JPWO2019188037A1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents

Abstract

間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように開口する複数の原料ガス供給孔を有し、前記処理室に原料ガスを供給する原料ガスノズルと、前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように開口する複数の反応ガス供給孔を有し、前記処理室に反応ガスを供給する反応ガスノズルと、前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、１つ以上の不活性ガス供給孔を上部および下部の少なくともいずれかにのみ有し、前記不活性ガス供給孔は前記複数の基板のうち上部および下部の少なくともいずれかに配列される１枚以上の基板に対応する位置に開口し、前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガスノズルと、を有する技術を提供する。

Description

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関する。

半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、処理室内に収容された基板上に膜を形成する処理が行われることがある（例えば特許文献１を参照）。このような処理に、一度に複数の基板を処理する縦型の基板処理装置が用いられることがある。

特許第６１６３５２４号公報

しかし、縦型の基板処理装置では、処理室の上部と下部とで、配置された基板に形成された膜の面内均一性が低下したり、異物発生率が高くなったりする場合がある。

本開示の一目的は、処理室の上部と下部とで、配置された基板に形成された膜の面内均一性を向上させるとともに、異物発生率を低減させ、生産性を向上させる技術を提供することである。

本開示の一態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、
基板の配列方向に沿って延在するように配設され、複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように開口する複数の原料ガス供給孔を有し、処理室に原料ガスを供給する原料ガスノズルと、
基板の配列方向に沿って延在するように配設され、複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように開口する複数の反応ガス供給孔を有し、処理室に反応ガスを供給する反応ガスノズルと、
基板の配列方向に沿って延在するように配設され、１つ以上の不活性ガス供給孔を上部および下部の少なくともいずれかにのみ有し、不活性ガス供給孔は複数の基板のうち上部および下部の少なくともいずれかに配列される１枚以上の基板に対応する位置に開口し、処理室に不活性ガスを供給する不活性ガスノズルと、
を有する技術が提供される。

本開示によれば、処理室の上部と下部とで、配置された基板に形成された膜の面内均一性を向上させるとともに、異物発生率を低減させ、生産性を向上させる技術を提供することができる。

図１は、本開示の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。 図２は、本開示の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を図１のＡ−Ａ線断面図で示す図である。 図３は、本開示の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。 図４は、本開示の一実施形態で好適に用いられる不活性ガス供給ノズルの概略構成図である。 図５は、本開示の一実施形態におけるガス供給のタイミングを示す図である。 図６は、本開示の一実施形態における実験結果であり、１サイクル中のＴＤＭＡＴガスの供給流量（Ｆｌｏｗ Ｒａｔｅ）と、基板上に形成されたＴｉＯ膜の面内膜厚均一性（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）との関係を示す図である。

一度に複数の基板を処理する縦型の基板処理装置で、処理室内に載置した基板に処理ガスを供給して膜を形成するとき、複数の処理ガスを互いに混合しないよう交互に処理室に供給する場合がある。その際、複数の処理ガスが混合しないよう、各処理ガスの供給の間に、パージガスを流して、処理室に残留する各処理ガスを除去する場合がある。このとき、基板の配列方向に沿って延在し、基板の配列領域に開口する複数のガス供給孔を有するノズルから処理ガスおよびパージガスを供給する場合がある。処理室の雰囲気は、処理室の周囲に設けられた加熱機構によって加熱される。しかし、処理温度が例えば１５０℃以下等、低温の場合、処理ガスの拡散度合が弱くなる場合がある。処理ガスとパージガスとを、基板の配列領域に開口する複数のガス供給孔を有する同じノズルから供給した場合、処理室の上部と下部とで基板の面内膜厚均一性が低下したり、パーティクル（異物）の発生数が多くなったり（異物発生率が上がったり）することがある。

原料ガスと反応ガスを用いて基板上に膜を形成する場合、処理室の上部で基板の面内膜厚均一性が低下する理由は、処理室の上部へ供給される原料ガスおよび反応ガスの流速が遅くなるため、原料ガスおよび反応ガスの供給量が少なくなるためと考えられる。処理室の下部で基板の面内膜厚均一性が低下する理由は、処理室の下部へ供給される原料ガスおよび反応ガスの流速が速くなるため、原料ガスおよび反応ガスの供給量が多くなるためと考えられる。また、異物発生率が上がる理由は、処理室の上部と下部とにおけるパージ効率が、処理室の中央部におけるパージ効率より低くなり、ガス抜けが悪くなるからと考えられる。そこで、パージガスの流量を増やし、パージ効率を向上させることが考えられる。しかし、ノズルの上部および下部のみならず、中央部からもパージガスは供給され、処理室の中央部のガス流速に影響を与えてしまうため、処理室の上部と下部のみのガス流速やパージ効率を制御することが難しい。

発明者らは、上述のような課題を解決するため鋭意研究を行い、処理ガスを供給するノズルとは別に、上部と下部のみにガス供給孔を有するノズル（パージガス専用ノズル）を設けてパージガスを供給することにより、処理室の上部と下部のみのガス流速やパージ効率を制御することができることを見出した。これにより、処理室の上部と下部とで面内均一性を改善したり制御したりするとともに、異物発生率を低下させることが可能となる。以下で、詳細を説明する。

＜本開示の第１の実施形態＞
以下、本開示の一実施形態について、主に、図１〜図４を用いて説明する。

（１）処理炉の構成
処理炉２０２は加熱手段（加熱機構、加熱系）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。

ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３が配設されている。反応管２０３は耐熱性材料（例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等）により構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の下方には、反応管２０３と同心円状に、マニホールド（インレットフランジ）２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス（ＳＵＳ）等の金属により構成され、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９の上端部は、反応管２０３の下端部に係合しており、反応管２０３を支持するように構成されている。マニホールド２０９と反応管２０３との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベースに支持されることにより、反応管２０３は垂直に据え付けられた状態となる。主に、反応管２０３とマニホールド２０９とにより処理容器（反応容器）が構成されている。処理容器の筒中空部には処理室２０１が形成されている。

処理室２０１は、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。

処理室２０１内には、ノズル４１０，４２０，４３０がマニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。ノズル４１０，４２０，４３０には、ガス供給ラインとしてのガス供給管３１０，３２０，３３０が、それぞれ接続されている。

ガス供給管３１０，３２０，３３０には上流側から順に流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５１２，５２２，５３２および開閉弁であるバルブ３１４，３２４，３３４が設けられている。ガス供給管３１０，３２０，３３０のバルブ３１４，３２４，３３４の下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管５１０，５２０，５３０が接続されている。ガス供給管５１０，５２０，５３０には、上流側から順に、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ５１２，５２２，５２３および開閉弁であるバルブ５１４，５２４，５３４が設けられている。

ノズル４１０，４２０，４３０は、Ｌ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部はマニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。ノズル４１０，４２０，４３０の垂直部は、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間に形成される円環状の空間に、反応管２０３の内壁に沿って上方（ウエハ２００の配列方向上方）に向かって立ち上がるように（つまりウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように）設けられている。すなわち、ノズル４１０，４２０，４３０は、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。

ノズル４１０，４２０の側面には、ガスを供給するガス供給孔４１０ａ，４２０ａがウエハ２００の配列方向に沿って、ウエハ２００が配列された基板配列領域に対応するように設けられている。ガス供給孔４１０ａ，４２０ａは反応管２０３の中心を向くように開口している。このガス供給孔４１０ａ，４２０ａは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれ同一の開口面積を有し、さらに同じ開口ピッチで設けられている。ただし、ガス供給孔４１０ａ，４２０ａは上述の形態に限定されない。例えば、反応管２０３の下部から上部に向かって開口面積を徐々に大きくしてもよい。これにより、ガス供給孔４１０ａ，４２０ａから供給されるガスの流量を均一化することが可能となる。

ノズル４３０の側面の上部には、ガスを供給するガス供給孔４３０ａ，ｂがウエハ２００の配列方向に沿って設けられている。ノズル４３０の側面の下部には、ガスを供給するガス供給孔４３０ｃが設けられている。ガス供給孔４３０ａ，ｂ，ｃは反応管２０３の中心を向くように開口している。

ガス供給孔４３０ａは、後述するボート２１７の天板２１５に対応する位置より高い位置であるノズル４３０の側面に１つ以上、開口する。ガス供給孔４３０ｂは、後述するボート２１７の天板２１５に対応する位置より低い位置であるノズル４３０の側面に１つ以上、開口する。少なくとも１つのガス供給孔４３０ｂは、基板配列領域に対応する位置であるノズル４３０の側面に開口する。後述するボート２１７の天板２１５に対応する位置であるノズル４３０の側面には、ガス供給孔が１つも設けられていない。ガス供給孔４３０ｃは、後述する断熱板２１８もしくは後述する断熱筒が設けられる位置に対応する位置であるノズル４３０の側面に１つ以上、開口する。

ガス供給孔４３０ａ，ｂ，ｃは、複数設けられる場合には、それぞれ同一の開口面積を有してもよいし、異なる開口面積を有してもよい。例えば、下から上に向かって開口面積を徐々に大きくしてもよい。また、ガス供給孔４３０ａ，ｂ，ｃは、複数設けられる場合には、それぞれ、同じ開口ピッチで設けても異なる開口ピッチで設けてもよい。ガス供給孔４３０ａは、好ましくは、ガス供給孔４３０ｂより大きな開口面積を有する。これにより、天板２１５への不活性ガスの供給量が大きくなり、天板への成膜を抑制してメンテナンス周期を改善するとともに、パージ効率を高めることが可能となる。ガス供給孔４３０ｃは、複数設けられる場合であって、ボート２１７に複数の断熱板２１８が支持（配列）されている場合は、断熱板２１８と同数の孔を設けてもよい。これにより、断熱板２１８への成膜をさらに抑制することが可能となる。

ガス供給管３１０からは、処理ガスとして原料ガスが、ＭＦＣ３１２，バルブ３１４，ノズル４１０を介して処理室２０１内に供給される。原料ガスとしては、例えば、チタン（Ｔｉ）を含むチタン含有原料（Ｔｉ含有原料ガス、Ｔｉ含有ガス）としてのテトラキスジメチルアミノチタン（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４、略称：ＴＤＭＡＴ）のガスが用いられる。本明細書において「原料」という言葉を用いた場合は、「液体状態である液体原料」を意味する場合、「気体状態である原料ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。ガス供給孔４１０ａを原料ガス供給孔と称してもよい。

