定部所測得之上述處理氣體的流量資料，以上述處理氣體之流量達到既定流量之方式調整上述第1惰性氣體之流量及上述第1惰性氣體之溫度中之至少任一者，將經調整之處理氣體供給至上述處理容器內之基板。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述第1加熱部設置於上述第2氣體管。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其具有： 第3氣體管，其將第2惰性氣體供給至上述槽；及 第2流量調整部，其設置於上述第3氣體管，調整上述第2惰性氣體之流量； 上述控制部構成為可控制上述第2流量調整部之流量設定值。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為，於上述處理氣體中之上述原料的流量小於目標值之情形時，能夠以提高上述第1惰性氣體之溫度之方式控制上述第1加熱部。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為，於上述處理氣體中之上述原料的流量小於目標值之情形時，能夠以增加上述第1惰性氣體之流量與上述第2惰性氣體之流量雙方之方式控制上述第1流量調整部及上述第2流量調整部。
  6. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為，於上述處理氣體中之上述原料的流量小於目標值之情形時，能夠以提高上述槽內之上述第1惰性氣體之溫度之方式控制上述第1加熱部，並以減小上述第2惰性氣體之流量之方式控制上述第2流量調整部。
  7. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為，於上述處理氣體中之上述原料之流量大於目標值之情形時，能夠以減小供給至上述槽之上述第1惰性氣體的流量之方式控制上述第1流量調整部。
  8. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為，於上述處理氣體中之上述原料之流量大於目標值之情形時，能夠以降低上述槽內之惰性氣體的溫度之方式控制上述第1加熱部。
  9. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為，於上述處理氣體中之上述原料之流量大於目標值之情形時，能夠以增加上述第2惰性氣體之流量之方式控制上述第2流量調整部。
  10. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為，能夠於在上述處理容器內進行上述基板之處理的期間，調整上述第1加熱部之溫度。
  11. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為，能夠於在上述處理容器內進行上述基板之處理的期間，以不變更上述第1加熱部之溫度設定而由上述第2惰性氣體之流量來調整上述槽內之惰性氣體的溫度之方式控制上述第2流量調整部。
  12. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中具有加熱上述槽之第2加熱部， 上述控制部構成為，能夠將上述第1加熱部之溫度設定成較上述第2加熱部之溫度更高之溫度。
  13. 如請求項12之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為，可於未在上述處理容器內處理上述基板之期間，調整上述第2加熱部之溫度。
  14. 如請求項12之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為，能夠根據上述第2加熱部之溫度來控制上述第1加熱部之溫度。
  15. 一種氣體供給系統，其具有： 第1氣體管，其將處理氣體供給至處理基板之處理容器； 流量測定部，其設置於上述第1氣體管，對流經上述第1氣體管內之上述處理氣體的流量進行測定； 第2氣體管，其連接於上述第1氣體管，將第1惰性氣體供給至貯存有上述處理氣體之原料的槽； 第1流量調整部，其設置於上述第2氣體管，調整上述第1惰性氣體之流量； 第1加熱部，其調整上述第1惰性氣體之溫度；及 控制部，其構成為能夠基於由上述流量測定部所測得之上述處理氣體之流量資料，以上述處理氣體之流量達到既定流量之方式控制上述第1流量調整部及上述第1加熱部。
  16. 一種基板處理方法，其具有如下步驟： 將第1惰性氣體供給至貯存有原料之槽，使上述原料氣化的步驟； 將包含上述經氣化之原料的處理氣體自上述槽供給至流量測定部，而測定上述處理氣體之流量，生成流量資料的步驟；以及 基於上述流量資料，以上述處理氣體之流量達到既定流量之方式調整上述第1惰性氣體之流量及上述第1惰性氣體之溫度中之至少任一者，將經調整之處理氣體供給至處理容器內之基板的步驟。
  17. 一種半導體裝置之製造方法，其具有如下步驟： 將第1惰性氣體供給至貯存有原料之槽，使上述原料氣化的步驟； 將包含上述經氣化之原料的處理氣體自上述槽供給至流量測定部，而測定上述處理氣體之流量，生成流量資料的步驟；以及 基於上述流量資料，以上述處理氣體之流量達到既定流量之方式調整上述第1惰性氣體之流量及上述第1惰性氣體之溫度中之至少任一者，將經調整之處理氣體供給至處理容器內之基板的步驟。
  18. 一種藉由電腦使基板處理裝置執行程序的程式，上述程序包含有： 將第1惰性氣體供給至貯存有原料之槽，使上述原料氣化的程序； 將包含上述經氣化之原料的處理氣體自上述槽供給至流量測定部，而測定上述處理氣體之流量，生成流量資料的程序；以及 基於上述流量資料，以上述處理氣體之流量達到既定流量之方式調整上述第1惰性氣體之流量及上述第1惰性氣體之溫度中之至少任一者，將經調整之處理氣體供給至處理容器內之基板的程序。
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