ガス供給管３２０からは、処理ガスとして、酸素（Ｏ）を含むＯ含有ガスである反応ガスが、ノズル４２０を介して処理室２０１内に供給される。Ｏ含有ガスとしては、金属元素非含有のＯ含有ガス、例えば、水蒸気（Ｈ_２Ｏガス）を用いることができる。ガス供給孔４２０ａを反応ガス供給孔と称してもよい。

ガス供給管３３０からは、処理ガスとして、パージガスとしての不活性ガスであって例えば窒素（Ｎ_２）ガスが、ＭＦＣ３３２、バルブ３３４、ノズル４３０を介して処理室２０１内に供給される。ガス供給孔４３０ａ，ｂ，ｃを不活性ガス供給孔と称してもよい。ノズル４３０は、不活性ガス専用ノズルとして機能する。

ガス供給管５１０，５２０，５３０からは、不活性ガスとして、例えば窒素（Ｎ_２）ガスが、それぞれＭＦＣ５１２，５２２，５３２、バルブ５１４，５２４，５３４、ノズル４１０，４２０，４３０を介して処理室２０１内に供給される。この不活性ガスはキャリアガス、希釈ガス、パージガス等として作用する。なお、ガス供給管５３０、ＭＦＣ５３２、バルブ５３４は設けなくてもよい。

処理ガスとしてＴＤＭＡＴやＨ_２Ｏのように常温常圧下で液体状態である化合物を用いる場合は、液体状態のＴＤＭＡＴを気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、ＴＤＭＡＴガスやＨ_２Ｏガスとして処理室２０１内に供給することとなる。Ｈ_２Ｏガスを用いる場合は、Ｈ_２Ｏを貯蔵するＨ_２ＯタンクにＮ_２ガスを供給して水蒸気（Ｈ_２Ｏガス）を発生させる。したがって、Ｎ_２ガスの流量を制御することにより、処理室へ供給するＨ_２Ｏガスの流量を制御することとなる。

主に、ガス供給管３１０，３２０，３３０、ＭＦＣ３１２，３２２，３３２、バルブ３１４，３２４，３３４により処理ガス供給系が構成される。ノズル４１０，４２０，４３０を処理ガス供給系に含めて考えてもよい。処理ガス供給系を、単に、ガス供給系と称することもできる。

主に、ガス供給管３１０、ＭＦＣ３１２、バルブ３１４により原料ガス供給系が構成される。ノズル４１０を原料ガス供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管３１０からＴｉ含有ガスを流す場合、原料ガス供給系をＴｉ含有ガス供給系と称することもできる。ガス供給管３１０からＴＤＭＡＴガスを流す場合、Ｔｉ含有ガス供給系をＴＤＭＡＴガス供給系と称することもできる。ＴＤＭＡＴガス供給系をＴＤＭＡＴ供給系と称することもできる。

主に、ガス供給管３２０、ＭＦＣ３２２、バルブ３２４により反応ガス供給系が構成される。ノズル４２０を反応ガス供給系に含めて考えてもよい。反応ガス供給系をＯ含有ガス供給系と称することもできる。ガス供給管３２０からＨ_２Ｏガスを流す場合、Ｏ含有ガス供給系をＨ_２Ｏガス供給系と称することもできる。

主に、ガス供給管３３０、ＭＦＣ３３２、バルブ３３４によりパージガス供給系が構成される。ノズル４３０をパージガス供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管３３０から不活性ガスを流す場合、パージガス供給系を第１の不活性ガス供給系と称することもできる。ガス供給管３３０からＮ_２ガスを流す場合、パージガス供給系をＮ_２ガス供給系と称することもできる。

主に、ガス供給管５１０,５２０,５３０、ＭＦＣ５１２,５２２,５２３、バルブ５１４,５２４,５３４により第２の不活性ガス供給系が構成される。

反応管２０３には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、上流側から順に、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５，ＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４３，真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４３は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気および真空排気停止を行なうことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管２３１，ＡＰＣバルブ２４３，圧力センサ２４５により、排気系が構成される。真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ２１９は、例えばＳＵＳ等の金属により構成され、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、後述するボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。ボートエレベータ１１５は、ボート２１７すなわちウエハ２００を、処理室２０１内外に搬送する搬送装置（搬送機構）として構成されている。

基板支持具としてのボート２１７は、複数枚、例えば２５〜２００枚のウエハ２００を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２１７の天頂部には、天板２１５が設けられている。ボート２１７および天板２１５は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により構成され。ボート２１７の下部である断熱領域には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により構成され断熱板２１８が水平姿勢で多段に支持されている。この構成により、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなっている。ただし、本実施形態は上述の形態に限定されない。例えば、ボート２１７の下部に断熱板２１８を設けずに、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により構成される筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。

反応管２０３内には温度検出器としての温度センサ２６３が設置されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電量を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ２６３は、ノズル４１０，４２０および４３０と同様にＬ字型に構成されており、反応管２０３の内壁に沿って設けられている。

図３に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ，ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ，記憶装置１２１ｃ，Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ，記憶装置１２１ｃ，Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バスを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピや、後述するクリーニング処理の手順や条件等が記載されたクリーニングレシピや、後述するパージ処理の手順や条件等が記載されたパージレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。また、クリーニングレシピは、後述するクリーニング処理における各手順を、コントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。また、パージレシピは、後述するパージ処理における各手順を、コントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピやクリーニングレシピやパージレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、クリーニングレシピ単体のみを含む場合、パージレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、プロセスレシピ、クリーニングレシピ、パージレシピおよび制御プログラムのうち任意の組み合わせを含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ３１２，３２２，３３２，５１２，５２２，５３２、バルブ３１４，３２４，３３４，５１４，５２４，５３４、ＡＰＣバルブ２４３、圧力センサ２４５、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ２６３、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等に接続されている。

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからプロセスレシピやクリーニングレシピやパージレシピ等を読み出すように構成されている。以下、便宜上、これらのレシピを総称して単に「レシピ」とも称することとする。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ３１２，３２２，３３２，５１２，５２２，５３２による各種ガスの流量調整動作、バルブ３１４，３２４，３３４，５１４，５２４，５３４の開閉動作、ＡＰＣバルブ２４３の開閉動作およびＡＰＣバルブ２４３による圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、回転機構２６７によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作等を制御するように構成されている。

コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。

（２）成膜処理
上述の基板処理装置を用い、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図５を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。

図５に示す成膜シーケンスでは、処理室２０１内に収容された基板としてのウエハ２００に対して、原料ガスとしてのＴＤＭＡＴガスと、Ｏ含有ガスとしてのＨ_２Ｏガスと、を供給して、ウエハ２００上に酸化膜としてチタン酸化膜（ＴｉＯ_２膜、以下、ＴｉＯ膜ともいう）を形成する。

本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された所定の層や膜との積層体を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものの表面を意味する場合や、ウエハ上に形成された所定の層等の表面を意味する場合がある。本明細書において「ウエハ上に所定の層を形成する」と記載した場合は、ウエハそのものの表面上に所定の層を直接形成することを意味する場合や、ウエハ上に形成されている層等の上に所定の層を形成することを意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。

（ウエハチャージおよびボートロード）
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）される。その後、図１に示すように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０を介してマニホールド２０９の下端を閉塞した状態となる。

（圧力調整および温度調整）
処理室２０１内、すなわち、ウエハ２００が存在する空間が所望の圧力（真空度）となるように真空ポンプ２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づき、ＡＰＣバルブ２４３がフィードバック制御される（圧力調整）。真空ポンプ２４６は、少なくともウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電量がフィードバック制御される（温度調整）。ヒータ２０７による処理室２０１内の加熱は、少なくともウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構２６７によりボート２１７およびウエハ２００の回転を開始する。回転機構２６７によるボート２１７およびウエハ２００の回転は、少なくとも、ウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。

（ＴｉＯ膜形成ステップ）
その後、以下のステップを順次実施する。

（原料ガス供給ステップ）
バルブ３１４を開き、ガス供給管３１０内に原料ガスであるＴＤＭＡＴガスを流す。ガス供給管３１０内を流れるＴＤＭＡＴガスは、ＭＦＣ３１２により流量調整され、ノズル４１０のガス供給孔４１０ａから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＴＤＭＡＴガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ５１４を開き、ガス供給管５１０内にＮ_２ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管５１０内を流れるＮ_２ガスは、ＭＦＣ５１２により流量調整され、ＴＤＭＡＴガスと一緒に処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このとき、バルブ３３４を開き、ガス供給管３３０内にＮ_２ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管５３０内を流れるＮ_２ガスは、ＭＦＣ５３２により流量調整され、処理室２０１の上部および下部へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ノズル４２０内へのＴＤＭＡＴガスの侵入を防止するために、バルブ５２４を開き、ガス供給管５２０内にＮ_２ガス（逆流防止Ｎ_２ガス）を流す。Ｎ_２ガスは、ガス供給管５２０、ノズル４２０を介して処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。

本ステップにおける処理条件としては、
処理室２０１内の圧力：１〜１０００Ｐａ、好ましくは１〜１００Ｐａ
ＴＤＭＡＴガス供給流量：０．００１〜２.０ｓｌｍ、好ましくは０．０１〜０．５ｓｌｍ
ノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量：０．１〜５.０ｓｌｍ、好ましくは０．４〜１.５ｓｌｍ
ＴＤＭＡＴガスとノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量比：１．０：０．２〜１．０：３．０
逆流防止Ｎ_２ガス供給流量：０．００１〜２.０ｓｌｍ、好ましくは０．０１〜０．５ｓｌｍ
各ガス供給時間：１〜６０秒、好ましくは１〜３０秒
処理温度：２５〜１５０℃、好ましくは５０〜１００℃
が例示される。本明細書では、「１〜１０００Ｐａ」のような数値範囲の表記は、下限値および上限値がその範囲に含まれることを意味する。よって、例えば、「１〜１０００Ｐａ」とは、１Ｐａ以上１０００Ｐａ以下を意味する。その他の数値範囲についても同様である。

上述の条件下でウエハ２００に対してＴＤＭＡＴガスを供給することにより、ウエハ２００の最表面に、Ｔｉを含むＴｉ含有層が形成される。

本ステップにおいて、ノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量が０．１ｓｌｍより少ないと、処理室２０１の上部および下部へ供給されるＮ_２ガスの量が少なくなり、処理室２０１の上部および下部へ供給されるＴＤＭＡＴガスの流速が十分速くならず、ＴＤＭＡＴガスの量が少なくなる。すると、基板配列領域の上部と下部に配列されるウエハ２００（すなわち、天板２１５や断熱領域に隣接するウエハ２００）に形成されるＴｉ含有層の面内均一性低下を招いてしまう可能性がある。また、処理室２０１の上部および下部であって、特にボート２１７の天板２１５や断熱板２１８等の断熱領域へ付着するＴｉ含有層の量が多くなってしまう場合がある。ノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量が５.０ｓｌｍより多いと、処理室２０１の上部および下部へ供給されるＮ_２ガスの量が多くなり、基板配列領域の上部と下部に配列されるウエハ２００（すなわち天板２１５や断熱領域に隣接するウエハ２００）へのＴｉ含有層の形成が抑制され、処理室２０１の上部では面内膜厚均一性低下が促進されるとともに、処理室２０１の上部、中央部、下部における面間膜厚均一性が低下してしまう可能性がある。処理室２０１の中央部に対する上部と下部のＴＤＭＡＴガスの流速を制御するために、ノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量は逆流防止Ｎ_２ガスの供給流量より多くすることが望ましい。

本ステップにおいて、ＴＤＭＡＴガスとノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量比が、１．０：０．２より低い場合、ボート２１７下部に位置するウエハ２００の面内膜厚均一性が悪化する可能性がある。１．０：３．０より高い場合、ボート２１７上部に位置するウエハ２００の面内膜厚均一性が悪化する可能性がある。

本ステップにおいて、処理温度が２５℃より低い場合、反応性が低くなり膜形成が困難となる可能性がある。１３０℃より高い温度の場合、ＴＤＭＡＴガスの熱分解が促進されてしまうことにより、成膜レートが高くなりすぎて膜厚の制御性が悪化して均一性が悪化したり、不純物が多量に取り込まれて抵抗率が高くなってしまったりする場合がある。

（残留ガス除去ステップ）
Ｔｉ含有層が形成された後、バルブ３１４を閉じ、ＴＤＭＡＴガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４３は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応又はＴｉ含有層形成に寄与した後のＴＤＭＡＴガスを処理室２０１内から排除する。このとき、バルブ３３４は開いたままとして、ＭＦＣ３３２を制御して、処理室２０１内へ供給するＮ_２ガスの供給流量を原料ガス供給ステップにおける供給流量より多くなるよう調整する。バルブ５１４，５２４，５３４は開いたままとして、処理室２０１内へ供給するＮ_２ガスの供給流量を原料ガス供給ステップにおける供給流量より多くなるよう調整する。Ｎ_２ガスはパージガスとして作用し、処理室２０１内に残留する未反応又はＴｉ含有層形成に寄与した後のＴＤＭＡＴガスを処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。

本ステップにおける処理条件としては、
ノズル３３４から供給するＮ_２ガスの供給流量：０．５〜７．０ｓｌｍ、好ましくは３．０〜５．０ｓｌｍ
ノズル３１４，２３４から供給するＮ_２ガスの供給流量：１．０〜９．０ｓｌｍ、好ましくは４．０〜６．０ｓｌｍが例示される。

ノズル３３４から供給するＮ_２ガスの供給流量が０．５ｓｌｍより少ないと、処理室２０１の上部と下部におけるパージが十分に行われず、残留するＴＤＭＡＴガスや反応副生成物が十分にパージされずに処理室２０１内に残り、パーティクル（異物）となる可能性がある。ノズル３３４から供給するＮ_２ガスの供給流量が５．０ｓｌｍより多いと、処理室２０１内の圧力が高くなり過ぎ、後述する反応ガス供給ステップを行う前に圧力を下げるための時間を要するためスループットが低下する可能性がある。

ノズル３１４，２３４から供給するＮ_２ガスの供給流量が１．０ｓｌｍより少ないと、処理室２０１の中央部でパージが十分に行われず、残留するＴＤＭＡＴガスや反応副生成物が十分にパージされずに処理室２０１内に残り、パーティクル（異物）となる可能性がある。ノズル３１４，２３４から供給するＮ_２ガスの供給流量が９．０ｓｌｍより多いと、処理室２０１内の圧力が高くなり過ぎ、後述する反応ガス供給ステップを行う前に圧力を下げるための時間を要するためスループットが低下する可能性がある。

なお、ガス供給孔４１０ａ，４２０ａの数より、ガス供給孔４３０ａ，ｂ，ｃの合計数が顕著に多い場合、ノズル３１４，３２４から供給するＮ_２ガスの供給流量は、ノズル３３４から供給するＮ_２ガスの供給流量より多くてもよい。一孔当たりのＮ_２ガスの供給流量は、ノズル３３４から供給するＮ_２ガスの供給流量の方が多くなるからである。

（Ｏ含有ガス供給ステップ）
処理室２０１内の残留ガスを除去した後、バルブ３２４を開き、ガス供給管３２０内にＯ含有ガスであるＨ_２Ｏガスを流す。ガス供給管３２０内を流れるＨ_２Ｏガスは、ＭＦＣ３２２により流量調整され、ノズル４２０のガス供給孔４２０ａから処理室２０１内に供給される。処理室２０１内に供給されたＨ_２Ｏガスは、排気管２３１から排気される。このときウエハ２００に対して、Ｈ_２Ｏガスが供給されることとなる。このとき、バルブ３３４を開き、ガス供給管３３０内にＮ_２ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管５３０内を流れるＮ_２ガスは、ＭＦＣ５３２により流量調整され、処理室２０１の上部および下部へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ノズル４１０内へのＨ_２Ｏガスの侵入を防止するために、バルブ５１４を開き、ガス供給管５１０内にＮ_２ガス（逆流防止Ｎ_２ガス）を流す。Ｎ_２ガスは、ガス供給管５１０、ノズル４１０を介して処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。

本ステップにおける処理条件としては、
処理室２０１内の圧力：１〜１０００Ｐａ、好ましくは１０〜３００Ｐａ
ＭＦＣ３２２で制御するＨ_２Ｏタンクへ供給するＮ_２ガス供給流量：１．０〜８．０ｓｌｍ、好ましくは１．０〜２．０ｓｌｍ
ノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量：０．１〜５．０ｓｌｍ、好ましくは０．４〜１．５ｓｌｍ
Ｈ_２Ｏガスとノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量比：１．０：０．２〜１．０：３．０
逆流防止Ｎ_２ガス供給流量：０．２〜４０．０ｓｌｍ、好ましくは４．０〜８．０ｓｌｍ
各ガス供給時間：１〜６０秒、好ましくは１〜３０秒
が例示される。処理温度等の他の処理条件は、原料ガス供給ステップにおける処理条件と同様とする。

このとき処理室２０１内に流しているガスは、Ｈ_２ＯガスとＮ_２ガスのみである。Ｈ_２Ｏガスは、原料ガス供給ステップでウエハ２００上に形成されたＴｉ含有層の少なくとも一部と置換反応する。置換反応の際には、Ｔｉ含有層に含まれるＴｉとＨ_２Ｏガスに含まれるＯとが結合して、ウエハ２００上にＴｉとＯとを含むＴｉＯ層が形成される。

本ステップにおいて、ノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量が０．１ｓｌｍより少ないと、処理室２０１の上部および下部へ供給されるＮ_２ガスの量が少なくなり、処理室２０１の上部および下部へ供給されるＨ_２Ｏガスの流速が十分速くならず、ＴＤＭＡＴガスの量が少なくなる。すると、基板配列領域の上部と下部に配列されるウエハ２００（すなわち、天板２１５や断熱領域に隣接するウエハ２００）に形成されるＴｉＯ層の面内均一性低下を招いてしまう可能性がある。また、処理室２０１の上部および下部であって、特にボート２１７の天板２１５や断熱板２１８等の断熱領域へ付着するＴｉＯ層の量が多くなってしまう場合がある。ノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量が５．０ｓｌｍより多いと、処理室２０１の上部および下部へ供給されるＮ_２ガスの量が多くなり、基板配列領域の上部と下部に配列されるウエハ２００（すなわち天板２１５や断熱領域に隣接するウエハ２００）へのＴｉＯ層の形成が抑制され、処理室２０１の上部では面内膜厚均一性低下が促進されるとともに、処理室２０１の上部、中央部、下部における面間膜厚均一性が低下してしまう可能性がある。処理室２０１の中央部に対する上部と下部のＨ_２Ｏガスの流速を制御するために、ノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量は逆流防止Ｎ_２ガスの供給流量より多くすることが望ましい。

本ステップにおいて、Ｈ_２Ｏガスとノズル４３０から供給するＮ_２ガスの供給流量比が、１．０：０．２より低い場合、ボート２１７上部に位置するウエハ２００の面内膜厚均一性が悪化する可能性がある。１．０：３．０より高い場合、ボート２１７下部に位置するウエハ２００の面内膜厚均一性が悪化する可能性がある。

（残留ガス除去ステップ）
ＴｉＯ層を形成した後、バルブ３２４を閉じて、Ｈ_２Ｏガスの供給を停止する。そして、原料ガス供給ステップの後の残留ガス除去ステップと同様の処理手順により、処理室２０１内に残留するガス等を処理室２０１内から排除する。バルブ３３４は開いたままとして、ＭＦＣ３３２を制御して、処理室２０１内へ供給するＮ_２ガスの供給流量を反応ガス供給ステップにおける供給流量より多くなるよう調整する点も同様である。その他のプロセス条件等も原料ガス供給ステップの後の残留ガス除去ステップと同様とする。

（所定回数実施）
上記した原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、Ｏ含有ガス供給ステップ、残留ガス供給ステップを順に時分割して行うサイクルを所定回数（ｎ回、ｎは１以上の整数）行うことにより、ウエハ２００上に、所定の厚さのＴｉＯ膜を形成する。ｎの値は、最終的に形成されるＴｉＯ膜において必要とされる膜厚に応じて適宜選択される。すなわち、上述の各処理を行う回数は、目標とする膜厚に応じて決定される。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。なお、ＴｉＯ膜の厚さは、例えば１０〜１５０ｎｍであって、好ましくは５０〜１２０ｎｍであり、より好ましくは７０〜９０ｎｍとする。ＴｉＯ膜の厚さ（膜厚）が１５０ｎｍより厚いとラフネスが大きくなってしまう可能性があり、１０ｎｍより薄いと下地膜との応力差で膜剥がれが発生してしまう可能性がある。

（パージおよび大気圧復帰）
バルブ３３４，５１４，５２４，５３４を開き、ガス供給管３３０，５１０，５２０，５３０のそれぞれからＮ_２ガスを処理室２０１内へ供給し、排気管２３１から排気する。Ｎ_２ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室２０１内が不活性ガスでパージされ、処理室２０１内に残留するガスや副生成物が処理室２０１内から除去される（パージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。

（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口される。そして、処理済ウエハ２００がボート２１７に支持された状態でマニホールド２０９の下端から反応管２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済のウエハ２００は、ボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。

図６に、本実施形態の実験結果として、１サイクルにおけるＴＤＭＡＴガスの供給流量（Ｆｌｏｗ Ｒａｔｅ）と、基板上に形成されたＴｉＯ膜の面内膜厚均一性（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）との関係を示す。◆が処理室２０１の上部（ＴＯＰ）、×が処理室２０１の中央部（Ｃｎｔｅｒ）、●が処理室２０１の下部（Ｂｏｔｔｏｍ）における値である。図６より、ＴＤＭＡＴガスの供給流量が、特に、０．４〜１．５ｓｌｍ付近で、処理室２０１内の各位置における面内膜厚均一性が良いことがわかる。

（３）本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果が得られる。

（ａ）処理室の上部と下部の少なくともいずれかにのみガス供給孔を有する不活性ガス専用ノズルを設けることにより、処理室の中央部への影響を抑制しつつ、原料ガスの供給時に原料ガスの流速を制御して、処理室の上部と下部への原料ガスの供給量を調整し、面内膜厚均一性を向上させることが可能となる。（ｂ）処理室の上部と下部の少なくともいずれかにのみガス供給孔を有する不活性ガス専用ノズルを設けることにより、処理室の中央部への影響を抑制しつつ、反応ガスの供給時に反応ガスの流速を制御して、処理室の上部と下部への反応ガスの供給量を調整し、面内膜厚均一性を向上させることが可能となる。（ｃ）処理室の上部と下部の少なくともいずれかにのみガス供給孔を有する不活性ガス専用ノズルを設けることにより、残留ガスの除去時に、処理室２０１の上部と下部でパージ効率を向上させることが可能となる。（ｄ）処理室の上部と下部の少なくともいずれかにのみガス供給孔を有する不活性ガス専用ノズルを設けることにより、残留ガスの除去時における異物発生率を低減することが可能となる。

＜本開示の他の実施形態＞
以上、本開示の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

なお、上述の実施形態では、不活性ガスとしてＮ_２ガスを例示したが、不活性ガスとしては、Ｎ_２ガスの他、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。

また例えば、上述の実施形態では、基板上に形成する膜としてＴｉ元素を用いたＴｉＯ膜を例示したが、低温処理を行う膜であれば、ＴｉＯ膜の他、例えば、Ｔｉ以外の元素として、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、イットリウム（Ｙ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）等の元素を含む酸化膜、窒化膜、炭化膜や、それらの複合膜を形成する場合にも好適に適用可能である。

上述の元素を含む膜を形成する場合、原料ガスとしては、低温で用いられる原料ガスであれば、例えば、ＴＤＭＡＴの他に、四塩化チタン（ＴｉＣｌ_４）、五塩化タンタル（ＴａＣｌ_５）、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５）、六フッ化タングステン（ＷＦ_６）、ビス（ターシャリブチルイミノ）ビス（ターシャリブチルアミノ）タングステン（（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ）_２Ｗ（Ｃ_４Ｈ_９Ｎ）_２、）、二塩化コバルト（ＣｏＣｌ_２）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）コバルト（Ｃ_１４Ｈ_１８Ｃｏ）、三塩化イットリウム（ＹＣｌ_３）、トリス（ブチルシクロペンタジエニル）イットリウム（Ｙ（Ｃ_５Ｈ_４ＣＨ_２（ＣＨ_２）_２ＣＨ_３）_３）、三塩化ルテニウム（ＲｕＣｌ_３）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム（Ｃ_１４Ｈ_１８Ｒｕ）、三塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ_３）、トリメチルアルミニウム（（ＣＨ_３）_３Ａｌ）、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ_４）、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_３］_４）、四塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ_４）、テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_３］_４）、モノシラン（ＳｉＨ_４）、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_３等のハロゲン化物、有機化合物を含む原料ガスを用いることも可能である。

反応ガスとしては、例えば、Ｈ_２Ｏガスの他に、オゾン（Ｏ_３）、プラズマ励起した酸素（Ｏ_２）、水蒸気（Ｈ_２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）、プラズマ励起したＯ_２＋Ｈ_２の混合ガス、アンモニア（ＮＨ_３）、プロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）等を用いることも可能である。

上述の実施形態では、反応管が１重管構造を有する例について説明した。しかしながら、反応管は、内部反応管（インナーチューブ）と、その外側に設けられた外部反応管（アウターチューブ）とで構成される２重管構造を有していてもよい。

これらの各種薄膜の成膜処理に用いられるプロセスレシピ（成膜処理の処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）や、これらの各種薄膜を含む堆積物の除去に用いられるクリーニングレシピ（クリーニング処理の処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）や、残留ハロゲン元素の除去に用いられるパージレシピ（パージ処理の処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）は、成膜処理やクリーニング処理やパージ処理の内容（形成、或いは、除去する薄膜の膜種、組成比、膜質、膜厚等）に応じて、それぞれ個別に用意する（複数用意する）ことが好ましい。そして、各種処理を開始する際、処理内容に応じて、複数のレシピの中から、適正なレシピを適宜選択することが好ましい。具体的には、処理内容に応じて個別に用意された複数のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体（外部記憶装置１２３）を介して、基板処理装置が備える記憶装置１２１ｃ内に予め格納（インストール）しておくことが好ましい。そして、成膜処理やクリーニング処理やパージ処理を開始する際、基板処理装置が備えるＣＰＵ１２１ａが、記憶装置１２１ｃ内に格納された複数のレシピの中から、処理内容に応じて、適正なレシピを適宜選択することが好ましい。このように構成することで、１台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の薄膜を汎用的に、かつ、再現性よく形成したり除去したりできるようになる。また、オペレータの操作負担（処理手順や処理条件等の入力負担等）を低減でき、操作ミスを回避しつつ、各種処理を迅速に開始できるようになる。

上述のプロセスレシピやクリーニングレシピやパージレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置１２２を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更するようにしてもよい。

また、上述の実施形態や変形例等は、適宜組み合わせて用いることができる。また、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。

この出願は、２０１８年３月３０日に出願された日本出願特願２０１８−０６７６９５を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。

以上述べたように、本開示によれば、処理室の上部と下部とで、配置された基板に形成された膜の面内均一性を向上させるとともに、異物発生率を低減させ、生産性を向上させる技術を提供することが可能となる。

１０ 基板処理装置１２１ コントローラ２００ ウエハ２０１ 処理室２０２ 処理炉

Claims (10)

1. 間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、
   前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように開口する複数の原料ガス供給孔を有し、前記処理室に原料ガスを供給する原料ガスノズルと、
   前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように開口する複数の反応ガス供給孔を有し、前記処理室に反応ガスを供給する反応ガスノズルと、
   前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、１つ以上の不活性ガス供給孔を上部および下部の少なくともいずれかにのみ有し、前記不活性ガス供給孔は前記複数の基板のうち上部および下部の少なくともいずれかに配列される１枚以上の基板に対応する位置に開口し、前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガスノズルと、
   を有する基板処理装置。
2. 前記不活性ガス供給孔は、前記不活性ガスノズルの上部および下部のみに開口する請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記複数の基板を、間隔を空けて配列するよう支持する基板支持部材を有し、
   前記基板支持部材は天板を備え、
   前記不活性ガスノズルの上部に開口する不活性ガス供給孔は、前記天板に対応する位置には開口せず、前記天板に対応する位置より低い位置および前記天板に対応する位置より高い位置にそれぞれ１つ以上開口する請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記天板に対応する位置より高い位置に開口する不活性ガス供給孔は、前記天板に対応する位置より低い位置に開口する不活性ガス供給孔より、開口面積が広い請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記不活性ガスノズルの下部に開口する不活性ガス供給孔は、前記基板配列領域より下の断熱板領域に対応するように開口する請求項２に記載の基板処理装置。
6. 前記不活性ガスノズルの下部には、前記断熱板領域に配列される断熱板の数と同数の前記不活性ガス供給孔が開口する請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記原料ガスを前記原料ガスノズルに供給する原料ガス供給系と、
   前記反応ガスを前記反応ガスノズルに供給する反応ガス供給系と、
   前記不活性ガスを前記不活性ガスノズルに供給する不活性ガス供給系と、
   前記処理室に前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室に前記不活性ガスを供給して前記原料ガスを除去する処理と、前記処理室に前記反応ガスを供給する処理と、前記処理室に前記不活性ガスを供給して前記反応ガスを除去する処理と、を順に複数回行い、前記複数の基板上に膜を形成することが可能なように、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系および前記不活性ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、を有する請求項１に記載の基板処理装置。
8. 前記制御部は、前記原料ガスを供給する処理では前記原料ガスに加えて前記不活性ガスを供給し、前記反応ガスを供給する処理では前記反応ガスに加えて前記不活性ガスを供給し、前記原料ガスを除去する処理および前記反応ガスを除去する処理では、前記原料ガスを供給する処理および前記反応ガスを供給する処理より、前記不活性ガスの供給流量を多くすることが可能なように、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系および前記不活性ガス供給系を制御するよう構成される請求項７に記載の基板処理装置。
9. 間隔を空けて配列された複数の基板を処理室に収容する工程と、
   前記処理室に、原料ガス、反応ガス、不活性ガスを供給して、前記複数の基板を処理する工程であって、前記複数の基板が配列された基板配列領域に対応するように、原料ガスノズルおよび反応ガスノズルにそれぞれ開口する複数の原料ガス供給孔および複数の反応ガス供給孔から、前記原料ガスおよび前記反応ガスをそれぞれ供給し、
   １つ以上の不活性ガス供給孔を上部および下部の少なくともいずれかにのみ有し、前記不活性ガス供給孔は前記複数の基板のうち上部および下部の少なくともいずれかに配列される１枚以上の基板に対応する不活性ガスノズルの前記不活性ガス供給孔から、前記不活性ガスを供給する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
10. 間隔を空けて配列された複数の基板を基板処理装置の処理室に収容する手順と、
    前記処理室に、原料ガス、反応ガス、不活性ガスを供給して、前記複数の基板を処理する手順であって、前記複数の基板が配列された基板配列領域に対応するように、原料ガスノズルおよび反応ガスノズルにそれぞれ開口する複数の原料ガス供給孔および複数の反応ガス供給孔から、前記原料ガスおよび前記反応ガスをそれぞれ供給し、
    １つ以上の不活性ガス供給孔を上部および下部の少なくともいずれかにのみ有し、前記不活性ガス供給孔は前記複数の基板のうち上部および下部の少なくともいずれかに配列される１枚以上の基板に対応する不活性ガスノズルの前記不活性ガス供給孔から、前記不活性ガスを供給する手順と、
    をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。

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